This method comprises specifying a received transmission as requiring multiple pass location processing, whereby the WLS determines a first, lower quality location estimate and then subsequently determines a second, higher quality location estimate.例文帳に追加

この方法は、受信した送信を、複数パス位置検出処理を必要とするものとして特定することにより、ＷＬＳは、第１の低品質位置推定を求め、続いて第２の高品質位置推定を求めることを含む。 - 特許庁

By turning the addresses of the word lines of upper, lower, left and right transfer transistors 3 provided in the row decoder to non- successive allocations, the two transfer transistors 3 corresponding to adjacent two word lines WLs are not arranged adjacently in a vertical direction and a horizontal direction.例文帳に追加

ロウデコーダ中に設けられた上下左右の転送トランジスタ３のワード線のアドレスを連続しない割付にすることによって、隣接する２本のワード線ＷＬに対応する２つの転送トランジスタ３を、縦方向及び横方向に隣接して配置しないこと特徴としている。 - 特許庁

Transfer transistors TT0, TT1 of each memory cell connect a memory node of the data storage circuit to a corresponding bit line from among a plurality of bit lines BL, /BL in response to activation of a corresponding word line from among a plurality of word lines WLs.例文帳に追加

各メモリセルの転送トランジスタＴＴ０、ＴＴ１は、複数のワード線ＷＬのうち対応するワード線の活性化に応答して、データ記憶回路の記憶ノードを複数のビット線ＢＬ、／ＢＬのうち対応するビット線に接続する。 - 特許庁

The motor-power calculation part 93 calculates a motor power Wmt in each of first/second fan motors 7a, 7b by subtracting the loss power Wls calculated by the loss-power calculation part 92 from the DC power Wdc calculated by the DC-power calculation part 91.例文帳に追加

モータ電力算出部９３は、直流電力算出部９１により算出された直流電力Ｗｄｃから、損失電力算出部９２により算出された損失電力Ｗｌｓを減算することで、第１及び第２ファンモータ７ａ，７ｂにおけるモータ電力Ｗｍｔを算出する。 - 特許庁

In reading the memory cell MC, first voltage having no temperature dependence is applied to the bit lines BLs, while second voltage having temperature dependence opposite to that of forward direction voltage of the diode 21 and having lower second voltage than the first voltage is applied to the word lines WLs, a resistance state of the phase change element 20 is detected by a read circuit 32 in accordance with a change in current flowing in the memory cell MC.例文帳に追加

このメモリセルＭＣの読み出し動作時には、温度依存性がない第１の電圧がビット線ＢＬｓに印加され、ダイオード２１の順方向電圧の温度依存性とは逆の温度依存性を有し第１の電圧より低い第２の電圧がワード線ＷＬｓに印加された状態で、メモリセルＭＣを流れる電流の変化に応じて相変化素子２０の抵抗状態がリード回路３２により検知される。 - 特許庁