A D2 formed, by connecting at least two SBDs in series, is used in place of the conventional diode having a PN junction.例文帳に追加

従来のＰＮ接合を有するダイオードに変え、ＳＢＤを少なくとも２個直列に接続したＤ２を使用する。 - 特許庁

To provide a compact integrated circuit having a high-voltage Schottky barrier diode (SBD) and integrated high voltage SBDs so as to prevent the breakdown voltage of each SBD from decreasing, and applying different voltages to the electrodes of multiple SBDs.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）の耐圧が低下することを防止すると共に、複数のＳＢＤのそれぞれの電極に異なる電圧を印加できるようにして、高耐圧のＳＢＤ及び高耐圧のＳＢＤが集積化されたコンパクトな集積回路を実現できるようにする。 - 特許庁

Two Schottky barrier diodes (SBDs) which are connected in parallel to a field effect transistor that is a switching element, and composed of silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN), respectively, are configured to vary a rate of change of a current with respect to a forward voltage in accordance with the level of an ON voltage which is started to be conducted forward.例文帳に追加

スイッチング素子である電界効果トランジスタに並列に接続されており、夫々炭化珪素（ＳｉＣ）及び窒化ガリウム（ＧａＮ）からなる２つのショットキバリアダイオード（ＳＢＤ）について、順方向に導通し始めるオン電圧の高低に応じて、順方向の電圧に対する電流の変化率が大小となるようにする。 - 特許庁

Thus, a circulating current is first conducted from the SBD composed of GaN of a lower ON voltage and conducted so as to branch more circulating currents to the SBD composed of SiC of a higher ON voltage together with increase of the forward voltage, thereby distributing a conduction loss caused by the circulating current to the SBDs.例文帳に追加

これにより、オン電圧が低い方のＧａＮからなるＳＢＤから環流電流を先に導通させ、順方向の電圧の上昇と共に、オン電圧が高い方のＳｉＣからなるＳＢＤへより多くの環流電流を分流させるように導通させて、環流電流による導通損失を各ＳＢＤに分散させる。 - 特許庁