Actividad Virtual N°3 - Revisión de Intentos

1/7/2021 Actividad Virtual N°3: revisión de intentos
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Comenzado el jueves, 1 de julio de 2021, 16:34

Estado Finalizado
Finalizado en jueves, 1 de julio de 2021, 16:36
Tiempo 2 minutos 20 segundos
empleado
Puntos 1,00/10,00
Calificación 2,00 de 20,00 (10%)
Pregunta 1
Finalizado Puntúa 0,00 sobre 1,00
Hallar gráficamente los puntos de trabajo ID y VGS.
a. 4.5 mA , 1.9 v.
b. 3.2 mA , 2.4 v.
c. 5.1 mA , 4.1 v.
d. 5.5 mA , 2.1 v.
En este caso se trata de un FET canal P por lo que la curva de transferencia se grafica en el primer cuadrante. La tensión de la compuerta es
cero, VG = 0, puesto que el diodo compuerta fuente esta polarizado en inversa para que el FET funcione correctamente. Hallamos la tensión VS
= ID*0.39KΩ. Entonces: VGS = 0 – (- ID*0.39KΩ) = ID*0.39KΩ. La polaridad aquí cambia pues se trata de un transistor FET canal P.
Ahora hallamos la intersección de esta recta con la ecuación de la curva de Shockley que define el comportamiento de este transistor FET:
Si ID = 0, entonces VGS = 0 voltios
Si ID = IDSS = 10 mA, entonces VGS = 10*0.39 = 3.9 voltios. Buscamos esos puntos en la gráfica y los unimos generando una intersección con
la curva de Shockley que nos produce los puntos VGS = 2.1 voltios y ID = 5.5 mA aproximadamente.
https://aulavirtual.continental.edu.pe/mod/quiz/review.php?attempt=2166977&cmid=2512132 1/8
Pregunta 2
Considerando un JFET en el circuito mostrado.
a. Solo conduce la mitad de la corriente.

b. Se encuentra conduciendo la máxima corriente.
c. No conduce corriente.
d. No se encuentra conduciendo la máxima corriente.
Pregunta 3
Hallar gráficamente los puntos de trabajo ID y VGS
a. 2.5 mA, - 1.0 v.

b. 1.5 mA, - 1.3 v.
c. 0.5 mA, - 1.3 v.
d. 1.0 mA, - 2.0 v.
Hallamos la tensión de la compuerta

VG = 12v*2.2MΩ/(3.3 + 2.2)MΩ = 4.8 voltios
Además, la tensión de la fuente VS = ID*3.3KΩ
Luego: VGS = VG – VS = 4.8 - ID*3.3
Esta ecuación es la ecuación de una recta que podemos intersectar con la gráfica de la ecuación de Shockley que define el comportamiento
del FET. Ahora, si ID = 0, entonces VGS = 4.8 voltios y si VGS = 0, entonces ID = 4.8/3.3 = 1.5 mA. Trasladando esto a la gráfica:
Esto nos da un punto de intersección aproximado de -1.3 voltios para VGS y 1.9 mA para ID, que son los puntos de trabajo del FET.
Pregunta 4
Si VGS = 0.5*VGSoff, hallar ID, VG , IDsat.
a. ID = 1.5 mA; VG =10 v; IDsat = 10 mA.

b. ID = 2.5 mA; VG =12 v; IDsat = 12 mA.
c. ID = 3 mA; VG =10 v; IDsat = 10 mA.
d. ID = 0.75 mA; VG =12 v; IDsat = 12 mA.
De la ecuación de Shockley, vemos en el esquema de la curva que:
Pregunta 5
Respecto a la Zona de Corte:
a. La intensidad del drenador depende del voltaje VG.

b. La intensidad de drenador es nula (ID
c. La intensidad del drenador es máxima según sus especificaciones.
d. La intensidad del drenador depende del voltaje VGS.
e. 0).
El transistor está en su modelo de circuito abierto, por tanto: la intensidad de drenador es nula (ID=0).
Pregunta 6
En el circuito mostrado calcular VDS, ID, VS, VG.
a. 5.54 v ; 1.63 mA ; 1,72 v ; 0 V.

b. 5.39 v ; 1.74 mA ; 2,78 v ; 0 V.
c. 7.54 v ; 2.82 mA ; 3,72 v ; -1 V.
d. 5.54 v ; 4.73mA ; 3,72 v ; -1 V.
Usamos la ecuación de Shockley:
Pregunta 7
El diodo compuerta fuente de un FET debería estar:
a. Polarizado en directa.
b. Polarizado en directa y en inversa.
c. Sin polarización.
d. Polarizado en inversa.
Como el objetivo de un FET es controlar el flujo de la corriente de drenaje ID, el diodo compuerta fuente debe polarizarse en inversa de tal forma
que se incremente el tamaño de la zona libre de portadores en el canal de paso del FET.
Pregunta 8
¿Cuáles son los dos modelos del transistor FET?
a. Canal N, Canal P.
b. Histéresis positiva, histéresis negativa.
c. Canal Abierto, Canal Cerrado.
d. Drenador abierto, drenador cerrado.
De acuerdo a la teoría existen dos modelos de transistores FET: Canal N y Canal P.
Pregunta 9
De acuerdo a la curva mostrada, hallar el valor de una resistencia de drenaje RS necesaria para tener una
corriente en el drenaje de un FET autopolarizado con un valor de 9.5 mA
a. 627.25 Ω
b. 627.45 Ω
c. 214.95 Ω
d. 114.95 Ω
VGSoff = -10, IDSS = 15 mA, ID = 9.5 mA.

De la ecuación de Shockley:

Despejamos y hallamos el valor de VGS:
VGS = - 2.042 voltios
Como VGS = VG – VS, y como se trata de un FET auto polarizado, VG = 0,
Entonces VGS = - VS = -2.042 voltios , por tanto VS = 2.042 voltios

Pero VS = ID*RS , entonces 2.024 = 9.5*RS
Finalmente, RS = 2.042v/9.5 mA = 214.95Ω
Pregunta 10
Hallar las tensiones VD, VS y la corriente de drenaje ID
a. 10.45 v, 9.41 v, 0.763 mA.

b. 14.23 v, 15.14 v, 0.593 mA.
c. 20.45 v, 10.01 v, 0.455 mA.
d. 12.82 v, 12.61 v, 0.154 mA.
En la malla de drenaje fuente escribimos la ecuación correspondiente:

25 -ID*10 – VDS – ID*22 = 0, simplificando tenemos que: VDS = 25 – ID*32.
También podemos escribir la ecuación de la malla drenaje fuente teniendo en cuenta solo la tensión de drenaje: 25 – ID*10 – VD = 0 y con esto:
VD = 25 – ID*10.
Podemos calcular la tensión de la compuerta VG mediante el divisor de tensión que hay en el circuito de compuerta. Esto lo hacemos sabiendo
que al estar polarizado inversamente el diodo compuerta fuente entonces no hay corriente que fluya a la compuerta, pero si hay corriente en
las resistencias de 1 MΩ y 1.5 MΩ. Por tanto el divisor de tensión para hallar la tensión en la compuerta es: VG = (25v*1MΩ)/(1.5+1) MΩ = 10
voltios.
También podemos hallar la tensión en la fuente VS = ID*22.

Para este problema desconocemos los valores de VGSoff e IDSS por lo que no podemos usar la ecuación de Shockley para hallar la corriente de
drenaje ID. Lo que podemos hacer es que a partir de la tensión VGS encontremos una expresión para ID y consideremos que para una VG
grande se puedan despreciar las variaciones de VGS entre uno y otro FET.
De esta manera tenemos que:
VGS = VG – VS, entonces VS = VG – VGS y al dividir ambos términos entre la resistencia de drenaje RS tenemos VS/RS = (VG – VGS) /RS = ID.
Entonces despreciamos las variaciones de VGS con respecto a VG y llegamos a que la corriente de drenaje es aproximadamente igual a: ID ≈
VG/RS
Entonces ID = 10/ 22kΩ = 0.455 mA. La tensión VS = 0.455mA*22KΩ = 10.01 voltios y la tensión de drenaje VD = 25 – 0.455mA*10kΩ = 20.45
voltios
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Hallar gráficamente los puntos de trabajo ID y VGS.

Considerando un JFET en el circuito mostrado.

a. Solo conduce la mitad de la corriente.

Hallar gráficamente los puntos de trabajo ID y VGS

a. 2.5 mA, - 1.0 v.

Hallamos la tensión de la compuerta

Si VGS = 0.5*VGSoff, hallar ID, VG , IDsat.

a. ID = 1.5 mA; VG =10 v; IDsat = 10 mA.

De la ecuación de Shockley, vemos en el esquema de la curva que:

Respecto a la Zona de Corte:

a. La intensidad del drenador depende del voltaje VG.

En el circuito mostrado calcular VDS, ID, VS, VG.

a. 5.54 v ; 1.63 mA ; 1,72 v ; 0 V.

Usamos la ecuación de Shockley:

El diodo compuerta fuente de un FET debería estar:

¿Cuáles son los dos modelos del transistor FET?

De acuerdo a la teoría existen dos modelos de transistores FET: Canal N y Canal P.

VGSoff = -10, IDSS = 15 mA, ID = 9.5 mA.

Entonces VGS = - VS = -2.042 voltios , por tanto VS = 2.042 voltios

Hallar las tensiones VD, VS y la corriente de drenaje ID

a. 10.45 v, 9.41 v, 0.763 mA.

En la malla de drenaje fuente escribimos la ecuación correspondiente:

También podemos hallar la tensión en la fuente VS = ID*22.

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