Informe Laboratorio Transistor

DIODOS SEMICONDUCTORES
C.R. Autor, Quintero Montoya, IEEE, y N.A. Autor, Céspedes Bernal, IEEE, J.A. Autor, Orjuela
Angulo, W. S Autor, Montaña Alonso, IEEE, Escuela tecnológica Instituto Técnico Central, calle
13#16-74, atencionalciudadano@itc.edu.co
Abstract- Taking as a starting point the characteristics studied in class about a transistor, we will
proceed to make the respective circuit assemblies with their measurements, looking for the real
values of the behavior of it. The laboratory is developed in block J, classroom 401, ETITC
facilities.
I) INTRODUCCION ideales hallados mediante cálculos

matemáticos.
En el siguiente artículo se hablará y se
especificara mediante graficas
explicativas el funcionamiento de dos
MARCO TEORICO
transistores: 2N222 y TIC31C, estos nos
darán las nociones del comportamiento
Qué son los Transistores: Definición
real de un transistor. Se demostrará la
Dispositivo semiconductor activo que
manera adecuada de polarizar dichos
tiene tres o más electrodos. Los tres
elementos como también su
electrodos principales son emisor, colector
comportamiento en el caso que no se
y base. La conducción entre estos
conecte idóneamente. Se discernirá la
electrodos se realiza por medio de
forma de encontrar sus parámetros como
electrones y huecos. El germanio y el
lo son, voltaje colector-emisor, corriente
silicio son los materiales más
de base y la misma para colector. Por
frecuentemente utilizados para la
último, se evidenciarán graficas
fabricación de los elementos
representando su estado de trabajo y
semiconductores. Los transistores pueden
características.
efectuar prácticamente todas las funciones
OBJETIVOS de los antiguos tubos electrónicos,
incluyendo la ampliación y la
rectificación, con muchísimas ventajas.
● Analizar el comportamiento de un Elementos de un transistor o transistores:
transistor NPN con la ayuda del El transistor es un dispositivo
multímetro mediante medición de semiconductor de tres capas que consiste
sus terminales. de dos capas de material tipo n y una capa
● Hacer notar el comportamiento de tipo p, o bien, de dos capas de material tipo
un transistor en sus estados de: p y una tipo n. al primero se le llama
activación o amplificación, corte y transistor NPN, en tanto que al segundo
saturación. transistor PNP. EMISOR, que emite los
● Comparar las características portadores de corriente, (huecos o
encontradas de un transistor bajo electrones). Su labor es la equivalente al
las pruebas realizadas con cada CATODO en los tubos de vacío o
uno de ellos contra sus valores "lámparas" electrónicas. BASE, que
controla el flujo de los portadores de
corriente. Su labor es la equivalente a la
REJILLA cátodo en los tubos de vacío o
"lámparas" electrónicas. COLECTOR,
que capta los portadores de corriente
emitidos por el emisor. Su labor es la
equivalente a la PLACA en los tubos de
vacío o "lámparas" electrónicas. Ventajas
de los transistores electrónicos El
consumo de energía es sensiblemente bajo.
El tamaño y peso de los transistores es
bastante menor que los tubos de vacío.
Una vida larga útil (muchas horas de
servicio). Puede permanecer mucho
tiempo en depósito (almacenamiento).
No necesita tiempo de calentamiento.
Resistencia mecánica elevada. Los
transistores pueden reproducir otros 2. Busque el datasheet (archivo
fenómenos, como la foto sensibilidad. anexo) del transistor NPN
Tipos de Transistores Bipolares de unión, (2N2222A) y en la siguiente tabla
BJT. (PNP o NPN)-BJT, de transistor anote el valor correspondiente a
bipolar de unión (del inglés, Bipolar cada parámetro proporcionado en
Junction Transistor). El término bipolar la hoja de especificaciones del
refleja el hecho de que los huecos y los fabricante.
electrones participan en el proceso de Máxima
Corriente de 1.0 A
inyección hacia el material polarizado de
Colector
forma opuesta. Transistores de efecto de
(ICMAX): Si se
campo. ( JFET, MESFET, MOSFET )- supera esta
JFET, De efecto de campo de unión corriente los
(JFET): También llamado transistor diodos internos
unipolar, fue el primer transistor de efecto sufren daños.
de campo en la práctica.
Factor de
Amplificación o
1. Para el transistor NPN (2N2222A), Ganancia (HFE ó
identifique sus terminales (emisor, Beta): Este factor
base, colector) y con la utilización indica la cantidad
del multímetro realice la prueba de veces que se
del estado de este. amplifica la
corriente de base.
Máximo Voltaje
Base Emisor 6.0V
(VBEMAX): Es
el máximo voltaje
que se puede
aplicar a la unión
base emisor.
Máxima Potencia
de Disipación 625 mW
(PD): En general ó
depende del tipo 5.0 mW/°C
de empaque
utilizado. (Reducción de
potencia por
encima de 25 ° C)
3. Monte el circuito de la Figura
foto tomada por Neider Céspedes
4. Ajuste el potenciómetro (RV1)

para obtener los valores de
corriente de base (In en
microamperios) que se indica en la
siguiente tabla y completa.
circuito en protoboard
Una vez montado el circuito se comienza
a variar la resistencia RV1, y con la ayuda
de dos multímetros se van tomando los
datos y se recopilan en la siguiente tabla:
IB VBE V prueba
5,00E-06 0,604 5
6,00E-06 0,614 6
7,00E-06 0,629 7
8,00E-06 0,635 8
9,00E-06 0,64 9
1,00E-05 0,644 10
1,61E-05 0,657 16,1
1,85E-05 0,662 18,5
1,91E-05 0,664 19,1
2,03E-05 0,666 20,3
2,24E-05 0,669 22,4
2,50E-05 0,673 25
3,03E-05 0,676 30,3
3,26E-05 0,677 32,6
3,61E-05 0,677 36,1
3,86E-05 0,678 38,6
4,01E-05 0,678 40,1
5,02E-05 0,679 50,2
1,21E-04 0,686 120,8
1,40E-04 0,687 139,7
1,40E-04 0,687 140,4
1,55E-04 0,688 155,3
1,87E-04 0,691 187,3
2,11E-04 0,692 210,8
5. Grafique los valores obtenidos en

la tabla del punto anterior los ejes 6. Monte el circuito de la figura
IB en microamperios) que se
indican en la siguiente tabla y
completa.
Después de obtener los valores

consolidados en la tabla anterior para
generar las siguientes graficas
7. Para el circuito de la figura

anterior, ajuste el voltaje de la
fuente “Vcc” para que el voltaje
colector – emisor (Vce) tome cada
uno de los valores indicados para
cada valor de la corriente IB
constante anotando el valor
correspondiente de Ic (corriente de
colector).
9. Realice los cálculos para la
polarización fija mostrada en la
figura 1 con el transistor utilizado
en el laboratorio de curvas
características. Implemente el
circuito y verifique su
funcionamiento. Compare con
cálculos teóricos de IB, IC y VCE
con los datos experimentales y
analice el error teórico-práctico.
Observación: los condensadores
no son necesarios.
EVIDENCIAS
8. Graficar los valores obtenidos de

la curva IB en los ejes de IC vs
VCE (curva característica de
salida del transistor NPN)

foto tomada por Neider Céspedes foto tomada por Neider Céspedes

CONCLUSIONES 4. Se identificó que un transistor es
un componente electrónico que se
1. Se observó que los transistores
emplea para amplifi-car señales
tienen 3 terminales, los cuales se
eléctricas; es decir, se utiliza para
identifican por Colector, Base y
obtener corrientes de salida de
Emisor. Para identificar los
mayor intensidad que las corrientes
terminales de un transistor,
de entrada.
primero tenemos que colocar
nuestro multímetro en la opción
para medir diodos. Tocaremos Bibliografía
entonces todos los terminales con
ambas puntas. El terminal que
tenga continuidad con las otras https://www.edu.xunta.gal/centros/iesped
dos, pero no a la inversa, será la rofloriani/aulavirtual2/pluginfile.php/324
base del transistor. A su vez, el 5/mod_resource/content/0/Electronica/Ele
color de terminal que esté ctr17-02-13-2/transistores.html
conectado a la base, indicara que
tipo de transistor es. Por ejemplo, https://www.ecured.cu/Transistor
si la punta roja está en la Base, será https://www.ingmecafenix.com/electronic
un Transistor NPN, pero si es la a/el-transistor/
negra, será un PNP.
https://www.ingmecafenix.com/electronic
2. Se identificó que el transistor se a/el-transistor/
encuentra en la región de corte https://instrumentoselectronicos.wordpres
cuando IC=0. Para dejar en cero la s.com/proyectos-y-actividades/proyectos-
corriente de colector, se requiere y-actividades-multimetro/como-medir-
tener en cero la corriente de base transistores-con-multimetro/
IB. Esta será cero cuando VBB=0.
El transistor se encuentra en
saturación cuando el voltaje
colector emisor sea de cero
VCE=0. Cuando VCE=0, podemos
determinar el valor de la corriente
de saturación de colector
ICsat=VCC/RC.
3. Se determinó que los resultados

medidos y los cálculos elaborados
en los circuitos montados en
laboratorio, se determinó que las
magnitudes eléctricas son muy
parecías y se puede concluir que
varían muy poco y son concordes.

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I) INTRODUCCION ideales hallados mediante cálculos

3. Monte el circuito de la Figura

foto tomada por Neider Céspedes

4. Ajuste el potenciómetro (RV1)

5. Grafique los valores obtenidos en

Después de obtener los valores

7. Para el circuito de la figura

8. Graficar los valores obtenidos de

foto tomada por Neider Céspedes

foto tomada por Neider Céspedes

foto tomada por Neider Céspedes

3. Se determinó que los resultados

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