El Microscopio de Efecto Túnel

Autor: Gerardo Jos Villeda Erazo
Instructor: Moiss Antonio Guzmn Hidalgo

Ayudante: Michelle Elisabeth Favre Espino
Universidad Centroamericana Jos Simen Caas UCA

Antiguo Cuscatln, El Salvador
00005813@uca.edu.sv
El microscopio de efecto tnel

El microscopio de efecto tnel, conocido por sus siglas en ingls, STM (Scanning Tunneling
Microscopy), fue inventado en 1982 por G. Bining y H Rohrer, recibiendo por ello el Premio Nobel
de Fsica n 1986.
Desde su invencin el STM ha sido aplicado a una gran variedad de problemas tanto cientficos
como tecnolgicos. Este microscopio, adems de medir la topografa superficial desde la escala
atmica hasta la de la micra es, tambin, sensible a los cambios en la conductividad elctrica y
la estructura electrnica, y puede ser utilizada para experimentos de nano litografa. Como
veremos ms adelante han surgido, a la sombra del STM, toda una serie de microscopios con
sonda de barrido que posibilitan el estudio de las propiedades mecnicas, magnticas, etc., de
la superficie de la materia.
Hasta la aparicin del STM la microscopa de alta resolucin (a nivel atmico) estaba enfrentada
a dos problemas fundamentalmente. Por un lado resolucin de los microscopios que utilizaban
cualquier tipo de radiacin estaba limitada por la magnitud de la longitud de onda de la misma.
Por otro lado, aquellos microscopios que obtenan resolucin a nivel atmico presentaban una
serie de limitaciones ya fuese en la concerniente a la preparacin de las muestras (muestras muy
delgadas), en el dao causado sobre las mismas (como en el caso del Microscopio Electrnico
de Transmisin, TEM) o en las condiciones de operacin (ultra alto vaco). El STM no causa dao
sobre las muestras estudiadas y consigue, a la vez, una alta resolucin tanto lateral como
vertical.
El STM se basa en el efecto tnel, que es un fenmeno cuntico conocido desde el ao 1928. Su
significado fsico es fcil de explicar: debido a su naturaleza ondulatoria, los electrones de un
metal no estn confinados estrictamente en su interior. Por lo tanto, la densidad electrnica no
se hace cero fuera de la superficie sino que decae exponencialmente (con una longitud de onda
del orden de angstroms).
(Vzquez Vaamonde, de Damborenea, & Damborenea Gonzlez, 2001)
Microscopio de barrido electrnico

El microscopio electrnico de barrido SEM permite generar imgenes de una superficie, con una
resolucin alta y una apariencia tridimensional dentro de un intervalo amplio de aumentos lo
cual facilita el estudio topogrfico de una fractura, de modo que se pueden determinar los
mecanismos microscpicos de fractura, como son tpicamente los de clivaje en una fractura
frgil, generacin y coalescencia de micro vacos en un fractura dctil y estras de fatiga en una
fractura por fatiga.
Otra funcin importante del SEM es que permite realizar microanlisis para determinar la
presencia cualitativa y/o cuantitativa de elementos en detalles microscpicos, como es el caso
de inclusiones y precipitados en aceros u otras aleaciones.
En el microscopio electrnico de barrido se construyen imgenes y contraste aprovechando la
emisin de electrones (electrones secundarios) de una muestra, cuando sobre ella incide un haz
enfocado de electrones de alta energa. La muestra tambin emite rayos X, los cuales pueden
ser analizados para obtener informacin sobre la composicin del material. Cada seal obtenida
del SEM es captada con un detector apropiado, Figura 1.
Los electrones emitidos por la interaccin del haz incidente y la muestra son colectados por los
correspondientes detectores para producir una seal elctrica, la cual se utiliza para modular la
intensidad d un haz de electrones que incide en la pantalla de un tubo de rayos catdicos TRC,
de manera que mediante un barrido sincronizado del haz incidente en la superficie de una
muestra y del haz incidente en la pantalla del TRC, se produce en sta una imagen de la muestra,
Figura 2. La emisin de electrones y de rayos X de la muestra se origina por las colisiones de
electrones del haz incidente con electrones de los tomos del material de la probeta.
Figura 1. Ilustracin esquemtica de la emisin de electrones, rayos X (RX) y de fotones por la

interaccin de un haz incidente de electrones con la muestra.
Algunas colisiones son elsticas de modo que algunos electrones del haz primario pueden salir
de la superficie de la muestra sin una significativa prdida de energa, estos son los llamados
electrones reflejados. Pero la mayora de las colisiones son inelsticas y, entre otros efectos,
originan emisin de electrones de baja energa conocidos como electrones secundarios. Uno de
los usos ms comunes del SEM es el estudio topogrfico de las superficies, para lo cual se usan
los electrones secundarios como seal debido a que su emisin vara significativamente con la
inclinacin local de una superficie con respecto al haz incidente, lo que permite crear contraste
topogrfico en la pantalla del TRC.
(Hernndez Albail & Espejo Mora, 2002)
Figura 2. Diagrama del principio de la formacin de imgenes en el SEM. La imagen en la pantalla

del TRC es un mapa de las intensidades relativas de la emisin de electrones en la superficie de
la muestra.
Bibliografa
Hernndez Albail, H., & Espejo Mora, . (2002). Mecnica de fractura y anlisis de falla.
Colombia: Univ. Nacional de Colombia.
Vzquez Vaamonde, A. J., de Damborenea, J. J., & Damborenea Gonzlez, J. J. (2001). Ciencia e
ingeniera de la superficie de los materiales metlicos. Editorial CSIC.

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