Diseño de un Amplificador de Bajo Ruido LNA a una

frecuencia de 2.4 Ghz

Elkin Santiago Burbano, Lesly Tatiana Gómez Insuasti,
Lisseth Valentina Fernandez, Maribel Victoria Muñoz
Ingenierı́a Electrónica y Telecomunicaciones
Universidad del Cauca
10 de julio de 2019

Resumen
En el siguiente informe se llevará a cabo el diseño de un amplificador de bajo ruido
(LNA) que opere a una frecuencia de 2.4 GHz, en base a ciertas especificaciones de
diseño. Para esto se tuvieron en cuenta las diferentes caracterı́sticas del modelo de
transistor, especialmente los parámetros S de dicho dispositivo, los cuales se analizan
de manera matemática y simulada mediante la carta de Smith, para lograr un análisis
completo se consideran todas las especificaciones, conceptos, figura de ruido, ganancia,
frecuencia a la que va operar, además de las simulaciones para probar y analizar el
diseño utilizando la herramienta software “Microwave Office visual system simulator”
(AWR Desing Evironment).

1. Introducción
Muchas aplicaciones electrónicas en las telecomunicaciones están centradas en trabajar
sobre comunicaciones por radio frecuencia, que pueden llegar a tener muy bajos niveles de
potencia, por lo que estas deben contar con una buena recepción que además de amplificar
las señales en potencia permita tratar los diferentes factores externos que alteraran su fun-
cionamiento, como por ejemplo el campo magnético o incluso la lluvia, produciendo de esta
manera ruido que afectara el sistema.
El amplificador de Bajo ruido (LNA) cumple con un papel fundamental en la recepción que
se basa en amplificar la señal de entrada, agregando el menor ruido posible proveniente de los
componentes electrónicos internos del amplificador y minimizando el posible ruido adicional
ya agregado a la señal en el canal. Para el caso de estudio en este informe se tendrá en cuenta
dos especificaciones de diseño dadas: la ganancia del amplificador debe ser mayor a 15 dB y
la figura de ruido debe ser menor que 2.5 dB.

1
2. Objetivos
2.1. Objetivo General
Realizar el diseño de un amplificador de bajo ruido (LNA) a una frecuencia de 2.4 GHz.

2.2. Objetivos Especı́ficos

Establecer las caracterı́sticas principales de los elementos a utilizar, entre ellos el más
fundamental el transistor y posteriormente su correspondiente circuito de polarización.

Ubicar la zona de estabilidad y la adaptación de impedancias del amplificador de bajo

ruido.

Utilizar los parámetros S y la herramienta de la carta de Smith para realizar el diseño

del amplificador de bajo ruido (LNA).

Simular los datos obtenidos en el diseño del amplificador de bajo ruido (LNA)

3. Marco Teórico
Amplificador de bajo ruido (LNA): Este es un dispositivo electrónico usado para
amplificar las señales que poseen una baja intensidad, estas generalmente son reconocidas
desde una antena donde las señales deben amplificarse sin agregar una cantidad significante
de ruido en la señal recibida, de lo contrario se podrı́a perder información importante dentro
de esta. Este dispositivo es uno de los componentes mas importantes en un circuito de radio
frecuencia, una caracterı́stica de estos es que están diseñados para estar cerca del receptor,
de modo que haya una pérdida mı́nima debido a la interferencia.
Para el diseño adecuado de un amplificador LNA es necesario que se consideren algunos as-
pectos importantes tales como: la figura de ruido, los parámetros S, ganancia, estabilidad y
ancho de banda, lo cual nos garantizara un diseño correcto en la red de acople tanto en la
entrada como a la salida del transistor, ası́ como en la red de polarización.

Transistor Bipolar de Unión (BJT): Dispositivo formado por tres terminales: Emisor,
colector y base; dependiendo a su fabricación se tienen dos tipos NPN y PNP. Es fabricado
sobre un substrato de silicio, en el cual se difunden las impurezas. Este dispositivo gracias a
sus tres terminales es posible que genere una gran potencia a partir de una pequeña; además
pueden alcanzar bajas figuras de ruido y son afectados en altas frecuencias principalmente
por el ruido térmico y de disparo.
En los circuitos de radiofrecuencia este tipo de transistor cuenta con un buen comportamien-
to, sin embargo, a la hora de la construcción de circuitos como osciladores, amplificadores
de bajo ruido, o mezcladores es necesario establecer un modelo que permita pronosticar su
conducta con la señal y el ruido.

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 Transistor Efecto de campo con unión: Dispositivo de tres terminales, con uno capaz
de controlar la corriente entre los otros dos. Este tipo de dispositivo es más fácil de fabricar
que un BJT, presentan una impedancia de entrada elevada y posee una disminución de ruido
a frecuencias elevadas. Es fabricado con elementos de arseniuro de Galio (GaAs), el cual
hacen que se presenten un mayor desempeño en altas frecuencias y ruido.

Figura de ruido (NF) y Factor de Ruido (F): Son elementos que nos informa cuanto
se relaciona el deterioro de la señal con los niveles de ruido existentes en el circuito. Dicho
factor es un coeficiente de relaciones de potencia de señal a ruido en la entrada entre las
relaciones de potencia de señal a ruido que se encuentran en la salida.
La figura de ruido es expresado en dB, y es usado para indicar la calidad de un receptor.

N F(dB) = 10log F (1)

Normalmente un circuito electrónico amplifica por igual señales y ruido, dentro de su

banda de paso. Por consiguiente, si el amplificador es ideal y sin ruido, las señales de entrada
y la de ruido se amplifican igual, y a la salida la relación de señal a ruido será igual a la
de la entrada. Sin embargo, los amplificadores en realidad no son ideales, por lo que este
agrega ruido generado internamente a la señal y reduce la relación general de señal a ruido.
El ruido más predominante es el térmico, que se genera en todos los componentes eléctricos.
Por lo anterior, todas las redes, amplificadores y sistemas reales agregan ruido a la señal y
ası́ reducen la relación general de señal a ruido, a medida que la señal avanza por ellos. [1].

Estabilidad: Consideración muy importante a la hora de realizar un diseño de un am-

plificador de bajo ruido, esta depende de la frecuencia para que el amplificador pueda ser
estable a ciertas frecuencias y hacerse inestable a otras, manteniendo de esta forma las mis-
mas impedancias de carga y generador.

Parámetros de dispersión S: Encargados de indicar el nivel de transferencia de señal y

adaptación de los puertos de cualquier componente. Se definen como el nivel de señal que llega
a un determinado puerto originario de otro. Dichos parámetros son propios del cuadripolo y
son independientes de la potencia o impedancia del generador y de las condiciones de carga
del mismo.
Para una red de 2 puertos, la relación entre las ondas de potencia reflejada e incidente
está dada, respectivamente, por:

b1 = S11 a1 + S12 a2 (2)

b2 = S21 a1 + S22 a2 (3)

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 La carta de Smith: La carta de Smith es una herramienta gráfica, clásicamente utilizada
en el análisis y diseño de circuitos de microondas, en tareas como adaptación de impedancias,
ubicar los parámetros S según la frecuencia, mirar la estabilidad de un circuito, entre otros.
Una de sus principales ventajas es que proporciona un excelente enfoque visual de los proble-
mas en alta frecuencia y, a pesar de que su utilidad ha llegado hasta nuestros dı́as, presenta
algunos inconvenientes que se han intentado paliar con sucesivas generalizaciones. [2]

Software Microwave office: El software de diseño de circuitos de Microwave Office es

utilizado por los principales fabricantes para acelerar el desarrollo de productos de electrónica
de alta frecuencia. La interfaz intuitiva, la automatización del diseño innovador y la potente
simulación del circuito de equilibrio armónico aseguran una mayor productividad de ingenierı́a
y ciclos de diseño acelerados. El diseño compatible con RF, los modelos de alta frecuencia, la
automatización del diseño y el potente simulador de HB aseguran una mayor productividad de
ingenierı́a y aceleran los ciclos de diseño para las aplicaciones más exigentes de la actualidad.
Esta herramienta se puede obtener a través del enlace en las referencias [3]

4. Diseño
Tomando en cuenta las consideraciones para el diseño del amplificador de bajo ruido LNA,
se definen algunos pasos que se requieren para su elaboración:

Definir los requerimientos para el diseño, para este caso un amplificador de bajo ruido
con una frecuencia de 2.4 Ghz, una ganancia mayor a 15 dB y figura de ruido menor a
2.5 dB.

Escogencia del transistor que opere a altas frecuencias y bajo nivel de ruido de acuerdo
a la frecuencia del diseño.

Análisis de estabilidad para constar que el transistor escogido cumple con los requisitos
de diseño.

Optimizar usando los parámetros S y la figura de ruido otorgados en el programa de

simulación AWR.

Diseño de la red de acoplo, tanto en la entrada como en la salida.

4.1. Especificaciones del diseño

Para dar inicio a la elaboración del diseño del amplificador se debe tener en cuenta las
diferentes consideraciones de diseño dadas para el caso de estudio:

Frecuencia de operación 2.4 Ghz.

Ganancia > 15 dB

Figura de ruido < 2.5 dB

4
4.2. Escogencia del transistor y elección de polarización
Tomando en cuenta el anterior numeral se encontraron varios modelos de transistores con
las especificaciones de diseño requeridas, estos y sus caracterı́sticas se muestran en el cuadro
1.

Cuadro 1: Modelo de transistores

Referencia Ganancia(dB) NF (dB) Voltaje (V) Corriente (mA)

BFP842ESD 17.5 0.65 2.5 15
NE696M01 14 1.6 2 10
NSVF4009SG4-D 17 1.1 3.5 40
ATF34143 17.5 0.5 3 20

Se analizaron las caracterı́sticas de cada uno de los transistores, y los diferentes requeri-
mientos para el diseño, y se optó por utilizar el transistor ATF34143, debido a su elevada
ganancia, baja figura de ruido y especialmente su fácil adquisición.
Este transistor es tipo HEMT, el cual es un transistor de efecto de campo FET especial
para altas frecuencias, baja figura de ruido y con alta linealidad, haciéndolo perfecto para
para la primera etapa de la recepción de un LNA. [6]
Ahora bien, este transistor cuenta con los parámetros S ilustrados en la figura 1 [6]

Figura 1: Tabla de parámetros S

Para conocer los valores de los parámetros S en la frecuencia requerida de 2.4GHz, se

requiere hacer un proceso de interpolación, obteniendo:

5
 S11 = 0.7266 − 141.2◦ (4)
S21 = 5.61166 78◦ (5)
S12 = 0.09366 16.6◦ (6)
S22 = 0.2526 − 136◦ (7)

siendo S11 y S22 los coeficientes de reflexión de la entrada y la salida y S12 y S21 las
ganancias de transferencia en sentido directo e inverso.
Los parámetros S11 (Azul) y S22 (Rosada) para cada frecuencia entre 0-10GHz, se muestran
de manera gráfica en la figura 2.

Figura 2: Parámetros S11 en la carta de Smith

6
 A continuación se verán los parámetros S del transistor en forma Polar con su magnitud
y fase.

Figura 3: Magnitud Y Fase S11

Figura 4: Magnitud Y Fase S22

Según la interpolación, para la frecuencia 2.4Ghz, el valor de MSG/MAG es de 17.77 dB,

esto significa que efectivamente sı́ cumple con el requisito mı́nimo de ganancia.

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 Figura 5: Ganancia Magnitud Y Fase S22

4.3. Evaluar las zonas de estabilidad y la máxima ganancia dispo-

nible
Para analizar la estabilidad existen dos métodos basados en los parámetros S, el análisis
numérico y el método gráfico.

4.3.1. Análisis matemático

El primero se basa en calcular el término Factor de Estabilidad de Rollet (K) y una
cantidad intermedia (|∆|); términos expresados en las ecuaciones 8 y 9.

|∆| = |S11 S22 − S12 S21 | (8)

1 − |S11 |2 − |S22 |2 + |∆|2

K = (9)
2|S12 S21 |

El transistor a una frecuencia de 2.4GHz, tiene los parámetros S expresados en su forma

polar en la ecuación 4
Ahora en su forma rectangular se obtiene:

S11 = −0.565 − 0.45j

S12 = 0.089 + 0.02j
S21 = 1.166 + 5.48j
S22 = −0.1812 − 0.175j

8
 Multiplicando S11 S22 y S12 S21 se tiene:

S11 S22 = 0.18296 − 277.2

S12 S21 = 0.5153846 94.26◦

En forma rectangular:

S11 S22 = 0.022 + 0.1814j (10)

S12 S21 = −0.038 + 0.513j (11)

Reemplazando 10 y 11 en la ecuación 8

|∆| = |(0.022 + 0.1814j) − (−0.038 + 0.513j)|

|∆| = |0.06 − 0.3316j|
|∆| = |0.3366 − 79.74|
|∆| = 0.336

Ahora se halla la constante K reemplazando las magnitudes en la ecuación 9

1 − |0.726|2 − |0.252|2 + |0.336|2

K =
2|0.5153|
1 − 0.527 − 0.063 + 0.1128
K =
1.0306
K = 0.507 ' 0.51

Adicionalmente, se calcula el factor de estabilidad suplementario, B1.

B1 = 1 − |S22 |2 − |∆|2 + |S11 |2

B1 = 1 − 0.25192 − 0.3362 + 0.72232
B1 = 1.3453

4.3.2. Análisis gráfico

Por el método gráfico usando el software AWR, se importan los parámetros S con la
extensión .s2p, para posteriormente realizar el análisis con el circuito mostrado en la figura 6

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 Figura 6: Circuito esquemático del transistor AFT34143

La estabilidad del dispositivo se configuró en un rango de frecuencias de 1GHz a 10GHz

para poder observar y asegurar el buen funcionamiento del circuito en la frecuencia requerida.
El factor de estabilidad de Rollet se ve de manera gráfica, entre las frecuencias mencionadas,
en la figura 7. Posteriormente, se muestran los cı́rculos de estabilidad de la entrada y salida,
en la carta de Smith, en la figura 8.

Figura 7: Factor de Estabilidad de Rollet K

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 Figura 8: Estabilidad en carta de Smith

Se puede observar en la gráfica 7 que los valores obtenidos por ambos métodos son simi-
lares, rectificando su veracidad. Sin embargo los resultados no son del todo favorables porque
aunque B1 sı́ cumpla el criterio de estabilidad de ser mayor a 1, K no lo cumple ya que K es
menor a 1, es decir que el dispositivo no es incondicionalmente estable, lo cual no es deseable
para el diseño. Para solucionar este fenómeno se debe estudiar las zonas de estabilidad del
circuito a través de los cı́rculos de estabilidad.
Como se ve en la figura 8 hay 2 cı́rculos de estabilidad, uno de entrada (azul) y otro de salida
(rosado); lo que se busca con este análisis es generar un circuito para que los cı́rculos de
estabilidad se representen por fuera del cı́rculo de la carta de Smith, y de esta forma hacer
el dispositivo incondicionalmente estable.

4.4. Diseño del circuito de polarización y estabalización

El circuito implementado para la polarización se encargará de proporcionar al transistor
elegido un voltaje de alimentación de 3v. y una corriente de colector de 20 mA; con esta
escogencia se asegura que el dispositivo trabaje correctamente en la región lineal y el ruido
para este caso sera el más mı́nimo según especificaciones dadas.
En la figura 9 se muestra el diagrama circuital de la polarización para el transistor ATF34143
y los valores para cada uno de los elementos que lo componen.
El circuito se crea con una polarización clásica, con la adición de tener capacitores en
paralelo que permiten modificar el parámetro K hasta que sea igual a 1.
Las resistencias en el circuito de salida son las que más tienden a afectar el factor de estabi-
lidad de Rollet, y este mismo valor de K nos va a afectar la ganancia, por lo tanto lo ideal es
obtener un valor de K que de muy cercano a 1 para poder cumplir con las especificaciones

11
del diseño.

Figura 9: Polarización del circuito con transistor ATF34143

En la figura 10 se muestra los parámetros K y B1 con el circuito ya estable y polarizado.

12
 Figura 10: Gráficas de polarización del circuito con transistor ATF34143

Como se desea, el valor de K está muy cercano a 1 y el B1 sigue siendo mayor a 1, logrando
la estabilidad incondicional en el dispositivo. Posteriormente se hace el análisis en los cı́rculos
de estabilidad en la carta de Smith, como se muestra en la figura 10, obteniendo los cı́rculos
de estabilidad por fuera de la carta de Smith, como se requerı́a.

Figura 11: Gráficas de polarización del circuito con transistor ATF34143

4.5. Diseño de los acoples óptimos de entrada y salida

Con ayuda de la herramienta AWR se grafican los cı́rculos de ganancia y ruido cons-
tante, mostrados en la figura 12 con estos se busca un punto de intersección entre ambos.
Posteriormente se tienen los parámetros S para poder llevar a cabo la adaptación óptima.

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 Figura 12: Cı́rculos de ruido

Se hallan los coeficientes de reflexión que producen máxima transferencia de potencia y

mı́nima Figura de ruido(NF), por medio de 12 y 13 para hacer la adaptación de impedancias
por medio de un circuito LC.

p
B1 ± B12 − 4C1
ΓSM = (12)
2C1

p
B2 ± B22 − 4C1
ΓLM = (13)
2C2
Para encontrar los coeficientes se hace uso de las siguientes ecuaciones auxiliares:

B1 = 1 − |S22 |2 − |∆|2 + |S11 |2

(14)
2 2 2
B2 = 1 − |S11 | − |∆| + |S22 |

C1 = S11 − S22 ∗ ∆
(15)
C2 = S22 − S11 ∗ ∆

Obteniendo ası́:

ΓSM = −0.2540 − j0.4162 (16)

ΓLM = 0.0078 − j0.5395

14
 Figura 13: Adaptación de impedancia de entrada

Figura 14: Figura de ruido

Se usa la herramienta Smith Chart, con los coeficientes mostrados en la ecuación 16, y
se obtuvo el circuito de adaptación a la entrada mostrado en la figura 13 con una figura de
ruido correspondiente en la figura 14.
Como se puede ver la figura de ruido se ve afectada por esta adaptación, lo que es espera-
do ya que en el diseño de un LNA no se puede tener una perfecta adaptación de impedancia
y al mismo tiempo una ganancia alta y figura de ruido baja.
Como alternativa, para poder lograr las especificaciones de diseño, se hace uso de la herra-
mienta Tunning para que encuentre una buena relación entre la adaptación , la figura de
ruido y la ganancia. Obteniendo ası́, el circuito de adaptación en la entrada y la figura de
ruido mostradas en 15 y 16, respectivamente.

15
 Figura 15: Circuito de adaptación en la entrada con tunning

Figura 16: Figura de ruido con adaptación en la entrada con tunning

Para la adaptación a la salida se utiliza el coeficiente de la carga y se ΓL en 16, se despeja

la impedancia de carga por medio de la ecuación 17

ZL − Z0
ΓL =
ZL + Z0
1 + ΓL
ZL = Zo[ ] (17)
1 − ΓL
ZL = 0.6350 − j0.12112
(18)

16
 Con esta impedancia se hace adaptación por medio de stub simple, obteniendo el circuito
de adaptación a la salida mostrado en la figura 17, con una figura de ruido y ganancia (después
de ambas adaptaciones) mostrada en las figuras 18 y 19, respectivamente. Y de manera de
comprobación también se dispone del parámetro K final, ilustrado en la figura 20.

Figura 17: Circuito de adaptación a la salida

17
Figura 18: Figura de ruido a la salida

Figura 19: Ganancia a la salida

18
 Figura 20: Coeficiente K

La ganancia va por debajo de los requerimientos (gracias a que el K no es cercano a 1),

sin embargo se logra cierta estabilidad entre los 3 parámetros a tener en cuenta de figura de
ruido, ganancia y adaptación de impedancias

5. Conclusiones
1. A la hora de realizar una implementación de un circuito de radio frecuencia es necesario
tener en cuenta todos los parámetros adecuados para su diseño, todo eso para que dicho
dispositivo cumpla con una buena operación.

2. Es importante tener una elección de unos componentes óptimos a la hora de realizar el

diseño, ya que de ellos depende la efectividad en sus resultados, para esta implementa-
ción se diseñó un amplificador de bajo ruido LNA a una frecuencia de 2.4GHZ donde
gracias a la buena elección se obtuvo la ganancia y mı́nima figura de ruido requerida.

3. La carta de Smith es de gran ayuda a la hora de diseñar la red de adaptación, ubicar los
cı́rculos de ganancia y zona de estabilidad del transistor, verificar los cálculos teóricos,
y ahorrar tiempo en cálculos, para este proyecto se utilizó una red LC.

4. Para garantizar la máxima transferencia de potencia es importante realizar de manera

adecuada el diseño de adaptación en el amplificador.

5. Para el diseño de este tipo de circuitos es de suma importancia trabajar con las etapas de
adaptación de impedancia, dado que estas nos ayudan a verificar el máximo rendimiento
de la amplificación, es decir la máxima transferencia de potencia.

6. Es necesario que el transistor escogido sea completamente estable, para que al final
las impedancias del circuito implementado tanto de entrada como de salida no tengan

19
 valores negativos, ya que dado el caso se obtendrı́an valores >1 causando ası́ una mala
adaptación.

7. Para poder tener una ganancia y figura de ruido como se pide en los requerimientos en
importante estabilizar el transistor que cumpla con los objetivos de tener una K>1 y
B>1

Referencias
[1] Tomasi, W. Sistemas de Comunicaciones Electronicas, USA: Prentice Hall.(1994)

[2] Andrei A. Muller, Maria José Perez-Peñalver y Esther Sanabria-Codesal. Modelling in

Science Education and Learning, Instituto Universitario de Matematica Pura y Aplicada.
Universitat Politecnica de Valencia, Volumen 12(1), 2019.

[3] National instruments AWR

[4] R. Boylestad and L. Nashelsky, Electronic Devices and Circuit Theory, Pearson Educa-
tion, New Jersey, 2013.

[5] A. Malvino and D. Bates, Electronic Principles, McGraw Hill, New York, 2000.

[6] Avago Technologies, ATF-34143 datasheet, USA, 2008.

[7] Wilder Yesid Morales, Diseño de un amplificador de Bajo ruido LNA a una frecuencia
de 3GHz, Colombia, 2014

[8] Sebastian Rodriguez, Andrés Correa, Arturo Fajardo, Carlos Iván Páez, Metodologı́a del
diseño de LNA en UHF, 2008, 2009

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