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    Preparatorio 10 Dispositivos Electronicos

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    Este documento presenta un trabajo preparatorio sobre el transistor de efecto de campo (JFET). Incluye objetivos, características de JFET vs. transistores bipolares, datos de hoja de varios JFET, circuitos de polarización y amplificación con JFET, y simulaciones. El estudiante analiza e implementa circuitos de polarización y amplificación usando JFET, y presenta voltajes, gráficas y bibliografía.

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    Este documento presenta un trabajo preparatorio sobre el transistor de efecto de campo (JFET). Incluye objetivos, características de JFET vs. transistores bipolares, datos de hoja de varios JFET, circuitos de polarización y amplificación con JFET, y simulaciones. El estudiante analiza e implementa circuitos de polarización y amplificación usando JFET, y presenta voltajes, gráficas y bibliografía.

    Descripción original:

    PREPARATORIO

    Título original

    PREPARATORIO 10 DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

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    Este documento presenta un trabajo preparatorio sobre el transistor de efecto de campo (JFET). Incluye objetivos, características de JFET vs. transistores bipolares, datos de hoja de varios JFET, circuitos de polarización y amplificación con JFET, y simulaciones. El estudiante analiza e implementa circuitos de polarización y amplificación usando JFET, y presenta voltajes, gráficas y bibliografía.

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    ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

    FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA


    DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

    TRABAJO PREPARATORIO

    DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

    TEMA: Transistor de Efecto de Campo

    Realizado por:

    Alumno: CRISTIAN TIXE

    Grupo:

    PRACTICA # 10

    Fecha de entrega: __2016__ / __07__ / __22__


    ______________________
    ao
    mes
    da
    Sancin:

    f.
    Recibido por:

    ________________________________________________

    Semestre:
    Mar - Ago. 2016

    Objetivo:
    Analizar e implementar un circuito de polarizacin para JFET.

    Analizar e implementar un amplificador usando JFET.

    PREPARATORIO:
    1. Consultar las principales caractersticas de los transistores de efecto de
    campo y presentar un cuadro con las semejanzas y diferencias entre este tipo
    de transistores y los de juntura bipolar.
    El JFET siempre opera con la unin pn de compuerta-fuente polarizada en
    inversa. La polarizacin en inversa de la unin de compuerta-fuente con voltaje
    negativo en la compuerta produce una regin de empobrecimiento a lo largo de
    la unin pn, la cual se extiende hacia el canal n, y por lo tanto, incrementa su
    resistencia al restringir el ancho del canal.
    El ancho del canal y, consecuentemente, su resistencia pueden controlarse
    variando el voltaje en la compuerta, controlando de esa manera la cantidad de
    corriente en el drenaje, ID.

    TBJ: controlado por corriente, puede manejar altas frecuencias y potencias,


    usos interruptores amplificadores y comunicaciones.
    JFET: controlado por voltaje, involucra una fabricacin de sustrato, dixido de
    silicio como aislante y metal para las terminales, consume poca potencia, uso
    en el rea digital, puede fabricarse en tamaos minsculos todos los
    microprocesadores estn hechos a base de fet donde puedes encontrar en un
    chip millones de estos transistores, como la corriente el mnima la potencia y
    calentamiento tiende a cero. Adems tiene la cualidad de tener una zona donde
    se comporta como resistencia por lo tanto en circuitos integrados se puede
    usar para suplir a las resistencias porque son ms pequeos que las
    resistencias. Tienen tiempos de conmutacin ms rpidos que los TBJ.
    2. Revisar las hojas de datos de los dispositivos 2N3819, 2N3821, 2N3823 y
    presentar un cuadro con los valores de los parmetros ms importantes.
    Estructura del transistor: JFET 2N3819

    Tipo de control de canal: N


    Potencia mxima disipacin de flujo constante (Pd) del transistor, W: 0.35
    Tensin de ruptura drenaje-fuente (Uds), V: 25
    Umbral de tensin compuerta-fuente (Ugs), V: 8
    La puerta de la corriente mxima del transistor (Id), A: 0.05
    Temperatura mxima (Tj), C: 150
    Tiempo de subida (tr), nS:
    Capacidad de flujo (Cd), pF:
    Escurra-fuente de resistencia en el estado ON (Rds), Ohm:
    Caso: TO-92
    Estructura del transistor: JFET 2N3819
    Estructura del transistor: JFET
    Tipo de control de canal: N
    Potencia mxima disipacin de flujo constante (Pd) del transistor, W: 0.3
    Tensin de ruptura drenaje-fuente (Uds), V: 50
    Umbral de tensin compuerta-fuente (Ugs), V: 2
    La puerta de la corriente mxima del transistor (Id), A: 0.01
    Temperatura mxima (Tj), C: 200
    Tiempo de subida (tr), nS:
    Capacidad de flujo (Cd), pF:
    Escurra-fuente de resistencia en el estado ON (Rds), Ohm:
    Caso: TO-72_TO-206AF
    Estructura del transistor: JFET 2N3823

    Estructura del transistor: JFET

    Tipo de control de canal: N


    Potencia mxima disipacin de flujo constante (Pd) del transistor, W: 0.3
    Tensin de ruptura drenaje-fuente (Uds), V: 30
    Umbral de tensin compuerta-fuente (Ugs), V: 7.5
    La puerta de la corriente mxima del transistor (Id), A: 0.01
    Temperatura mxima (Tj), C: 200
    Tiempo de subida (tr), nS:
    Capacidad de flujo (Cd), pF:
    Escurra-fuente de resistencia en el estado ON (Rds), Ohm:
    Caso: TO-72_TO-206AF
    3. Resolver la polarizacin del siguiente circuito:

    VG=
    ID=

    R2
    xVDD
    R 1+ R 2

    VDDVD
    RD

    VS=IDxRS
    IG=0
    ID=IDS
    VGS=VG-IDxRS

    4. Resolver el siguiente circuito en DC y AC, dibujar los voltajes de salida:

    VD=17V
    ID=3.6mA
    VG=3V
    VGS=-3.48V
    VS=6.48V
    VI=VGS+VS=9.48V
    gm=0.56
    rs=1/gm=1.8
    AV=-RD||RL/rs=-472
    5. Simular los circuitos del preparatorio.

    15M
    20V

    C2

    1uF

    R5
    BAT1

    A
    10uF

    C3

    Volts

    1.8k

    390k

    Volts

    VSINE

    V1

    1uF

    C1

    +3.00

    R4

    +3.40

    R2

    2N3819

    Q1

    Volts

    850
    2.2M

    +3.07

    R1
    R3

    6. Presentar los voltajes de polarizacin y las grficas.


    ANEXO1
    BIBLIOGRAFA:
    [1] Electrnica: teora de circuitos y dispositivos electrnicos, Boylestad, Nashelsky
    [2] Dispositivos Electrnicos, Thomas Floyd
    [3] Dispositivos y Circuitos Electrnicos, Donald Neamen

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