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Self-limiting atomic-layer deposition of Si on SiO2 by alternate supply of Si2H6 and SiCl4 - 広島大学学術情報リポジトリ

Self-limiting atomic-layer deposition of Si on SiO2 by alternate supply of Si2H6 and SiCl4

Applied Physics Letters 79 巻 5 号 617-619 頁 2001-07-30 発行

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ファイル情報(添付)	ApplPhysLett_79_617.pdf 103 KB 種類 : 全文
タイトル ( eng )	Self-limiting atomic-layer deposition of Si on SiO2 by alternate supply of Si2H6 and SiCl4
作成者	Yokoyama Shin Ohba Kenji Nakajima Anri
収録物名	Applied Physics Letters
巻	79
号	5
開始ページ	617
終了ページ	619
抄録	Atomic-layer deposition of Si on SiO2 with a self-limiting growth mode was achieved at substrate temperatures between 355 and 385 °C by means of alternate supply of Si2H6 and SiCl4 gas sources. The growth rate was saturated at 2 ML per cycle at these temperatures and for Si2H6 exposure time over 120 s. The smooth surface (∼0.26 nm in arithmetic average roughness) was obtained under the self-limiting condition irrespective of a film thickness up to 6.5 nm.
言語	英語
資源タイプ	学術雑誌論文
出版者	American Institute of Physics
発行日	2001-07-30
権利情報	Copyright (c) 2001 American Institute of Physics.
出版タイプ	Version of Record（出版社版。早期公開を含む）
アクセス権	オープンアクセス
収録物識別子	[ISSN] 0003-6951 [DOI] 10.1063/1.1389508 [NCID] AA00543431 [DOI] http://dx.doi.org/10.1063/1.1389508