Teoría de Bandas para Semiconductores para El Caso de La Brecha de Banda Directa e Indirecta
Teoría de Bandas para Semiconductores para El Caso de La Brecha de Banda Directa e Indirecta
Teoría de Bandas para Semiconductores para El Caso de La Brecha de Banda Directa e Indirecta
Describir:
Teoría de bandas para semiconductores para el caso de la brecha de banda directa e
indirecta.
La banda prohibida de un semiconductor siempre es uno de dos tipos y se les caracteriza por
el alineamiento de sus bandas de energía, a las cuales se les llama semiconductores de banda
prohibida directa y banda prohibida indirecta. Los semiconductores, por ejemplo, el arsenurio
de galio es de gap directo al igual que el germanio y el silicio es de gap indirecto.
Cuando el máximo de la banda de energía de valencia coincide con el máximo de la banda de
energía de conducción es llamado brecha de banda directa como se muestra en la figura
3.25a.
Cuando el máximo no de la banda de energía de valencia no coincide con el mínimo de la
banda de energía de conducción se le conoce como brecha de banda indirecta como se
muestra en la figura 3b.
Donde f(E) es la probabilidad de que un estado con energía E esté ocupado por un electrón.
Figura 2. Función de distribución de Fermi F(E) frente a (E-EF) para varias temperaturas.
Fijarse que para E = EF , f(E) es siempre 0.5. En consecuencia, se puede definir la energía de
Fermy 𝑬𝑭 como la energía que ha de poseer la partícula para que la probabilidad de
ocupación sea de 0.5 a cualquier temperatura. Podemos decir que, para un nivel energético
EF, durante un largo periodo de tiempo, la probabilidad es tal que la mitad de los estados están
ocupados.
Dado que la probabilidad de ocupación de un estado es f(E), la probabilidad de que dicho
estado no esté ocupado es [1-f(E)]. Es decir, la probabilidad de que un hueco ocupe un nivel
de energía E viene dada por [1-f(E)].
Densidad de estados
La densidad de electrones y huecos esta relacionada con la función de densidad de estados y
la función de distribución de Fermy.
La concentración de electrones en la banda de conducción es la integral encima de la banda
de energía de conducción del producto de la densidad de la función de densidad de estados
en la banda de conducción y la función de probabilidad de Fermi Dirac.
𝑛(𝐸) = 𝑔𝑐(𝐸)𝑓𝑓(𝐸)
Se visualiza que existe una relación entre la resistividad, movilidades y concentraciones que
tiene un semiconductor, es decir debida a ciertas concentraciones de impurezas en el
semiconductor la resistividad cambia como se muestra en la siguiente figura 4.
Figura 4. Variación de la concentración de impurezas en semiconductor y la resistividad a
300K.
Note: This service is not intended for secure transactions such as banking, social media, email, or purchasing. Use at your own risk. We assume no liability whatsoever for broken pages.
Alternative Proxies: