The MOS field effect transistor type quantum dot light-emitting element comprises a semiconductor substrate, a gate SiO_2 layer formed on the semiconductor substrate, and a laminated gate electrode layer formed on the gate SiO_2 layer, in which a dope Si layer, Ge layer, and dope Si layer are laminated sequentially.例文帳に追加

ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子は、半導体基板と、該半導体基板上に形成されたゲートＳｉＯ_２層と、該ゲートＳｉＯ_２層上に形成されたドープＳｉ層、Ｇｅ層及びドープＳｉ層を順次積層してなる積層ゲート電極層と、を有する。 - 特許庁

In a transmitting side optical amplifier of a comparatively low output and a low gain, all excitation light power is not consumed in a dope fiber in an amplification process but surplusage exists as remaining excitation light.例文帳に追加

比較的低出力・低利得な送信側光増幅器では、励起光パワーが増幅過程においてドープファイバ内ですべて消費されるわけではなく、残留励起光として余剰分が存在する。 - 特許庁

An agent for increasing the amount of transmitting visible light for the light-transmiting substrate containing an organosilicon compound and/or an inorganic silicon compound and a metal dope titanium oxide is applied onto the surface of the light-transmitting substrate and, if necessary, the resulted substrate is heated to bring the substrate to be highly light-transmissive.例文帳に追加

有機ケイ素化合物及び／又は無機ケイ素化合物、並びに、金属ドープ酸化チタンを含む、光透過性基体の透過可視光量増加剤を光透過性基体の表面に塗布し、これを必要に応じて加熱して当該基体を光高透過性とする。 - 特許庁

To provide a dope-dyed polyamide fiber which has excellent shear stress and excellent impact absorbability to impacts from many directions, and has excellent light resistance, even when dyed in colors except black color.例文帳に追加

編加工を施して産業資材用途に使用する場合に、剪断応力や多方向の衝撃に対して衝撃吸収性に優れ、黒以外に着色されても耐光性に優れる原着ポリアミド繊維を提供する。 - 特許庁

The light-emitting device is constituted of the lower electrode of a highly-concentrated dope silicon (Si), and an Si-containing dielectric layer disposed on the lower electrode with an Si nano-particle embedded therein.例文帳に追加

発光デバイスは、高濃度ドープシリコン（Ｓｉ）下部電極と、下部電極の上に配置された、Ｓｉナノ粒子が埋め込まれたＳｉ含有誘電体層とによって構成されている。 - 特許庁

This method for producing the light-diffusing film comprises casting a dope containing fine particles on a support, peeling the film from the support, and drying, wherein the formed film has a haze of ≥30%.例文帳に追加

微粒子を含有するドープを支持体上に流延し、剥離後乾燥させて、ヘイズ３０％以上のフィルムを作製することを特徴とする光拡散フィルムの製造方法。 - 特許庁

Grated layers 5 and 7 nearby an active layer 6 suppress absorption of emitted light due to a free carrier, so the carrier density is set low (non-dope).例文帳に追加

活性層６の近傍に位置するグレーデッド層５，７は、フリーキャリアに起因する発光の吸収を抑制するため、そのキャリア濃度は低く設定されている（ノンドープ）。 - 特許庁

The GaP light emitting device 1 has a structure of laminating an n-type GaP buffer layer 11, an n-type GaP layer 12, an N dope n-type GaP layer 13, and a p-type GaP layer 14 on an n-type GaP mono-crystal substrate 10.例文帳に追加

ＧａＰ発光素子１は、ｎ型ＧａＰ単結晶基板１０上に、ｎ型ＧａＰバッファ層１１、ｎ型ＧａＰ層１２、Ｎドープｎ型ＧａＰ層１３、ｐ型ＧａＰ層１４が積層された構造を有する。 - 特許庁