Electrónica Fundamental: Elementos

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Electrónica Fundamental

ELEMENTOS
Introducción

ELECTRONICA FUNDAMENTAL

Es la ciencia que estudia dispositivos basados en el movimiento de cargas


eléctricas en el vacío, gases y semiconductores, cuando dichos cargas están
sometidos a campos electromagnéticos. Dentro de la historia de la electrónica
se pueden diferenciar dos etapas:

. La primera referente a la ELECTRÓNICA DEL VACÍO.


. La segunda etapa, la actual es la ELECTRÓNICA DE LOS SEMICONDUCTORES.
diente de sierra
Introducción

MATERIALES SEMICONDUCTORES

FISICA DE SEMICONDUCTORES

Para entender los principios físicos de los semiconductores se debe recordar


como están formados los átomos de los elementos.

diente de sierra

En el núcleo del átomo se encuentran protones (carga positiva) y los


neutrones ( sin carga, solo con masa). Fuera y girando alrededor, en órbitas,
se encuentran los electrones (misma carga que protones pero negativa).
Introducción

FISICA DE SEMICONDUCTORES – Campo Eléctrico

¿Qué significa campo eléctrico?

Una propiedad del espacio mediante la cual “se propaga” la interacción entre cargas.
Una región del espacio donde existe una perturbación tal que a cada punto de dicha
región le podemos asignar una magnitud vectorial, llamada intensidad de campo
eléctrico E.
El concepto de líneas de campo fue
introducido por Michael Faraday (1791-
1867).

Son líneas imaginarias que ayudan a


visualizar cómo va variando la dirección del
campo eléctrico al pasar de un punto a otro
del espacio. Indican las trayectorias que
seguiría la unidad de carga positiva si se la
abandona libremente, por lo que las líneas
de campo salen de las cargas positivas y
llegan a las cargas negativas:
Introducción

MATERIALES SEMICONDUCTORES

CAMPO ELÉCTRICO

Una carga eléctrica puntual q (carga de prueba) sufre, en presencia de otra carga
q1 (carga fuente), una fuerza electrostática.

Si eliminamos la carga de prueba, podemos pensar que el espacio que rodea a la


carga fuente ha sufrido algún tipo de perturbación, ya que una carga de prueba
situada en ese espacio sufrirá una fuerza.

La perturbación que crea en torno a ella la carga fuente se representa mediante un


vector denominado campo eléctrico. La dirección y sentido del vector campo
eléctrico en un punto vienen dados por la dirección y sentido de la fuerza que
experimentaría una carga positiva colocada en ese punto: si la carga fuente es
positiva, el campo eléctrico generado será un vector dirigido hacia afuera (a) y si es
negativa, el campo estará dirigido hacia la carga (b):
Introducción

MATERIALES SEMICONDUCTORES
CAMPO ELÉCTRICO

Si la carga fuente es positiva, el campo eléctrico generado será un vector dirigido


hacia afuera (a) y si es negativa, el campo estará dirigido hacia la carga (b):
El campo eléctrico E creado por
la carga puntual q1 en un punto
cualquiera P se define como:

donde q1 es la carga creadora del campo (carga fuente), K es la constante electrostática, r es la


distancia desde la carga fuente al punto P y ur es un vector unitario que va desde la carga fuente
hacia el punto donde se calcula el campo eléctrico (P). El campo eléctrico depende únicamente de
la carga fuente (carga creadora del campo) y en el Sistema Internacional se mide en N/C o V/m.
Introducción

MATERIALES SEMICONDUCTORES

Ejemplo: Hallar la intensidad del campo eléctrico en el vacío generado por una
carga fuente Q = 5x102C, a una distancia de 30 cm.

ε0 = 8,85·10–12 F/m
K= (1/4πε0) = 9·109 Nm2/C2
Introducción

MATERIALES SEMICONDUCTORES

Ejemplo: Se tiene una carga puntual fuente Q = 4x10-8 C. Calcular la intensidad de


campo a una distancia de 2m de ella.

Q = 4x10-8 C
r = 2m
K= 9·109 Nm2/C2
Introducción

MATERIALES SEMICONDUCTORES

Ejemplo: Se tiene dos cargas fuente Q1= 5x10-6 C y Q2= -2,5x10-6 C como se
muestra en la figura. Calcular la intensidad de campo eléctrico en el punto P.

Q1 = 5x10-6 C
Q2 = -2,5x10-6 C
K= 9·109 Nm2/C2

Para determinar el sentido de E1 y E2, se toma una carga de prueba (+) y se analiza si hay atracción o
repulsión en este punto con respecto a las otras cargas, el sentido de “E” coincidirá con la fuerza
eléctrica.
Introducción

Ejemplo: Se tiene dos cargas fuente Q1= 5x10-6 C y Q2= -2,5x10-6 C como se
muestra en la figura. Calcular la intensidad de campo eléctrico en el punto P.

Q1 = 5x10-6 C
Q2 = -2,5x10-6 C
K= 9·109 Nm2/C2
La Intensidad de campo eléctrico en
un punto P será igual a ET = E1+E2
Introducción

MATERIALES SEMICONDUCTORES

CAMPO ELÉCTRICO

La fuerza que ejercen entre sí dos cargas eléctricas q y q', separadas una distancia
r, viene dada por la ley de Coulomb, y su magnitud es:

donde ε es la permitividad dieléctrica del medio en el que están las cargas. Si el


medio es el vacío, esta constante se denomina ε0 y su valor es 8,85·10–12 F/m. En
este caso el valor de (1/4πε0) es 9·109 V.m/C.

Cuando el signo de esta fuerza es positivo significa que las cargas se repelen, y
cuando es negativo que se atraen.
Introducción

MATERIALES SEMICONDUCTORES

CAMPO ELÉCTRICO
Introducción

MATERIALES SEMICONDUCTORES

El campo eléctrico en un punto del espacio es la fuerza de origen eléctrico que


experimenta la unidad de carga eléctrica positiva en ese punto. Si en dicho punto
hubiera una carga q, la fuerza ejercida por el campo eléctrico E(x) sobre ella sería:

Nótese que tanto la fuerza como el campo eléctrico son magnitudes vectoriales,
definidas por un módulo, una dirección y un sentido. La unidad de campo
eléctrico, según se deduce es el newton/culombio.

El concepto de campo eléctrico permite explicar la "acción a distancia" entre


cargas eléctricas sin conexión material entre ellas.
Introducción

MATERIALES SEMICONDUCTORES

Cuando hay más de una carga en una región del espacio, el campo eléctrico creado
por ellas es la suma vectorial de los campos creados por cada una de las cargas

Y se sigue la expresión de la ley de Coulomb.


Introducción

Campo Eléctrico

Ejemplo: Calcular la Intensidad de Un campo Eléctrico, si al colocar una carga de


prueba igual a 48uC actúa con una fuerza de 1.6 N

F = 1,6N
q = 48uC = 48x10-6 C
Introducción

Campo Eléctrico

Ejemplo: Dada la imagen, y asumiendo que se coloca una carga q = 2×10-7 C, y en


ella actúa una fuerza F= 5×10-2N, ¿Cuál es entonces, la intensidad del campo en
P?

F = 5×10-2N
q = 2×10-7 C
Introducción

Campo Eléctrico

Ejemplo: Cuál es el valor de la carga que está sometida a un campo eléctrico de


4.5×105 N/C y sobre ella se aplica una fuerza de 8.6 x10-2 N?

F = 8.6 x10-2 N
E = 4.5×105 N/C
Introducción

MATERIALES SEMICONDUCTORES

CARGA ELÉCTRICA

La carga eléctrica es una propiedad de la materia que permite cuantificar la pérdida


o ganancia de electrones. Hay dos tipos de carga eléctrica: positiva (protones) y
carga negativa (electrones). Dos cuerpos que tengan carga del mismo signo se
repelen, mientras que si su carga es de signo contrario se atraen.

Los fenómenos eléctricos se atribuyen a la separación de las cargas eléctricas del


átomo y su movimiento. Por esta razón el concepto de carga eléctrica es la base para
definir los fenómenos eléctricos.
Introducción

MATERIALES SEMICONDUCTORES

CARGA ELÉCTRICA

En la física moderna, la carga eléctrica es una propiedad intrínseca de la materia


responsable de producir las interacciones electrostáticas.

La unidad de medida de la carga es el coulomb


(C), En honor al Físico e Ingeniero militar
Charles Augustin Coulomb (1736 - 1806) que
fue el primero en explicar de forma
matemática la ley de atracción de las cargas.

Un coulomb (C) es la carga


de |6.24X1018| electrones o la carga de un
electrón es una carga negativa de 1.6021X10-
19 (C). Mientras que el protón tiene el mismo
valor pero positivo.
Introducción

MATERIALES SEMICONDUCTORES

La carga eléctrica de un cuerpo u objeto se establece a partir de la relación entre


el número de protones y el número de electrones existentes en el.

• Si esta relación es de igualdad se dice que el cuerpo no está cargado.


• Si el número de electrones es mayor al número de protones, afirmamos que el
cuerpo está cargado negativamente.
• Si el número de electrones es menor que el número de protones afirmamos
que el cuerpo está cargado positivamente.

Paso de electrones Cargar un cuerpo negativa o positivamente es


consecuencia de la ganancia o pérdida de
electrones respectivamente. Es de resaltar que
los elementos con capacidad de transferirse
son los electrones.
Introducción

MATERIALES SEMICONDUCTORES

FISICA DE SEMICONDUCTORES

Entonces, los electrones son las partículas que tienen importancia en el


estudio de la conducción eléctrica.

La carga transferida a un elemento, en un intervalo de tiempo entre t1 y t2 se


expresa como una integral definida.
diente de sierra
Donde i(t) es la corriente a través de
el elemento.

Así, la corriente eléctrica es un movimiento de electrones.

Si los electrones de los átomos de un material se mueven de un átomo a


otro, se genera corriente eléctrica.
Introducción

MATERIALES SEMICONDUCTORES

FISICA DE SEMICONDUCTORES - CORRIENTE

La corriente eléctrica es el flujo o movimiento de las cargas en una


dirección específica, se requiere de una trayectoria cerrada.

diente de sierra

Cuando hablamos de una corriente de un Amperio 1


[A], que va del punto a al punto b, se presume el
movimiento de carga eléctrica a una rapidez de un
coulomb por segundo en la dirección a hacia b.
Introducción

MATERIALES SEMICONDUCTORES

FISICA DE SEMICONDUCTORES – DIFERENCIA DE TENSIÓN

La Tensión es el trabajo o energía necesaria para mover una carga eléctrica


unitaria y positiva desde la terminal negativa hasta la terminal positiva.

La tensión en función del tiempo


corresponde a la cantidad de energía
potencial
diente de sierra entregada por unidad de carga.
Es de resaltar que, así como a la corriente se
le debe especificar la dirección, a la tensión
debemos especificarle la polaridad.
Introducción

MATERIALES SEMICONDUCTORES

FISICA DE SEMICONDUCTORES

Pero no todos los átomos son iguales. Cada elemento de la tabla periódica
tiene diferentes átomos, pero todos están formados por las mismas
partículas: protones, neutrones y electrones.

Solo se diferencian en el número


diente de ellas. El número de protones o
de sierra
electrones determina el número atómico del elemento.
Introducción

MATERIALES SEMICONDUCTORES

Todos los elementos que tienen propiedades físicas y químicas semejantes se


encuentran agrupados en la tabla periódica. Pero no todos los átomos son
iguales. Desde el punto de vista eléctrico, todos los cuerpos simples o
compuestos formados por esos elementos se pueden dividir en tres amplias
categorías:

• Conductores:
• Aislantes diente de sierra
• Semiconductores

El número de
protones o electrones
determina el número
atómico del elemento
Introducción

MATERIALES SEMICONDUCTORES

Los valores de la resistividad nos permiten clasificar los materiales como


conductores, semiconductores y aislantes
Conductor: Cobre, r = 10–6 Ohm/m
Semiconductor: Germanio r = 50 Ohm/m, Silicio r = 50000 Ohm/m
Aislante: Mica, r = 1012 Ohm/m
diente de sierra
Introducción

MATERIALES CONDUCTORES

En la categoría “conductores” se encuentran agrupados todos los metales


que en mayor o menor medida conducen o permiten el paso de la corriente
eléctrica por sus cuerpos.

Entre los mejores conductores por orden de importancia para uso en la


distribución de la energía eléctrica de alta, media y baja tensión, así como
para la fabricación de componentes de todo tipo como dispositivos y
diente
equipos eléctricos y electrónicos, de sierra
se encuentran:

•cobre (Cu z=29),


•aluminio (Al z=13),
•plata (Ag z=47),
•mercurio (Hg z=80) y,
•oro (Au z=79).
Introducción

MATERIALES AISLANTES

Dieléctricos son materiales que no conducen la electricidad por lo que


puede ser usado como aislante eléctrico.

A diferencia de los cuerpos metálicos buenos conductores de la corriente


eléctrica, existen otros como el aire, la porcelana, la mica, la ebonita, las
resinas sintéticas, los plásticos, etc., que ofrecen una alta resistencia a su
paso. Esos materiales se conocen como aislantes o dieléctricos.
diente de sierra
Introducción

MATERIALES SEMICONDUCTORES

Los "semiconductores" constituyen elementos que poseen características


intermedias entre los cuerpos conductores y los aislantes, por lo que no se
consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo, bajo determinadas
condiciones esos mismos elementos permiten la circulación de la corriente
eléctrica en un sentido (conductor), pero no al contrario (aislante).

1. Los materiales semiconductores provienen de diferentes grupos de la


diente de sierra
tabla periódica, sin embargo, comparten ciertas similitudes.
2. Las propiedades del material semiconductor están relacionadas con sus
características atómicas, y cambian de un grupo a otro.
3. Los investigadores y los diseñadores se aprovechan de estas diferencias
para mejorar el diseño y elegir el material óptimo para una aplicación PV.

Por ejemplo, hay materiales que a partir de una cierta temperatura son
conductores, pero por debajo de esa temperatura, son aislantes.
Introducción

MATERIALES SEMICONDUCTORES

Los átomos en un semiconductor son materiales de cualquiera de los


grupos IV de la tabla periódica, o de una combinación de grupo III y de
grupo V (llamados semiconductores III-V), o de combinaciones de grupo II y
del grupo VI (llamado semiconductores II -VI).

diente de sierra
El silicio y germanio, que
son del grupo IV, han
sido los materiales
semiconductores más
comúnmente utilizados
Introducción

MATERIALES SEMICONDUCTORES

MATERIALES SEMICONDUCTORES (GERMANIO Y SILICIO):

En general, los materiales semiconductores caen dentro de una de dos


clases: de un solo cristal y compuesto. Los semiconductores de un solo
cristal como el germanio (Ge) y el silicio (Si) tienen una estructura cristalina
repetitiva, en tanto que compuestos como el arseniuro de galio (GaAs), el
sulfuro de cadmio (CdS), el nitruro
dientede de galio
sierra(GaN) y el fosfuro de galio y
arsénico (GaAsP) se componen de dos o más materiales semiconductores
de diferentes estructuras atómicas.
Introducción

MATERIALES SEMICONDUCTORES

GERMANIO

En las primeras décadas después del descubrimiento del diodo en 1939 y el


transistor en 1949, se utilizaba germanio casi exclusivamente porque era en
cierto modo fácil de encontrar y estaba disponible en grandes cantidades.
También era relativamente fácil de refinar para obtener niveles muy altos de
pureza, un aspecto importante en el proceso de fabricación. Sin embargo, se
descubrió que los diodos y transistores construidos con germanio como
diente de sierra
material base eran poco confiables, sobre todo por su sensibilidad a los cambios
de la temperatura.
Introducción

MATERIALES SEMICONDUCTORES

SILICIO

El silicio, tenía mejores sensibilidades a la temperatura, pero el proceso de


refinación para producir silicio con niveles muy altos de pureza aún se
encontraba en su etapa de desarrollo. Finalmente, en 1954 se presentó el
primer transistor de silicio y éste de inmediato se convirtió en el material
semiconductor preferido, pues no sólo es menos sensible a la temperatura, sino
que es uno de los materiales másdiente
abundantes en la Tierra.
de sierra

Cada átomo de silicio tiene cuatro electrones


de valencia que pueden ser compartidos, y
formar un enlace covalente con los cuatro
átomos de Si circundantes.
Introducción

MATERIALES SEMICONDUCTORES

SILICIO

Los electrones que rodean a cada átomo en un semiconductor son parte de un


enlace covalente. Un enlace covalente se compone de dos átomos
"compartiendo" un solo electrón.

Cada átomo forma 4 enlaces covalentes con los 4 átomos circundantes. Por lo
tanto, entre cada átomo y sus 4 átomos
diente de sierracircundantes, 8 electrones se
comparten.

una red cristalina de silicio


Introducción

MATERIALES SEMICONDUCTORES

GaAs

Conforme pasaba el tiempo, el campo de la electrónica se volvió cada vez más


sensible a aspectos de velocidad. Las computadoras operan a velocidades cada
vez más altas y los sistemas de comunicación lo hace niveles cada vez más altos
de desempeño.

Un material semiconductor capaz de de


diente satisfacer
sierra estas necesidades es GaAs
desarrollador principios de la década de 1970. Este nuevo transistor operaba a
velocidades hasta de cinco veces la del Si. El problema, es que los procesos de
fabricación con Si, así como las redes de transistores de Si para la mayoría de las
aplicaciones eran más baratas de fabricar y ofrecían la ventaja de estrategias de
diseño altamente eficientes. El GaAs era más difícil de fabricar a altos niveles de
pureza, más caro y tenía poco apoyo de diseño en los primeros años de su
desarrollo.
Introducción

ENLACE COVALENTE Y MATERIALES INTRÍNSECOS

Para apreciar plenamente por qué


Si, Ge y GaAs son los
semiconductores mas utilizados por
la industria electrónica, hay que
entender la estructura atómica de
cada uno y cómo están enlazados
los átomos entre sí para formar una
estructura cristalina.
diente de sierra
Todo átomo se compone de tres
partículas básicas: electrón, protón
y neutrón. En la estructura
entrelazada, los neutrones y los
protones forman el núcleo; los
electrones aparecen en órbitas fijas
alrededor de éste.
Introducción

ENLACE COVALENTE Y MATERIALES INTRÍNSECOS

El silicio tiene 14 electrones en órbita, el germanio 32, el galio 31 y el arsénico


33 (el mismo arsénico que es un agente químico muy venenoso). En el
germanio y el silicio hay cuatro electrones en la capa más externa, los cuales se
conocen como electrones de valencia.

diente de sierra

El término valencia se utiliza para indicar que el potencial (potencial de


ionización) requerido para remover cualquiera de estos electrones de la
estructura atómica es significativamente más bajo que el requerido para
cualquier otro electrón en la estructura.
Introducción

ENLACE COVALENTE Y MATERIALES INTRÍNSECOS

El germanio y el silicio, que a bajas temperaturas son aislantes. Pero a medida


que se eleva la temperatura o bien por la adicción de determinada simpurezas
resulta posible su conducción. Su importancia en electrónica es inmensa en la
fabricaciónde transistores, circuitos integrados, etc... .

diente de sierra

Los semiconductores tienen valencia 4, esto es 4 electrones en órbita exterior


o de valencia. Los conductores tienen 1 electrón de valencia, los
semiconductores 4 y los aislantes 7 electrones de valencia. Los gases nobles:
Neón, Argón, Criptón, Xenón, radón presentan 8 electrones en su última
capa, en estas circunstancias, estos elementos no forman enlaces. .
Introducción

ENLACE COVALENTE Y MATERIALES INTRÍNSECOS

Silicio
Al combinarse los átomos de Silicio para formar un sólido, lo hacen formando
una estructura ordenada llamada cristal. Esto se debe a los "Enlaces
Covalentes", que son las uniones entre átomos que se hacen compartiendo
electrones adyacentes de tal forma que se crea un equilibrio de fuerzas
que mantiene unidos los átomos de Silicio.

diente de sierra

Existen tres tipos de enlaces: Iónico, covalente y el metálico.


Introducción

ENLACE COVALENTE Y MATERIALES INTRÍNSECOS

Silicio
Cada átomo de silicio comparte sus 4 electrones de valencia con los átomos
vecinos, de tal manera que tiene 8 electrones en la órbita de valencia.

La fuerza del enlace covalente es tan grande


porque son 8 los electrones que quedan
(aunque sean compartidos) con cada átomo,
gracias a esta característica los enlaces
covalentes son de una gran solidez. diente de sierra

El aumento de la temperatura hace que los


átomos en un cristal de silicio vibren dentro
de él, a mayor temperatura mayor será la
vibración. Con lo que un electrón se puede
liberar de su órbita, lo que deja un hueco, que
a su vez atraerá otro electrón, etc.
Introducción

MATERIALES INTRÍNSECOS

NIVELES DE ENERGÍA : Mientras más distante se


encuentre el electrón del núcleo mayor es el estado de
energía, y cualquier electrón que haya dejado su átomo,
tiene un estado de energía mayor que cualquier electrón
en la estructura atómica.

Banda de conducción
diente
Banda dede sierra
conducción
Banda de conducción
Banda Banda prohibida
prohibida Eg = 1.1 (si), 0.67 (ge) eV
Eg > 5 eV Banda de valencia
Banda de valencia
Eg = 0

Banda de valencia

Aislante Semiconductor Conductor

Eg – energía de desdoblamiento. Es la energía necesaria para llevar un electrón de la banda de


valencia a la banda de conducción.
Introducción

MATERIALES INTRÍNSECOS
A estos materiales no se les encuentra en la naturaleza totalmente puros, y por
la condición mencionada anteriormente se deben refinar cuidadosamente para
reducir las impurezas a un nivel extremadamente bajo. Después de este
proceso toman el nombre de Materiales intrínsecos.

Si Si Si
diente de sierra
Material Intrínseco
Si Si Si (cuando se encuentra en estado puro)

Si Si Si
Introducción

MATERIALES INTRÍNSECOS
A temperatura ambiente algunos de los enlaces covalentes se rompen y
producen electrones libres y huecos que contribuyen a la conducción.

Banda de conducción
Electrón libre

Enlace covalente
roto
diente de sierra

Huecos
Banda de valencia

Electrón libre
Introducción

MATERIALES INTRÍNSECOS

Situación del Ge a 0ºK


- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge

- - diente de sierra
- -
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge

- - - -
Introducción

MATERIALES INTRÍNSECOS

Situación del Ge a 0ºK


300º K (I)
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge

- - diente de sierra
- - -
- - - -
- Ge -
-
Ge
+ -
-
Ge -
-
Ge
-
- - - -
Introducción

MATERIALES INTRÍNSECOS

Situación del Ge a 300º K (II) -


- -
- - Generación
- - - - + -
Ge - Ge - Ge - Recombinación
Ge

- - diente de sierra
- - Generación - -
- - - -
- Ge -
-
Ge -
Recombinación
-
Ge -
-
Ge
+ -
- - - -
Esta unión de un electrón libre y un hueco se llama "recombinación", y el tiempo entre la creación y desaparición de un
electrón libre se denomina "tiempo de vida".
Introducción

MATERIALES INTRÍNSECOS

Aplicación de un campo externo (I)


-

+++++++
- - - -
- -
Ge -
-
Ge -
-
Ge -
-
Ge
-

- - - - - --
diente de sierra - - -
-
- - - -
- - + - - -
- Ge Ge Ge Ge
- - -
-
-
- - -
Introducción

MATERIALES INTRÍNSECOS
Aplicación de un campo externo (II)
-

+++++++
- - - -
- -
Ge -
-
Ge -
-
Ge -
-
Ge
-

- - - - --
diente de sierra
-
-
- - - -
- + - + - - -
- Ge Ge Ge Ge
- - -
-
-
-
-
- -
+
Introducción

MATERIALES INTRÍNSECOS

Cuando se aplica un campo eléctrico a un semiconductor intrínseco, se produce una


corriente formada por dos componentes: corriente de electrones en contra del campo
y corriente de huecos a favor del campo.
I = q A p mp E + q A n mn E = q A (p mp + n mn )E
Donde p es la densidad de huecos, n la densidad de electrones, mp es la movilidad
de huecos y mn es la movilidad de electrones.
diente
A temperatura ambiente n = 1012 para Si de
y 10sierra
9 para Ge.

Banda de conducción E

Banda de valencia
Introducción

MATERIALES INTRÍNSECOS

Todo lo comentado hasta ahora se refiere a los llamados “Semiconductores


Intrínsecos”, en los que:

•No hay ninguna impureza en la red cristalina.


•Hay igual número de electrones que de huecos n = p = ni

Ge: ni = 2·1013 portadores/cm3


Si: ni = 1010 portadores/cm3
diente de sierra
AsGa: ni = 2·106 portadores/cm3
(a temperatura ambiente)

¿Pueden modificarse estos valores?


¿Puede desequilibrarse el número de electrones y de huecos?
La respuesta son los Semiconductores Extrínsecos
Introducción

MATERIALES EXTRÍNSECOS

Los materiales intrínsecos no tienen las características que se necesitan para


conducción, por lo tanto nuevamente son inyectadas impurezas pero ahora a
través de un proceso perfectamente controlado.

A este proceso se le denomina dopado. El resultado de este proceso es un


material extrínseco, y dependiendo de las impurezas inyectadas podemos
obtener materiales “tipo n” o “tipo p”.
diente de sierra
TIPO “p” : Son materiales creados a través de la introducción de impurezas de
elementos pentavalentes (5 e- en la capa de valencia), a los cuales se les llama
átomos donadores (como Fósforo – P, Antimonio-Sb y Arsénico – As).

TIPO “n” : Son materiales creados a través de la introducción de impurezas de


elementos trivalentes (3 e- en la capa de valencia), a los cuales se les llama
átomos aceptores (como Aluminio-Al, Galio-Ga e Indio-In).
Introducción

MATERIALES EXTRÍNSECOS

Materiales extrínsecos
Donante Aceptante

Si Si Si Si Si Si

Si 5 Si diente de sierra Si 4 Si

Antimonio Si Si Si Boro Si Si Si
Arsénico Galio
Fósoforo Indio
cada uno dona o cede uno de sus cinco electrones a la estructura cada uno tendrá que captar o aceptar un electrón
TIPO n TIPO p
Introducimos pequeñas cantidades de impurezas del grupo V
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge

- - - -
- 1
- - 5 - 0ºK -
2
-
- - - -
Ge - Ge Ge
Sb
- -
- 4
3
- - -
Tiene 5 electrones en la última capa A 0ºK, habría un electrón
adicional ligado al átomo de Sb
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge

- - 5
-
- 1 5
- 300ºK
0ºK
-
- - - -
2
-
- - - -
Ge - Ge Ge
Sb+
- -
- Sb - 4
3
- -
A 300ºK, todos electrones adicionales de los átomos de Sb están desligados
de su átomo (pueden desplazarse y originar corriente eléctrica). El Sb es un
donador y en el Ge hay más electrones que huecos. Es un semiconductor tipo N.
Interpretación en diagrama de bandas de un semiconductor
extrínseco Tipo N

34 est./atm.
est./atm.
300ºK
10 electr./atm.
electr./atm. 0ºK
-
Energía

+-
ESb=0,039eV Eg=0,67eV
- -
- - 4 electr./atm.

El Sb genera un estado permitido en la banda prohibida, muy cerca de la banda de


conducción. La energía necesaria para alcanzar la banda de conducción se consigue
a la temperatura ambiente.
Introducimos pequeñas cantidades de impurezas del grupo III
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge

- - - -
- - 1 - 0ºK -
2
-
- - - -
Ge - Ge Ge
Al -
- - -
3 -
Tiene 3 electrones en la última capa A 0ºK, habría una “falta de electrón”
adicional ligado al átomo de Al
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
+
- - - 300ºK
0ºK -
- - 1 - -
2
-
- - - -
Ge - Ge Ge
Al-
Al - -
- - 4 (extra) -
3 -
A 300ºK, todas las “faltas” de electrón de los átomos de Al están cubiertas con un
electrón procedente de un átomo de Ge, en el que se genera un hueco. El Al es un
aceptador y en el Ge hay más huecos que electrones. Es un semiconductor tipo P.
Interpretación en diagrama de bandas de un semiconductor
extrínseco Tipo P

4 est./atom. 300ºK
0ºK
Energía

EAl=0,067eV
- Eg=0,67eV
+- - 4 electr./atom.
3 electr./atom.
- - 0 huecos/atom.
1 hueco/atom.

El Al genera un estado permitido en la banda prohibida, muy cerca de la banda de valencia.


La energía necesaria para que un electrón alcance este estado permitido se consigue a la
temperatura ambiente, generando un hueco en la banda de valencia.
Introducción

UNIÓN PN
Cuando se unen 2 materiales extrínsecos uno tipo p y otro tipo n, ocurren algunas
combinaciones que dan origen a una ausencia de portadores en la región cercana a la
unión, debido a lo cual a esta región se le llama de agotamiento por la falta de
portadores. Iones Iones
aceptores donadores
Portadores Portadores
mayoritarios m ayoritarios

TIPO n
TIPO p Portadores Portadores
m inoritarios
minoritarios

Tipo p Tipo n

Región de
agotamiento
Bibliografía

[1] Circuitos Eléctricos, Universidad Nacional de Colombia,


http://www.virtual.unal.edu.co/cursos/ingenieria/2001601/cap02/Cap2tem
1.html
[2] Electrotecnia, Análisis de Circuitos Eléctricos,
http://iesmjuancalero.juntaextremadura.net/archivos_insti/recurdptos/tecn
olog/electrotenia/t3.htm
[3] Dispositivos Electrónicos, Thomas Floyd, Person education, 8va Edición

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