In some embodiments, a hardmask film includes a germanium-rich GeN_x hardmask material containing at least about 60 atom% of germanium.例文帳に追加

ハードマスク膜は、ゲルマニウム含有率が少なくとも約６０原子パーセントと、ゲルマニウム含有率が高いＧｅＮ_ｘハードマスク材料を含む。 - 特許庁

A gate hardmask, the gate electrode 34 and a gate insulating film 33 are formed on a semiconductor substrate 32.例文帳に追加

半導体基板３２上にゲートハードマスク、ゲート電極３４及びゲート絶縁膜３３を形成する。 - 特許庁

HARDMASK COMPOSITION FOR RESIST UNDERLAYER FILM INCLUDING ORGANOSILANE POLYMER AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

有機シラン系重合体を含むレジスト下層膜用ハードマスク組成物およびこれを用いた半導体集積回路デバイスの製造方法 - 特許庁

An S/D extension 36 is formed after narrowing a line width of the gate hardmask more than that of the gate electrode.例文帳に追加

ゲートハードマスクの線幅をゲート電極よりも狭くした後、Ｓ／Ｄエクステンション３６を形成する。 - 特許庁

The hardmask is opened by plasma etching using an etching gas composed of H, N, and CO.例文帳に追加

ハードマスクは、Ｈ、Ｎ及びＣＯで構成されるエッチングガスを使用するプラズマエッチングにより開かれる。 - 特許庁

The method comprises steps of: providing a material layer on a substrate; and forming an antireflective hardmask layer over the material layer.例文帳に追加

本発明の方法は、基板上に材料層を設けるステップと、この材料層の上に反射防止ハードマスク層を形成するステップとを含む。 - 特許庁

In some embodiments, a hardmask film has a stress of between about -600 MPa and 600 MPa and a hardness of at least about 12 Gpa.例文帳に追加

ハードマスク膜は、応力が約−６００ＭＰａから６００ＭＰａの範囲内であり、硬度は少なくとも約１２Ｇｐａである。 - 特許庁

A contact junction 38 is formed by using, as masks, the gate electrode and the insulating member, after removing the hardmask.例文帳に追加

ゲートハードマスクを除去した後、ゲート電極と絶縁部材をマスクにしてコンタクトジャンクション３８を形成する。 - 特許庁