INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

ESCUELA SUPEROR DE INGENIERIA MECÁNICA Y ELÉCTRICA

INGENIERIA EN COMUNICACIONES Y ELECTRÓNICA
ACADEMIA DE ELECTRONICA
CICLO ESCOLAR 1/2019-2020

REPORTE DE APLICACIÓN
Subtítulo: Uso del diodo Schottky
PROFA: ELVIRA UBALDO ARRIETA
Equipo #3
Nombre DE AUTORES:

Departamento/ MATERIA: DISPOSITIVOS

FECHA DE REALIZACIÓN: 17/03/2021 FECHA DE ENTREGA:18/03/2010

I. INTRODUCCIÓN
La evolución actual de las Telecomunicaciones está imponiendo la necesidad de tasas de
transmisión de información cada vez más altas, Por ello, los sistemas de alimentación
inalámbrica vienen recabando un gran interés en los últimos años, tanto los que operan
en campo, como los que lo hacen en campo lejano usando bandas ISM como las de 915
MHz, 2.45 GHz y 5.8 GHz. En el segundo caso, encontramos soluciones pensadas para
recuperar la energía electromagnética disponible en el ambiente a partir de niveles muy
pequeños de potencia; así como arquitecturas concebidas específicamente para la
alimentación a partir de una señal piloto de mayor nivel. En el extremo receptor es
imprescindible disponer de un rectificador capaz de operar de un modo eficiente en un
rango amplio de potencia y de resistencia de carga, razón por la que se ha propuesto con
éxito la utilización de topologías con conmutación a tensión y derivada de la tensión
iguales a cero.
El desarrollo de las tecnologías de RF y microondas se han venido empleando
tradicionalmente en sistemas de telecomunicación inalámbrica y de sensores. Con el
gran crecimiento de estas transmisiones inalámbricas, cada vez hay más energía RF en el
ambiente, lo cual ha motivado la idea de su aprovechamiento; apareciendo el concepto
nuevo de recuperación de la energía remante. Por otra parte, y en cierta sintonía se
plantea el utilizar directamente haces de microondas como transmisores de energía de
modo inalámbrico. En ambos casos, esa energía electromagnética se capta y reutiliza
 para la alimentación de dispositivos electrónicos, abriendo un nuevo horizonte de
investigación y desarrollo. Tal vez algún día, gracias a estas técnicas, la barrera que
impone esa dependencia de las baterías, o al menos la utilización que actualmente se
hace de ellas; se supere y deje de ser necesario el remplazo y la recarga periódica a
través de conectores físicos de las mismas; o por lo menos permita reducir el tamaño de
las baterías instaladas lo cual repercutiría favorablemente tanto a nivel tecnológico como
a nivel medio ambiental.

II.PRESENTACIÓN PROBLEMA U OBJETIVO

Teniendo en consideración lo expresado en el anterior apartado, en este proyecto se

abordará el diseño de un rectificador clase E basado en un diodo de unión Schottky en la
banda de 915 MHZ de cara a su utilización en reciclado de señal RF (radiofrecuencia) de
potencia, para alimentar dispositivos inalámbricos. Este diseño estará encaminado a la
recuperación eficiente de la potencia de una señal piloto con vistas a alimentar sensores o
actuadores inalámbricos

I. DESARROLLO

Los amplificadores de potencia proporcionan ganancia en tensión y ganancia en corriente.

Su principal función es convertir la potencia de DC en potencia de RF y amplificar la señal
de RF de entrada.

De entre los distintos parámetros de los amplificadores de

potencia se pueden destacar los siguientes:
a) Eficiencia
Eficiencia de drenador (ηD), eficiencia de potencia añadida (PAE) y eficiencia total
(η).
b) Linealidad
La linealidad de un amplificador da idea de la capacidad del dispositivo para
reproducir correctamente a la salida la amplitud y la fase de la señal de entrada.
c) Comportamiento No Lineal del Amplificador
Cuando el amplificador de potencia trabaja en zonas de alta eficiencia energética se
comporta como un dispositivo altamente no lineal. Dicha no linealidad provoca
distorsión en la señal de salida.

Los amplificadores de potencia pueden ser de dos grandes tipos, modo fuente de corriente
controlada y modo conmutado. Los más conocidos y empleados, los primeros, se dividen
en diferentes clases en función del punto de operación del dispositivo dentro de la recta de
carga dinámica. La elección de este punto causa que el dispositivo activo no esté,
necesariamente, conduciendo durante el ciclo completo de una señal sinusoidal. De hecho,
sólo lo hace en la denominada clase A. En el resto, sólo conduce durante un número
determinado de grados del ciclo de la señal de entrada.
Un amplificador clase E se caracteriza por tener un transistor conmutado conectado a una
red de carga pasiva. En general, todos los amplificadores que trabajan en régimen de
saturación, como el de clase E, son extremadamente no lineales, y los armónicos generados
aparecen en su salida, donde deben ser convenientemente filtrados. En contrapartida, el
rendimiento de estos amplificadores es muy alto, pudiendo superar el 90% y, en
condiciones ideales, alcanzar el 100%. Su alta eficiencia se debe a que funciona como un
interruptor que evita las pérdidas de potencia mediante la carga y descarga del condensador
del que dispone, alcanzando así mejores valores de eficiencia en alta frecuencia que una
clase D. Actualmente, las topologías clase E están consideradas como la mejor opción en
amplificadores de potencia para sistemas inalámbricos
I.I Diseño del Rectificador Clase E a Diodo
Un rectificador es un circuito electrónico compuesto típicamente por diodos, y otros
componentes pasivos, tales como resistencias, condensadores y bobinas. Como su propio
nombre indica, su función es la de rectificar señales, es decir; transformar una señal alterna
en una continua. Dependiendo de cómo estén dispuestos los componentes mencionados
podremos tener diferentes tipos de rectificaciones de señal. A lo largo de esta sección se
abordará el diseño de un rectificador haciendo uso de la topología del amplificador clase E.
Existen diferentes tipos de diodos: los diodos Zener, diodos varicap, optoelectrónicos,
Schottky, etc. En aplicaciones de radiofrecuencia como es la rectificación que nos ocupa, se
emplean principalmente los denominados diodos Schottky para desempeñar dicha
operación. En inglés conocidos además como: surface barrier diodes, hot carrier diode o hot
electron diode. Esto es así porque estos dispositivos son de portadores mayoritarios, lo cual
reduce el tiempo de tránsito en las uniones tradicionales pn, formadas por portadores
minoritarios; al no depender de la recombinación de electrones y huecos en las mismas. El
diodo también posee una densidad de corriente mucho mayor que una unión pn común, lo
que significa una caída de tensión en directa menor que en los diodos habituales de unión
pn, alcanzando valores de entre 0,15 y 0,4 V; muy diferente respecto a los 0,6 V
mencionados anteriormente en los diodos de silicio típicos. Este hecho se traduce en
menores pérdidas de potencia.
Debido a las propiedades únicas del diodo Schottky; le permiten ser usado en un gran
número de aplicaciones donde otros tipos de diodos no podrían funcionar correctamente.
Las principales áreas de aplicaciones se comentan a continuación:
• Mezclador RF, multiplicadores de frecuencia y diodo detector: gracias a su alta
velocidad de conmutación y funcionamiento a altas frecuencias, además de su baja
tensión de excitación y baja capacitancia.
 • Rectificador de potencia: los factores que facilitan este tipo de aplicaciones son su
elevada densidad de corriente y su pequeña caída de tensión en directa. Esto indica
que presentará menores pérdidas de potencia que los diodos de unión pn. Por lo
tanto, este aumento de eficiencia conllevará menor cantidad de calor disipado, y
menor cantidad de calor incidente en el diseño.
• Circuitos OR de potencia: se trata de circuitos donde una carga puede ser excitada
por dos fuentes de potencia distintas. En estos casos, es necesario que ambas fuentes
estén debidamente aisladas, es decir, que la potencia de una fuente no pueda entrar
en la otra. Sin embargo, es importante que cualquier caída de tensión a través de los
diodos que formen estos circuitos, sea minimizada para asegurar máxima eficiencia.
Por tanto, el bajo voltaje presenta en los diodos Schottky los hace ideales. Si bien,
habrá que ser cuidadosos a la hora de diseñar estos circuitos debido a la elevada
fuga de corriente en inversa de los diodos.
• Aplicaciones de celdas solares: típicamente conectadas a baterías recargables,
necesitan un diodo en serie para evitar cargas inversas (o con carácter negativo).
Cualquier caída de tensión resultaría una pérdida de eficiencia, por lo que los diodos
Schottky resultan idóneos.
• Diodo de fijación, especialmente cuando se trata de usos en tecnologías LS (Low
Supply, o baja potencia de excitación) TTL. Mejora la velocidad de operación al
usarse como interruptor, ya que reduce el tiempo del “0” lógico al recoger la
mayoría de la corriente. Los diodos de barrera Schottky se insertan entre el colector
y la base del transistor principal, actuando así como soporte o fijación
Seleccionado el dispositivo HSMS-282Z, se procedió a implementar en AWR MWO el
modelo no lineal que ofrece el fabricante para el mismo. Dicho modelo, con los parásitos
asociados al encapsulado incluidos, se presenta en la siguiente figura:

Se realizó entonces una simulación en DC

del perfil ID(VD) del dispositivo seleccionado. Los
valores medidos fueron entonces comparados con
los resultantes de la simulación en DC del modelo, tal y como se muestra en las imágenes
para los rangos de operación en directa e inversa (VD  0 V y VD  0 V).
 Una vez conocido el valor óptimo de impedancia a ofrecer al
dispositivo, se seleccionó una bobina de alto factor de calidad,
que ofreciese una frecuencia de resonancia tal que su impedancia fuese elevada. Se añadió
un condensador en serie, seleccionándose uno de 2 pF para conseguir ofrecer al diodo la
impedancia óptima.

Para el proceder al montaje del circuito se utilizó una placa o PCB.

En la siguiente imagen aparece representado el esquemático

implementado en la versión final del rectificador

Para terminar, cabe aclarar que en el desarrollo de esta aplicación sería necesario la
utilización del laboratorio para proceder a montar el sistema para la caracterización de la
aplicación debido a las limitaciones actuales nos limitamos a dejar el desarrollo en lo
teorico y con las simulaciones previamente presentadas.

III. CONCLUSIONES
IV. REFERENCIAS