Laboratorio N° 04: EL TRANSISTOR BIPOLAR –

ZONA ACTIVA, CORTE Y SATURACION

Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica, Universidad Nacional de Ingeniería

Lima, Perú

INTRODUCCIÓN
El transistor es el componente semiconductor probablemente más importante de la electrónica
actual, se dice que fue el componente que marco el verdadero inicio de la revolución electrónica,
puesto que ha sido el punto de partida para la invención de la mayoría de los dispositivos que
hoy conocemos (radios, televisores, reproductores de audio, video, computadoras, teléfonos),
entre algunas de sus características más importantes están la de conmutador o switch y
amplificador de señal.

I. OBJETIVO
 Aprender a determinar correctamente
los terminales del transistor mediante el
multímetro o a través del datasheet.
a) Tipos
 Obtener las curvas características del
transistor como también sus puntos de Internamente consta de dos uniones PN,
operación. por lo que se le puede considerar como dos
II. TEORIA diodos unidos para dar lugar a transistores
de tipo NPN y PNP dependiendo del orden
El BJT fue el primero en tener aplicaciones de dichas uniones.
prácticas comerciales, por ello, cuando en
electrónica nos referimos a “un transistor”
(sin más indicaciones) normalmente nos
estaremos refiriendo a uno de este tipo.
Tiene tres terminales que se denominan
Emisor, Base y Colector.

Su símil hidráulico sería un grifo que nos Emplearemos uno u otro dependiendo del
permite controlar el flujo de agua según sentido en que deba circular la corriente
muestra necesidad. Para entender mejor eléctrica. Se utiliza un transistor PNP si la
cómo funciona en sus tres posibles estados corriente debe circular de Emisor a
o zonas de trabajo (Corte, Activa y Colector, y NPN si circula de Colector a
Saturación), en la siguiente imagen sólo Emisor. Como vemos, este sentido de
tienes que sustituir el agua por corriente circulación está indicado en el símbolo
eléctrica y el grifo por un transistor. electrónico del transistor BJT por la
dirección de la flecha en el terminal de
Emisor.
 Este tipo de polarización será el usado
cuando el transistor trabaje en región activa.
La unión emisor-base queda polarizada
como una unión en directa, y la unión
colector-base como una unión en inversa.
En la figura siguiente se muestran las
principales corrientes (de electrones y
huecos) que aparecen en el transistor tras
b) Convenio de tensiones y aplicar la polarización indicada en la figura
corrientes anterior. Se puede observar lo siguiente:

Corrientes
o Entre el emisor y la base aparece una
corriente (𝐼𝐸𝑝 + 𝐼𝐸𝑛 ) debido a que la unión
está en directa.
o El efecto transistor provoca que la mayor
parte de la corriente anterior NO circule
por la base, sino que siga hacia el emisor
(𝐼𝐶𝑝 ).

Tensiones
o Entre el colector y la base circula una
corriente mínima por estar polarizada en
inversa (𝐼𝐶𝑛 más una parte ínfima de 𝐼𝐶𝑝 )
c) Corrientes y Tensiones o Por la base realmente circula una
Para el análisis de las distintas corrientes pequeña corriente del emisor, más otra
que aparecen en un transistor vamos a de colector, más la corriente de
considerar un transistor de tipo PNP, que recombinación de base (𝐼𝐸𝑛 + 𝐼𝐶𝑛 + 𝐼𝐵𝑟 ).
polarizamos tal y como aparece en la figura A partir de lo anterior podemos obtener
siguiente. algunas ecuaciones básicas como son las
siguientes:

𝐼𝐸 + 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 = 0

Esta ecuación viene impuesta por la propia

estructura del circuito, es decir, el transistor
es un nodo con tres entradas o salidas, por
tanto, la suma de las corrientes que entran
o salen al mismo ha de ser cero.

Cada una de las corrientes del transistor se

puede poner en función de sus
componentes de la siguiente forma:
 𝐼𝐸 = 𝐼𝐸𝑛 + 𝐼𝐸𝑝 2. Activa
La región activa es la normal de
𝐼𝐶 = 𝐼𝐶𝑛 + 𝐼𝐶𝑝
funcionamiento del transistor. Existen
𝐼𝐵 = 𝐼𝐸𝑛 + 𝐼𝐶𝑛 + 𝐼𝐵𝑟 corrientes en todos sus terminales y se
cumple que la unión base-emisor se
d) Parámetros α y β encuentra polarizada en directa y la
En un transistor bipolar uno de los aspectos colector-base en inversa.
más interesantes para su análisis y uso es En general, y a efectos de cálculo, se
el conocer las relaciones existentes entre considera que se verifica lo siguiente:
sus tres corrientes (IE, IB e IC). En la ecuación 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝛾
I tenemos una primera relación. Otras 𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵
relaciones se pueden obtener definiendo donde 𝑉𝛾 es la tensión de conducción
una serie de parámetros dependientes de la de la unión base-emisor (en general 0,6
estructura del propio transistor. voltios).
Definimos los parámetros α y β (de continua) 3. Saturación
como la relación existente entre la corriente En la región de saturación se verifica
de colector y la de emisor, o la de emisor y que tanto la unión base-emisor como la
la de base, es decir: base-colector se encuentran en directa.
Se dejan de cumplir las relaciones de
𝐼𝐶 𝐼𝐶
𝛼= 𝛽= activa, y se verifica sólo lo siguiente:
𝐼𝐸 𝐼𝐵
𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡
Operando podemos relacionar ambos
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡
parámetros de la siguiente forma:
donde las tensiones base-emisor y
𝛼
𝛽= colector-emisor de saturación suelen
1−𝛼
tener valores determinados (0,8 y 0,2
En general el parámetro α será muy próximo voltios habitualmente). Es de señalar
a la unidad (la corriente de emisor será especialmente que cuando el transistor
similar a la de colector) y el parámetro β se encuentra en saturación circula
tendrá un valor elevado (normalmente > también corriente por sus tres
100). terminales, pero ya no se cumple la
e) Regiones de Funcionamiento relación: 𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵

1. Corte f) Curvas Características

Cuando el transistor se encuentra en corte

1. En base común
no circula corriente por sus terminales.
Concretamente, y a efectos de cálculo,
decimos que el transistor se encuentra en
corte cuando se cumple la condición: I E =
0 ó IE < 0 (Esta última condición indica que
la corriente por el emisor lleva sentido
contrario al que llevaría en funcionamiento
normal).

Para polarizar el transistor en corte basta

con no polarizar en directa la unión base-
emisor del mismo, es decir, basta con que
VBE=0.
Curva de entrada en BJT pnp
 III. RESPUESTAS A PREGUNTAS

a) Realice los cálculos para hallar IB, IC

empleando el simulador

Circuito 1

curva de salida BJT pnp

2. En emisor común

Circuito 2

b) Simule los pasos de la guía del

laboratorio y anote las tensiones y
corrientes que se piden en el
experimento

Tabla Circuito 1

V3(V) VC(V) VB(V) IC(mA) IB(uA) β

0 0 0 164pA 120pA 1.37
1 11.8 0.797 0.398 1.98 201
2 11.3 1.47 1.31 5.74 228
3. Colector común
3 10.8 2.16 2.16 9.55 226
Desde el punto de vista de diseño de un 4 10.4 2.86 2.91 13.4 217
5 10.1 3.56 3.55 17.3 205
circuito con un transistor en la configuración
6 9.91 4.26 4.09 21.2 193
colector común, se utilizan las 7 9.72 4.97 4.55 25.1 181
características de emisor común. 8 9.56 5.67 4.95 29 171
9 9.45 6.38 5.30 32.9 161
10 9.35 7.08 5.61 36.9 152
12 9.18 8.49 6.13 44.7 137
14 9.1 9.9 6.54 52.5 125
15 9.05 106 6.72 56.4 119
16 8.92 11.3 6.87 60.4 114
Tabla Circuito 2

R 56K 47K 22K 15K 3.3K

VB (V) 5.62 5.28 3.6 2.78 0.783
VC (V) 7.08 7.41 9.06 9.85 11.8
VE (V) 4.96 4.62 2.96 2.16 0.221
IC(mA) 4.92 4.59 2.94 2.15 0.22
IB(uA) 35.5 30.7 15.4 10.6 1.39
Zona

c) Con los valores obtenidos con el

simulador, haga las gráficas de las d) Obtenga el data sheet del transistor y
curvas IC vs VCE; IC vs IB; β vs IC; IB vs determine las características de corte
VBE; y obtenga el grafico de respuesta y saturación asi como el punto de
en frecuencia indicando la ganancia operación del 2N2222 y el 2N3904.
de tensión vs frecuencia usando
escala logarítmica. Datasheet 2N2222

e) Que voltaje AC de entrada puede

soportar el transistor 2N2222 y el
2N3904
Según el Datasheet

f) Determine la impedancia de entrada y

salida a 60Hz
IV. DATASHEET Y HOJA DE V. EQUIPOS Y MATERIALES
DATOS
Los materiales a utilizar en el laboratorio
son:
 2N2222
- 01 transistor NPN 2N2222 ó 2N3904
- 01 protoboard
- 01 Resistencia de 100Ω; 2de 1KΩ de 1W
- 02 Fuente DC; puntas de prueba
- 01 protoboard y cables conectores
- 01 multímetro
- Resistencias:10KΩ;15KΩ;56KΩ;22KΩ;
180KΩ;3.3KΩ;6.2KΩ;10KΩ;47KΩ,510K
Ω;2KΩ de 1W
- 01 potenciómetro lineal de 50KΩ y 500
KΩ 0.5W
- 01 generador de funciones
- 02 transistores BJT iguales BC548A
- 02 diodos LED
- 01 osciloscopio, puntas de prueba
- 01 amperímetro analógico

VI. DESARROLLO DE LA
 2N3904 EXPERIENCIA

a. Armar el circuito de la figura:

b. Polarizar el dispositivo y medir VC y VB

para completar la siguiente tabla:

c. A partir de esta tabla graficar la curva de

transferencia de entrada a salida VC vs
V3 si es necesario, tomar medidas de
puntos intermedios.
d. Graficar la curva de transferencia de
corrientes (IC vs IB) y el beta de las
mismas (beta vs IC).
e. Armar el circuito de la figura 3
 VIII. BIBLIOGRAFIA

- http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/te
ma5.pdf
- https://www.mouser.pe
- https://tallerelectronica.com/transistor-bjt/

f. Medir las tensiones VC, VE, y VB para

trazar la recta de carga del circuito,
variando R6.
g. Determinar las corrientes y graficar la
recta de carga en el plano C I vs CE V del
transistor. Indicar la zona de operación
correspondiente.
h. Graficar en un mismo plano las
diferentes rectas de carga, a colores,
indicando las zonas de operación.
Adjuntar las datasheet con los datos de
los transistores utilizados.
i. Armar el circuito de la figura 2, conectar
los diodos LED en serie con las
resistencias R1 y R2, colocar en V3 una
fuente DC y reemplazar R1 por un
potenciómetro.
j. Para determinar la región activa varíe el
voltaje de entrada V3 y realice las
mediciones necesarias, de tal forma que
pueda determinar el intervalo de voltaje
(V(min) < V3 < V(max)) que mantiene al
transistor operando en la región activa.
k. Para determinar cuando el transistor está
en corte o está en saturación, aumentar
de 1v en 1v el V(max) DC de V3; hasta
encontrar un cambio en V0. Luego repetir
el procedimiento disminuyendo V(min)
de V3 desde el último valor de v, hasta
cero.
l. En la simulación determinar la
resistencia R1 que facilite el corte y
saturación de manera más rápida y usar
ese valor en la práctica de laboratorio.

VII. SIMULACION

La simulación se realizó en las preguntas “a”

y “b” del enciso “III”