UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

(Universidad del Perú, DECANA DE AMÉRICA)

Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica
Laboratorio de Circuitos Electrónicos I

Curso: Laboratorio de Circuitos Electrónicos 1

Profesor: Medina Calderon, Alfredo
Tema: Amplificador de 3 etapas
Integrantes:
 Callalli Acosta Vicente Franklin
Horario: viernes 8pm-10pm

2019
 Amplificador de audio con dos etapas
Objetivo:
• Elaborar un amplificador de audio utilizando como guía las experiencias
pasadas.
• El correcto uso del mosfet y el bjt
Marco Teorico:
TRANSISTORES
Tipo de dispositivo electrónico semiconductor, capaz de modificar una señal
eléctrica de salida como respuesta a una de entrada, sirviendo como
amplificador, conmutador, oscilador o rectificador de la misma. Es un tipo de
dispositivo de uso común en numerosos aparatos, como relojes, lámparas,
tomógrafos, celulares, radios, televisores y, sobre todo, como componente de
los circuitos integrados (chips o microchips).
CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR:
El transistor se puede conmutar en corte y conducción variando la polarización
de base con respecto al emisor. Ajustando la polarización a un punto situado
aproximadamente a mitad de camino entre el corte y la saturación se situará el
punto de trabajo del transistor en la región activa de funcionamiento. Cuando
funciona en esta región el transistor es capaz de amplificar. Hay tres
configuraciones básicas: conexión de base a masa, conexión de emisor a masa
y conexión de colector a masa. El circuito de base a masa tiene baja
impedancia de entrada y alta impedancia de salida, y desde el circuito de
entrada hasta el de salida no se produce inversión de fase de la señal. El
circuito de emisor a masa tiene una impedancia de entrada más alta y una
impedancia de salida más baja que el circuito de base a masa, y se produce
una inversión de fase entre la señal de entrada y la de salida. Esto proporciona
ordinariamente la máxima ganancia de tensión en un transistor. El circuito de
colector a masa tiene impedancia de entrada relativamente alta, impedancia de
salida baja y no produce inversión de fase de la señal desde el circuito de
entrada hasta el de salida. La ganancia de potencia y la ganancia de tensión
son ambas bajas.
El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con
materiales específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones
bipolares: el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta
y la tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de
dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas, el transistor es un
dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada.
En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo,
a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son elementos
pasivos.
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función
amplificada de la que se inyecta en el emisor, pero el transistor solo gradúa la
corriente que circula a través de sí mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la base para que circule la carga por el colector, según el
tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación o ganancia logrado
entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor.
Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de
transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de
Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y
varias tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como corriente de
base, tensión Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc.
Los tres tipos de esquemas(configuraciones) básicos para utilización analógica
de los transistores son emisor común, colector común y base común.

Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores

FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta
en el terminal de base para modular la corriente de emisor o colector, sino la
tensión presente en el terminal de puerta y gradúa la conductancia del canal
entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el
canal se encuentra estrangulado, por efecto de la tensión aplicada entre
Compuerta y Fuente, es el campo eléctrico presente en el canal el responsable
de impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la
corriente de salida en la carga conectada al Drenaje (D) será función
amplificada de la tensión presente entre la compuerta y la fuente, de manera
análoga al funcionamiento del triodo.

Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integración a
gran escala disponible hoy en día; para tener una idea aproximada pueden
fabricarse varios cientos de miles de transistores interconectados, por
centímetro cuadrado y en varias capas superpuestas.
FUNCIONAMIENTO Y FUNCIONES DEL TRANSISTOR

En la imagen vemos a la izquierda un transistor real y a la

derecha el símbolo usado en los circuitos electrónicos.
Fíjate que siempre tienen 3 patillas y se llaman emisor,
base y colector. Es muy importante saber identificar bien
las 3 patillas a la hora de conectarlo. En el caso de la
figura, la 1 sería el emisor, la 2 el colector y la 3 la base.

En los catálogos puedes encontrar esta información, y si

no tienes acceso al catálogo del transistor, sabiendo el tipo
que viene marcado sobre el propio transistor, lo puedes
buscar por internet.
Por cada patilla podemos tener una corriente, a las que llamaremos:

Ib o IB = la corriente o intensidad por la base

Ic o IC = corriente o intensidad por el colector
Ie o IE = corriente o intensidad por el emisor

El funcionamiento del transistor es muy sencillo: Si no hay corriente de base Ib,

no hay corriente entre el colector y el emisor (Ic-e). Cuando le llega una
corriente muy pequeña por la base Ib, tenemos una corriente entre el colector y
el emisor (Ic-e) que será mayor que la Ib.Podemos considerar la Ib como una
corriente de entrada y la Ic-e como una de salida, entonces, cuando le llega
una corriente muy pequeña de entrada por la base, obtenemos una corriente
mucho mayor de salida (entre colector y emisor).
Según este funcionamiento se puede utilizar para 2 cosas básicamente, es
decir, tiene dos funciones:

- Función 1. Deja pasar o corta señales eléctricas a partir de una PEQUEÑA

señal de mando. Es decir, funciona Como Interruptor. Si no le llega corriente a
la base Ib = 0A; es como si hubiera un interruptor abierto entre el colector y el
emisor, no pasa corriente entre ellos (fíjate en la imagen de más abajo). Si le
llega corriente a la base, entonces es como si hubiera un interruptor cerrado
entre el colector y el emisor, ya que circula corriente entre ellos.

De esta forma se utiliza como un componente para electrónica digital. Por

ejemplo, Si la señal de entrada es 1 (corriente por la base) la señal de salida es
1 (corriente entre el colector y el emisor). Si la Ib es 0 la de salida también será
0. Por ejemplo, uniendo 2 transistores en serie, obtendremos una puerta lógica
AND, y 2 en paralelo una puerta OR. Podemos configurar todas las puertas
lógicas que se estudian en electrónica digital. De hecho un circuito
integrado esta compuesto por transistores.

- Función 2. Funciona como un elemento Amplificador de señales. Le llega una

señal pequeña, intensidad de base (Ib) que se convierte en una más grande
entre el colector y el emisor (Ic-e), que podríamos llamar de salida. Esta función
es con la que trabajará como un componente de electrónica analógica, varios

valores distintos puede tomar de entrada y salida.

Aunque estas dos funciones son las más habituales, el Transistor también
puede cumplir funciones en algunos casos de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador de una corriente eléctrica.
 • El transistor bipolar
Existen dos tipos de transistores, los PNP y los NPN.
En la siguiente figura, se muestra la disposición de los
cristales en cada uno de los dos tipos, así como su
símbolo correspondiente.
En el proceso de fabricación de un transistor NPN, el
cristal semiconductor correspondiente al emisor
contendrá un exceso de portadores de carga; su tarea
consistirá en enviar portadores de carga (electrones)
a la base. Los electrones emitidos por el emisor
atraviesan, prácticamente en su totalidad, a este cristal, para acabar
dirigiéndose al colector. La misión de la base consistirá en controlar dicho flujo
de electrones. Cuando la unión emisor base está polarizada en sentido directo
y la unión base colector lo está en sentido inverso, se dice que el transistor está
funcionando en el modo activo. Este tipo de funcionamiento presenta
propiedades de amplificación, ya que la corriente del colector puede
experimentar grandes cambios con pequeñas variaciones en la tensión emisor-
base. En definitiva, en un transistor funcionando en modo activo, se produce un
traslado de corriente desde un circuito de baja resistencia (el circuito que
contiene la unión emisor-base) a otro circuito de resistencia elevada (circuito
con la unión base-colector), produciéndose una amplificación de potencia. De
lo expuesto hasta ahora, se deduce que, para que el transistor funcione como
tal, es preciso que la base sea muy delgada.

• Parámetros del transistor:

Parámetro α:
El parámetro α de un transistor indica la relación de semejanza que se
produce en la corriente de colector y las variaciones de las corrientes
del emisor. Dado que la corriente de base, suele ser muy pequeña, en
la mayor parte de los transistores el valor del parámetro α se acerca a la
unidad.

Parámetro β:
Llamado también ganancia de corriente, es la relación que existe entre
la variación o incremento de la corriente de colector y la variación de la
corriente base.
La ganancia de corriente de los transistores comerciales varía bastante de
unos a otros. Así, nos podemos encontrar transistores de potencia que poseen
una β de tan sólo 20. Por otro lado, los transistores de pequeña señal pueden
llegar a tener una β de 400. Por todo ello, se pueden considerar que los valores
normales de este parámetro se encuentran entre 50 y 300.
En las tablas de especificaciones técnicas, en vez de utilizarse la β para
identificar la ganancia de corriente, se suele utilizar hfe. Así por ejemplo, para
una hfe entre 150 y 290; nos indica que la ganancia de corriente de este
transistor, puede encontrarse entre estos valores.
Los fabricantes de transistores proporcionan, en las hojas de especificaciones
técnicas, curvas de ganancia de corriente, donde se relacionan las variaciones
que sufre β con respecto a la corriente de colector y a la temperatura ambiente.
En estas curvas, se puede apreciar cómo la ganancia de corriente aumenta
hasta un valor máximo mientras la corriente de colector aumenta; sobrepasado
ese límite, para mayores valores de dicha corriente, la ganancia decrece.
También, se hace observar la existencia de tres curvas distintas, que indican
diferentes condiciones de trabajo para diferentes temperaturas ambiente.
Relación entre los parámetros α y β:
De las expresiones α = IC/IE, β = IC/IB y IE = IC+IB, se pueden encontrar las
expresiones matemáticas que relacionen ambos parámetros.

Regiones de trabajo:
Existen cuatro condiciones de polarización posibles.
Dependiendo del sentido o del signo de los voltajes de
polarización en cada una de las uniones del transistor,
éste se puede encontrar en alguna de las cuatro
regiones que se pueden observar en el gráfico de la
derecha. Estas regiones son; Región activa directa,
Región de saturación, Región de corte y Región activa
inversa.

Región activa directa

Corresponde a una polarización directa de la unión emisor-base. Esta es la
región de operación normal del transistor para amplificación. Centrando la
atención en la recombinación de los electrones en la base procedentes del
emisor podemos observar que allí donde había un hueco pasa a haber, tras la
recombinación, un ión negativo inmóvil. Si desaparecen los huecos de la base
y se llena de iones negativos, se carga negativamente, y se repelen los
electrones procedentes del emisor. En este caso se impediría la circulación de
la corriente, es decir, es necesario que la corriente de base reponga huecos
para que haya corriente de colector.

Por tanto, por cada electrón recombinado hay que introducir un hueco nuevo

que neutralice la carga negativa. Este fenómeno tiene la propiedad de ser

aproximadamente lineal, con lo que se puede establecer que:

Por lo tanto, los electrones inyectados desde el emisor a la base, atraídos por
el potencial positivo aplicado al colector, pueden atravesar la unión BC, y dar
origen a la corriente de colector IC.

Región activa inversa

Corresponde a una polarización inversa de la unión emisor-base y a una
polarización directa de la unión colector-base. Esta región es usada raramente.
Región de corte
Corresponde a una polarización inversa de ambas uniones. La operación en
ésta región corresponde a
aplicaciones de conmutación en el
modo apagado, pues el transistor
actúa como un interruptor abierto (IC
= 0).
En este caso existen zonas de
depleción en torno a las uniones BE
y BC. En estas zonas no hay
portadores de carga móviles, por lo
tanto, no puede establecerse
ninguna corriente de mayoritarios.
Los portadores minoritarios sí
pueden atravesar las uniones
polarizadas en inversa, pero dan lugar a corrientes muy débiles. Por lo tanto,
un transistor en corte equivale a un circuito abierto.

Región de saturación
Corresponde a una polarización directa de ambas uniones. La operación den
esta región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo encendido,
pues el transistor actúa como un interruptor cerrado (VCE = 0).

Características VBE-IB:
Mediante esta curva podemos determinar los efectos
que producen las variaciones de la tensión de
polarización VBE sobre la corriente de base IB. Estas
gráficas reciben el nombre de curvas características
de transferencia. Estas tensiones permanecen
prácticamente constantes, por lo que serán de gran
ayuda para localizar averías en circuitos con
transistores.
La curva representada en la figura sigue la expresión:
Características VCE-IC
En la siguiente figura, se muestran una
familia de curvas de colector para
diferentes valores constantes de la
corriente base.
Idealmente, en la Región Activa, la
corriente de colector depende
exclusivamente de la de base, a través
de la relación IC=β+IB. Por lo tanto, la
representación estará formada por
rectas horizontales (independientes de
VCE) para los diversos valores de IB (en este caso se ha representado el
ejemplo para β=100).Para IB=0, la corriente de colector también debe ser nula.
La región de corte está representada por el eje de abscisas. Por contra, para
VCE=0 el transistor entra en saturación, luego esta región queda representada
por el eje de ordenadas. Para conseguir que el transistor trabaje como
amplificador de corriente, la tensión de polarización inversa VCE debe
mantenerse por encima de 0.7V y por debajo de la tensión de ruptura.

Punto de trabajo
Es aquél donde el transistor trabaja de una
forma normal y que, normalmente, se
encuentra entre la zona de corte de
saturación. Para determinar el punto de
trabajo (Q) de transistor para una
determinada corriente de base (IB), se
busca el punto de intersección de la recta
de carga con la curva correspondiente a
dicha corriente de base.
FUNDAMENTOS TEÓRICOS
Transistor Mosfet
Un MOSFET es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y
amplificación de señales. El nombre completo, Transistor de Efecto de Campo
de Metal-Óxido-Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor, MOSFET) se debe a la constitución del propio transistor.
 Ilustración 1 Transistor Mosfet

LA ESTRUCTURA MOS.

La estructura MOS está compuesta de dos terminales y tres capas: Un Substrato

de silicio, puro o poco dopado p o n, sobre el cual se genera una capa de Oxido
de Silicio (SiO2) que, posee características dieléctricas o aislantes, lo que
presenta una alta impedancia de entrada. Por último, sobre esta capa, se coloca
una capa de Metal (Aluminio o polisilicio), que posee características
conductoras. En la parte inferior se coloca un contacto óhmico, en contacto con
la capsula, como se ve en la figura.

La estructura MOS, actúa como un condensador de placas paralelas en el que

G y B son las placas y el óxido, el aislante. De este modo, cuando VGB=0, la
carga acumulada es cero y la distribución de portadores es aleatoria y se
corresponde al estado de equilibrio en el semiconductor.
Cuando VGB>0, aparece un campo eléctrico entre los terminales de Puerta y
substrato. La región semiconductora p responde creando una región de
empobrecimiento de cargas libres p+ (zona de deplexión), al igual que ocurriera
en la región P de una unión PN cuando estaba polarizada negativamente. Esta
región de iones negativos, se incrementa con VGB.

Al llegar a la región de VGB, los iones presentes en la zona semiconductora de

empobrecimiento, no pueden compensar el campo eléctrico y se provoca la
acumulación de cargas negativas libres (e–) atraídos por el terminal positivo. Se
dice entonces que la estructura ha pasado de estar en inversión débil a inversión
fuerte.

El proceso de inversión se identifica con el cambio de polaridad del substrato,

debajo de la región de Puerta. En inversión fuerte, se forma así
un CANAL de e– libres, en las proximidades del terminal de Puerta (Gate) y de
huecos p+ en el extremo de la Puerta.
La intensidad de Puerta IG, es cero puesto que, en continua se comporta como
un condensador (GB). Por lo tanto, podemos decir que, la impedancia desde la
Puerta al substrato es prácticamente infinita e IG=0 siempre en estática.
Básicamente, la estructura MOS permite crear una densidad de portadores libres
suficiente para sustentar una corriente eléctrica.
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO DE CANAL N.

Bajo el terminal de Puerta existe una capa de óxido (SiO2) que impide
prácticamente el paso de corriente a su través; por lo que, el control de puerta
se establece en forma de tensión. La calidad y estabilidad con que es posible
fabricar estas finas capas de óxido es la principal causa del éxito alcanzado con
este transistor, siendo actualmente el dispositivo más utilizado.

Además, este transistor ocupa un menor volumen que el BJT, lo que permite una
mayor densidad de integración. Comencemos con la estructura básica del
MOSFET, seguido de sus símbolos.
Se trata de una estructura MOS, de cuatro terminales, en la que el substrato
semiconductor es de tipo p poco dopado. A ambos lados de la interfase Oxido-
Semiconductor se han practicado difusiones de material n, fuertemente dopado
(n+).

Cuando se aplica una tensión positiva al terminal de puerta de un MOSFET de

tipo N, se crea un campo eléctrico bajo la capa de óxido que incide
perpendicularmente sobre la superficie del semiconductor P. Este campo, atrae
a los electrones hacia la superficie, bajo la capa de óxido, repeliendo los huecos
hacia el sustrato. Si el campo eléctrico es muy intenso se logra crear en dicha
superficie una región muy rica en electrones, denominada canal N, que permite
el paso de corriente de la Fuente al Drenador.

Cuanto mayor sea la tensión de Puerta (Gate) mayor será el campo eléctrico y,
por tanto, la carga en el canal. Una vez creado el canal, la corriente se origina,
aplicando una tensión positiva en el Drenador (Drain) respecto a la tensión de la
Fuente (Source).
En un MOSFET tipo P, el funcionamiento es a la inversa, ya que los portadores
son huecos (cargas de valor positivas, el módulo de la carga del electrón). En
este caso, para que exista conducción el campo eléctrico perpendicular a la
superficie debe tener sentido opuesto al del MOSFET tipo N, por lo que la tensión
aplicada ha de ser negativa. Ahora, los huecos son atraídos hacia la superficie
bajo la capa de óxido, y los electrones repelidos hacia el sustrato. Si la superficie
es muy rica en huecos se forma el canal P. Cuanto más negativa sea la tensión
de puerta mayor puede ser la corriente (más huecos en el canal P), corriente que
se establece al aplicar al terminal de Drenador una tensión negativa respecto al
terminal de Fuente. La corriente tiene sentido opuesto a la de un MOSFET tipo

Si con tensión de Puerta nula no existe canal, el transistor se denomina de

acumulación; y de vaciamiento en caso contrario. Mientras que la tensión de
Puerta a partir de la cual se produce canal, se conoce como tensión umbral, VT.
El terminal de sustrato sirve para controlar la tensión umbral del transistor, y
normalmente su tensión es la misma que la de la Fuente.
El transistor MOS es simétrico: los terminales de Fuente y Drenador son
intercambiables entre sí. En el MOSFET tipo N el terminal de mayor tensión
actúa de Drenador (recoge los electrones), siendo el de menor tensión en el tipo
P (recoge los huecos). A modo de resumen, la figura anterior, muestra el
funcionamiento de un transistor MOS tipo N de enriquecimiento.

El símbolo más utilizado para su representación a nivel de circuito se muestra en

la figura siguiente. La flecha en el terminal de Fuente (Gate) nos informa sobre
el sentido de la corriente.

En la estructura MOS de la siguiente figura, aparecen diversas fuentes de tensión

polarizando los distintos terminales: VGS, VDS. Los terminales de substrato (B)
y Fuente (S) se han conectado a GND. De este modo, VSB=0 (tensión Surtidor-
sustrato=0) , se dice que no existe efecto substrato.

Según los valores que tome la tensión VGS, se pueden considerar tres casos:

1) VGS=0. Esta condición implica que VGS=0, puesto que VSB=0. En estas
condiciones, no existe efecto campo y no se crea el canal de e–, debajo de la
Puerta. Las dos estructuras PN se encuentran cortadas (B al terminal más
negativo) y aisladas. IDS=0 aproximadamente, pues se alimenta de las
intensidades inversas de saturación.

2) La tensión VGS>0, se crea la zona de empobrecimiento o deplexión en el

canal. Se genera una carga eléctrica negativa e– en el canal, debido a los iones
negativos de la red cristalina (similar al de una unión PN polarizada en la región
inversa), dando lugar a la situación de inversión débil anteriormente citada. La
aplicación de un campo eléctrico lateral VDS>0, no puede generar corriente
eléctrica IDS.
3) La tensión VGS>>0, da lugar a la inversión del canal y genera una población
de e– libres, debajo del óxido de Puerta y p+ al fondo del substrato. Se forma el
CANAL N o canal de electrones, entre el Drenador y la Fuente (tipo n+) que,
modifica las características eléctricas originales del sustrato. Estos electrones,
son cargas libres, de modo que, en presencia de un campo eléctrico lateral,
podrían verse acelerados hacia Drenador o Surtidor. Sin embargo, existe un
valor mínimo de VGS para que el número de electrones, sea suficiente para
alimentar esa corriente, es VT, denominada TENSIÓN UMBRAL (en algunos
tratados se denomina VTH).

Por lo tanto, se pueden diferenciar dos zonas de operación para valores de

VGS positivos:

– Si VGS< VT la intensidad IDS=0 (en realidad sólo es aproximadamente cero)

y decimos que el transistor opera en inversión débil. En ella, las corrientes son
muy pequeñas y su utilización se enmarca en contextos de muy bajo consumo
de potencia. Se considerará que la corriente es siempre cero. De otro lado;
– Si VGS>=VT, entonces IDS es distinto de cero, si VDS es no nulo. Se dice que
el transistor opera en inversión fuerte.

Cuanto mayor sea el valor de VGS, mayor será la concentración de cargas libres
en el canal y por tanto, será superior la corriente IDS.
REGIONES DE OPERACIÓN.

Cuando ya existe canal inducido y VDS va aumentando, el canal se contrae en

el lado del Drenador, ya que la diferencia de potencial Puerta-canal es en ese
punto, más baja y la zona de transición más ancha. Es decir, siempre que exista
canal estaremos en región óhmica y el dispositivo presentará baja resistencia.

La operación de un transistor MOSFET se puede dividir en tres regiones de

operación diferentes, dependiendo de las tensiones en sus terminales. Para un
transistor MOSFET N de enriquecimiento se tienen las siguientes
regiones: región de corte, región óhmica y región de saturación.
REGIÓN DE CORTE.

El transistor estará en esta región, cuando VGS < Vt. En estas condiciones el
transistor MOSFET, equivale eléctricamente a un circuito abierto, entre los
terminales del Drenador-Surtidor. De acuerdo con el modelo básico del
transistor, en esta región, el dispositivo se encuentra apagado. No hay
conducción entre Drenador y Surtidor, de modo que el MOSFET se comporta
como un interruptor abierto.

REGIÓN ÓHMICA.

Cuando un MOSFET está polarizado en la región óhmica, el valor de RDS

(on) viene dado por la expresión:
VDS (on) = ID(on) x RDS(on)

En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de RDS(on) a una corriente de
Drenaje (ID) específica y el voltaje Puerta-Surtidor.

Así mismo, el transistor estará en la región óhmica, cuando VGS > Vt y VDS < (
VGS – Vt ).
El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el Drenador y
Surtidor. El valor de esta resistencia varía dependiendo del valor que tenga la
tensión entre la Puerta y el Surtidor (VGS).
REGIÓN DE SATURACIÓN.

El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento cuando la tensión

entre el Drenador y el Surtidor (VDS) supera un valor fijo denominado tensión de
saturación (Vds sat) Drenador-Surtidor; este valor viene determinado en las
hojas características proporcionadas por el fabricante. En esta zona, el MOSFET
mantiene constante su corriente de Drenador (ID), independientemente del valor
de tensión que haya entre el Drenador y el Surtidor (VDS). Por lo tanto, el
transistor equivale a un generador de corriente continua de valor ID.
Es decir; el MOSFET estará en esta región, cuando VGS > Vt y VDS > ( VGS –
Vt ).

Cuando la tensión entre Drenador y Fuente supera cierto límite, el canal de

conducción, bajo la Puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del
Drenador y desaparece. La corriente entre Fuente y Drenador no se interrumpe,
es debido al campo eléctrico entre ambos, pero se hace independiente de la
diferencia de potencial entre ambos terminales.
En la ilustración anterior, la parte casi vertical corresponde a la zona óhmica, y
la parte casi horizontal corresponde a la zona activa. El MOSFET de
enriquecimiento, puede funcionar en cualquiera de ellas. En otras palabras,
puede actuar como una resistencia o como una fuente de corriente. El uso
principal está en la zona óhmica.
REGIÓN DE RUPTURA.

Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET pierde sus propiedades
semiconductoras y se puede llegar a romper el componente físico. La palabra
ruptura hace referencia a que se rompe la unión semiconductora de la parte del
terminal del drenador.

Máxima Tensión Puerta-Fuente. La delgada capa de dióxido de silicio en el

MOSFET funciona como aislante, el cual, impide el paso de corriente de Puerta,
tanto para tensiones de Puerta negativas como positivas. Muchos MOSFET
están protegidos con diodos zener internos, en paralelo con la Puerta y la Fuente.
La tensión del zener, es menor que la tensión Puerta-Fuente que soporta el
MOSFET VGS(Max).

Zona Óhmica. El MOSFET es un dispositivo de conmutación, por lo que

evitaremos, en lo posible, polarizarlo en la zona activa. La tensión de entrada
típica tomará un valor bajo o alto. La tensión baja es 0 V, y la tensión alta es
VGS(on), especificado en hojas de características.

Drenado-Fuente en resistencia. Cuando un MOSFET de enriquecimiento se

polariza en la zona activa, es equivalente a una resistencia de RDS(on),
especificada en hojas de características. En la curva característica existe un
punto Qtest en la zona óhmica. En este punto, ID(on) y VDS(on) están
determinados, con los cuales se calcula RDS(on).
POLARIZACIÓN DE MOSFET.

Los circuitos de polarización típicos para MOSFET enriquecido, son similares al

circuito de polarización utilizada para JFET. La principal diferencia entre ambos
es el hecho de que el MOSFET de enriquecimiento típico sólo permite puntos de
funcionamiento con valor positivo de VGS para canal n y valor negativo de
VGS para el canal p. Para tener un valor positivo de VGS de canal n y el valor
negativo de VGS de canal p, es adecuado un circuito de auto polarización. Por
lo tanto hablamos de recorte de realimentación y circuito divisor de tensión para
mejorar el tipo MOSFET.
REALIMENTACIÓN, CIRCUITO DE POLARIZACIÓN.

La siguiente figura, muestra el circuito de polarización con realimentación típico

para MOSFET canal n de enriquecimiento.

Para el análisis en corriente continua, podemos reemplazar el condensador de

acoplamiento por circuitos abiertos y también reemplazar el resistor RG por su
equivalente en corto circuito, ya que IG = 0.
La ilustración, también muestra, el circuito simplificado, para el análisis con
recorte de realimentación CC. Como los terminales de Drenaje y Puerta están
en cortocircuito

BJT
SI≅RB/RE≅10 Si RB=500Ω → RE≅47Ω

Utilizamos el esquema de arriba para guiarnos:

Por division de tension:
En la malla de entrada:
VTH=VRB+VBE+VRE
VCCRB/R1=IBRB+0.7+IERE
IC=βIB
IB=IC/β . Asumimos IC=13mA pero IC≅IE≅13mA
Si β=50
IB=260μA (este valor esta fuera del rango de IB)
Si β=150
IB=86.6μA (valor dentro del rango de IB)
14500/R1=(86.6μ)500+0.7+0.61
R1=5185Ω
Pero nosotros sabemos que:
RB=R1//R2
RB=(R1*R2)/(R1+R2)
Como sabemos que RB=500Ω y R1=5185Ω → R2=555.5Ω
En la malla de salida:
VCC=VRC+VCE+VRE
14=ICRC+VCE+IERE pero VCE≅VCC/2 y IE≅IC
14=ICRC+7.3+ICRE
6.7=IC(RC+47)

Como asumimos IC=13mA, entonces la ecuación queda así

6.7/13mA=RC+47
RC=468.3Ω
SIMULACIONES
Circuito armado en protoboard:
Tabla de polarizaciones:

VCC 18v
VDS 10.50
VGS -1.40v
VDG 7.70v
MOSFET
R1 2.4 MΩ
R2 600kΩ
RD 2.7KΩ
RS 620Ω

VCC 18v
VCE 9.54 v
VCB 8.90v
BJT VCE 0.66v
R1 8.2kΩ
R2 150Ω
RC 820Ω
RE 470kΩ