1.

Simulación de mediciones y cálculo de circuito 1.

R4
3.3kΩ
R2 V3
56kΩ 15V
C2

Q1 10µF
C1
+ U3
R1 4.7µF 7.076 V DC 10MOhm
1.5kΩ BC107BP R6 -

Vi C3 2.7kΩ
R3 R5 47µF
0Vpk 15kΩ 1kΩ
1kHz
0°

U1
+ - U2
3.07 V
+ -
2.408 V
DC 10MOhm
DC 10MOhm
 U2
+ -
2.404m A U1
+ -
DC 1e-009Ohm 7.994u A

DC 1e-009Ohm

R4
3.3kΩ
R2 V3
56kΩ 15V
C2

Q1 10µF
C1

R1 4.7µF
1.5kΩ BC107BP R6
Vi C3 2.7kΩ
R3 R5 47µF
0Vpk 15kΩ 1kΩ
1kHz
0°

VALOR MEDIDO CACULOS

VB VE VC IB IC VBE VCE IE
3.07 2.408 7.076 7,994μ 2,404m 0,67 4,67 2,407m

15∗15𝑘 15𝑘∗56𝑘
Cálculos .𝑣𝑡ℎ = (15𝐾+56𝑘) = 3,17𝑣 𝑅𝑡ℎ = 15𝑘+56𝑘 = 11,83𝑘

𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝛽𝐼𝐵 𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵
(𝐿𝑉𝐾 𝐼) − 𝑉𝑇𝐻 + 𝐼𝐵 ∗ 𝑅𝑇𝐻 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐶 ∗ 𝑅5 = 0

𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝑇𝐻 − 𝐼𝐵 ∗ 𝑅𝑇𝐻 − 𝐼𝐶 ∗ 𝑅5

𝑉𝐵𝐸 = 3,17 − (7,94 ∗ 11,8𝐾) − (2,4𝑚 ∗ 1𝐾)
𝑉𝐵𝐸 = 0,67(𝑉) ≅ 0,7(𝑉)
𝐼𝐶 2,4𝑚
𝛽=( )= = 303,8
𝐼𝐵 7,9𝜇
(𝐿𝐾𝑉 𝐼𝐼) − 𝑉𝐶𝐶 + (𝐼𝐶 ∗ 𝑅4) + 𝑉𝐶𝐸 + (𝐼𝐸 ∗ 𝑅5)

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − (𝐼𝐶 ∗ 𝑅4) − (𝐼𝐸 ∗ 𝑅5)

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − (𝐼𝐶 ∗ 𝑅4) − (𝛽 + 1)𝐼𝐵 ∗ 𝑅5
𝑉𝐶𝐸 = 14 − (2,4𝑚 ∗ 3,3𝐾) − (303,8 + 1)7,9𝜇 ∗ 1𝑘
𝑉𝐶𝐸 = 4,67(𝑉)
 𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵

𝐼𝐸 = (303,8 + 1)7,9𝜇
𝐼𝐸 = 2,407𝑚𝐴

2. Según los datos obtenidos en la tabla1 al calcular nuestra recta de carga el punto
de operación Q se encuentra en zona activa donde nuestro transistor trabaja de
forma normal y se cumple que la unión base-emisor que se encuentra polarizada
en directa y la colector-base en inversa

3.
 U2
U1 + -
+ -
14.995 V
8.91n V

DC 10MOhm
DC 10MOhm

R4 V3
3.3kΩ 15V
C2

Q1 10µF
C1

R1 4.7µF
1.5kΩ BC107BP U3
R6
+ -
Vi C3 2.7kΩ 0.018u V
R3 R5 47µF
0Vpk 15kΩ 1kΩ DC 10MOhm
1kHz
0°

U2
+ -
1.776u A

DC 1e-009Ohm
U1
+ -
1.121p A
R4
DC 1e-009Ohm 3.3kΩ
V3
15V
C2

Q1 10µF
C1

R1 4.7µF
1.5kΩ BC107BP R6
Vi C3 2.7kΩ
R3 R5 47µF
0Vpk 15kΩ 1kΩ
1kHz
0°

𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝛽𝐼𝐵 𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵
(𝐿𝑉𝐾 𝐼) − 𝐼𝐵 ∗ 𝑅3 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐸 ∗ 𝑅5 = 0

𝑉𝐵𝐸 = −𝐼𝐵 ∗ 𝑅3 − 𝐼𝐸 ∗ 𝑅5
𝑉𝐵𝐸 = −(1,121𝑝 ∗ 15𝐾) − (𝐼𝐸 ∗ 1𝐾)

𝑉𝐵𝐸 = −1,77(𝑚𝑉)
𝐼𝐶 1,776𝜇
𝛽=( )= = 1,58 ∗ 10^⁶
𝐼𝐵 1,121𝑝
(𝐿𝐾𝑉 𝐼𝐼) 𝑉𝐶𝐶 − (𝐼𝐶 ∗ 𝑅4) − 𝑉𝐶𝐸 − (𝐼𝐸 ∗ 𝑅5) = 0

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − (𝐼𝐶 ∗ 𝑅4) − (𝐼𝐸 ∗ 𝑅5)

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − (𝐼𝐶 ∗ 𝑅4) − (𝛽 + 1)𝐼𝐵 ∗ 𝑅5

𝑉𝐶𝐸 = 15 − (1,776𝜇 ∗ 3,3𝐾) − (1,58 ∗ 10^⁶ + 1)1,121𝑝 ∗ 1𝑘

𝑉𝐶𝐸 = 14,99(𝑉)
𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵

𝐼𝐸 = (1,58 ∗ 10^⁶ + 1)1,121𝑝

𝐼𝐸 = 1,771𝜇𝐴

VALOR MEDIDO CACULOS

VB VE VC IB IC VBE VCE IE
8,91n 0,018μ 14,995 1.121p 1,776μ -1,77m 14,99 1,771μ

4. Según los datos obtenidos en la tabla2 al calcular nuestra recta de carga el punto
de operación Q se encuentra en zona de corte donde nuestro transistor circula
una corriente muy pequeña y el Vce es casi igual a Vcc
 5.

U2
+ -
3.652 V
U1
+ -
DC 10MOhm
4.316 V

DC 10MOhm R2 R4 V3
56kΩ 3.3kΩ 15V
C2

Q1 10µF
C1

R1 4.7µF
1.5kΩ BC107BP R6
Vi C3 2.7kΩ
R5 47µF
0Vpk 1kΩ
1kHz
0°

U3
+ -
3.628 V

DC 10MOhm
 U1 U2
+ - + -
0.19m A 3.439m A

DC 1e-009Ohm DC 1e-009Ohm
R4
3.3kΩ
R2 V3
56kΩ 15V
C2

Q1 10µF
C1

R1 4.7µF
1.5kΩ BC107BP R6
Vi C3 2.7kΩ
R5 47µF
0Vpk 1kΩ
1kHz
0°

VALOR MEDIDO CACULOS

VB VE VC IB IC VBE VCE IE
4,316 3,628 3,652 0,19m 3,439m 0,677 -31,7m 3,683m
´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´

𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝛽𝐼𝐵 𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵
(𝐿𝑉𝐾 𝐼)𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵 ∗ 𝑅2 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐸 ∗ 𝑅5 = 0

𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵 ∗ 𝑅2 − 𝐼𝐸 ∗ 𝑅5
𝑉𝐵𝐸 = 15 − (0,19𝑚 ∗ 56𝐾) − (𝐼𝐸 ∗ 1𝐾)
𝑉𝐵𝐸 = 0,677(𝑉)
𝐼𝐶 3,493𝑚
𝛽=( )= = 18,38
𝐼𝐵 0,19𝑚
(𝐿𝐾𝑉 𝐼𝐼) 𝑉𝐶𝐶 − (𝐼𝐶 ∗ 𝑅4) − 𝑉𝐶𝐸 − (𝐼𝐸 ∗ 𝑅5) = 0

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − (𝐼𝐶 ∗ 𝑅4) − (𝐼𝐸 ∗ 𝑅5)

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − (𝐼𝐶 ∗ 𝑅4) − (𝛽 + 1)𝐼𝐵 ∗ 𝑅5
𝑉𝐶𝐸 = 15 − (0,19𝑚 ∗ 56𝐾) − (18,38 + 1)0,19𝑚 ∗ 1𝑘
𝑉𝐶𝐸 = −31,7𝑚𝑉
 𝐼𝐸 = (18,38 + 1)0,19𝑚
𝐼𝐸 = 3,683𝑚𝐴
6. Según los datos obtenidos en la tabla3 al calcular nuestra recta de carga el punto
de operación Q se encuentra en zona de saturación donde en nuestro transistor
el Vce es negativo.

7.
8. O

R2
R4
56kΩ V3
3.3kΩ 15V
C2

Q1 10µF
C1

R1 4.7µF
1.5kΩ BC107BP + U2
3.834 V AC 10MOhm
Vi C3 -
R3 R5 47µF
40mVpk 15kΩ 1kΩ
1kHz
0°
 R2
R4
56kΩ V3
3.3kΩ 15V
C2

Q1 10µF
C1

R1 4.7µF
1.5kΩ BC107BP R6 + U2
U1 2.7kΩ 2.064 V AC 10MOhm
+ Vi C3 -
0.019 V AC 10MOhm 47µF
- R3 R5
40mVpk 15kΩ 1kΩ
1kHz
0°

VALOR MEDIDO CACULOS

Vi Vi’ Vl VL (sin Ii IL
carga)
0,04 0.019 3,652 2,064 15.56 -0,764m
𝑣𝑖 0,04
Según los datos obtenidos 𝐼𝑖 = 𝑧𝑖
= 2,57𝑚
= 15,56𝐴

𝑣𝑜 2,064
𝐼𝑙 = − =− = −0,764𝑚𝐴
𝑅𝑙 2,7𝐾
9. Según los datos obtenidos en la tabla 4

𝑣𝑖 1
𝑧𝑖 = = = 2,57𝑚Ω
1
𝐼𝑖 + 1/3,29𝑘
11,83𝑘
𝑍𝑜 = 𝑅𝑐 //𝑟𝑐 = (3,3𝑘 + 22,28)/(3,3𝑘 ∗ 22,28) = 0,045Ω
𝑣𝑜 18,38
𝐴𝑣 = =− = −0,122
𝑣𝑖 1 1 1
3,29𝑘 ( + + 22,8)
27𝑘 3,3𝑘
𝐴𝑣𝑙(𝑑𝐵) = 20 log|−0,122| = −19,01𝑑𝐵
−𝑍𝑖 ∗ 𝐴𝑣 −2,57𝑚 ∗ −0,122
𝐴𝑖 = = = 0,116𝜇
𝑅𝑙 2,7𝐾
𝐴𝑝 = 𝐴𝑖 ∗ 𝐴𝑣 = 0,116𝜇 ∗ −0,112 = −0,012992𝜇𝑑𝐵
𝐴𝑝(𝑑𝐵) = 10 log|−0,012992𝜇| = −78,86[𝑑𝐵]

10.
 50 100 500 1000 2000 5000 10000 50000 100000 200000
vL 0,518 0,96 1,96 2,064 2,091 2,098 2,099 2,084 2,045 1,929
Av 12,95 24 49 51,6 52,275 52,45 52,475 52,1 51,125 48,225

𝑣𝑜
𝐴𝑣 =
𝑣𝑖
|𝐴𝑣|𝑑𝑏 = 20 log10 𝑎𝑣

|Av|(dB) Hz
22,24 50
27,6 100
33,8 500
34,25 1000
34,36 2000
34,39 5000
34,39 10000
34,33 50000
34,17 100000
33,66 200000

40
35
Ganancia de voltaje|Av|(db)

30
25
20
Series1
15
Linear (Series1)
10
5
0
1 10 100 1000 10000 100000 1000000
Frecuencia(Hz)
.- CONCLUSIONES: basado en lo medido, calculado y analizado durante el trabajo se pudo ver en
mayor profundidad los rangos de trabajo del transistor en este ejemplo en particular.

Márgenes de ganancia y sus efectos al alternar su fuente de frecuencia, el concluir con estos datos
da una mayor visión del trabajo del transistor y sus comportamientos en dichos casos.