Informe

Práctica N°1 Principio De Operación Del BJT

Leonidas J. Sánchez N

CI: 27.289.742

Instituto Universitario Politécnico “Santiago Mariño”

Maracay – Edo. Aragua.

Resumen Introducción

Un transistor es un componente El transistor es un nuevo

electrónico fabricado a partir de componente utilizado en las prácticas de
materiales semiconductores. Hay electrónica. Este es un dispositivo
diferentes tipos de transistores, en esta semiconductor de tres terminales y que
práctica utilizaremos un transistor BJT se utiliza para una variedad de funciones
tipo NPN. Un transistor tiene 3 de control en los circuitos electrónicos.
terminales, la base (B), el colector (C) y
Entre alguna de las funciones podemos
el emisor (E) y por lo tanto tenemos tres incluir la amplificación, oscilación,
corrientes que circulan por él : la conmutación y la conversión de
intensidad de la base, la intensidad del frecuencias. En el reporte siguiente
colector y la intensidad del emisor. En un podremos ver los elementos de un
transistor NPN las corrientes circulan por transistor, las ventajas de la utilización de
el transistor tal y como se muestran en la los transistores electrónicos, los tipos de
transistores, como realizar un test en un
figura del cuadro adjunto. Cuando
transistor, aplicaciones de los
montamos un transistor en un circuito, la transistores y sus encapsulados o
corriente principal es la que circula desde materiales que están compuestos.
el colector al emisor activando el circuito.
Fue ideado teóricamente por el alemán
Para que esto sea posible es necesario
Julius Von Edgar Lilienfeld en 1930,
que el transistor reciba una corriente
aunque debido a problemas de carácter
pequeña por la base, de lo contrario el
tecnológico y el desconocimiento acerca
circuito no funcionará. La clave es que el
de cómo se comportan los electrones
transistor es capaz de activarse con
sobre la superficie del semiconductor no
pequeñas corrientes en la base, que se
se pudieron fabricar hasta décadas más
amplifica en el colector y que permite la
tarde. También se llama mosfet a los
activación del circuito.
aislados por juntura de dos
componentes.
Objetivo general
Conocer cómo se componen los
transistores teniendo como
ayuda manuales y documentación de
estos para su análisis de medición.
Diferentes zonas del transistor BJT

Objetivos específicos  Emisor: que se diferencia de las otras

 Identificar los terminales de un dos por estar fuertemente dopada,
transistor bipolar. comportándose como un metal. Su
nombre se debe a que esta terminal
 Con la utilización de instrumentos de
funciona como emisor de portadores
medición electrónica, determinar las
terminales para transistores NPN o de carga. Tipo P.
PNP.
 Base: la intermedia, muy estrecha,
 Conocer sus aplicaciones en que separa el emisor del colector.
componentes para electrónica así Tipo N.
como conocer su documentación.
 Colector: de extensión mucho mayor.
Tipo P
Marco Teórico

El transistor de unión bipolar (también

conocido por sus siglas BJT) se trata de
un dispositivo electrónico sólido, formado
por 2 uniones PN próximas entre ellas
que permite controlar el paso de la
corriente a través de sus terminales. Se
le llama bipolar porque la conducción es
debida al desplazamiento de portadores
de 2 polaridades (huecos: positivos; Representación gráfica transistor
electrones: negativos). Este tipo de
BJT P-N-P, N-P-N
dispositivo es utilizado para un gran
número de aplicaciones, principalmente La región de la base en un transistor
en electrónica analógica y digital con debe ser constructivamente delgada,
tecnología TTL o BICMOS, a pesar de para que los portadores puedan
tener una gran limitación debido a su difundirse a través de esta en mucho
impedancia de entrada muy baja. menos tiempo que la vida útil del
portador minoritario del semiconductor,
para minimizar el porcentaje de
Su composición está basada en 2 portadores que se recombinan antes de
uniones PN en un cristal semiconductor, alcanzar la unión base-colector. El
separados por una fina franja, espesor de la base debe ser menor al
delimitando dentro del mismo 3 regiones: ancho de difusión de los electrones.
Regiones operativas del transistor corriente circulando, no hay caída de
voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso
Los transistores bipolares de juntura normalmente se presenta cuando la
tienen diferentes regiones operativas, corriente de base = 0
definidas principalmente por la forma en
que son polarizados: (Ib =0)

 REGIÓN ACTIVA:  REGIÓN DE SATURACIÓN:

Cuando un transistor no está ni en su Un transistor está saturado cuando:

región de saturación ni en la región de
corte entonces está en una región Corriente de colector = corriente de
intermedia, la región activa. En esta emisor = corriente máxima,(Ic = Ie = I
región la corriente de colector (Ic) máxima)
depende principalmente de la corriente En este caso la magnitud de la corriente
de base (Ib), de β (ganancia de corriente,
depende del voltaje de alimentación del
es un dato del fabricante) y de las circuito y de las resistencias conectadas
resistencias que se encuentren en el colector o el emisor o en ambos,
conectadas en el colector y emisor. Esta ver ley de Ohm. Este caso normalmente
región es la más importante si lo que se se presenta cuando la corriente de base
desea es utilizar el transistor como un es lo suficientemente grande como para
amplificador de señal. inducir una corriente de colector β veces
 REGIÓN INVERSA: más grande. (Recordar que Ic = β * Ib)

Al invertir las condiciones de polaridad Materiales

del funcionamiento en modo activo, el  Protoboard
transistor bipolar entra en funcionamiento
en modo inverso. En este modo, las  Resistencias: 1KΩ; 10KΩ; 4.7KΩ
regiones del colector y emisor
intercambian roles. Debido a que la  Condensador 100 μF
mayoría de los TBJ son diseñados para
maximizar la ganancia de corriente en  Transistor NPN 2N222
modo activo, el parámetro beta en modo
 Multímetro
inverso es drásticamente menor al
presente en modo activo.
Desarrollo:
 REGIÓN DE CORTE:
El transistor NPN es un dispositivo
Un transistor está en corte cuando: electrónico que esta compuesto por tres
regiones semi-conductoras inter-
Corriente de colector = corriente de
conectadas N-P-N. Este elemento tiene
emisor = 0,(Ic = Ie = 0)
por lo tanto tres pines de conexión. El
En este caso el voltaje entre el colector y transistor es bipolar. Las uniones PN o
el emisor del transistor es el voltaje de NP están compuestas por materiales
alimentación del circuito. (Como no hay semi-conductor.
 sistemas embebidos. Entonces podemos
plantear que el transistor es la base de la
Un material semi-conductor puede tecnología digital actual. Regresando a
funcionar como conductor y como las aplicaciones comunes, la más usada
aislante de acuerdo a la polarización es el uso del transistor NPN como
eléctrica que se conecte. El interruptor electrónico, para este
transistor NPN tiene dos funciones funcionamiento, el transistor debe de
básicas, ser un interruptor electrónico o operar en las zonas llamadas corte y
un amplificador. Este tipo de transistor saturación.
también se puede clasificar como BJT.
Transistor NPN como amplificador
El transistor NPN está compuesto por
tres capas de materiales semi- Existen dos tipos de transistores, los
conductores, este arreglo es como un bipolares que se controlan mediante una
pastel de tres capas, Capa N-P-N. Estos entrada de corriente y los de efecto de
materiales son cristales de silicio que se campo que son activados mediante una
encuentran dopados de forma distinta. entrada de voltaje. Para un amplificador
electrónico se utiliza una pequeña
Cuando un cristal de material semi- corriente en la base del transistor para
conductor, (Silicio ó Germanio), se » controlar una corriente mayor entre el
dopa » con Boro, produce un cristal colector y el emisor.
semiconductor con sólo 3 electrones
disponibles de 4, por lo tanto se genera Para este tipo de transistores bipolares,
un » hueco » eléctrico. En cambio, la amplificación es entonces respecto de
cuando el cristal es dopado con la corriente. La corriente del colector es
impurezas como arsénico, ( el arsénico proporcional a la corriente en la base
tiene 5 electrones en su última capa ), el multiplicada por la «beta» del transistor.
cristal se queda con un electrón de más. Entonces este es el factor de ganancia
En resumen: en un transistor npn.

 El material o capa N – tiene un Ic = hFE*Ib

electrón de más.
Ic = Corriente de colector
 El material o capa P – le falta un
electrón (hueco). hFE = Beta del transistor

Aplicaciones del transistor NPN Ib = Corriente en la base

Un transistor NPN, que también se llama Este factor de ganancia depende de la

BJT, puede ser usado para dos cosas. El corriente del colector y puede llegar a
transistor puede funcionar como un variar, es por eso que no es
interruptor controlado electrónicamente o recomendable el uso de transistores
como un amplificador con ganancia como amplificadores electrónicos y se
variable. El transistor es también la base recomienda mejor el uso de
para el desarrollo de sistemas digitales amplificadores operacionales.
como compuertas lógicas. Las
compuertas lógicas son la base de los
Por ejemplo, en el transistor 2N2222A, el en saturación al mantener su tensión
cual es un transistor NPN bipolar, su Hfe colector-base positiva.
puede valer desde 35 hasta 300
dependiendo de la corriente del colector A continuación se muestran esquemas
y del voltaje colector-emisor. (VCE). de polarización y algunas fórmulas
para poder implementar estos circuitos.
Para determinar la corriente en el emisor
Ie, se puede usar la siguiente ecuación. La polarización con una fuente (con
resistencia de emisor)
Ie = Ib + Ic = (1/hFE+1)*Ic

Un transitor NPN es principalmente un

interruptor digital que también puede
funcionar como amplificador. Esta
formado por cristales de silicio que tienen
impurezas. Cuando estas impurezas son
Boro, se le conoce como material P.
Cuando las impurezas son por ejemplo,
La polarización con dos fuentes (con
Arsénico, se le conoce como material N.
resistencia de emisor)
Estos dos cristales poseen electrones de
más y carecen de electrones lo que
permite hacer fluir una corriente bajo
ciertas condiciones eléctricas.

POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR

BJT

 La selección del punto de trabajo de La polarización con divisor de tensión

un transistor se realiza a través de (con resistencia de emisor)
diferentes circuitos de polarización
que fijen sus tensiones y corrientes.

 La polarización con una fuente

sin resistencia de emisor es poco
recomendable por carecer de
estabilidad; bajo ciertas condiciones
se puede producir deriva térmica que
autodestruye el transistor. Auto polarización (con resistencia de
emisor)
 La polarización con una fuente es
mucho más estable aunque el que
más se utiliza con componentes
discretos es el circuito de auto
polarización.

 La polarización de colector-base
asegura que el transistor nunca entra