INTITUTO TECNOLOGICO DE MERIDA

FISICA DE SEMICONDUCTORES

3EA

UNIDAD 5: TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

“TRABAJO DE INVESTIGACION”

PROFESOR: FABIOLA ZIZUMBO CHAVEZ

ALUMNO: FERNANDO CANCHE ACEVEDO

04/12/2020

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 INDICE
INDICE__________________________________________________________________2
INTRODUCCION____________________________________________________________3
UNIDAD 5: TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO_______________________4
5.1. Parámetros eléctricos (VP, VGS, IDSS, ID, transconductancia)._______________7
5.2. Funcionamiento del JFET.________________________________________________10
5.3. Funcionamiento del MOSFET de empobrecimiento y de enriquecimiento____12
5.4. Configuraciones básicas._________________________________________________15
5.5. Aplicaciones básicas_____________________________________________________19
Conclusión__________________________________________________________________21
Bibliografía_____________________________________________________________22

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 INTRODUCCION
En este trabajo de investigación se habla sobre los transistores de efecto de
campo, antes de entrar en detalle con su parámetro, funcionamiento del JFET Y
MOSFET, sus configuraciones básicas y aplicaciones básicas, les hablare un poco
de algunas de sus características con imágenes y puntos relevantes de los
transistores de efecto de campo, para saber acerca de estos.
Se habla de diferentes temas relacionados con los FET que en sus siglas en
ingles significa:f ield-effect transistor, es un transistor que usa el campo eléctrico
para controlar la forma y, por lo tanto, la conductividad de un canal que transporta
un solo tipo de portador de carga, por lo que también suele ser conocido como
transistor unipolar, esa parte se explicara más a detalle a continuación.

Después de hablar acerca del FET nos adentraremos hacia Parámetros eléctricos
(VP, VGS, IDSS, ID, transconductancia), donde aquí hablare sobre estos
parámetros y mostrare unas graficas relacionadas con estos y también mostrazre
una hoja de características de los fabricantes de FETs, que son los más
importantes, después explicare el tema 5.2 el cual me pareció muy interesante ya
que se habla del Funcionamiento del JFET, El cual es un transistor de efecto de
campo de la puerta de unión. El transistor normal es un dispositivo controlado por
corriente que necesita corriente para la polarización, mientras que JFET es un
dispositivo controlado por voltaje, En el punto 5.3 Funcionamiento del MOSFET de
empobrecimiento y de enriquecimiento, explicare el empobrecimiento y el
enriquecimiento, El MOSFET de empobrecimiento se forma a partir de una base
de semiconductor y el de enriquecimiento El sustrato es de semiconductor tipo p,
el sustrato se conecta de manera interna a la terminal de la fuente, ya en el 5.4
puse las características de los FET, la polarización del circuito de unión y en el
apartado 5.5 muestro una tabla con las principales aplicaciones con sus
respectivos usos.

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 UNIDAD 5: TRANSISTORES DE EFECTO DE
CAMPO

Antes de hablar más a detalle de estos transistores primero voy a explicar sobre
estos transistores, con los transistores bipolares observábamos como una
pequeña corriente en la base de los mismos se controlaba una corriente de
colector mayor. Los Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en los que
la corriente se controla mediante tensión. Cuando funcionan como amplificador
suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensión aplicada a la
entrada. Características generales:

 Por el terminal de control no se absorbe corriente.

 Una señal muy débil puede controlar el componente
 La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico

Se empezaron a construir en la década de los 60. Existen dos tipos de transistores

de efecto de campo los JFET (transistor de efecto de campo de unión) y los
MOSFET. Los transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio
por lo que su aplicación más frecuente la encontramos en los circuitos integrados.
Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente
(S, Source), y Drenaje (D, Drain). Según su construcción pueden ser de canal P o
de canal N. Sus símbolos son los siguientes:

Símbolo de un Fet de un canal N Símbolo

de un Fet de un canal N

CURVA CARACTERÍSTICA:

Los parámetros que definen el funcionamiento de un FET se observan en la

siguiente figura:

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Parámetros de un Fet de canal N Parámetros de un Fet de canal P

La curva característica del FET define con precisión como funciona este
dispositivo. En ella distinguimos tres regiones o zonas importantes:

 Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende
de la tensión VGS.
 Zona de saturación.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona,
el FET, amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada
por la tensión que existe entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , VGS.
 Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.

Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones típicas: Surtidor

común (SC), Drenador común (DC) y Puerta común (PC). La más utilizada es la
de surtidor común que es la equivalente a la de emisor común en los transistores
bipolares.

Las principales aplicaciones de este tipo de transistores se encuentran en la

amplificación de señales débiles.

CARACTERISTICAS DE SALIDA:

~5~
Al variar la tensión entre drenador y surtidor varía la intensidad de drenador
permaneciendo constante la tensión entre puerta y surtidor.
En la zona óhmica o lineal se observa como al aumentar la tensión drenador
surtidor aumenta la intensidad de drenador.
En la zona de saturación el aumento de la tensión entre drenador y surtidor
produce una saturación de la corriente de drenador que hace que esta sea
constante. Cuando este transistor trabaja como amplificador lo hace en esta zona.
La zona de corte se caracteriza por tener una intensidad de drenador nula.
La zona de ruptura indica la máxima tensión que soportará el transistor entre
drenador y surtidor.

Es de destacar que cuando la tensión entre puerta y surtidor es cero la intensidad

de drenador es máxima.

CARACTERÍSTICAS DE TRANSFERENCIA:

Indican la variación entre la intensidad de drenador en función de la tensión de

puerta.

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5.1. Parámetros eléctricos (VP, VGS, IDSS, ID,
transconductancia).

HOJAS DE CARACTERÍSTICAS DE LOS FET:

En las hojas de características de los fabricantes de FETs encontrarás los

siguientes parámetros (los más importantes):

 VGS y VGD.- son las tensiones inversas máximas soportables por la unión
PN.
 IG.- corriente máxima que puede circular por la unión puerta - surtidor
cuando se polariza directamente.
 PD.- potencia total disipable por el componente.
 IDSS.- Corriente de saturación cuando VGS=0.
 IGSS.- Corriente que circula por el circuito de puerta cuando la unión puerta
- surtidor se encuentra polarizado en sentido inverso.
 VP.- es la tensión de puerta que produce el corte en el transistor

Estas curvas nos indican los valores que toma la intensidad de drenador (ID) en
función de las variaciones que experimenta la tensión de puerta-fuente (VGS) para
valores de VDS constantes.

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En general, la curva de transconductancia de cualquier JFET posee la forma de
una parábola, tal como se muestra en la figura anterior. Esta gráfica se
corresponde con las curvas de drenaje del JFET.

Esta curva se corresponde con la siguiente ecuación:

DONDE:
ID= corriente de drenaje.
IDSS = corriente drenaje-fuente saturación.
VGS= voltaje puerta-fuente.
VGS(off) = voltaje de estrangulamiento.

De esta forma, conociendo los valores de IDSS y VGS (apag) (datos que suele
proporcionar el fabricante en las hojas técnicas) se puede determinar el valor de la
corriente ID para cualquier valor de la tensión VGS aplicada a la puerta

VGS DE CORTE:

JFET en región de corte

En esta región la intensidad entre drenaje y fuente es nula (ID=0). En este caso, la
tensión entre puerta y fuente es suficientemente negativa que las zonas de
inversión bloquean y estrangulan el canal cortando la corriente entre drenador y
fuente. En las hojas técnicas se denomina a esta tensión como de

~8~
estrangulamiento y se representa por VGS (off) o Vp. Por ejemplo, el BF245A
tiene una VGS (off) = -2V.

Transconductancia o conductancia mutua

Un parámetro también importante del JFET es la llamada transconductancia o

conductancia mutua (gm), que nos muestra una medida de la amplificación posible
del JFET.
Este parámetro es similar a la ganancia de corriente (hfe) para un BJT; el valor de
gm, es un medida del cambio en la corriente de drenaje para un cambio en la
tensión compuerta-fuente, Es usual encontrar el parámetro gm en las hojas de
datos expresado como yfs .Dicho parámetro representa la tangente a la curva en
un punto determinado y, como tal curva, en cada uno de sus puntos ofrecerá una
tangente distinta o pendiente diferente, lo que implica que gm no es constante (ver
figura 6), siendo en este caso gm1 > gm2 .

Como IDSS y V(P)GS son de signo opuesto, gm0 es siempre positivo. Nótese que
cualquiera de las dos expresiones anteriores son la inversa de una resistencia,
siendo sus unidades:

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5.2. Funcionamiento del JFET.

JFET es un transistor de efecto de campo de la puerta de unión. El transistor

normal es un dispositivo controlado por corriente que necesita corriente para la
polarización, mientras que JFET es un dispositivo controlado por voltaje. Igual que
los MOSFET, como hemos visto en nuestro tutorial anterior, JFET tiene tres
terminales: Gate, Drain y Source

JFET es un componente esencial para los controles operados por voltaje de nivel
de precisión en electrónica analógica. Podemos usar JFET como resistencias
controladas por voltaje o como un interruptor, o incluso hacer un amplificador
usando el JFET. También es una versión de eficiencia energética para reemplazar
los BJT. JFET proporciona un bajo consumo de energía y disipaciones de energía
bastante bajas, lo que mejora la eficiencia general del circuito. También
proporciona una impedancia de entrada muy alta, lo cual es una gran ventaja
sobre los BJT.

Un mejor ejemplo para comprender el funcionamiento de un JFET es imaginar el

tubo de manguera de jardín. Supongamos que una manguera de jardín está
proporcionando un flujo de agua a través de ella. Si apretamos la manguera, el
flujo de agua será menor y, en cierto punto, si lo apretamos por completo, habrá
un flujo de agua cero. JFET funciona exactamente de esa manera. Si
intercambiamos la manguera con un JFET y el flujo de agua con una corriente y
luego construimos el canal de corriente, podríamos controlar el flujo de corriente.

Cuando no hay voltaje a través de la puerta y la fuente, el canal se convierte en un

camino suave que está abierto para que fluyan los electrones. Pero lo inverso

~ 10 ~
sucede cuando se aplica un voltaje entre la puerta y la fuente en polaridad inversa,
lo que hace que la unión P-N se desvíe y hace que el canal sea más estrecho al
aumentar la capa de agotamiento y podría colocar el JFET en la región de corte o
pizca.

Si queremos apagar un JFET, necesitamos proporcionar una puerta negativa a la

fuente de voltaje indicada como VGS para un JFET de tipo N. Para un JFET tipo
P, necesitamos proporcionar VGS positivo.

JFET solo funciona en modo de agotamiento, mientras que los MOSFET tienen
modo de agotamiento y modo de mejora

~ 11 ~
5.3. Funcionamiento del MOSFET de empobrecimiento y
de enriquecimiento

TRANSISTOR MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO

El MOSFET de empobrecimiento se forma a partir de una base de semiconductor,

el cual se le conoce como el sustrato. Se tienen dos regiones del mismo tipo de
semiconductor, con una tercera región del mismo tipo que funge como canal de
conexión, estas tres regiones en sus extremos se conectan a drenaje y a fuente.
El sustrato se conecta a una cuarta terminal (SS). La terminal de compuerta está
conectada directamente al material dieléctrico, usualmente oxido de silicio,
mediante una placa metálica. En la siguiente figura, se puede observar la
configuración para ambos transistores MOSFET de empobrecimiento.

Figura 2. Transistor MOSFET de

empobrecimiento.

Con una polarización de la compuerta de 0V, existe una corriente que fluye entre
fuente y drenaje, esto debido a la misma composición del material semiconductor
del canal. En este caso, podemos polarizar la compuerta para que el potencial
ejerza una presión en los portadores mayoritarios del material del canal, además
de atraer los mayoritarios del sustrato al canal. La recombinación generada entre
los portadores del canal y el sustrato, modulara la cantidad de portadores libres
disponibles para la conducción.

~ 12 ~
 Figura 3. Transistor MOSFET de empobrecimiento. Sección central del transistor donde
se observa como al momento de polarizar el G el canal se modula en función a la
cantidad de portadores mayoritarios libres.

La ecuación que controla la corriente de salida de un transistor JFET o MOSFET

de empobrecimiento, está en función de la ecuación de Shockley:

En donde IDSS es la corriente máxima que circula a través del drenaje mientras
que el voltaje drenaje fuente, VDS se incrementa, además que el voltaje de
compuerta este en GND. Vp es el voltaje cuando VDS llega a generar la corriente
IDSS. La corriente de la fuente es prácticamente igual que la corriente del drenaje

TRANSISTOR MOSFET ENRIQUECIMIENTO

Considerando de manera particular, el primer caso como un transistor canal N. El

sustrato es de semiconductor tipo p, el sustrato se conecta de manera interna a la
terminal de la fuente. La fuente y el drenaje, están conectadas a un material tipo n
mediante un contacto metálico, sin embargo en este caso no tenemos un canal
que conecte estas terminales. La compuerta sigue conectada a una placa
metálica, separada al material del sustrato por un oxido de silicio, con propiedades
dieléctricas. A continuación se observan los transistores MOSFET de
enriquecimiento canal N y canal P.

Figura 4. Transistor MOSFET de enriquecimiento.

~ 13 ~
POLARIZACIÓN POSITIVA EN COMPUERTA CANAL N

Debido a que no existe un canal físico entre las terminales drenaje y fuente, la
conducción de corriente es nula para una polarización VDS. Una vez que
ajustamos un voltaje positivo a la entrada de la compuerta de un transistor canal
N, tenemos que VGS=+V. El potencial positivo en la compuerta, ejerce presión en
los huecos en el material p. Esto para que se alejen de el material dieléctrico. Los
portadores minoritarios, en este caso electrones, son atraídos al material
dieléctrico, atracción derivada de la polarización positiva de la compuerta. A
medida que se incrementa VGS, también lo hacen los portadores minoritarios en
la región más cercana al dieléctrico. A partir de que comienza a haber conducción,
se determina que ese VGS es igual a VTH, o voltaje de umbral.

Figura 5. Transistor MOSFET de enriquecimiento. El canal se forma junto a la compuerta,

en función a los portadores minoritarios atraídos a la misma. La polarización de G define
la cantidad de portadores.

Para valores de polarización de la compuerta mayores a los del voltaje de umbral.

El transistor se comporta de la siguiente manera.

En donde k es un factor de ajuste. Este se puede encontrar con los parámetros de

la hoja de datos. La corriente de drenaje y el voltaje de compuerta, ambos
parámetros de encendido o ON.

~ 14 ~
5.4. Configuraciones básicas.

1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta

capacidad de entrada.
2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales
que los BJT.
3) Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática.

~ 15 ~
En este apartado se estudiarán brevemente las características de ambos
dispositivos orientadas principalmente sus aplicaciones analógicas

Características eléctricas del JFET El JFET de canal n está constituido por una
barra de silicio de material semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de
material tipo p situadas a ambos lados. Es un elemento tri-terminal cuyos
terminales se denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate). En la
figura 10.a se describe un esquema de un JFET de canal n, en la 10.b el símbolo
de este dispositivo y en la 10.c el símbolo de un JFET de canal P.

La polarización de un JFET exige que las uniones p-n estén inversamente

polarizadas. En un JFET de canal n, o NJFET, la tensión de drenador debe ser
mayor que la de la fuente para que exista un flujo de corriente a través de canal.
Además, la puerta debe tener una tensión más negativa que la fuente para que la
unión p-n se encuentre polarizado inversamente. Ambas polarizaciones se indican
en la figura 11.

Las curvas de características eléctricas de un JFET son muy similares a las curvas
de los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados
~ 16 ~
por tensión a diferencia de los bipolares que son dispositivos controlados por
corriente. Por ello, en el JFET intervienen como parámetros: ID (intensidad drain o
drenador a source o fuente), VGS (tensión gate o puerta a source o fuente) y VDS
(tensión drain o drenador a source o fuente). Se definen cuatro regiones básicas
de operación: corte, lineal, saturación y ruptura. A continuación se realiza una
descripción breve de cada una de estas regiones para el caso de un NJFET.

• Región de corte

En esta región la intensidad entre drenador y fuente es nula (ID=0). En este caso,
la tensión entre puerta y fuente es suficientemente negativa que las zonas de
inversión bloquean y estrangulan el canal cortando la corriente entre drenador y
fuente. En las hojas técnicas se denomina a esta tensión
como de estrangulamiento o pinch-off y se representa por
VGS(off) o Vp. Por ejemplo, el BF245A tiene una VGS(off)=-
2V.

• Región lineal
En esta región, el JFET se comporta como una resistencia no
lineal que es utilizada en muchas aplicaciones donde se
precise una resistencia variable controlada por tensión. El
fabricante proporciona curvas de resistencia drenador-fuente
(rds(on)) para diferentes valores de VGS tal como se muestra
en la figura 12. En esta región el transistor JFET verifica las
siguientes relaciones:

• Región de saturación
En esta región, de similares características que un BJT enla región lineal, el JFET
tiene unas características lineales que son utilizadas en amplificación. Se
comporta como una fuente de intensidad controlado por la tensión VGS cuya ID es
prácticamente independiente de la tensión VDS. La ecuación que relaciona la ID
con la VGS se conoce como ecuación cuadrática o ecuación de Schockley que
viene dada por

~ 17 ~
Donde Vp es la tensión de estrangulamiento y la IDSS es la corriente de
saturación. Esta corriente se define como el el valor de ID cuando VGS=0, y esta
característica es utilizada con frecuencia para obtener una fuente de corriente de
valor constante (IDSS). La ecuación 22 en el plano ID y VGS representa una
parábola desplazada en Vp. Esta relación junto a las características del JFET de la
figura 1.11 permiten obtener gráficamente el punto de trabajo Q del transistor en la
región de saturación. La figura 13 muestra la representación gráfica de este punto
Q y la relación existente en ambas curvas las cuales permiten determinar el punto
de polarización de un transistor utilizando métodos gráficos .

• Región de ruptura
Una tensión alta en los terminales del JFET puede producir ruptura por avalancha
a través de la unión de puerta. Las especificaciones de los fabricantes indican la
tensión de ruptura entre drenaje y fuente con la puerta cortocircuitada con la
fuente; esta tensión se designa por BVDSS y su valor está comprendido entra 20 y
50 V. Las tensiones de polarización nunca deben superar estos valores para evitar
que el dispositivo se deteriore.
Por último, comentar las diferencias existentes entre un NJFET y PJFET. Las
ecuaciones desarrolladas anteriormente para el JFET son válidas para el PJFET
considerando el convenio de signos indicados en la tabla

~ 18 ~
Polarización de MOSFET.
Los circuitos de polarización típicos para MOSFET enriquecido, son similares al
circuito de polarización utilizada para JFET. La principal diferencia entre ambos es
el hecho de que el MOSFET de enriquecimiento típico sólo permite puntos de
funcionamiento con valor positivo de VGS para canal n y valor negativo de VGS
para el canal p. Para tener un valor positivo de VGS de canal n y el valor negativo
de VGS de canal p, es adecuado un circuito de auto polarización. Por lo tanto
hablamos de recorte de realimentación y circuito divisor de tensión para mejorar el
tipo MOSFET.

Realimentación, circuito de polarización.

La siguiente figura, muestra el circuito de polarización con realimentación típico
para MOSFET canal n de enriquecimiento.

Como se mencionó anteriormente, para el análisis en corriente continua, podemos

reemplazar el condensador de acoplamiento por circuitos abiertos y también
reemplazar el resistor RG por su equivalente en corto circuito, ya que IG = 0.

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La figura, también muestra, el circuito simplificado, para el análisis con recorte de
realimentación CC. Como los terminales de Drenaje y Puerta están en
cortocircuito,

Aplicando la segunda Ley de Kirchhoff a los circuitos de salida, obtenemos,

Regiones de operación.
Cuando ya existe canal inducido y VDS va aumentando, el canal se contrae en el
lado del Drenador, ya que la diferencia de potencial Puerta-canal es en ese punto,
más baja y la zona de transición más ancha. Es decir, siempre que exista canal
estaremos en región óhmica y el dispositivo presentará baja resistencia.

La operación de un transistor MOSFET se puede dividir en tres regiones de

operación diferentes, dependiendo de las tensiones en sus terminales. Para un
transistor MOSFET N de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones: región
de corte, región óhmica y región de saturación.

Región de corte.
El transistor estará en esta región, cuando VGS < Vt. En estas condiciones el
transistor MOSFET, equivale eléctricamente a un circuito abierto, entre los
terminales del Drenador-Surtidor. De acuerdo con el modelo básico del transistor,
en esta región, el dispositivo se encuentra apagado. No hay conducción entre

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Drenador y Surtidor, de modo que el MOSFET se comporta como un interruptor
abierto.

Región óhmica.
Cuando un MOSFET está polarizado en la región óhmica, el valor de RDS(on)
viene dado por la expresión:
VDS(on) = ID(on) x RDS(on)

En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de RDS(on) a una corriente de
Drenaje (ID) específica y el voltaje Puerta-Surtidor.
Por ejemplo, si VDS(on)=1V y ID(on)=100mA = 0’1 A; entonces,

Así mismo, el transistor estará en la región óhmica, cuando VGS > Vt y VDS <
( VGS – Vt ).

El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el Drenador y

Surtidor. El valor de esta resistencia varía dependiendo del valor que tenga la
tensión entre la Puerta y el Surtidor (VGS).

Región de Saturación.
El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento cuando la tensión
entre el Drenador y el Surtidor (VDS) supera un valor fijo denominado tensión de
saturación (Vds sat) Drenador-Surtidor; este valor viene determinado en las hojas
características proporcionadas por el fabricante. En esta zona, el MOSFET
mantiene constante su corriente de Drenador (ID), independientemente del valor
de tensión que haya entre el Drenador y el Surtidor (VDS). Por lo tanto, el
transistor equivale a un generador de corriente continua de valor ID.

Es decir; el MOSFET estará en esta región, cuando VGS > Vt y VDS > ( VGS –
Vt ).
O sea, estaremos en la región de saturación cuando el canal se interrumpe o
estrangula, lo que sucede cuando:
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Cuando la tensión entre Drenador y Fuente supera cierto límite, el canal de
conducción, bajo la Puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del
Drenador y desaparece. La corriente entre Fuente y Drenador no se interrumpe,
es debido al campo eléctrico entre ambos, pero se hace independiente de la
diferencia de potencial entre ambos terminales.

En la figura anterior, la parte casi vertical corresponde a la zona óhmica, y la parte

casi horizontal corresponde a la zona activa. El MOSFET de enriquecimiento,
puede funcionar en cualquiera de ellas. En otras palabras, puede actuar como una
resistencia o como una fuente de corriente. El uso principal está en la zona
óhmica.

Región de Ruptura.
Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET pierde sus propiedades
semiconductoras y se puede llegar a romper el componente físico. La palabra
ruptura hace referencia a que se rompe la unión semiconductora de la parte del
terminal del drenador.
Los transistores unipolares están limitados en tres magnitudes eléctricas:

~ 22 ~
5.5. Aplicaciones básicas

Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar:

~ 23 ~
Conclusión

Mi conclusión acerca de estos 5 temas se puede resumir en que tanto el JFET y el

MOSFET tienen ciertas similitudes la diferencia más importante es que El
transistor JFET tiene una desviación de cero del voltaje, cuando no está
polarizada la compuerta la corriente en D-S no es cero. En el MOSFET la corriente
D-S es igual a cero, a menos de que exista polarización.
Aunque me pareció más interesante el funcionamiento del JFET conduce entre los
terminales D y S cuando la tensión entre los terminales G y S (VGS) es igual a
cero (región de saturación), pero cuando esta tensión aumenta en módulo y con la
polaridad adecuada, la resistencia entre los terminales D y S crece, entrando así
en la región óhmica, pero esto tiene un determinado limite, al igual que uno de sus
usos, el cual puede ser usado como interruptor electrónicamente controlado,
amplificador o resistencia controlada por voltaje.

En general, ahora ya conozco más acerca de los Transistores de Efecto de

Campo, espero seguir viendo más de ellos y en un futuro trabajar y ver su
funcionamiento tanto del JFET como del MOSFET

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Bibliografía
Publicado con licencia reutilizable por Ingenieria Ambiental. (02 de Diciembre de 2016). Obtenido
de https://prezi.com/xcwshtt561rj/parametros-del-jfet-y-construcciones-mas-comunes/

Séneca, L. A. (03 de Diciembre de 2020). Electronica Facil. Obtenido de

https://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-transistor-de-Efecto-de-Campo.html

SINAUTOR. (03 de Diciembre de 2020). Electrotec. Obtenido de https://electrotec.pe/blog/jfet

Sriquelme. (04 de Diciembre de 2020). Tecnico Universitario en Electronica. Obtenido de

http://www.elo.jmc.utfsm.cl/sriquelme/apuntes/transistores%20y%20fet/transistores
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Torres, D. H. (18 de Noviembre de 2017). HETPAD. Obtenido de https://hetpro-

store.com/TUTORIALES/transistor-mosfet/

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