Fase 2 Electrónica Análoga

Unidad2_Fase 2_Transistores Unipolares y tiristores
Amplificador de baja señal con JFET
Tutor:
Juan Carlos Bustos
Estudiantes:
Jacob Rodríguez
Gabriel Ignacio Cortes
Michael David Herrera
Sergio Zapata Espinosa
Lineider Mapura Aricapa
Grupo:243006_34
Universidad Nacional Abierta y a Distancia UNAD
Escuela de Ciencias Básicas, Tecnologia e Ingenieria (ECBTI)
Ingenieria Electrónica
Electrónica Análoga
Medellin – Marzo de 2018

Introducción
Con el presente trabajo se pretende adquirir las habilidades necesarias y los conocimientos
referentes al funcionamiento del Transistor JFET como son los tipos de polarización, la
región de corte, saturación y activa para luego poder implementarlo en el desarrollo de un
circuito amplificador de baja señal.
Desarrollo de la actividad
Circuito propuesto para el laboratorito y el análisis de esta unidad.

1. Fundamentación Teórica.
(Primera Semana)
1.1. Luego de la lectura de los recursos educativos requeridos para la Unidad 2, Cada
estudiante debe describir con sus propias palabras la teoría de funcionamiento del
circuito anterior.
Argumentación.
La figura 1 hace relación al esquema de un circuito electrónico de un amplificador de señales

bajas o débiles implementando un transistor de efecto de campo o más conocido como un
JFET el cual es el encargado de amplificar la señal que entra por la compuerta G y en este
caso sale amplificada por la compuerta D, pero primeramente iniciaremos con la descripción
de cada uno de los componentes del circuito.
Fuente de alimentación
La fuente de alimentación es la encargada de suministrar el voltaje y la corriente para que el

circuito se energice y pueda ser funcional, este dispositivo es una fuente de energía en DC o
corriente directa con un voltaje nominal de 20v dc.
Generador de señal
Este icono representa un dispositivo que se denomina generador de señal o de frecuencia la

cual simulará una señal que sea transmitida por un transmisor por ejemplo en comunicaciones
una emisora de radio, estación de tv o de telefonía móvil la cual genera una señal a
determinada frecuencia para que otro circuito el receptor la capte en otro lugar equidistante
y la recepción para un posterior envio al circuito amplificador sin alterarla mejorando la
calidad de la misma y suprimiendo el ruido que vendrían hacer otras señales parasitas.
Condensador de acople
La función de este elemento es filtrar o acoplar la señal generada o captada del medio de
trasmisión, es decir deja pasar la señal que viene en A.C por lo que podemos entender se
comporta como un corto circuito a la A.C y bloquea cualquier señal en DC para no alterar
la polarización del Transistor amplificador en este caso el JFET.
Resistencia de compuerta Gate
Este elemento cumple la función principal de evitar que la señal captada siendo está muy
débil se caiga a tierra, por eso el valor Óhmico de la resistencia del Gate debe ser alto
alrededor de los Mega-ohmios, para impedir de que dicha señal se pierda.
Resistencia de compuerta Drain
Esta resistencia que está conectada a la compuerta del Drain limita la corriente de
Amplificación
Resistencia Variable o Trimmer
Con este elemento ya que su resistencia la podemos variar generamos caída de voltaje en
las compuertas GS polarizando el transistor en su punto de funcionamiento. Podríamos
variar la región de trabajo del JFET llevándolo a corte, saturación y/o región activa.
Transistor JFET
El transistor JFET es el encargado de amplificar la señal análoga que entra por la

compuerta Gate y que por medio de la polarización entre las compuertas GS permitirá el
paso de esta, ya que se variara el ancho del canal abriéndolo o cerrando impidiendo o
permitiendo el paso de dicha señal y consecuentemente amplificándola por medio de su
salida que para este caso es la compuerta del Drain.
Circuito de salida
Estos dos componentes forman un circuito RC el cual me filtra la señal amplificada

permitiendo salir o pasar la frecuencia seleccionada y bloqueando las demás.
Curva característica del JFET
2. Fundamentación Matemática
(Segunda Semana).
Dadas Las Fórmulas:
RD = (VCC – VD) / ID VGS = - ID∙ RS AV = -Gm∙ RD
RS = VGS (off) / IDSS RG= Entre 1 y 2 MΩ Gm = ID / VGS

Donde:
Señal de entrada: 300mV a 1Khz.
Referencia del JFET: 2N3819
ID= 3mA, VD= 10V, VGS (off)= -8V, VCC= 20V.
De catálogo se tiene que: IDSS puede Variar de 2mA a 20mA… para este diseño se trabajara
IDSS=16mA.
1.1 Argumentar matemáticamente el diseño presentado realizando los siguientes

cálculos.
-Estudiante 1:
a.) Calcularla resistencia del drenaje RD.
(𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐷 )
𝑅𝐷 =
𝐼𝐷
Donde:
𝑉𝐶𝐶 = 20𝑣
𝑉𝐷 = 10𝑣
𝐼𝐷 = 0.003𝐴
𝑂𝑝𝑒𝑟𝑎𝑛𝑑𝑜:
(20 − 10)
𝑅𝐷 = = 3333Ω
0.003
𝑅𝐷 = 3.3𝐾Ω
-Estudiante 2:
b.)Calcular la resistencia de Fuente RS.
𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓)
𝑅𝑆 =
𝐼𝐷𝑠𝑠
Donde:
𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) = −8𝑣
𝐼𝐷𝑠𝑠 = 0.016𝐴
𝑂𝑝𝑒𝑟𝑎𝑛𝑑𝑜
−8𝑉
𝑅𝑆 = = 500Ω
0.016𝐴
𝑅𝑆 = 500Ω
-Estudiante 3:
c.) Cual es el tipo de polarización del JFET y explique porque el valor de RG debe
ser alto?
El tipo de polarización del JFET para este circuito es de autopolarización, ya que sólo tiene
una fuente de voltaje DC y el voltaje de control VGS lo determina la resistencia variable
RS
El valor de la resistencia de la compuerta Gate debe ser grande en su valor Óhmico que es
al rededor de los Megaohmios con el fin de impedir o bloquear que la señal captada por ser
muy débil escoja el camino más fácil yéndose a tierra, por lo tanto un valor alto facilita el
recorrido de la señal a la compuerta Gate del JFET.
-Estudiante 4:
d.)Calcular la reactancia capacitiva de los condensadores de acople.
Fórmula para hallar la reactancia capacitiva

1
𝑋𝐶 =
2𝜋𝑓𝑐
Donde.
𝑋𝐶 = 𝑅𝑒𝑎𝑐𝑡𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎 𝐶𝑎𝑝𝑎𝑐𝑖𝑡𝑖𝑣𝑎
𝑓 = 𝐹𝑟𝑒𝑐𝑢𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎
𝑐 = 𝐶𝑎𝑝𝑎𝑐𝑖𝑡𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎
Operando para C1
1
𝑋𝐶 =
2 ∗ 𝜋 ∗ 1000 ∗ 1,0 ∗ 10−5
𝑅𝑒𝑎𝑐𝑡𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎 𝐶𝑎𝑝𝑎𝑐𝑖𝑡𝑖𝑣𝑎 𝑑𝑒 𝑐1
𝑋𝐶 = 15.91 Ω
Operando para C2
1
𝑋𝐶 =
2 ∗ 𝜋 ∗ 1000 ∗ 1,0 ∗ 10−5
𝑋𝐶 = 15.91 Ω
Operando para C3
1
𝑋𝐶 =
2 ∗ 𝜋 ∗ 1000 ∗ 1,0 ∗ 10−7
𝑋𝐶 = 1591,5 Ω
-Estudiante 5:
e.) Calcular la ganancia de voltaje AV.
𝐴𝑉 = −𝐺𝑚 ∗ 𝑅𝐷
𝐷𝑜𝑛𝑑𝑒:
𝐼𝐷
−𝐺𝑚 =
𝑉𝐺𝑆
𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝐷 ∗ 𝑅𝑆
𝑉𝐺𝑆 = −0.003 ∗ 500
𝑉𝐺𝑆 = −1.5𝑉
0.003
−𝐺𝑚 =
−1.5
−𝐺𝑚 = −2 ∗ 10−3
Ahora:
𝐴𝑉 = −𝐺𝑚 ∗ 𝑅𝐷
Donde:
−𝐺𝑚 = −2 ∗ 10−3
𝑅𝐷 =3.3K Ω
𝐴𝑉 = −2 ∗ 10−3 ∗ 3333
𝐴𝑉 = 6.66𝑣
3. Simulación de la solución
(Tercera semana)
Presentar la simulación del amplificador de baja señal con JFET propuesto en la que
se evidencie el correcto funcionamiento y las siguientes mediciones.
Amplitud de la señal de salida usando el Osciloscopio( simulación)
Figura.1 De mi propia autoría

Figura 2.De mi propia autoria.
- Valor de VGS.
- Valor de VDS.
- Valor de VGD.
- Valor de la corriente ID.
Amplitud de la señal de salida usando el Osciloscopio( Real)
Montaje Real
Evidencias de participación
Conclusiones
Con el presente trabajo adquirimos las habilidades necesarias y los conocimientos referentes
al funcionamiento del Transistor JFET como son los tipos de polarización, la región de corte,
saturación y activa para luego poder implementarlo en el desarrollo de un circuito
amplificador de baja señal tomando los voltajes de las compuertas Gate,source y
drain,observando la señal de entrada generada de 1k de 300mv es aumentada o amplificada
por el JFET a 6.6 v, variando esta amplitud con el potenciómetro o resistencia de source.
Bibliografía
Pleite, J. Vergaz, R. Ruiz de marcos, J. (2009). Electrónica Análoga para Ingenieros (pp.
37-51). Recuperado
de http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action?ppg=48&docID=1049
8503&tm=1482090196645
González, M. (2015). Dispositivos Electrónicos (pp.127-167). Recuperado

01676&tm=1482089571374
Grob, B. Fournier, J. (1983). Circuitos electrónicos y sus aplicaciones (pp.154-178).

Recuperado
33916&tm=1482091898589
Clausi, P. (Productor). (2017). OVI Transistores MOSFET. [Video] Recuperado

de https://www.youtube.com/watch?v=IPSdGSJheOk
González, M. (2015). Dispositivos Electrónicos.(pp. 127-166). Recuperado

de https://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2538/lib/unadsp/reader.action?ppg=127&docID=44
99427&tm=1547220910363

Fase 2 Electrónica Análoga

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Fase 2 Electrónica Análoga

Cargado por

Información del documento

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Fase 2 Electrónica Análoga

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Unidad2_Fase 2_Transistores Unipolares y tiristores

Amplificador de baja señal con JFET

Juan Carlos Bustos

Michael David Herrera

Sergio Zapata Espinosa

Lineider Mapura Aricapa

Universidad Nacional Abierta y a Distancia UNAD

Escuela de Ciencias Básicas, Tecnologia e Ingenieria (ECBTI)

Medellin – Marzo de 2018

Circuito propuesto para el laboratorito y el análisis de esta unidad.

La figura 1 hace relación al esquema de un circuito electrónico de un amplificador de señales

La fuente de alimentación es la encargada de suministrar el voltaje y la corriente para que el

Este icono representa un dispositivo que se denomina generador de señal o de frecuencia la

Resistencia de compuerta Drain

Resistencia Variable o Trimmer

El transistor JFET es el encargado de amplificar la señal análoga que entra por la

Estos dos componentes forman un circuito RC el cual me filtra la señal amplificada

RD = (VCC – VD) / ID VGS = - ID∙ RS AV = -Gm∙ RD

RS = VGS (off) / IDSS RG= Entre 1 y 2 MΩ Gm = ID / VGS

1.1 Argumentar matemáticamente el diseño presentado realizando los siguientes

Fórmula para hallar la reactancia capacitiva

Amplitud de la señal de salida usando el Osciloscopio( simulación)

Figura.1 De mi propia autoría

González, M. (2015). Dispositivos Electrónicos (pp.127-167). Recuperado

Grob, B. Fournier, J. (1983). Circuitos electrónicos y sus aplicaciones (pp.154-178).

Clausi, P. (Productor). (2017). OVI Transistores MOSFET. [Video] Recuperado

González, M. (2015). Dispositivos Electrónicos.(pp. 127-166). Recuperado

También podría gustarte

Pfad - The Proxy pFad of © 2024 Garber Painting. All rights reserved.