Ruido Eléctrico
Ruido Eléctrico
Ruido Eléctrico
Carlos Navarro
Ruido elctrico
1. Concepto: Se define el ruido elctrico como cualquier seal no deseada presente en la banda de
paso til de un circuito de comunicacin que tiene a interferir con la recepcin normal de la seal
transmitida.
2. Tipos de ruido:
2.1. Correlacionados: Es una energa elctrica no deseada que est presente como un resultado
directo de una seal. Por lo tanto, no hay seal no hay ruido
2.2. No correlacionados: Estn presente en ausencia de seal la seal no tiene efecto sobre la
magnitud del ruido.
Ruido
Correlacionado
(Determinsticos)
Distorsin armnica
Ruido de intermodulacin
Distorsin de fase
No correlacionado
(no determinstico,
aleatorios)
Ruido externo
Ruido interno
Ruido trmico
Ruido de disparo
Ruido de 1/f (< 1 KHz)
1 Hz,
N0 / d Bm = 10 log 4 . 10 -18
N0 / d Bm = - 174 d Bm
La potencia total de ruido presente en un ancho de banda B es:
N0 =
hf
E hf / K T - 1
Si f
Un resistor metlico puede considerarse como una fuente cuyo circuito equivalente ser:
Resistor libre de ruido
Fuente de ruido
En el peor de los casos, es decir mxima transferencia de potencia, la resistencia de carga se iguala
a R. Por lo tanto, la tensin de ruido disipada por R es igual a Vn / 2 y la potencia de ruido
desarrollada en la carga ser igual a N
=KTB
Por lo tanto:
(valor RMS) = 4 K T B R
El ruido trmico tiene un espectro de frecuencia uniforme, razn por la cual se lo ha llamado
-13
Hz a temperatura
ruido blanco (vlido segn lo visto anteriormente hasta 1,6 . 10
ambiente)
Utilizando el TEOREMA DE NORTON
R
Vn
In
In2 = Vn2 / R2
In2 = (4 K T B R) / R2
In2 = 4 K T B G
In = 4 K T B G
Ej 1) Supongamos un milivoltmetro con 1 Mde entrada a 300 K :
10 KHz
100 KHz
1 MHz
10 MHz
2) TV
12 V
40 V
128 V
400 V Nos limita la sensibilidad
B = 6 MHz
R = 300
Vn = 5,6 V
Para 40db de relacin S/N debo tener 1
mV de la seal a la entrada
Cuando dos resistores (ruidosos) se conectan en serie la tensin cuadrtica media de ruido
total es igual a la suma de los valores cuadrticos medios de ruido de cada resistor.
R2
R1 + R2
V22n = 4 K T R2 B
VT2n = 4 K T (R1 + R2) B
R1
V12n = 4 K T R1 B
n2 = 4 K T 0 R {Z (f)} df
Ejemplo:
Y = (1/R) + (j w C)
R
C
Z=
1
(1/R) + (j w C)
(1/R) - (j w C)
(1/R2) + (w2 C2)
Z = R - j w C R2
1 + w2 C2 R2
R (Z) = R / (1 + w2 C2 R2)
R Z (f) df =
= 1
2C
R
df = 1
2C
1 + w2 C2 R2
dx
0 1 + x2
d (2 f R C) .
1 + (2 f R C)2
1
[are ty x]
0 = 1 [( / 2) - 0]
2 C
2 C
=1/4C
n2
= (KT) / C
n2 = 2 R K T = 2 R K T f c
2R C
n2 = 4 K T R fc (/2)
El ancho de banda de ruido equivalente es
fc
n2 = 4 K Ta Rrad B
n = 0,1 V
Rrad = 50
Ej:
BLU
Ta =
(0,1 V)2
4 . 1/38 . 10 -23 j / K 50 r . 310 3
B = 3 KHz
Ta = 1208 K
5. Ruido en diodos, transistores y FET
La causa de ruido en los semiconductores tiene su origen en la naturaleza discreta de la
carga electrnica.
Para frecuencias por encima de unos pocos KHz, el valor cuadrtico medio de la amplitud
del ruido puede generalmente predecirse con suficiente precisin sobre las bases de modelos
circuitales relativamente sencillos. Si conocemos las caractersticas de las fuentes de ruido,
podremos disear circuitos que reduzcan al mnimo sus efectos, obteniendo amplificadores de bajo
ruido.
5.1 Ruidos en diodos:
El ruido generado en diodos de unin se llama ruido de disparo (shot noise) o ruido de
fritura.
Se origina porque la corriente se forma con portadores de carga que se emiten al azar desde
la regin emisora. Su nmero flucta estadsticamente de momento a momento.
El ruido de disparo tiene una distribucin espectral plana y se trata como ruido blanco (ruido
trmico).
El ruido de disparo se puede modular como una fuente de corriente cuyo valor cuadrtico
medio est dado por:
I2n = 2 q IDC B
q : 1,6 . 10-19 coul.
B: ancho de banda dentro del cual se mide el
ruido
0 Ien
Ien
Ic
Re
Rc
Rx
Io
Ien
bn
B
Ien2 = 2 q IE B
bn 2 = 4 K T B Rx
Icn2 = 2 q B [Ic0 + Ic (1- 0)
5.3 Ruido en FETS
Las Fuentes de ruido son las siguientes:
a. Ruido trmico generado en la resistencia del canal
b. Ruido trmico de canal acoplado a la compuerta a travs de la capacitancia del canal
compuerta
c. Ruido 1/f
< 100 Hz en J FET
< 10 KHz en MOSFET
El modelo empleado en el FET es, generalmente, el mtodo de los dos generadores:
Vn
(Av)
Rs
Ri
Rs
In
(Av)
Ri
Sin ruido
Con ruido
0n
Si se supone
=0
Rs << Ri
Von =
Rs sera:
Regin 1/f
Regin de ruido
de disparo
In [AMP/Hz]
50
10 -4
10
10 -15
2
10 -16
300
10 K
V1
Trazamos la curva de
cuadrtico medio)
Av (f)
Av (f)
V2
Av (f) 2
Am 2
Si la entrada de este cuadripolo es un ruido blanco con valor cuadrtico medio de tensin 1n
la tensin de ruido de salida en un intervalo de frecuencia = 1
/Hz,
Hz ser:
2n (f) df = 1n
|Av (f)|2 df
|Av (f)|2
|Am|2
BE
El ancho de banda equivalente BE se define como el ancho de banda de un filtro pasabanda ideal
2
BE |Am| =
BE =
|Av (f)|2 df
|Av (f)|2 df
|Am|2
|Av (x)| =
x = 2Q f f0
f0
dx = 2Q df => df = f0 dx
f0
2Q
BE = f 0
2Q
1 = f0 arc tg
1+x2
2Q
= f0
2Q
db del
Pni = K T f
WATTS
Pno = Ga(f) K T f
Pni = K T f
G
(Sin ruido)
Pno = G K T f
Pni
G Pne
Pne a la salida:
Pno = G K T f + Pne
Si sustituimos la red ruidosa por una sin ruido que tenga la misma ganancia disponible G y
teniendo en cuenta el ruido de salida Pne mediante una fuente de ruido adicional a la entrada, nos
queda:
Pnei = K Te B
G
Pni = K T B
Pno = G K B (T + Te)