Electrónica Fundamental: Elementos
Electrónica Fundamental: Elementos
Electrónica Fundamental: Elementos
ELEMENTOS
Introducción
ELECTRONICA FUNDAMENTAL
MATERIALES SEMICONDUCTORES
FISICA DE SEMICONDUCTORES
diente de sierra
Una propiedad del espacio mediante la cual “se propaga” la interacción entre cargas.
Una región del espacio donde existe una perturbación tal que a cada punto de dicha
región le podemos asignar una magnitud vectorial, llamada intensidad de campo
eléctrico E.
El concepto de líneas de campo fue
introducido por Michael Faraday (1791-
1867).
MATERIALES SEMICONDUCTORES
CAMPO ELÉCTRICO
Una carga eléctrica puntual q (carga de prueba) sufre, en presencia de otra carga
q1 (carga fuente), una fuerza electrostática.
MATERIALES SEMICONDUCTORES
CAMPO ELÉCTRICO
MATERIALES SEMICONDUCTORES
Ejemplo: Hallar la intensidad del campo eléctrico en el vacío generado por una
carga fuente Q = 5x102C, a una distancia de 30 cm.
ε0 = 8,85·10–12 F/m
K= (1/4πε0) = 9·109 Nm2/C2
Introducción
MATERIALES SEMICONDUCTORES
Q = 4x10-8 C
r = 2m
K= 9·109 Nm2/C2
Introducción
MATERIALES SEMICONDUCTORES
Ejemplo: Se tiene dos cargas fuente Q1= 5x10-6 C y Q2= -2,5x10-6 C como se
muestra en la figura. Calcular la intensidad de campo eléctrico en el punto P.
Q1 = 5x10-6 C
Q2 = -2,5x10-6 C
K= 9·109 Nm2/C2
Para determinar el sentido de E1 y E2, se toma una carga de prueba (+) y se analiza si hay atracción o
repulsión en este punto con respecto a las otras cargas, el sentido de “E” coincidirá con la fuerza
eléctrica.
Introducción
Ejemplo: Se tiene dos cargas fuente Q1= 5x10-6 C y Q2= -2,5x10-6 C como se
muestra en la figura. Calcular la intensidad de campo eléctrico en el punto P.
Q1 = 5x10-6 C
Q2 = -2,5x10-6 C
K= 9·109 Nm2/C2
La Intensidad de campo eléctrico en
un punto P será igual a ET = E1+E2
Introducción
MATERIALES SEMICONDUCTORES
CAMPO ELÉCTRICO
La fuerza que ejercen entre sí dos cargas eléctricas q y q', separadas una distancia
r, viene dada por la ley de Coulomb, y su magnitud es:
Cuando el signo de esta fuerza es positivo significa que las cargas se repelen, y
cuando es negativo que se atraen.
Introducción
MATERIALES SEMICONDUCTORES
CAMPO ELÉCTRICO
Introducción
MATERIALES SEMICONDUCTORES
Nótese que tanto la fuerza como el campo eléctrico son magnitudes vectoriales,
definidas por un módulo, una dirección y un sentido. La unidad de campo
eléctrico, según se deduce es el newton/culombio.
MATERIALES SEMICONDUCTORES
Cuando hay más de una carga en una región del espacio, el campo eléctrico creado
por ellas es la suma vectorial de los campos creados por cada una de las cargas
Campo Eléctrico
F = 1,6N
q = 48uC = 48x10-6 C
Introducción
Campo Eléctrico
F = 5×10-2N
q = 2×10-7 C
Introducción
Campo Eléctrico
F = 8.6 x10-2 N
E = 4.5×105 N/C
Introducción
MATERIALES SEMICONDUCTORES
CARGA ELÉCTRICA
MATERIALES SEMICONDUCTORES
CARGA ELÉCTRICA
MATERIALES SEMICONDUCTORES
MATERIALES SEMICONDUCTORES
FISICA DE SEMICONDUCTORES
MATERIALES SEMICONDUCTORES
diente de sierra
MATERIALES SEMICONDUCTORES
MATERIALES SEMICONDUCTORES
FISICA DE SEMICONDUCTORES
Pero no todos los átomos son iguales. Cada elemento de la tabla periódica
tiene diferentes átomos, pero todos están formados por las mismas
partículas: protones, neutrones y electrones.
MATERIALES SEMICONDUCTORES
• Conductores:
• Aislantes diente de sierra
• Semiconductores
El número de
protones o electrones
determina el número
atómico del elemento
Introducción
MATERIALES SEMICONDUCTORES
MATERIALES CONDUCTORES
MATERIALES AISLANTES
MATERIALES SEMICONDUCTORES
Por ejemplo, hay materiales que a partir de una cierta temperatura son
conductores, pero por debajo de esa temperatura, son aislantes.
Introducción
MATERIALES SEMICONDUCTORES
diente de sierra
El silicio y germanio, que
son del grupo IV, han
sido los materiales
semiconductores más
comúnmente utilizados
Introducción
MATERIALES SEMICONDUCTORES
MATERIALES SEMICONDUCTORES
GERMANIO
MATERIALES SEMICONDUCTORES
SILICIO
MATERIALES SEMICONDUCTORES
SILICIO
Cada átomo forma 4 enlaces covalentes con los 4 átomos circundantes. Por lo
tanto, entre cada átomo y sus 4 átomos
diente de sierracircundantes, 8 electrones se
comparten.
MATERIALES SEMICONDUCTORES
GaAs
diente de sierra
diente de sierra
Silicio
Al combinarse los átomos de Silicio para formar un sólido, lo hacen formando
una estructura ordenada llamada cristal. Esto se debe a los "Enlaces
Covalentes", que son las uniones entre átomos que se hacen compartiendo
electrones adyacentes de tal forma que se crea un equilibrio de fuerzas
que mantiene unidos los átomos de Silicio.
diente de sierra
Silicio
Cada átomo de silicio comparte sus 4 electrones de valencia con los átomos
vecinos, de tal manera que tiene 8 electrones en la órbita de valencia.
MATERIALES INTRÍNSECOS
Banda de conducción
diente
Banda dede sierra
conducción
Banda de conducción
Banda Banda prohibida
prohibida Eg = 1.1 (si), 0.67 (ge) eV
Eg > 5 eV Banda de valencia
Banda de valencia
Eg = 0
Banda de valencia
MATERIALES INTRÍNSECOS
A estos materiales no se les encuentra en la naturaleza totalmente puros, y por
la condición mencionada anteriormente se deben refinar cuidadosamente para
reducir las impurezas a un nivel extremadamente bajo. Después de este
proceso toman el nombre de Materiales intrínsecos.
Si Si Si
diente de sierra
Material Intrínseco
Si Si Si (cuando se encuentra en estado puro)
Si Si Si
Introducción
MATERIALES INTRÍNSECOS
A temperatura ambiente algunos de los enlaces covalentes se rompen y
producen electrones libres y huecos que contribuyen a la conducción.
Banda de conducción
Electrón libre
Enlace covalente
roto
diente de sierra
Huecos
Banda de valencia
Electrón libre
Introducción
MATERIALES INTRÍNSECOS
- - diente de sierra
- -
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - - -
Introducción
MATERIALES INTRÍNSECOS
- - diente de sierra
- - -
- - - -
- Ge -
-
Ge
+ -
-
Ge -
-
Ge
-
- - - -
Introducción
MATERIALES INTRÍNSECOS
- - diente de sierra
- - Generación - -
- - - -
- Ge -
-
Ge -
Recombinación
-
Ge -
-
Ge
+ -
- - - -
Esta unión de un electrón libre y un hueco se llama "recombinación", y el tiempo entre la creación y desaparición de un
electrón libre se denomina "tiempo de vida".
Introducción
MATERIALES INTRÍNSECOS
+++++++
- - - -
- -
Ge -
-
Ge -
-
Ge -
-
Ge
-
- - - - - --
diente de sierra - - -
-
- - - -
- - + - - -
- Ge Ge Ge Ge
- - -
-
-
- - -
Introducción
MATERIALES INTRÍNSECOS
Aplicación de un campo externo (II)
-
+++++++
- - - -
- -
Ge -
-
Ge -
-
Ge -
-
Ge
-
- - - - --
diente de sierra
-
-
- - - -
- + - + - - -
- Ge Ge Ge Ge
- - -
-
-
-
-
- -
+
Introducción
MATERIALES INTRÍNSECOS
Banda de conducción E
Banda de valencia
Introducción
MATERIALES INTRÍNSECOS
MATERIALES EXTRÍNSECOS
MATERIALES EXTRÍNSECOS
Materiales extrínsecos
Donante Aceptante
Si Si Si Si Si Si
Si 5 Si diente de sierra Si 4 Si
Antimonio Si Si Si Boro Si Si Si
Arsénico Galio
Fósoforo Indio
cada uno dona o cede uno de sus cinco electrones a la estructura cada uno tendrá que captar o aceptar un electrón
TIPO n TIPO p
Introducimos pequeñas cantidades de impurezas del grupo V
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - - -
- 1
- - 5 - 0ºK -
2
-
- - - -
Ge - Ge Ge
Sb
- -
- 4
3
- - -
Tiene 5 electrones en la última capa A 0ºK, habría un electrón
adicional ligado al átomo de Sb
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - 5
-
- 1 5
- 300ºK
0ºK
-
- - - -
2
-
- - - -
Ge - Ge Ge
Sb+
- -
- Sb - 4
3
- -
A 300ºK, todos electrones adicionales de los átomos de Sb están desligados
de su átomo (pueden desplazarse y originar corriente eléctrica). El Sb es un
donador y en el Ge hay más electrones que huecos. Es un semiconductor tipo N.
Interpretación en diagrama de bandas de un semiconductor
extrínseco Tipo N
34 est./atm.
est./atm.
300ºK
10 electr./atm.
electr./atm. 0ºK
-
Energía
+-
ESb=0,039eV Eg=0,67eV
- -
- - 4 electr./atm.
- - - -
- - 1 - 0ºK -
2
-
- - - -
Ge - Ge Ge
Al -
- - -
3 -
Tiene 3 electrones en la última capa A 0ºK, habría una “falta de electrón”
adicional ligado al átomo de Al
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
+
- - - 300ºK
0ºK -
- - 1 - -
2
-
- - - -
Ge - Ge Ge
Al-
Al - -
- - 4 (extra) -
3 -
A 300ºK, todas las “faltas” de electrón de los átomos de Al están cubiertas con un
electrón procedente de un átomo de Ge, en el que se genera un hueco. El Al es un
aceptador y en el Ge hay más huecos que electrones. Es un semiconductor tipo P.
Interpretación en diagrama de bandas de un semiconductor
extrínseco Tipo P
4 est./atom. 300ºK
0ºK
Energía
EAl=0,067eV
- Eg=0,67eV
+- - 4 electr./atom.
3 electr./atom.
- - 0 huecos/atom.
1 hueco/atom.
UNIÓN PN
Cuando se unen 2 materiales extrínsecos uno tipo p y otro tipo n, ocurren algunas
combinaciones que dan origen a una ausencia de portadores en la región cercana a la
unión, debido a lo cual a esta región se le llama de agotamiento por la falta de
portadores. Iones Iones
aceptores donadores
Portadores Portadores
mayoritarios m ayoritarios
TIPO n
TIPO p Portadores Portadores
m inoritarios
minoritarios
Tipo p Tipo n
Región de
agotamiento
Bibliografía
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Alternative Proxies: