Cuestionario de Prácticas de Materiales de Fabricación II

CUESTIONARIO DE MATERIALES DE FABRICACIN II EVALUACIN
FASE III
Consultando su Texto Gua de la Asignatura y otros textos de
materiales resuelve los siguientes ejercicios y actividades
MARCAR LA RESPUESTA CORRECTA
1. Un conductor de cobre puro puede endurecerse mediante:
a) Envejecimiento.
b) Acritud ms envejecimiento.
c) Transformacin martenstica.
d) Acritud.
2. Una conductividad elctrica de 106 IACS corresponde a un conductor de:
a) Cobre puro OFHC.
b) Plata.
c) Cobre aleado.
d) Oro.
3. El aumento de la resistividad con la temperatura de los metales y
aleaciones se debe a:
a) El aumento de la velocidad de deriva.
b) El aumento del tamao de estos tomos.
c) La diminucin de la movilidad de los electrones.
d) La disminucin de la movilidad de los huecos.
4. En un semiconductor extrnseco de tipo p la conduccin a bajas
temperaturas se debe al movimiento de:
a) Los electrones activados trmicamente.
b) Los huecos.
c) Los electrones y huecos.
d) No hay conduccin neta a bajas temperaturas.
5. En los semiconductores extrnsecos, la brecha o nivel prohibido de energa,
Ed, necesaria
para activar trmicamente la conduccin de tipo extrnseco, es:
a) Inferior a Eg.
b) Superior a Eg.
c) Igual a Eg.
d) Depende de la concentracin de dopante.
6. En un semiconductor intrnseco la conductividad est controlada por:
a) La movilidad y la temperatura.
b) La temperatura y la concentracin de dopante.

c) La temperatura, movilidad y la brecha o nivel prohibido, Eg.
d) La concentracin de dopante.
7. Cul de los siguientes elementos permite obtener semiconductores de
silicio tipo n, donadores?:
a) Fsforo, P.
b) Aluminio, Al.
c) Boro, B.
d) Germanio, Ge.
8. En un semiconductor tipo n la conduccin a alta temperatura se debe a:
a) Electrones donadores.
b) Electrones donadores y electrones activados trmicamente.
c) Electrones donadores, huecos y electrones activados trmicamente.
d) Huecos y electrones activados trmicamente.
9. Qu le pasa a la resistividad elctrica de un conductor elctrico cuando
aumenta la temperatura?
a) Aumenta.
b) Disminuye.
c) Se mantiene constante.
d) Es independe de la temperatura.
10.En qu supuesto tenemos los menores valores de conductividad dentro de
un material?.
a) Cuando esta envejecido.
b) Cuando es templado o solubilizado.
c) Cuando esta sobreenvejecido.
d) Cuando esta mecanizado.
11.Una aleacin presenta el grano muy fino y en consecuencia tendremos:
a) Alta resistencia y resistividad.
b) Excelente conductividad.
c) Un grano alargado/estirado.
d) Un envejecimiento correcto.
12.El diseo y clculo de componentes elctricos conductores debe controlar
parmetros como:
a) Conductividad elctrica del material y factor geomtrico del conductor.
b) La intensidad de corriente.
c) La temperatura.
d) La diferencia de potencial.
13. Los electrones se ordenan en los slidos cristalinos metlicos en:

a) Orbitales atmicos de baja energa.
b) Bandas continuas de energa.
c) Orbitales atmicos separados.
d) Bandas de estados de energa muy prximos.
14.El campo elctrico acelera los electrones de un metal que estn situados
en:
a) La banda de valencia.
b) La banda de conduccin.
c) Fuera del tomo.
d) Es independiente de la banda en la que estn situados.
15.La correlacin entre resistencia elctrica y temperatura para los metales
indica:
a) La resistividad disminuye con la temperatura.
b) La conductividad aumenta con la temperatura.
c) La resistividad es creciente a mayores temperaturas.
d) La resistividad permanece constante con la temperatura.
16.El contenido de impurezas en los slidos metlicos implica:
a) Aumento de la conductividad, por el efecto benfico que stas tienen sobre
la estructura cristalina.
b) Disminucin de la conductividad, al distorsionar la red cristalina e introducir
defectos cristalinos.
c) Disminucin de la conductividad si la impureza es ms resistiva.
d) Muy ligero aumento de la conductividad.
17.La adicin de aleantes, solubles por solucin slida en un metal, nos
permite obtener:
a) Aleaciones ms conductoras respecto del metal puro.
b) Aleaciones mejoradas en resistencia mecnica y elctrica.
c) Aleaciones con peores propiedades mecnicas y elctricas.
d) Aleaciones mejoradas en caractersticas resistentes pero de menor
conductividad.
18.La estructura electrnica de los semiconductores est formada por:
a) Dos bandas de energa con algunos estados superpuestos.
b) Dos bandas de energa, con electrones conductores en la de conduccin.
c) Bandas de valencia y conduccin, separadas por un intervalo prohibido de
energa.
d) Bandas de valencia y conduccin coincidentes.
19.En los semiconductores, los agentes activos de conduccin son:
a) Los electrones de la banda de valencia.

b) Los huecos de la banda de valencia.
c) Los electrones de la banda de conduccin.
d) Electrones y huecos.
20. Un semiconductor que contiene elementos qumicos con la capa electrnica
de valencia diferente a la de los del semiconductor se denomina:
a) Extrnseco.
b) Intrnseco.
c) Dbilmente extrnseco.
d) No recibe ningn nombre especial.
21. Los parmetros que inciden en la conductividad de un semiconductor
intrnseco son:
a) Temperatura, movilidad y diferencia energtica entre bandas.
b) Temperatura y movilidad.
c) Concentracin de portadores de carga libre.
Cuestiones y ejercicios de Fundamentos de Ciencia de Materiales
d) Energa prohibida y concentracin de portadores de carga libre.
22. La concentracin de portadores de carga, en los semiconductores
extrnsecos:
a) Disminuye en el rango de bajas temperaturas por actuar la agitacin trmica
de la red cristalina.
b) Disminuye a altas temperaturas al disminuir la movilidad.
c) Aumenta en el rango de bajas temperaturas por actuar los dopantes como
promotores del mecanismo conductor.
d) Ninguna es correcta ya que la concentracin de portadores de carga es
independiente de la temperatura en los extrnsecos.
23. A temperaturas superiores a la crtica, un semiconductor dopado cambia:
a) Poco ya que la conductividad ya no es funcin de la temperatura.
b) De mecanismo conductor, tomando el intrnseco una mayor importancia.
c) Su comportamiento conductor a extrnseco.
d) Al aumentar la movilidad de los portadores de carga.
24. La naturaleza del dopante incide en:
a) Aumento de la energa de la banda prohibida, disminuyendo la poblacin de
portadores de carga libre.
b) Disminucin de la energa de la banda de energa prohibida, aumentando la
concentracin de portadores libres.
c) El valor de la energa de ionizacin y por tanto en una mayor aptitud para
suministrar portadores de carga libre.
d) El mecanismo de conduccin, intrnseco o extrnseco.
25. La diferencia entre

semiconductor radica en:
la estructura electrnica de
un
metal y un
a) La diferencia de poblacin electrnica en la banda de conduccin.

b) La inexistencia de una banda de energa prohibida en el metal separando las
bandas de valencia y conduccin.
c) Un mayor valor de la energa prohibida en el semiconductor que en el metal.
d) La inexistencia de banda de valencia en los metales.
26. Un material ferroelctrico es aquel que:
a) Manifiesta una variacin del momento dipolar total lineal con el campo
aplicado.
b) Una vez desaparecido el campo aplicado, lo deja permanentemente
polarizado.
c) La constante dielctrica es independiente del campo elctrico externo.
d) Disminuye su constante dielctrica al aumentar el campo externo.
27. Los materiales piezoelctricos relacionan:
a) Tensiones mecnicas elstica y tensiones elctricas.
b) Esfuerzos y deformaciones.
c) Tensiones elctricas y esfuerzos.
d) Deformaciones y polarizacin.
RESPONDA LAS SIGUIENTES PREGUNTAS
1. Diferencias fundamentales entre un conductor y un semiconductor.
2. Diagrama esquemtico de bandas de energa para un conductor, un aislante
y un semiconductor.
3. Diferencias entre un semiconductor p y otro n.
4. Indica los mecanismos de conduccin en los semiconductores en funcin de
la temperatura.
5. Inters tecnolgico del dopado de materiales semiconductores.
6. Justifica el efecto de la temperatura y de la acritud sobre la conductividad.
7. Etapas del envejecimiento: Evolucin de la resistencia mecnica y de la
conductividad elctrica en cada una de ellas.
8. Como se encuentran y distribuyen las bandas en:
a) Material conductor.
b) Material semiconductor.
c) Material aislante.
9. Etapas del recocido contra acritud. Evolucin de la resistencia mecnica y de
la conductividad elctrica en cada una de las etapas.
10. Qu tipos de endurecimiento se aplican a los conductores de cobre?
Seala los mecanismos posibles y sus limitaciones.
11. Disea una experiencia para determinar la resistividad elctrica de
metales.
12. Indica los parmetros que definen el comportamiento conductor en
metales.
13. Todos los materiales piezoelctricos son necesariamente ferroelctricos?
14. Todos los materiales ferroelctricos son necesariamente piezoelctricos?

15. Mostrar y explicar la similitud y diferencias entre el ciclo de histresis de
materiales ferroelctricos y magnticos
16. Dibuje y explique a partir del ciclo de histresis de los materiales
magnticos la clasificacin de los materiales magnticos en duros y blandos
17. Enumere cinco aplicaciones de los materiales superconductores en
ingeniera
18. Explique el efecto Meissner y su principal aplicacin en el campo de la
ingeniera
LECTURA
Ingrese a la siguiente direccin electrnica lea el artculo: Materiales
cermicos ferroelectricos y sus aplicaciones, a partir de dicha lectura elabore
uno o los mapas conceptuales que considere conveniente y realice tambin un
resumen (mnimo 2 hojas) de lo ledo con sus propias palabras, finalmente
comente desde su punto de vista la importancia y trascendencia de los
materiales ferroelctricos en el campo de la Ingeniera Mecnica y afines.
http://boletines.secv.es/upload/199332005.pdf

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b) La temperatura y la concentracin de dopante.

13. Los electrones se ordenan en los slidos cristalinos metlicos en:

a) Los electrones de la banda de valencia.

25. La diferencia entre

a) La diferencia de poblacin electrnica en la banda de conduccin.

14. Todos los materiales ferroelctricos son necesariamente piezoelctricos?

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