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    PREINFORME6

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    Andres Esteban
    Este documento describe el funcionamiento y caracterización del transistor MOSFET. Explica que los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje con una alta impedancia de entrada y baja fuga de corriente. Describe las tres regiones de operación del MOSFET (corte, ohmica y saturación) y cómo varía la corriente drain-source a través de estas regiones con diferentes voltajes gate-source y drain-source. También calcula los parámetros de una fuente de corriente especular utilizando un MOSFET en la región de saturación.

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    Este documento describe el funcionamiento y caracterización del transistor MOSFET. Explica que los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje con una alta impedancia de entrada y baja fuga de corriente. Describe las tres regiones de operación del MOSFET (corte, ohmica y saturación) y cómo varía la corriente drain-source a través de estas regiones con diferentes voltajes gate-source y drain-source. También calcula los parámetros de una fuente de corriente especular utilizando un MOSFET en la región de saturación.

    Descripción original:

    ELECTRONICA ANALOGA

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    Este documento describe el funcionamiento y caracterización del transistor MOSFET. Explica que los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje con una alta impedancia de entrada y baja fuga de corriente. Describe las tres regiones de operación del MOSFET (corte, ohmica y saturación) y cómo varía la corriente drain-source a través de estas regiones con diferentes voltajes gate-source y drain-source. También calcula los parámetros de una fuente de corriente especular utilizando un MOSFET en la región de saturación.

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    1

    Pre informe Práctica de Laboratorio No. 6


    UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA
    C. Avila Correa cdavilac@unal.edu.co , A. Esteban afestebanb@unal.edu.co , A. Woodcock
    awoodcocks@unal.edu.co

    I. I NTRODUCCIÓN
    N este practica se documenta el comportamiento y
    E funcionamiento los transistores MOSFET, se realiza su
    respectiva caracterización y se hace énfasis en algunas de
    sus aplicaciones básicas. También se comprobará experimen-
    talmente la curva ID vs VGS identificando sus parámetros
    fundamentales.

    II. M ARCO T EÓRICO


    II-A. Transistor MOSFET
    El transistor MOSFET de tipo de enriquecimiento es de los
    transistores de efecto de campo más usados en la actualidad.
    Figura 2. Símbolo de transistor Mosfet (a) tipo N y (b) tipo p[3]
    Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje y
    poseen una impedancia de entrada muy alta, la compuerta
    consume una fuga de corriente muy pequeña del orden de los
    nanoampers. El transistor está fabricado de un sustrato tipo
    P y dos regiones tipo n fuertemente contaminadas (se pueden
    identificar en la figura 1 como fuente y dren.y sobre el sustrato
    hay una delgada capa de un aislador eléctrico cubriendo el Para permitir la circulación de corriente entre los canales
    area de las regiones de la fuente y drenaje. Así se crean las Drain y Source, se deberá aplicar un voltaje positivo en Gate,
    4 terminales del transistor: fuente (source), drenaje (Drain), de modo que debido a la carga los huecos libres existentes se
    compuerta (Gate) y la terminal del cuerpo (Body). En la figura alejaran ente si, en la parte superior del sustrato y se crea un
    2 se puede observar el uno de los símbolos esquemáticos del canal negativo que comunicara las otras dos terminales[1]. Sin
    transistor Mosfet[1][2]. embargo para que el voltaje en G, sea suficiente para permitir
    el paso de corriente debe superar un valor Vt o Tension de
    umbral. Cuando el canal ha sido creado y el Vds aumenta el
    canal se contrae en el lado del drain, en este punto se dice
    que el canal se estrangula Los mosfet tienen 3 regiones de
    operacion[1][3].

    Region de Corte
    Region ohmica
    Region de saturacion

    La zona de corte se da cuando el voltaje gate-source (VGS)


    es menor que la tensión de umbral (VT) con la tensión drain-
    source (VDS) en cualquier valor o cuando VGS>VT sin VDS
    y no hay flujo de corriente drain-source (IDS). La zona óhmica
    se da cuando VGS>VT y VDS<(VGS-VT), en ésta región se
    comporta similar a una resistencia lineal e IDS aumentará
    proporcionalmente a VDS y VGS. La zona de saturación
    aparece cuando VGS>VT y VDS >(VGS-VT). En está región
    IDS se estabiliza y permanece casi constante mientras aumenta
    Figura 1. Estructura de un MOSFET vista en perspectiva (a) y su sección VDS. En la figura 3 se puede observar lo anterior de manera
    transversal (b)[1] más detallada[1][3].
    2

    Figura 3. IDS vs VGS e IDS vs VDS[4]


    .

    III. C ÁLCULOS
    III-A. Fuente espejo de corriente
    Al ser VDG=0 el mosfet opera en región de saturación, por
    lo tanto:
    W 2
    ID = µCox (VGS − Vt) (1)
    L
    ID= 1 mA 1 mA = 0,1 (V GS − 2)2
    VGS= 5.16
    VD= +5.16
    Rref= V DD−V
    ID
    D

    Rref = 4,84kΩ

    Y la resistencia de carga podrá variar entre:

    RLmax=1.5*Rref=7.74 k Ω
    RLmin=0.1Rref=0.484 kΩ

    R EFERENCIAS
    [1] Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith, Circuitos microelectronicos cuarta
    edición.
    [2] Hummad H. Rashid; circuitos, dispositivos y aplicaciones; Prentice Hall
    Hispanoamericana, S.A.
    [3] Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky; Electrónica: teoría de circuitos y
    dispositivos electrónicos, decima edición, Pearson.
    [4] .Mosfet N channel, [Online]. Available:
    https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/8/8c/MOSFET_enhancement-
    mode_n-channel.svg/800px-MOSFET_enhancement-mode_n-
    channel.svg.png, Ultima consulta: 26 marzo del 2017..

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