Introducción Facts Analisis
Introducción Facts Analisis
Introducción Facts Analisis
En la definición anterior debe hacerse notar que las palabras “otros controladores
estáticos” implican que puede haber otros controladores estáticos que no estén
basados en electrónica de potencia.
III. Características
El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés
Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que
generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de
electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las
señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de
alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando
una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar
como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es
como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son
como las del BJT.
Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables
hasta entonces, en particular en los Variadores de frecuencia así como en
las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia,
domótica y Sistemas de Alimentación Ininterrumpida, entre otras
aplicaciones.