Práctica II Espectro

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Parte II.

- Desarrollo Experimental
Práctica II. Espectro de absorción óptica en semiconductores

Objetivos:
En esta práctica el alumno debe alcanzar los siguientes objetivos:
1. Determinar la energía de la banda prohibida de un semiconductor a través del
espectro de absorción.
2. Relacionar el espectro de transmisión óptica de una película delgada con las
propiedades de la respuesta espectral de una celda solar fabricada con esta película.

Introducción teórica.
El método más directo y quizás el más simple de estudiar la estructura de bandas de un
semiconductor es la medición del espectro de absorción óptica. En los procesos de
absorción, un fotón de energía definida, excita un electrón desde un estado de baja energía a
otro de energía superior. De esta manera pueden ser establecidas todas las posibles
transiciones y conocer la distribución energética de los electrones en le semiconductor.
Existen diversos tipos de absorción en un semiconductor, dependiendo de la energía
asociada al fotón incidente y a las características del semiconductor. En esta práctica
nuestro interés es estudiar el espectro de absorción en el llamado borde de absorción o la
absorción fundamental, es decir en un entorno de energías correspondientes a las
transiciones de los electrones desde la banda de valencia hacia la banda de conducción.

Absorción fundamental

Dos tipos de transiciones pueden ser consideradas:


(a) Las que ocurren si el máximo de la banda de valencia y el mínimo de la banda de
conducción coinciden para un mismo valor de k.
(b) Las que ocurren si el máximo de la banda de valencia y el mínimo de la banda de
conducción no coinciden.
En el primer la absorción es directa, en el segundo es indirecta. En la figura 2 se
ilustran estas transiciones.

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Figura 2 Transiciones directas e indirectas

Transiciones directas
Un análisis mecánico-cuántico de las transiciones directas (el cual no desarrollemos
aquí conlleva a escribir el coeficiente de absorción para las transiciones directas en la
forma:

2m 
3
 2
 h   constP N h   Pk h  E g 2 para : h  E g
1
r

2 
k 2 3

y (3)
 h   0 para : h  E g

 2

Eg h Eg h
Figura 3 Variación del coeficiente de absorción con la
energía para un semiconductor con transiciones directas
permitidas

De la expresión (3) se observa que para las transiciones directas, el cuadrado del
coeficiente de absorción es una función lineal de la energía del fotón incidente. En la
figura 3 se muestran las dependencias de alfa con la energía para un semiconductor de
transiciones directas.

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Transiciones indirectas
Cuando las bandas de valencia y conducción no se encuentran situadas al mismo valor
de k (k = 0), las transiciones banda-banda tienen como se muestra en la Figura 4.

En este caso se obtiene para el coeficiente de absorción la expresión:

const h  Eg -   q 
2

 =  e = const h  Eg -   q 
2 1
-  q
= -  q
(4)
1- e KT 1- e KT

Para el caso de emisión de un fonón , mientras que, para el caso de absorción de un


fonón:

const h  Eg    q 
2

a= q
(5)
eKT -1
( El fonón representa las oscilaciones de los átomos en la red cristalina, en su
interacción con los portadores de carga).
Estas relaciones muestran que si se grafica la dependencia de la raíz cuadrada del
coeficiente de absorción  como función de la energía h, se deben obtener dos
quebradas cuyas pendientes son ( a)1/2 y (
1/2
e) , como se muestra en la Figura 5. Los
interceptos con el eje de las energías para T 
0 permiten calcular el ancho de la banda
prohibida del semiconductor y la frecuencia
de los fonones.

Utilizando este gráfico se obtiene para el


intercepto de menor y mayor energía,
Figura 4 Transiciones indirectas
respectivamente, los valores:
h a = Eg -   q (6)

h e = Eg +   q (7)

De estas ecuaciones se obtiene el ancho de la


banda prohibida y la frecuencia de los
fonones:
Figura 5 Determinación de Eg y la frecuencia de los
fonones mediante el espectro de absorción
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h e  h a
h e  h a  2 E g  E g =
2
y (8)
h e  h a
h e  h a  2  q   q 
2

Descripción de los ejercicios experimentales:


En la determinación del espectro de absorción de un semiconductor se utilizará un
espectrofotómetro como el que se muestra en la figura 6.

Figura6 (foto del espectrofotómetro)

Un espectrofotómetro consta de tres bloques fundamentales:


 Fuentes luminosas
 Redes de difracción
 Sistema de foto-detección
Las especificidades del espectrofotómetro que se utilizará se explicarán en el momento de
realizar la práctica.
La expresión (2) es una forma simplificada de escribir la ley de Lambert, ya que en la misma
no se ha tenido en cuenta la luz reflejada en la superficie de la muestra. Si se tiene en cuenta
este hecho (2) se transforma en:
2
1   I  1  1   I 0  1 
I T  I 0 1 - R  e -d
   ln  0     ln  
2
 2 
2
 (9)
d   I T  1  R  
2
d 2   I T  1  R  
La expresión (9) permite calcular el coeficiente de absorción mediante la medición de la
reflectancia y la transmitancia en una sustancia de espesor conocido.
Si no se conoce la reflectancia, se puede medir la transmitancia de dos muestras de diferente

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espesores d1 y d2. Para este caso tenemos:

T 1 = 1 - R  e 1 T 2 = 1 - R  e 2
2 - d 2 - d
(10)
Si suponemos que R es la misma para las muestras de espesores d1 y d2:
2
T1  d  d  1 T  1 I   1  I 
 e 1 2   ln  1   ln  1    2   ln  1  (11)
T2 d 2  d1  T2  d 2  d1  I 2   d 2  d1  I 2 
Donde I1 y I2 son las intensidades de la luz transmitidas por la muestra de espesores d1 y d2
respectivamente.
Para el caso de transiciones directas la ecuación (3) puede ser escrita como:
 2 h   A2 h  E g  (12)

Comparando (11) y (12) se observa que haciendo un gráfico de la expresión (11) en función
de h, el intercepto para 2 = 0 corresponde a h=Eg
Mediante el espectrofotómetro pueden obtenerse de manera automática los espectros de
transmitancia o absorbancia (A= d) de una muestra. Midiendo el espectro para dos muestras
de espesores diferentes se podrá determinar  () =f (),
En semiconductores a películas delgadas puede ocurrir el fenómeno de interferencia. A partir
de este fenómeno puede determinarse el espesor de una película si se conoce el valor del
índice de refracción del semiconductor o el índice de refracción si se conoce el espesor de la
película. En un espectro de transmitancia o de reflectividad, los máximos ocurren para la
condición:
2nd = m
Donde n es el índice de refracción de la película, d su espesor,  la longitud de onda de la
radiación y m el orden del máximo ó el mínimo de interferencia. Para dos máximos ó
mínimos consecutivos m y m+1, que ocurran a las longitudes de onda  1 y  2 se tiene:
2nd  m 1
2nd  (m  1)2
En la figura se muestran espectros de transmisión óptica de películas de CdS y de
transmisión y absorbancia de películas de Cd2SnO4 (CTO) y SnO2 obtenidas bajos diferentes
técnicas de crecimiento. Se observan claramente las franjas de interferencias en los espectros,
en las cuales la distancia entre máximos ó mínimos es función del espesor de la película.

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CdS CTO y SnO2

Bibliografía
- Osvaldo Vigil, Andrés Martel y Michel Picquart: “Física de Semiconductores”,
Editorial Trillas, México (2008).
- J. I. Pankov “Optical processes in semiconductors” Dover Publications (1975)

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