Diferencia entre revisiones de «Memoria flash»
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{{Fusionar|Memoria USB}}{{PA|referencias adicionales|desactualizado|t=20151031123358}}
[[File:Flash memory cards size.jpg|thumb|Tarjetas de memoria Flash de distintos formatos.]]
La '''''memoria flash''''' es un medio de almacenamiento de [[Memoria no volátil|memoria de computadora electrónico no volátil]] que se puede borrar y reprogramar eléctricamente. Los dos tipos principales de memoria flash, NOR flash y NAND flash, reciben su nombre de las puertas lógicas NOR y [[Puerta NAND|NAND]]. Permite la lectura y escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación. Gracias a ello, la tecnología ''flash'', mediante impulsos eléctricos, permite velocidades de funcionamiento superiores frente a la tecnología [[EEPROM]] primigenia, que solo permitía actuar sobre una única [[celda de memoria]] en cada operación de programación.
Se trata de la tecnología empleada en las [[memoria USB]], [[Unidad de estado sólido|unidades de estado sólido]], las [[tarjeta de memoria|tarjetas de memoria]] y las actuales [[BIOS]] y [[UEFI]].<ref>{{Cita web|url=http://www.flashstorage.com/flash-storage-technical-economic-primer/|título=A Flash Storage Technical and Economic Primer {{!}} Flashstorage.com|fechaacceso=2022-04-03|fecha=2015-07-20|sitioweb=web.archive.org|fechaarchivo=20 de julio de 2015|urlarchivo=https://web.archive.org/web/20150720220844/http://www.flashstorage.com/flash-storage-technical-economic-primer/|deadurl=yes}}</ref>
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En 1984, fue [[Fujio Masuoka]] quien inventó este tipo de memoria como evolución de las [[EEPROM]] existentes por aquel entonces,<ref name="forbes">{{Obra citada|url=http://www.forbes.com/global/2002/0624/030.html|título=Unsung hero|apellidos=Fulford|nombre=Benjamin|fecha=24 de junio de 2002|fechaacceso=21 de septiembre de 2015}}</ref> mientras trabajaba para [[Toshiba]], propuso un nuevo tipo de memoria de puerta flotante que permitía borrar secciones completas de la memoria de forma rápida y sencilla, aplicando un voltaje a un solo cable conectado a un grupo de celdas.<ref>{{Cita noticia|título=Not just a flash in the pan|url=https://www.economist.com/technology-quarterly/2006/03/11/not-just-a-flash-in-the-pan|periódico=The Economist|fecha=2006-03-11|fechaacceso=2022-04-03|issn=0013-0613}}</ref> Esto condujo a la invención de la memoria flash de Masuoka en Toshiba en 1980. Según Toshiba, el nombre "flash" fue sugerido por el colega de Masuoka, Shōji Ariizumi, porque el proceso de borrado de los contenidos de la memoria le recordaba al flash de una cámara. Masuoka y sus colegas presentaron la invención de NOR flash en 1984 y luego [[NAND|NAND flash]] en la [[Institute of Electrical and Electronics Engineers|IEEE]] en 1987 por la conferencia llamada ''International Electron Devices Meeting (IEDM)'' celebrada en [[San Francisco (California)|San Francisco]].<ref>{{Cita publicación|url=https://ieeexplore.ieee.org/document/1487443/|título=New ultra high density EPROM and flash EEPROM with NAND structure cell|apellidos=Masuoka|nombre=F.|apellidos2=Momodomi|nombre2=M.|fecha=1987-12|publicación=1987 International Electron Devices Meeting|páginas=552–555|fechaacceso=2022-04-03|doi=10.1109/IEDM.1987.191485|apellidos3=Iwata|nombre3=Y.|apellidos4=Shirota|nombre4=R.}}</ref><ref>{{Obra citada|título=Semiconductor memory device and method for manufacturing the same|url=https://patents.google.com/patent/US4531203/en|fechaacceso=2022-04-03|fecha=1985-07-23|número=US4531203A|inventor-surname=Masuoka|inventor-given=Fujio|inventor2-surname=Iizuka|inventor2-given=Hisakazu}}</ref><ref>{{Cita publicación|url=https://ieeexplore.ieee.org/document/1484523/|título=A new flash E2PROM cell using triple polysilicon technology|apellidos=Masuoka|nombre=F.|apellidos2=Asano|nombre2=M.|fecha=1984-12|publicación=1984 International Electron Devices Meeting|páginas=464–467|fechaacceso=2022-04-03|doi=10.1109/IEDM.1984.190752|apellidos3=Iwahashi|nombre3=H.|apellidos4=Komuro|nombre4=T.|apellidos5=Tanaka|nombre5=S.}}</ref> [[Intel]] intentó atribuirse la creación de esta sin éxito, aunque sí comercializó la primera memoria flash de uso común.<ref>{{Cita web|url=https://www.abc.es/tecnologia/consultorio/20150223/abci-tarjeta-memoria-flash-historia-201502201625.html|título=Qué es una memoria flash|fechaacceso=2022-03-22|fecha=2015-02-22|sitioweb=abc|idioma=es}}</ref>
En los periféricos se encuentran el: ''fax-Módem'', tarjeta de red.
Entre los años 1994 y 1998, se desarrollaron los principales tipos de memoria conocidas, como la [[SmartMedia]] o la [[CompactFlash]]. La tecnología pronto planteó aplicaciones en otros campos. En 1998, la compañía coreana ''Saehan'' comercializó el primer [[Eiger Labs MPMan F10|reproductor de audio digital]] sin piezas móviles aprovechando el modo de funcionamiento de la memoria flash. Este producto inauguraría una nueva clase de reproductores que causarían una revolución en la industria musical llevando al escándalo [[Napster]], el lanzamiento del [[iPod]] y el eventual reemplazo de los reproductores de cinta y CD.
En 1994, [[SanDisk]] comenzó a comercializar tarjetas de memoria ([[CompactFlash]]) basadas en estos circuitos, y desde entonces la evolución ha llegado a pequeños dispositivos de mano de la electrónica de consumo como reproductores de MP3 portátiles, tarjetas de memoria para [[videoconsola]]s y teléfonos móviles, capacidad de almacenamiento para las [[PC Card]] que permiten conectar a redes inalámbricas y un largo etcétera, incluso llegando a la aeronáutica espacial.
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* Un mecanismo para auto-identificación (comparable a la función de detección de presencia de módulos de memoria [[SDRAM]]).
El grupo ONFI es apoyado por la mayoría de los fabricantes de memorias flash nand, incluyendo [[Hynix]], [[Intel]], [[Micron Technology]] y [[Numonyx]]<sup>[[Numonyx|en]])</sup>, así como por los principales fabricantes de dispositivos que incorporan chips de memoria flash nand.<ref>Lista de los miembros ONFI http://onfi.org/membership/ {{Wayback|url=http://onfi.org/membership/ |date=20090829141114 }}.</ref>
Un grupo de proveedores (incluyendo Intel, [[Dell]], y [[Microsoft]]) formaron el grupo de trabajo NVM Express (''Non-Volatile Memory Host Controller Interface''). El objetivo del grupo es proporcionar software estándar e interfaces de programación hardware para los subsistemas de memoria no volátil, incluido el dispositivo ''"flash caché"'', conectado al bus [[PCI Express]].'''
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