ELECTRÓNICA I

U3. AMPLIFICADORES CON BJT

M.Sc. Auramaría Londoño Cano, Ing.
contacto: amlondonoc@uniquindio.edu.co
 AGENDA

1. Transistores de unión bipolar (BJT).

2. Características de entrada y salida.
3. Polarización del transistor BJT (Análisis DC).
1. Recta de carga estática DC.
2. Punto de operación Q.
4. Modelos y análisis de pequeña señal (Análisis AC).
1. Recta de carga dinámica AC.
2. Máxima excursión simétrica.
3. Parámetros: ganancias e impedancias.
5. Diseño de amplificadores con transistores BJT.
6. Análisis y respuesta en baja, media y alta frecuencia

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 1. TRANSISTORES DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)

Los transistores de unión bipolar BJT (Bipolar Junction Transistor), son dispositivos semiconductores de silicio (o germanio) al
que se le han agregado impurezas de manera que, una capa de silicio tipo P (o tipo N) se intercala entre dos capas de silicio tipo N
(o tipo P). Por ello, hay dos tipos de transistores: NPN y PNP, complementarios. Un BJT NPN puede verse como dos uniones NP o
dos diodos conectados espalda con espalda. Se llama bipolar porque dos portadores de polaridad (huecos y electrones)
transportan carga en el dispositivo. Tiene tres terminales: emisor (E), base (B) y colector (C).
– La zona E fuertemente dopada, se encarga de “emitir” o inyectar portadores mayoritarios hacia B.
– La zona B la menos dopada, deja pasar la mayor parte posible de portadores inyectados por E hacia C.
– La zona C menos dopada que E, recoge los portadores inyectados por E que han logrado atravesar B.

Transistor tipo NPN Transistor tipo PNP Símbolo NPN Símbolo PNP Uniones NPN Uniones PNP

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 1. TRANSISTORES DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)

Un transistor NPN tiene dos uniones NP que deben polarizarse con dos voltajes DC: 𝑣𝑣𝐵𝐵𝐵𝐵 y 𝑣𝑣𝐶𝐶𝐵𝐵 , para generar un flujo de corriente.
En el transistor NPN, los electrones libres de cada zona N se difunden a través de la unión y se recombinan con los huecos del
lado P. El resultado son las dos regiones de deplexión, donde la barrera de potencial es ≈0.7V a 25°C para un transistor de silicio.
Cada una de las zonas está impurificada en distinto grado. La base 100 veces menos que el colector o emisor. La base tiene
menor tamaño, después el emisor y a 2 veces de espesor el colector. La relación entre el grosor total y el de la base es de 150:1.

Polarización DC de Transistores NPN

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 1. TRANSISTORES DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)
Cuando la unión B-E se polariza directa y la unión C-B inversa, los electrones del material N (emisor) ven una barrera de
potencial pequeña 𝑣𝑣𝐵𝐵𝐵𝐵 ≈ 0.7 en la unión NP, circulando fácilmente hacia el material P (base) que es muy estrecho; y al tener un
dopaje débil, su conductividad es baja y por lo tanto muy pocos electrones libres toman esta ruta de alta resistencia hacia la base
donde se recombinan con huecos. Así, la mayoría van hacia la unión C-B, donde debido a la influencia del 𝑣𝑣𝐶𝐶𝐶𝐶 positivo se mueven
con mucha rapidez hacia el colector. Si se reduce la polarización directa de la unión B-E, aumenta la altura de la barrera de
potencial y la dificultad para los electrones de E llegar hasta C, así que la corriente a través del transistor se reducirá en forma
considerable. Si se incrementa la polarización, se reduce la barrera, aumenta el flujo de electrones y por tanto, la corriente interna.

Flujo de corriente interna en el modo de operación directa del BJT NPN

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 1. TRANSISTORES DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)

Las corrientes de un transistor son tres: de emisor 𝐼𝐼𝐸𝐸 , de base 𝐼𝐼𝐵𝐵 y de colector 𝐼𝐼𝐶𝐶 . Al aplicar la LCK al transistor se relacionan
las tres corrientes: 𝐼𝐼𝐸𝐸 = 𝐼𝐼𝐶𝐶 + 𝐼𝐼𝐵𝐵 . Como el emisor es la fuente de electrones, su corriente 𝐼𝐼𝐸𝐸 es la mayor de las tres. Casi todos los
electrones del emisor circulan hacia el colector; por tanto, 𝐼𝐼𝐶𝐶 ≈ 𝐼𝐼𝐸𝐸 . La 𝐼𝐼𝐵𝐵 es muy pequeña 𝐼𝐼𝐵𝐵 ≪ 𝐼𝐼𝐶𝐶 , a menudo un 1% de 𝐼𝐼𝐶𝐶 .

El alfa de continua se define como la corriente continua de colector dividida por la corriente continua de emisor: 𝜶𝜶 = 𝑰𝑰𝑪𝑪 /𝑰𝑰𝑬𝑬 .
Como 𝐼𝐼𝐶𝐶 ≈ 𝐼𝐼𝐸𝐸 , el 𝛼𝛼 es ligeramente menor que 1. Por ejemplo, en un transistor de baja potencia, 𝛼𝛼 es mayor que 0,99. Incluso en
un transistor de alta potencia, 𝛼𝛼 es típicamente mayor que 0,95.

El beta de continua se define como la corriente continua de colector dividida por la corriente continua de base: 𝜷𝜷 = 𝑰𝑰𝑪𝑪 /𝑰𝑰𝑩𝑩 . El
𝛽𝛽 se conoce también como la ganancia de corriente porque una pequeña 𝐼𝐼𝐵𝐵 produce una 𝐼𝐼𝐶𝐶 mucho mayor. Esta es una gran
ventaja del transistor y ha llevado a todo tipo de aplicaciones. Para transistores de baja potencia (<1W), la ganancia de corriente
es típicamente de 100 a 300. Los transistores de alta potencia (>1W) normalmente tienen ganancias de corriente entre 20 y 100.

Ejercicio 1.1: Un transistor tiene una 𝐼𝐼𝐶𝐶 = 10𝑚𝑚𝑚𝑚 y una 𝐼𝐼𝐵𝐵 = 40𝑢𝑢𝑢𝑢. ¿Cuál es su ganancia de corriente?
10𝑚𝑚𝑚𝑚
𝛽𝛽 = = 250
40𝑢𝑢𝑢𝑢
Ejercicio 1.2: Un transistor tiene una ganancia de corriente 𝛽𝛽 = 175. Si la 𝐼𝐼𝐵𝐵 = 0.1𝑚𝑚𝑚𝑚, ¿cuál es la
corriente de colector?
𝐼𝐼𝐶𝐶 = 𝛽𝛽𝐼𝐼𝐵𝐵 = 175 0.1𝑚𝑚𝑚𝑚 = 17.5𝑚𝑚𝑚𝑚

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 1. TRANSISTORES DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)

Según las condiciones de polarización, directa o inversa, los valores de corriente de base, Regiones de Operación
emisor y colector y los voltajes en las junturas variarán, así como la región de operación del 𝑣𝑣𝐶𝐶𝐶𝐶
transistor. En la región activa, el transistor trabajará como un amplificador y en las regiones de
corte y saturación el transistor será un interruptor, abierto y cerrado, respectivamente.
Activo
Corte
directo
Región activa directa: corresponde a una polarización directa de la unión B-E e inversa de la
unión C-B. Aquí, 𝐼𝐼𝐶𝐶 = 𝛽𝛽𝐼𝐼𝐵𝐵 , donde 𝛽𝛽 es la ganancia del transistor, por lo tanto, es la región de 𝑣𝑣𝐵𝐵𝐵𝐵
operación normal del transistor para amplificación. Se logra con un 𝑣𝑣𝐵𝐵𝐸𝐸 ≅ 0.7. 0
Activo
Saturación
Región activa inversa: corresponde a una polarización inversa de la unión B-E y directa de la inverso
unión C-B. Esta región es de uso muy poco frecuente.

Región de corte: aquí se polarizan inversa ambas uniones y no puede generarse corriente de mayoritarios. Los portadores
minoritarios si pueden atravesar las uniones polarizadas en inversa, pero dan lugar a corrientes muy bajas. Se usa en aplicaciones
de conmutación en el modo apagado, donde el transistor actúa como un interruptor abierto (c.a, 𝐼𝐼𝐶𝐶 = 0).

Región de saturación: implica polarización directa de ambas uniones. Corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo
encendido. El transistor actúa como un interruptor cerrado (c.c, 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐸𝐸 = 0).

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 1. TRANSISTORES DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)

Existen 3 configuraciones posibles, según la terminal que sea común a la malla de entrada y de salida:
– Emisor común (EC): Es la configuración más utilizada debido a que proporciona tanto ganancia de corriente como de voltaje. Y
sus impedancias de entrada y salida suelen ser aceptables en la mayoría de los casos.
– Colector común (CC) o Seguidor de Emisor: Tiene ganancia de voltaje unitaria. Se utiliza para adaptar etapas con impedancias
muy diferentes, es decir, como etapa intermedia entre una fuente de voltaje de gran impedancia y una carga de impedancia baja.
– Base común (BC): Proporciona una ganancia de voltaje elevada sin inversión de la señal de salida. Aunque también es utilizada
para adaptar impedancias, es la configuración menos usada.

C E E C
B B
B
E C

Emisor Común Colector Común Base Común

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 2. CARACTERÍSTICAS DE ENTRADA Y SALIDA

Para analizar las características del transistor e iniciar el flujo de Polarización NPN Polarización PNP
corriente, un transistor debe estar polarizado, por ejemplo con
dos fuentes DC, 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 y 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 , pero en la práctica solo se usa 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 .
Se requieren dos conjuntos de características para describir el
comportamiento de la configuración EC: uno para la malla de
entrada o malla B-E y uno para la malla de salida o malla C-E.

Curva característica de entrada (𝑖𝑖𝐵𝐵 en función de 𝑣𝑣𝐵𝐵𝐵𝐵 )

Es similar a la curva de un diodo con polarización directa de la

unión NP definida por la ecuación de Shockley. Si el emisor es la
terminal común, la ecuación describe la 𝑖𝑖𝐸𝐸 y como 𝑖𝑖𝐸𝐸 ≈ 𝑖𝑖𝐶𝐶 = 𝛽𝛽𝑖𝑖𝐵𝐵 ,
entonces 𝑖𝑖𝐵𝐵 = 𝑖𝑖𝐸𝐸 /𝛽𝛽. Así como en el diodo, 𝑣𝑣𝐵𝐵𝐵𝐵 para una corriente
determinada, disminuye con la temperatura unos 2 mV/°K:

𝐼𝐼𝑆𝑆 𝑣𝑣 ⁄𝑉𝑉 𝐼𝐼𝑆𝑆 : Corriente de saturación (10−12 𝑎𝑎 10−16 𝐴𝐴 )

𝑖𝑖𝐵𝐵 = 𝑒𝑒 𝐵𝐵𝐵𝐵 𝑇𝑇
𝛽𝛽 𝑉𝑉𝑇𝑇 : Voltaje térmico (25.8𝑚𝑚𝑚𝑚 𝑎𝑎 25°𝐶𝐶)
Curvas característica de entrada
para NPN o PNP
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 2. CARACTERÍSTICAS DE ENTRADA Y SALIDA

Curvas características de salida (𝑖𝑖𝐶𝐶 en función de 𝑣𝑣𝐶𝐶𝐸𝐸 )

Las curvas ideales muestran que 𝑖𝑖𝐶𝐶 es constante e independiente de 𝑣𝑣𝐶𝐶𝐸𝐸 mientras 𝑣𝑣𝐶𝐶𝐸𝐸 > 0.2𝑉𝑉. Si 𝑣𝑣𝐶𝐶𝐶𝐶 > 𝑣𝑣𝐵𝐵𝐵𝐵 , la unión C-B
está polarizada en inversa. En estas condiciones, los electrones no pueden cruzar del colector a la base. Así, el número de
electrones que fluyen hacia la base y pasan al colector depende sólo del grado de polarización directa de la unión del B-E, y es
independiente del grado de polarización inversa de la unión C-B. Para 0.2𝑉𝑉 < 𝑣𝑣𝐶𝐶𝐶𝐶 < 𝑣𝑣𝐵𝐵𝐸𝐸 , la unión C-B está polarizada en
directa, pero sólo por unas pocas décimas de voltio, no lo suficiente como para causar una corriente directa.
Transistor NPN

Curvas características de salida ideales

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 2. CARACTERÍSTICAS DE ENTRADA Y SALIDA

Curvas características de salida (𝑖𝑖𝐶𝐶 en función de 𝑣𝑣𝐶𝐶𝐸𝐸 )

En el EC, las curvas reales de 𝑖𝑖𝐵𝐵 no son tan horizontales, lo que indica que el 𝑣𝑣𝐶𝐶𝐶𝐶 influye en la magnitud de la 𝑖𝑖𝐶𝐶 . La región
activa es la de mayor linealidad, a la derecha de la línea vertical en 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 y arriba de la curva de 𝐼𝐼𝐵𝐵 = 0, es decir, donde las
curvas de 𝐼𝐼𝐵𝐵 son casi rectas y equidistantes; y puede emplearse para amplificar voltaje, corriente o potencia con mínima
distorsión. A la izquierda de 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 ≅ 0.2 se llama región de saturación y por debajo de 𝐼𝐼𝐵𝐵 = 0𝜇𝜇𝐴𝐴 se llama región de corte.

Todos los transistores exhiben una alta resistencia de salida, 𝑟𝑟𝑜𝑜 .

Voltaje Early, 𝑽𝑽𝑨𝑨 ≈ (𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏 𝐚𝐚 𝟑𝟑𝟑𝟑𝟑𝟑𝟑𝟑)

Si las características de la 𝑖𝑖𝐶𝐶 se extrapolan a una 𝑖𝑖𝐶𝐶 = 0, las curvas
interceptan el eje de voltaje en un punto conocido como Voltaje Early.
Curvas características de salida de un EC

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 2. CARACTERÍSTICAS DE ENTRADA Y SALIDA

El transistor puede elevar el nivel de la entrada de AC,

gracias a la transferencia de energía de las fuentes de DC
aplicadas. El análisis o diseño de un amplificador
𝑣𝑣𝐶𝐶𝐶𝐶 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 + 𝑣𝑣𝑐𝑐𝑐𝑐 𝑖𝑖𝐶𝐶 = 𝐼𝐼𝐶𝐶 + 𝑖𝑖𝑐𝑐 transistorizado requiere conocer la respuesta en DC Y AC.
Convención: Por suerte, el teorema de superposición es aplicable y el
Componentes: Total = DC + AC Total = DC + AC análisis DC puede separarse por completo del análisis AC.

Análisis DC:
• En el circuito equivalente en DC conocido como circuito de polarización del transistor, a partir de la recta de carga DC o
recta estática dibujada sobre las curvas características del dispositivo, se establece el punto de operación (punto Q) deseado y
se determina la estabilidad del sistema, por ej., ante las variaciones de la temperatura, cambio de dispositivo o envejecimiento.

Análisis AC:
• En el circuito equivalente en AC, a partir de la recta de carga AC o recta dinámica, se puede determinar la máxima excursión
simétrica, es decir, la máxima señal de entrada 𝑣𝑣𝑖𝑖 para que la salida amplificada 𝑣𝑣𝑜𝑜 se obtenga sin distorsión.
• En el circuito equivalente en AC, con el modelo híbrido del transistor se pueden analizar o diseñar las ganancias de voltaje y
de corriente, e impedancias de entrada y de salida del amplificador.

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 2. CARACTERÍSTICAS DE ENTRADA Y SALIDA

Punto de operación o punto Q

Para amplificadores con transistores, la corriente y voltaje de DC establecen un punto de operación fijo en las características que
definen la región usada para amplificar la señal aplicada. También es llamado punto Q: quiescente (quieto, inmóvil, inactivo).

Si no se utilizara polarización, al principio el dispositivo estaría

totalmente apagado o inactivo, con corriente y voltaje cero, y el
punto Q estaría en el punto A.

El punto B es el mejor punto de operación en función de ganancia

lineal y máxima excursión posible de voltaje y de corriente.

El punto C permitiría una variación positiva y negativa de la señal

de entrada, pero el valor pico a pico se vería limitado por la
proximidad de 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = 0 e 𝐼𝐼𝐶𝐶 = 0.

El punto D sitúa el punto de operación cerca del nivel máximo de

voltaje y potencia. El voltaje de salida excursiona en la dirección
positiva, y por lo tanto se limita si se excede el voltaje máximo.
Puntos Q en las curvas características

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 3. POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT

Análisis DC

Existen varios circuitos de polarización del transistor, algunos más estables que otros. Sin embargo, los pasos dentro de la
metodología del análisis DC para determinar el punto de operación y la estabilidad del sistema, son los mismos.

1. A partir del circuito amplificador, redibuje el circuito equivalente de DC. Reemplace capacitores en DC por circuitos abiertos.
2. En la malla de entrada, a partir de la LVK determine 𝐼𝐼𝐵𝐵 e 𝐼𝐼𝐶𝐶 = 𝛽𝛽𝐼𝐼𝐵𝐵 . La 𝐼𝐼𝐶𝐶 es la ordenada en el punto de operación Q, 𝐼𝐼𝐶𝐶𝑄𝑄 .
3. En la malla de salida, a partir de la LVK determine la ecuación de 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 . El 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 es el valor de la abscisa en el punto Q, 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐸𝐸𝑄𝑄 . La
resistencia que acompaña a la 𝐼𝐼𝐶𝐶 es la resistencia de DC, 𝑅𝑅𝐷𝐷𝐶𝐶 .
4. De la ecuación de 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 despeje la ecuación de 𝐼𝐼𝐶𝐶 , la cual constituye la recta de carga estática DC.
5. De la ecuación de 𝐼𝐼𝐶𝐶 , determine los puntos de corte (𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 , 𝐼𝐼𝐶𝐶 = 0) y (𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = 0, 𝐼𝐼𝐶𝐶 ) para dibujar la recta de carga y marcar el
punto Q (𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶𝑄𝑄 , 𝐼𝐼𝐶𝐶𝑄𝑄 ) en las curvas de características de salida 𝐼𝐼𝐶𝐶 vs 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐸𝐸 .

Los pasos anteriores aplican para el amplificador Emisor C E E C

B B
Común y Colector Común. Mientras que en un B
amplificador Base Común, el objetivo es hallar el punto E C
de operación o punto Q, determinado por (𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶 , 𝐼𝐼𝐶𝐶𝐶𝐶 ).
Emisor Común Colector Común Base Común

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 3. POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT

1. Polarización fija 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 = 0.7𝑉𝑉

Circuito simple, pero 𝐼𝐼𝐶𝐶𝑄𝑄 y 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶𝑄𝑄 dependen de 𝛽𝛽,

que varía entre transistores iguales. El aumento
de 𝐼𝐼𝐶𝐶 , incrementa la temperatura en el transistor.
Por ello es muy difícil fijar el punto Q que se
1 desplaza a lo largo de la recta de carga con
cambios de transistor o de temperatura.
Circuito de polarización fija Circuito equivalente de DC

2 3
De la LVK en la malla B-E se obtiene: De la LVK en la malla C-E se obtiene:
𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 −𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝐼𝐼𝐶𝐶 𝑅𝑅𝐶𝐶 + 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = 0 ⇒
−𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 + 𝐼𝐼𝐵𝐵 𝑅𝑅𝐵𝐵 + 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 = 0 ⇒ 𝐼𝐼𝐵𝐵 =
𝑅𝑅𝐵𝐵
𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 𝑽𝑽𝑪𝑪𝑬𝑬𝑸𝑸 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝑰𝑰𝑪𝑪𝑪𝑪 𝑅𝑅𝐶𝐶
como 𝑰𝑰𝑪𝑪 = 𝜷𝜷𝑰𝑰𝑩𝑩 ⇒ 𝑰𝑰𝑪𝑪𝑪𝑪 =
𝑅𝑅𝐵𝐵 /𝛽𝛽 𝑹𝑹𝑫𝑫𝑫𝑫 = 𝑅𝑅𝐶𝐶

Malla B-E de entrada Malla C-E de salida

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 3. POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT

1. Polarización fija
1 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 1 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶
4 De 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝐼𝐼𝐶𝐶 𝑅𝑅𝐶𝐶 se despeja la ec. de la Recta de carga estática DC: 𝑰𝑰𝑪𝑪 = − 𝑽𝑽𝑪𝑪𝑬𝑬 + 𝑰𝑰𝑪𝑪 = − 𝑽𝑽𝑪𝑪𝑬𝑬 +
𝑅𝑅𝐶𝐶 𝑅𝑅𝐶𝐶 𝑅𝑅𝐷𝐷𝐷𝐷 𝑅𝑅𝐷𝐷𝐷𝐷

Las curvas características del BJT se sobreponen en la recta de carga del circuito. La 𝑅𝑅𝐶𝐶 en la polarización fija definirá la
pendiente de la ecuación y la intersección entre las dos gráficas. Entre más pequeña sea 𝑅𝑅𝐶𝐶 , más pronunciada será la pendiente.

5 Puntos de corte
Pendiente
1
𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 𝑚𝑚 = −
𝑅𝑅𝐷𝐷𝐶𝐶

𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐 𝑹𝑹𝑫𝑫𝑫𝑫 = 𝑅𝑅𝐶𝐶

Punto de operación Q
𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵
𝑰𝑰𝑪𝑪𝑪𝑪 =
𝑅𝑅𝐵𝐵
𝛽𝛽

𝑽𝑽𝑪𝑪𝑬𝑬𝑸𝑸 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝑰𝑰𝑪𝑪𝑪𝑪 𝑅𝑅𝐶𝐶

Circuito DC de polarización fija Curvas características del dispositivo y
recta de carga del circuito de polarización fija

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 3. POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT

1. Polarización fija
Recta de carga estática DC Si se cambia 𝐼𝐼𝐵𝐵 variando 𝑅𝑅𝐵𝐵 , el punto Q se mueve hacia arriba o abajo de la recta de carga a).
1 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 Si 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 se mantiene fija y 𝑅𝑅𝐶𝐶 se incrementa, la recta de carga variará como se muestra en b).
𝑰𝑰𝑪𝑪 = −
𝑅𝑅𝐶𝐶
𝑽𝑽𝑪𝑪𝑬𝑬 +
𝑅𝑅𝐶𝐶
Si 𝐼𝐼𝐵𝐵 se mantiene fija, el punto Q se moverá como se muestra en b).
Si 𝑅𝑅𝐶𝐶 se mantiene fija y 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 se reduce, la línea de carga se desplaza como se muestra en c).

a) Movimiento del punto Q con el b) Efecto de un nivel creciente de 𝑅𝑅𝐶𝐶 c) Efecto de los valores bajos de 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶
nivel creciente de 𝐼𝐼𝐵𝐵 . en la recta de carga y el punto Q. en la recta de carga y el punto Q.

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 3. POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT

1. Polarización fija ¿y con PNP?

Ejercicio 2.1: Determine para la configuración de polarización fija:

NPN
+𝑽𝑽𝒄𝒄𝒄𝒄

Ejercicio 2.2: Determine el nivel de saturación para el circuito del ej. 2.1:

18
 3. POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT

1. Polarización fija
Análisis por medio de la recta de carga
Ejercicio 2.3: Con la recta de carga de la figura y el punto Q definido, determine los valores requeridos de 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 , 𝑅𝑅𝐶𝐶 y 𝑅𝑅𝐵𝐵 para una
configuración de polarización fija.

𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐

𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠

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 3. POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT

2. Polarización con realimentación de emisor

Es el primer intento de estabilizar el punto Q, agregando una resistencia en el emisor. Cuando 𝐼𝐼𝐶𝐶
aumenta, el 𝑉𝑉𝐸𝐸 aumenta pero el 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 disminuye. Por lo tanto, 𝐼𝐼𝐵𝐵 también disminuye y hace que
𝐼𝐼𝐶𝐶 disminuya, controlando así el aumento de 𝐼𝐼𝐶𝐶 y de la temperatura y mejorando la estabilidad.

2 Con LVK en la malla B-E se obtiene: −𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 + 𝐼𝐼𝐵𝐵 𝑅𝑅𝐵𝐵 + 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 + 𝐼𝐼𝐸𝐸 𝑅𝑅𝐸𝐸 = 0
Recordemos que: 𝐼𝐼𝐸𝐸 = 𝐼𝐼𝐶𝐶 + 𝐼𝐼𝐵𝐵 ⇒ 𝐼𝐼𝐸𝐸 = 𝛽𝛽𝐼𝐼𝐵𝐵 + 𝐼𝐼𝐵𝐵 ⇒ 𝐼𝐼𝐸𝐸 = (𝛽𝛽 + 1)𝐼𝐼𝐵𝐵
Al reemplazar 𝐼𝐼𝐸𝐸 en la malla B-E: −𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 + 𝐼𝐼𝐵𝐵 𝑅𝑅𝐵𝐵 + 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 + (𝛽𝛽 + 1)𝐼𝐼𝐵𝐵 𝑅𝑅𝐸𝐸 = 0
Circuito de polarización
1 con resistor de emisor
Por lo tanto,

𝑅𝑅𝐸𝐸 “aparece como (𝛽𝛽 + 1) 𝑅𝑅𝐸𝐸 ” en la

malla B-E. Como 𝛽𝛽 por lo general es de 50
como o más, el 𝑅𝑅𝐸𝐸 aparece con un valor mucho
más grande en el circuito de la base. Así
entonces 𝑹𝑹𝒊𝒊 es la impedancia reflejada de 𝑹𝑹𝑬𝑬 .
𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵
𝑰𝑰𝑪𝑪𝑪𝑪 =
𝑅𝑅𝐵𝐵
Malla base-emisor o + 𝑅𝑅𝐸𝐸 Malla derivada a partir de 𝐼𝐼𝐵𝐵
𝛽𝛽
Malla de entrada
20
 3. POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT

2. Polarización con realimentación de emisor

Con LVK en la malla C-E se obtiene: 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝐼𝐼𝐸𝐸 𝑅𝑅𝐸𝐸 − 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝐼𝐼𝐶𝐶 𝑅𝑅𝐶𝐶 = 0
Recordemos que como 𝐼𝐼𝐵𝐵 es muy pequeño: 𝐼𝐼𝐶𝐶 ≈ 𝐼𝐼𝐸𝐸
Al reemplazar 𝐼𝐼𝐶𝐶 en la malla C-E: 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝐼𝐼𝐶𝐶 𝑅𝑅𝐸𝐸 − 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝐼𝐼𝐶𝐶 𝑅𝑅𝐶𝐶 = 0
Por lo tanto, 3

La abscisa del punto Q es: 𝑽𝑽𝑪𝑪𝑬𝑬𝑸𝑸 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝑰𝑰𝑪𝑪𝑪𝑪 (𝑅𝑅𝐶𝐶 + 𝑅𝑅𝐸𝐸 )

La resistencia de DC es: 𝑹𝑹𝑫𝑫𝑫𝑫 = (𝑅𝑅𝐶𝐶 + 𝑅𝑅𝐸𝐸 )

Malla colector-emisor o
El voltaje de emisor a tierra es:
Malla de salida

El voltaje de colector a tierra es:

El voltaje de base a tierra es:

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 3. POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT

2. Polarización con realimentación de emisor

define el 𝐼𝐼𝐵𝐵𝑄𝑄 en las características de la figura, donde los diferentes niveles
de 𝐼𝐼𝐵𝐵𝐵𝐵 , mueven el punto Q hacia arriba o hacia abajo de la línea de carga.

La ecuación de la malla colector-emisor define la:

Recta de carga 1 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 1 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶

4 𝑰𝑰𝑪𝑪 = − 𝑽𝑽𝑪𝑪𝑬𝑬 + 𝑰𝑰𝑪𝑪 = − 𝑽𝑽𝑪𝑪𝑬𝑬 +
estática DC: (𝑅𝑅𝐶𝐶 + 𝑅𝑅𝐸𝐸 ) (𝑅𝑅𝐶𝐶 + 𝑅𝑅𝐸𝐸 ) 𝑅𝑅𝐷𝐷𝐶𝐶 𝑅𝑅𝐷𝐷𝐷𝐷

5 Puntos de corte:

𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠
Punto de operación Q:
𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵
𝑰𝑰𝑪𝑪𝑪𝑪 =
𝑅𝑅𝐵𝐵
𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐 + 𝑅𝑅𝐸𝐸
𝛽𝛽
Pendiente:
𝑽𝑽𝑪𝑪𝑬𝑬𝑸𝑸 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝑰𝑰𝑪𝑪𝑪𝑪 (𝑅𝑅𝐶𝐶 + 𝑅𝑅𝐸𝐸 )
𝟏𝟏
𝑚𝑚 = −
Curvas características del dispositivo y recta de carga del 𝑹𝑹𝑫𝑫𝑫𝑫
circuito de polarización con realimentación de emisor. 𝑹𝑹𝑫𝑫𝑫𝑫 = (𝑅𝑅𝐶𝐶 + 𝑅𝑅𝐸𝐸 )
22
 3. POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT

2. Polarización con realimentación de emisor

Ejercicio 3.1: Determine para la configuración de polarización de emisor:

Ejercicio 3.3: Determine el nivel de saturación:

23
 3. POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT

2. Polarización con realimentación de emisor

Ejercicio 3.2: Realice una tabla y compare las corrientes y voltajes de los circuitos del ejercicio 2.1 y del ejercicio 3.1 con el valor
dado de 𝛽𝛽 = 50 y con un valor nuevo de 𝛽𝛽 = 100 . Compare los cambios de 𝐼𝐼𝐶𝐶 y 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐸𝐸 con el mismo incremento de 𝛽𝛽.

Utilizando los resultados en el ejercicio 2.1 y luego

repitiendo con un valor de 𝛽𝛽 = 100 se obtiene:

Se ve que la 𝐼𝐼𝐶𝐶 cambia en 100% debido al cambio de 100% del valor de 𝛽𝛽. El valor de 𝐼𝐼𝐵𝐵 es el mismo y 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 se redujo en 76%.

Utilizando los resultados en el ejercicio 3.1 y luego

repitiendo con un valor de 𝛽𝛽 = 100 se obtiene:

Estabilidad de polarización mejorada: Ahora, el incremento de 𝐼𝐼𝐶𝐶 es de 81% debido al incremento del 100% en 𝛽𝛽. Observe que
𝐼𝐼𝐵𝐵 se redujo, lo que ayuda a mantener el valor de 𝐼𝐼𝐶𝐶 , o a reducir el cambio total de 𝐼𝐼𝐶𝐶 debido al cambio de 𝛽𝛽. El cambio de 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 se
redujo un 35%. En conclusión, el circuito del ej. 3.1 es más estable que el del ej. 2.1 con el mismo cambio de 𝛽𝛽.

24
 3. POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT

2. Polarización con realimentación de emisor

Análisis por medio de la recta de carga

Ejercicio 3.4:
a. Trace la recta de carga para el circuito en las características del transistor.
b. Para un punto Q en la intersección de la recta de carga con 𝐼𝐼𝐵𝐵 = 15𝜇𝜇𝐴𝐴, halle 𝐼𝐼𝐶𝐶𝐶𝐶 y 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐸𝐸𝑄𝑄 .
c. Determine 𝛽𝛽 en el punto Q.
d. Calcule el valor requerido de 𝑅𝑅𝐵𝐵 .

Con 𝐼𝐼𝐵𝐵 = 15𝜇𝜇𝐴𝐴

𝑅𝑅𝐵𝐵 = 910𝑘𝑘Ω
25
 3. POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT

3. Polarización por divisor de voltaje

En la polarización de emisor el 𝐼𝐼𝐶𝐶𝐶𝐶 y 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶 dependen del 𝛽𝛽, el cuál es sensible a la temperatura
y no es muy exacto. La polarización por divisor de voltaje busca eliminar esta dependencia.

El equivalente de Thévenin de la red de la izquierda es:

Circuito de
polarización por
divisor de voltaje
También se suelen llamar 𝑅𝑅𝑇𝑇𝑇 = 𝑅𝑅𝐵𝐵𝐵𝐵 y 𝐸𝐸𝑇𝑇𝑇 = 𝑉𝑉𝑇𝑇𝑇 = 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 .
Malla base-emisor
1
2 LVK en la malla B-E se obtiene: −𝐸𝐸𝑇𝑇𝑇 + 𝐼𝐼𝐵𝐵 𝑅𝑅𝑇𝑇𝑇 + 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 + 𝐼𝐼𝐸𝐸 𝑅𝑅𝐸𝐸 = 0
Recordemos que: 𝐼𝐼𝐸𝐸 = (𝛽𝛽 + 1)𝐼𝐼𝐵𝐵

Al reemplazar 𝐼𝐼𝐸𝐸 en la malla B-E

y despejar 𝐼𝐼𝐵𝐵 se obtiene:
Circuito de DC
Como y (𝛽𝛽 + 1) ≅ 𝛽𝛽, 𝐸𝐸𝑇𝑇𝑇 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 equivalente
𝑰𝑰𝑪𝑪𝑪𝑪 =
Circuito equivalente de Thevenin entonces la ordenada del punto Q es: 𝑅𝑅𝑇𝑇𝑇
+ 𝑅𝑅𝐸𝐸
𝛽𝛽

26
 3. POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT
Circuito DC de polarización
3. Polarización por divisor de voltaje por divisor de voltaje
LVK en la malla C-E se obtiene: 3

La abscisa del punto Q es: 𝑽𝑽𝑪𝑪𝑬𝑬𝑸𝑸 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝑰𝑰𝑪𝑪𝑪𝑪 (𝑅𝑅𝐶𝐶 + 𝑅𝑅𝐸𝐸 )

4 De la ecuación 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 , la Recta de carga estática DC es:

1 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶
𝑰𝑰𝑪𝑪 = − 𝑽𝑽𝑪𝑪𝑬𝑬 +
(𝑅𝑅𝐶𝐶 + 𝑅𝑅𝐸𝐸 ) (𝑅𝑅𝐶𝐶 + 𝑅𝑅𝐸𝐸 )
1 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 Malla colector-emisor
𝑰𝑰𝑪𝑪 = − 𝑽𝑽𝑪𝑪𝑬𝑬 +
𝑅𝑅𝐷𝐷𝐶𝐶 𝑅𝑅𝐷𝐷𝐷𝐷
𝑅𝑅2
𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 = 𝑉𝑉
𝑅𝑅1 + 𝑅𝑅2 𝐶𝐶𝐶𝐶
5 Puntos de corte: Pendiente:
𝑅𝑅𝐵𝐵 = 𝑅𝑅1 ||𝑅𝑅2
𝟏𝟏
𝑚𝑚 = − Punto de operación Q
𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠
𝑹𝑹𝑫𝑫𝑫𝑫
𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵
𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐
𝑹𝑹𝑫𝑫𝑫𝑫 = (𝑅𝑅𝐶𝐶 + 𝑅𝑅𝐸𝐸 ) 𝑰𝑰𝑪𝑪𝑪𝑪 =
𝑅𝑅𝐵𝐵
+ 𝑅𝑅𝐸𝐸
𝛽𝛽
Curvas características del dispositivo y recta de carga
𝑽𝑽𝑪𝑪𝑬𝑬𝑸𝑸 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝑰𝑰𝑪𝑪𝑪𝑪 (𝑅𝑅𝐶𝐶 + 𝑅𝑅𝐸𝐸 )
del circuito de polarización por divisor de voltaje
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 3. POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT

3. Polarización por divisor de voltaje

Ejercicio 4.1: Determine el voltaje de polarización 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 e 𝐼𝐼𝐶𝐶 para la configuración de
polarización del divisor de voltaje:

Analice la independencia de 𝜷𝜷, con 𝜷𝜷 = 𝟓𝟓𝟓𝟓

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