In addition, the single crystal silicon wafer having a square section which is made by slicing the single crystal silicon having the square cross section grown by the FZ method has in-plane distribution of four-fold symmetry in resistivity.例文帳に追加

また、ＦＺ法により育成された四角形の断面を有する単結晶シリコンをスライスした四角形の単結晶シリコンウェ−ハであって、抵抗率が四回対称の面内分布を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductive seamless belt which stably exhibits volume resistivity in a semiconductive region while having mechanical strength such as tensile modulus of elasticity and fracture elongation required as a seamless belt and is less in plane variation.例文帳に追加

引張弾性率、破断伸びなどのシームレスベルトとして必要な機械的強度を有していながら安定して半導電領域の体積抵抗率を発現し、面内バラツキの小さい半導電性シームレスベルトを提供する。 - 特許庁

The external detection electrode 10 or the internal detection electrode 20 measures an electric potential, and the computer detects a resistivity distribution in a perpendicular plane including the selected two external detection electrodes 10 or internal detection electrodes 20.例文帳に追加

外部検知電極１０、又は内部検知電極２０は、電位の測定を行い、その値に基いて、コンピュータは、選択された２つの外部検知電極１０、又は内部検知電極２０を含む鉛直面内の比抵抗分布を検知する。 - 特許庁

To provide a susceptor, a vapor phase growth device, a method of manufacturing an epitaxial wafer, and an epitaxial wafer, which are capable of readily achieving the in-plane uniformity of dopant concentration and resistivity.例文帳に追加

ドーパント濃度および抵抗率の面内均一化を容易に実現し得るサセプタ、気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハを提供する。 - 特許庁

To provide a control method for semiconductor rod floating melt zone, enabling drawing process to be automated using four television cameras, making the controllability of zone length favorable, and intended to stabilize in-plane resistivity distribution.例文帳に追加

４台のテレビカメラを用いて絞り工程の自動化を可能にすると共に、ゾーン長の制御性を良好にし、面内抵抗率分布の安定化を図った半導体棒浮遊溶融帯域制御方法を提供すること。 - 特許庁

The heat-conductive sheet 1 comprising plate-like boron nitride particles 2 has a coefficient of thermoconductivity of ≥4 W/m K in the plane direction SD of the heat-conductive sheet 1, and volume resistivity R of ≥1×10^10 Ω cm.例文帳に追加

板状の窒化ホウ素粒子２を含有する熱伝導性シート１であって、熱伝導性シート１の面方向ＳＤの熱伝導率が、４Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、体積抵抗Ｒが、１×１０^１０Ω・ｃｍ以上である。 - 特許庁

An external force location calculating section 26 calculates a location for receiving an external force on a pressure receiving plane 12a based on the calculated quantity δρ(x, y) of the change in the electric resistivity.例文帳に追加

外力位置算出部２６にて、算出された電気抵抗率の変化量δρ（ｘ，ｙ）に基づいて、受圧面１２ａにおける外力の受ける位置を算出する。 - 特許庁

The SOI wafer including at least a SOI layer, a silicon oxide film and the base wafer is characterized in that the SOI layer has a plane direction of (100) and that the base wafer has resistivity of 100 Ω cm or higher and has a plane direction other than (100).例文帳に追加

少なくともＳＯＩ層とシリコン酸化膜とベースウェーハを具備するＳＯＩウェーハであって、該ＳＯＩ層は、面方位が（１００）であり、前記ベースウェーハは、抵抗率が１００Ω・ｃｍ以上で、かつ（１００）とは異なる面方位を有するものであることを特徴とするＳＯＩウェーハ。 - 特許庁