Sigla en inglés de transistor-transistor logic, es decir, "lógica transistor

a transistor". Es una familia lógica o lo que es lo mismo, una tecnología de

construcción de circuitos electrónicos digitales. En los componentes fabricados
con tecnología TTL los elementos de entrada y salida del dispositivo son
transistores bipolares.

La tensión o voltaje de alimentación es de + 5 Voltios, con Vmin = 4.75

Voltios y
Vmax = 5.25 Voltios.
Su fabricación es con transistores bipolares multiemisores.
La velocidad de transmisión entre los estados lógicos es su mejor ventaja,
ciertamente esta característica le hacer aumentar su consumo.
Su compuerta básica es la NAND.

La función de autofoco también trabaja "en TTL", a partir de la imagen real.

En los flashes, TTL hace referencia (cómo no) al ajuste automático según las
condiciones ambientales y la iluminación del sujeto. Desde que se introdujese
en la Canon T90 y el flash 300TL, en 1985, la cámara es capaz de modificar el
ajuste del flash, para aumentar o reducir su intensidad, si es necesario. Por
supuesto, tanto la cámara como el flash deben ser compatibles y trabajar con
el mismo estándar.

A-TTL: Advanced TTL (avanzado), se basa en un destello previo con una luz
infrarroja, para cálculo de la distancia (y, más o menos, del tamaño del
sujeto, basado en la cantidad de luz reflejada). La cámara controla la
cantidad de luz emitida por el flash únicamente mediante el control de la
duración del destello, buscando un equilibrio con la iluminación ambiente
o de fondo.
E-TTL: Evaluative TTL (evaluativo), utiliza un destello previo de luz
blanca, de manera que se puede evaluar la iluminación general de la
fotografía, y decidir a partir de ahí la duración y el nivel de potencia

necesarios. Los flashes con E-TTL también pueden trabajar en modo A-TTL,
para casos en los que se enfoca el flash en otra dirección (luz rebotada).
E-TTL II: Evaluative TTL, de nueva generación, tiene en cuenta que el
autofoco puede no estar fijado en el sujeto en el momento de la medición
de la iluminación. Introduce la posibilidad de hacer un promediado de la
luz recibida.
I-TTL: INtelligent TTL (inteligente), de Nikon, desarrollado por Nikon,
se basa en la lectura de varios (normalmente cinco) sensores en la zona
de la imagen, y junto a la distancia y la iluminación general, puede
incluir datos de la temperatura del color.
P-TTL: Preflash TTL (destello previo), de Pentax, abre el diafragma
completamente para hacer la evaluación de la iluminación con el destello
previo.
NIkon también tiene un modo de trabajo CLS (Creative Lighting System -
Sistema de iluminación creativo), que combina el concepto del i-TTL con
funciones avanzadas, como el posible bloqueo de la exposición del flash
y el disparo remoto por radio o el uso de varios flashes a la vez.
El término complementario se refiere a la utilización de dos tipos de
transistores en el circuito de salida, en una configuración similar a la tótem-
pole de la familia TTL. Se usan conjuntamente MOSFET (MOS Field-Effect
transistor, transistor de efecto campo MOS) de canal n (NMOS) y de canal p
(PMOS ) en el mismo circuito, para obtener varias ventajas sobre las familias
P-MOS y N-MOS. La tecnología CMOS es ahora la dominante debido a que es más
rápida y consume aún menos potencia que las otras familias MOS. Estas ventajas
son opacadas un poco por la elevada complejidad del proceso de fabricación del
CI y una menor densidad de integración. De este modo, los CMOS todavía no
pueden competir con MOS en aplicaciones que requieren lo último en LSI.

Factor de carga: Al igual que N-MOS y P-MOS, los CMOS tienen una
resistencia de entrada extremadamente grande (10*12Ω) que casi no consume
corriente de la fuente de señales, cada entrada CMOS representa comúnmente
una carga a tierra de 5 pF. Debido a su capacitancia de entrada se limita
el número de entradas CMOS que se pueden manejar con una sola salida CMOS.
Así pues, el factor de carga de CMOS depende del máximo retardo permisible
en la propagación. Comúnmente este factor de carga es de 50 para bajas
frecuencias (<1 MHz). Por supuesto para altas frecuencias, el factor de
carga disminuye. La salida CMOS tiene que cargar y descargar la
combinación en paralelo de cada capacitancia de entrada, de manera que el
tiempo de conmutación de salida aumente en proporción al número de cargas
conducidas, cada carga CMOS aumenta el retardo en la conducción de la
propagación del circuito por 3 ns. Así podemos llegar a la conclusión de
que el factor de carga de CMOS depende del máximo retardo permisible en
la propagación

Velocidad de conmutación Los CMOS, al igual que N-MOS y P-MOS, tiene que
conducir capacitancias de carga relativamente grandes, su velocidad de
conmutación es más rápida debido a su baja resistencia de salida en cada
estado. Recordemos que una salida N-MOS tiene que cargar la capacitancia
de carga a través de una resistencia relativamente grande (100 k Ω). En
el circuito CMOS, la resistencia de salida en el estado ALTO es el valor
RON del P-MOSFET, el cual es generalmente de 1 k Ω o menor. Esto permite
una carga más rápida de la capacitancia de carga. Los valores de velocidad
de conmutación dependen del voltaje de alimentación que se emplee, por
ejemplo en una a compuerta NAND de la serie 4000 el tiempo de propagación
es de 50 ns para VDD = 5 V y 25ns para VDD = 10 V. Como podemos ver,
mientras VDD sea mayor podemos operar en frecuencias más elevadas. Por
supuesto, mientras más grande sea VDD se producirá una mayor disipación
de potencia. Una compuerta NAND de las series 74HC o 7411CT tiene un tpd
promedio alrededor de 8 ns cuando funciona con un VDD = 5V. Esta velocidad
es comparable con la de la serie 74LS.

Disipación de potencia: La disipación de potencia de un CI CMOS será muy

baja mientras esté en una condición dc. Desafortunadamente, PD siempre
crecerá en proporción a la frecuencia en la cual los circuitos cambian de
estado. Cada vez que una salida CMOS pasa de BAJO a ALTO, tiene que
suministrarse una corriente de carga con oscilación momentánea a la
capacitancia de carga. Esta capacitancia consta de las capacitancias de
entrada de las cargas combinadas que se conducen y de la capacitancia de
salida propia del dispositivo. Estas breves espigas de corriente son
suministradas por VDD y pueden tener una amplitud regular de 5 mA y una
duración de 20 a 30 ns. Es obvio, que cuando la frecuencia de conmutación
aumente, habrá más de estas espigas de corriente por segundo y el consumo
de corriente promedio de VDD aumentará. De este modo, en frecuencias más
altas, CMOS comienza a perder algunas de sus ventajas sobre otras familias
lógicas. Como regla general, una compuerta CMOS tendrá el mismo PD en
promedio que una compuerta 74LS en frecuencias alrededor de cerca dc 2 a
3 MHz. Para CI MSI, la situación es más compleja que la que se expresa
aquí y un diseñador lógico debe realizar un análisis detallado para
determinar si el CMOS tiene o no una ventaja en cuanto a la disipación de
potencia en cierta frecuencia de operación.

Voltaje de alimentación: Los circuitos bipolares TTL requieren una

alimentación de ?? volts, tolerando sólo una pequeña desviación. Los
circuitos CMOS en cambio, permiten un rango de alimentación mayor, de +2
a +6 volts para las series HC y AC, y de +3 a +15 volts para las series
4000 y 74CXX. Sin embargo, existen dos series CMOS, la HCT y la ACT, que
han sido diseñadas para ser compatibles con los circuitos TTL y por lo
tanto requieren una alimentación de +5 volts.

Niveles de entrada:Cuando una entrada TTL está en estado L(bajo) , entrega

corriente al circuito que le está generando la Señal L (típicamente 0,25
mA para la serie LS). Esto debe ser considerado cuando se alimentan
compuertas TTL con otro tipo de circuitos. Contrariamente, en un circuito
CMOS no existe corriente de entrada. El umbral de entrada necesario en
una compuerta TTL para provocar un cambio en la salida es de alrededor de
dos caídas de voltaje de un diodo (aproximadamente 0,3 volts). Sin
embargo, en la mayor parte de las familias CMOS, este umbral es de
alrededor de media fuente de alimentación, con una dispersión
considerable, típicamente de entre 1/3 y 2/3 de la fuente de poder. Las
familias HCT y ACT, compatibles con los TTL, han sido diseñadas para tener
un umbral de entrada bajo, similar a los TTL. Como vimos, esto se debe a
que en los circuitos TTL la salida H (alto) no llega a +5 volts. Las
entradas CMOS son susceptibles a daño permanente producto de la
electricidad estática durante su manipulación. Las entradas no utilizadas
deben ser conectadas a H o L a según corresponda.