LSCR, IGBT, IGCT

Carlos Abraham Paniahua Prez
Rectificador controlado de silicio SCR (silicon controlled rectifier/ SCR)

Los SCR son dispositivos semiconductores biestable de la familia de los tiristores destinados a la
conmutacin rpida de corrientes que pueden variar desde una fraccin de ampere hasta millares
de amperes.
Estructura
Est formado por tres uniones pn con la disposicin pnpn Est formado por tres terminales,
llamados nodo, Ctodo y Puerta. La conduccin entre nodo y ctodo es controlada por el terminal
de puerta. Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es nico), conmutador casi ideal,
rectificador y amplificador a la vez. El SCR se asemeja a un diodo rectificador, pero si el nodo es
positivo con relacin al ctodo no circular la corriente hasta que una corriente positiva se inyecte
en la puerta. Luego el diodo se enciende y no se apagar hasta que no se remueva la tensin en el
nodo-ctodo, de all el nombre rectificador controlado.
Funcionamiento Bsico del SCR
Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se producen dos corrientes:
IC2 = IB1.
IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de colector de Q1 (IC1)
que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a su vez causa ms corriente en IC2, que
es lo mismos que IB1 en la base de Q1. Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2
causando el encendido del SCR.
UdeC Control de Motores FIE-IME

Modalidades de operacin
Disparo por compuerta: En esta modalidad, que aparece en la figura 6, aplicamos una tensin tija
entre el nodo y el ctodo, conectando en serie la carga que se debe alimentar. Un pulso positivo
se aplica a la compuerta y lleva al SCR a conduccin plena.
Si la alimentacin principal fuera de tensin continua, para desconectar el SCR, incluso despus que
desaparece el pulso, es necesario reducir al mnimo la tensin principal. Si la alimentacin fuera de
tensin alternante, como muestra la figura 7, una vez terminado el pulso de disparo, el SCR
desconecta al final de cada semiciclo positivo, pues la tensin se reduce a cero en ese instante.
As, si existieran pulsos en secuencia para el disparo, dependiendo del instante en que ocurra el
mismo, en relacin con los semiciclos de alimentacin, puede ocurrir el disparo o no del SCR y el
tiempo de su conduccin va a depender de cunto de cada semiciclo resta por conducir.
Esta propiedad permite que el SCR se use como control de potencia en circuitos de corriente alterna.
La segunda modalidad de disparo se ilustra en la figura 8.
Polarizamos la compuerta del SCR con una tensin fija, dada por los resistores R1 y R2. Esta
polarizacin determina la tensin entre el nodo y ctodo que va a provocar el disparo.
As, el SCR va a conectar cuando la tensin alcance el valor previsto y permanecer en este estado
mientras haya corriente disponible en el circuito. Esta modalidad puede ser usada para hacer del
SCR el elemento activo en un oscilador de relajacin.

Aplicaciones
La aplicacin de los tiristores se extiende desde la rectificacin de corrientes alternas, en lugar de

los diodos convencionales hasta la realizacin de determinadas conmutaciones de baja potencia en
circuitos electrnicos, pasando por los onduladores o inversores que transforman la corriente
continua en alterna. Cuando se les utiliza como rectificadores es que su entrada en conduccin
estar controlada por la seal de puerta. De esta forma se podr variar la tensin continua de salida
si se hace variar el momento del disparo ya que se obtendrn diferentes ngulos de conduccin del
ciclo de la tensin o corriente alterna de entrada. Adems, el tiristor se bloquear automticamente
al cambiar la alternancia de positiva a negativa ya que en este momento empezar a recibir tensin
inversa.
Por lo anteriormente sealado el SCR tiene una gran variedad de aplicaciones, entre ellas estn las
siguientes:
Controles de relevador
Circuitos de retardo de tiempo
Fuentes de alimentacin reguladas
Interruptores estticos
Controles de motores
Recortadores
Inversores
Ciclo conversores
Cargadores de bateras
Circuitos de proteccin
Controles de calefaccin
Controles de fase.
Ventajas
Requiere poca corriente de gate para disparar una gran corriente directa
Puede bloquear ambas polaridades de una seal de A.C
Bloquea altas tensiones y tiene cadas en directa pequeas.
Desventajas
El dispositivo no se apaga con Ig=0

No pueden operar a altas frecuencias
Pueden dispararse por ruidos de tensin
Tienen un rango limitado de operacin con respecto a la temperatura.

Transistor bipolar de puerta de salida (isolated gate bipolar transistor/IGBT)

Es un componente electrnico diseado para controlar principalmente altas potencias, en su diseo
est compuesto por un transistor bipolar de unin BJT y transistor de efecto de campo de metal
oxido semiconductor MOSFET.
Estructura
El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN) que son controlados
por un metal-xido-semiconductor (MOS), estructura de la puerta sin una accin regenerativa. Un
transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) celular se construye de manera similar a un MOSFET de
canal n vertical de poder de la construccin, excepto la n se sustituye con un drenaje + p + capa de
colector, formando una lnea vertical del transistor de unin bipolar de PNP.
Este dispositivo posee las caractersticas de las seales de puerta de los transistores de efecto campo
con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor bipolar, combinando
una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un
solo dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las
caractersticas de conduccin son como las del BJT. En la figura I se observa la estructura interna de
un IGBT, el mismo cuenta con tres pines Puerta (G), Emisor (E) y Colector (C).
Figura I
Funcionamiento
Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente

de colector IC es conducida y el voltaje VCE se va desde el valor de bloqueo hasta cero. La corriente
IC persiste para el tiempo de encendido en que la seal en la puerta es aplicada. Para encender el
IGBT, el terminal C debe ser polarizado positivamente con respecto a la terminal E. La seal de
encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado a la puerta G.

Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15 volts, puede causar que el
tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la corriente de colector ID es igual a la
corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as
por una seal de voltaje en el G. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de
potencia en la puerta es muy baja.
El IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal G. La transicin del

estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 microsegundos, por lo que la
frecuencia de conmutacin puede estar en el rango de los 50 kHz.
EL IGBT requiere un valor lmite VGE (TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y
viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VCE cae a un valor bajo cercano
a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el G debe tener un voltaje arriba
de 15 V, y la corriente IC se autolimita.
Aplicaciones
El IGBT es un dispositivo electrnico que generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es un

dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. Se usan en los Variadores de frecuencia,
as como en las aplicaciones en mquinas elctricas y convertidores de potencia que nos acompaan
cada da y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso:
Automvil
Tren
Metro
Autobs
Avin
Barco
Ascensor
Electrodomstico
Televisin
Domtica
Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc.

Tiristor Controlado por Puerta Integrada (Integrated Gate-Commutated Thyristor/IGCT)

Es un dispositivo semiconductor empleado en electrnica de potencia para conmutar corriente
elctrica en equipos industriales. Es la evolucin del Tiristor GTO (del ingls Gate Turn-Off). Al igual
que el GTO, el IGCT es un interruptor controlable, permitiendo adems de activarlo, tambin
desactivarlo desde el terminal de control Puerta o G (del ingls Gate). La electrnica de control de
la puerta est integrada en el propio tiristor.
Caractersticas
Baja cada de voltaje directo durante la conduccin.

Un tiempo de activacin de 0.4ms y desactivacin de 1.25ms
Bajas prdidas de conmutacin
Funcionamiento
El encendido se hace aplicando corriente a la terminal de puerta o gate.
Se apaga con una tarjeta de circuito impreso multi placa que aplica un impulso.
Aplicaciones
Se utiliza en motores de media tensin

Interconexiones de redes elctricas
Compensadores estticos.
Ventajas
Bajas prdidas de conmutacin

Reduccin de tamaos
Propios accesorios segn el modelo

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La segunda modalidad de disparo se ilustra en la figura 8.

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La aplicacin de los tiristores se extiende desde la rectificacin de corrientes alternas, en lugar de

El dispositivo no se apaga con Ig=0

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El IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal G. La transicin del

El IGBT es un dispositivo electrnico que generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es un

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Tiristor Controlado por Puerta Integrada (Integrated Gate-Commutated Thyristor/IGCT)

Baja cada de voltaje directo durante la conduccin.

El encendido se hace aplicando corriente a la terminal de puerta o gate.

Se utiliza en motores de media tensin

Bajas prdidas de conmutacin

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