Electrónica Analógica y

Digital
Materiales semiconductores
Recordando…

Determine el equivalente de Thevenin entre A y B del circuito mostrado en

la figura.
Logro de aprendizaje

Al finalizar la sesión, el estudiante reconoce los principios y fundamentos de

la electrónica analógica, enfatizando en las características principales de los
materiales semiconductores.

Datos/Observaciones
UTILIDAD

ELECTRÓN
Telecomunicaciones

Computación

Control

Datos/Observaciones
Materiales semiconductores

La construcción de cualquier dispositivo electrónico discreto (individual) de

estado sólido (estructura de cristal duro) o circuito integrado, se inicia con
un material semiconductor de la más alta calidad.

Los semiconductores son una clase especial de elementos cuya

conductividad se encuentra entre la de un buen conductor y la de un
aislante.

Tres de los semiconductores utilizados en la construcción de dispositivos

electrónicos son el Ge, Si y GaAs.

Datos/Observaciones
Materiales semiconductores

En general, los materiales semiconductores caen dentro de una de dos

clases: de un solo cristal y compuesto.

Los semiconductores de un solo cristal como el germanio (Ge) y el silicio

(Si) tienen una estructura cristalina repetitiva, en tanto que compuestos
como el arseniuro de galio (GaAs), el sulfuro de cadmio (CdS), el nitruro de
galio (GaN) y el fosfuro de galio y arsénico (GaAsP) se componen de dos o
más materiales semiconductores de diferentes estructuras atómicas.

Datos/Observaciones
Semiconductores

Un material conductor, tiene gran Un aislante es todo lo

cantidad de electrones libres, contrario, por lo cual se dice
permitiendo el flujo de electrones entre que no conduce electricidad.
sus átomos (electricidad) Eje: Plástico
Eje: el cobre.

Un semiconductor, es un material que tiene las propiedades eléctricas de un

conductor y de un aislante, como por ejemplo el Germanio y el Silicio. Este último
el más utilizado en la actualidad para la fabricación de componentes electrónicos.

Silicio
- Fabricación de componentes electrónicos
- Construcción de ladrillos, vidrios y otros materiales
Después del oxígeno, el silicio es el elemento - Silicona para implantes médicos
más abundante en la corteza terrestre en: - Fertilizante en la agricultura
Arena, cuarzo, granito, arcilla, mica, etc.

Datos/Observaciones
Estructura de un semiconductor

Los cuatro electrones de la capa exterior

se comparten entre los átomos vecinos.

Datos/Observaciones
Niveles de energía

Banda de conducción
Banda de conducción
Banda de conducción
Banda prohibida Banda prohibida
Eg > 5 eV Eg = 1.1, 0.67, 1.41 eV
Banda de valencia
Banda de valencia

Banda de valencia

Aislante Semiconductor Conductor

Datos/Observaciones
Ejercicio:

Enlace la columna A con la B:

A B
- Conductores - Nitrógeno, Oxígeno, Carbono, Fósforo
- Aislantes - Silicio, Germanio, Arsenio
- Semiconductores -Plata, Cobre, Oro

Semiconductores:
Son materiales de conductividad intermedia entre la de los metales y la de
los aislantes. La conductividad se modifica en gran medida por la
temperatura, la excitación óptica y las impurezas.

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Datos/Observaciones
Semiconductores:
Cristales: Son materiales que se construyen mediante
la repetición infinita regular en el espacio de
estructuras unitarias idénticas. Es decir, sus átomos
están dispuestos de una manera periódica, llamada
rejilla, a cuyo volumen se le da el nombre de celda
básica. Los más utilizados para construcción de
diodos, son el Germanio y el Silicio.

Según su grado de pureza, pueden ser de dos tipos

Cristales o Cristales o semiconductores
semiconductores extrínsecos:
intrínsecos: Llamados también cristales
Llamados también cristales impurificados, o dopados.
puros.
Datos/Observaciones
Semiconductores

Cristales en estado puro, todos

los átomos
son iguales. (Muy alta pureza).

Tiene el mismo número de electrones libres que de

huecos. Esto se debe a que la energía térmica produce
los electrones libres y los huecos por pares. La tensión
aplicada forzará a los electrones libres a circular hacia
la izquierda y a los huecos hacia la derecha.

Datos/Observaciones
Semiconductor intrínseco

A temperatura ambiente algunos de los enlaces

covalentes se rompen y producen electrones libres y
huecos que contribuyen a la conducción.
Banda de conducción
Electrón libre

Enlace covalente
roto

Huecos
Banda de valencia

Electrón libre

Datos/Observaciones
 ➢La corriente en un semiconductor es debida
a dos tipos de portadores de carga:
HUECOS y ELECTRONES

➢La temperatura afecta fuertemente a las

propiedades eléctricas de los
semiconductores:
mayor temperatura ➔ más portadores de carga ➔
menor resistencia

Datos/Observaciones
Ejemplo
Si un cristal puro de silicio tiene cien electrones libres, ¿cuántos huecos tiene?
¿Qué sucede con el número de electrones libres y huecos si aumenta la temperatura
ambiente?

Datos/Observaciones
Ejemplo / Respuesta

Cuando la energía térmica crea un electrón libre, al mismo tiempo crea

automáticamente un hueco. Por tanto, un cristal puro de silicio tiene el
mismo número de huecos que de electrones libres. Si hay cien electrones
libres, habrá cien huecos.

Una temperatura mayor aumenta las vibraciones a nivel atómico, lo cual

supone la creación de más electrones libres y huecos. Pero
independientemente de la temperatura, un cristal puro de Si tiene la misma
cantidad de electrones que de huecos.

Datos/Observaciones
Semiconductor extrínseco

Se le agregan impurezas, es decir átomos

diferentes de otros materiales (aleaciones).

Proceso conocido como dopaje del cristal de silicio.

TIPO P: TIPO N:

Portadores mayoritarios Portadores mayoritarios

huecos (+) electrones (-)

Datos/Observaciones
Semiconductor extrínseco

Efecto de las impurezas de un donador en la

estructura de la banda de energía.

Datos/Observaciones
Ejemplo:

Un semiconductor dopado tiene 10 000 millones de átomos de silicio y 15

millones de átomos pentavalentes. Si la temperatura ambiente es de 25 ºC,
¿cuántos electrones libres y huecos hay dentro del semiconductor?

Datos/Observaciones
Ejemplo / Respuesta

Cada átomo pentavalente aporta un electrón libre. Por tanto, el

semiconductor tiene 15 millones de electrones libres producidos por el
dopado. Casi no habrá huecos en el semiconductor, ya que los únicos
huecos en el semiconductor son los producidos por excitación térmica.

Datos/Observaciones
Diodo semiconductor

El diodo semiconductor se crea uniendo un material tipo n a un material tipo p (la

unión de un material con un portador mayoritario de electrones a uno con un
portador mayoritario de huecos).

Datos/Observaciones
Diodo semiconductor
Sin polarización aplicada (V = 0 V)

En el momento en que los dos materiales se “unen”, los

electrones y los huecos en la región de la unión se combinan y
provocan una carencia de portadores libres en la región
próxima a la Unión.

Datos/Observaciones
Diodo semiconductor
Condición de polarización en inversa (VD < 0 V)

Mayor apertura de la región de empobrecimiento, la cual crea una barrera demasiado grande para que
los portadores mayoritarios la puedan superar, por lo que el flujo de portadores mayoritarios se reduce
efectivamente a cero.
Sin embargo, se producen vectores de flujo de portadores minoritarios…

La corriente en condiciones de polarización en inversa, se llama corriente de saturación en

inversa y está representada por Is.

Datos/Observaciones
Diodo semiconductor

Condición de polarización en directa (VD>0 V)

La condición de polarización en directa o “encendido”, se establece aplicando el potencial
positivo al material tipo p y el potencial negativo al tipo n.

La aplicación de un potencial de polarización en directa VD, “presionará” a los electrones en el material tipo
n y a los huecos en el material tipo p para que se recombinen con los iones próximos al límite y reducirá el
ancho de la región de empobrecimiento.
Datos/Observaciones
Diodo semiconductor
Condición de polarización en directa (VD>0 V)
En cuanto se incrementa la magnitud de la polarización aplicada, el ancho de la región de
empobrecimiento continuará reduciéndose hasta que un flujo de electrones pueda atravesar
la unión, lo que produce un crecimiento exponencial de la corriente.

Datos/Observaciones
Comparación de diodos de Ge, Si y GaAs

Datos/Observaciones
Características del diodo semiconductor de Si

Datos/Observaciones
Características del diodo semiconductor

Con valores positivos de VD el primer término de la

ecuación crecerá con rapidez y anulará por completo el
efecto del segundo término. El resultado es la ecuación que
se muestra debajo, la cual sólo tiene valores positivos y
adopta la forma exponencial.

Con valores negativos de VD el término exponencial se

reduce con rapidez por debajo del nivel de I y la ecuación
resultante para ID es:

Datos/Observaciones
Características del diodo semiconductor
Región Zener

Hay un punto donde la aplicación de un

voltaje demasiado negativo producirá un
cambio abrupto de las características.

La corriente se incrementa muy rápido

en una dirección opuesta a la de la
región de voltaje positivo.

El potencial de polarización en inversa,

que produce este cambio dramático de
las características, se llama potencial
Zener y su símbolo es VZ.

A una temperatura fija, la corriente de saturación en inversa de un diodo se incrementa con un incremento de
la polarización en inversa aplicada.

Datos/Observaciones
Ideas básicas

Diodo.
a) Símbolo eléctrico
b) Polarización directa
Datos/Observaciones
Efectos de la temperatura
En la región de polarización en directa
las características de un diodo de silicio
se desplazan
a la izquierda a razón de 2.5 mV por
grado centígrado de incremento de
temperatura.

En la región de polarización en inversa

la corriente de saturación en inversa de
un diodo de silicio se duplica por cada
10°C de aumento de la temperatura.

Datos/Observaciones
Ejemplo

Con un cambio de 20°C a 100°C, el nivel de Is se incrementa desde 10 nA

hasta un valor de 2.56 µA, el cual es un incremento significativo de 256
veces.

Datos/Observaciones
Aproximaciones de los diodos

Existen tres aproximaciones para analizar circuitos con diodos

semiconductores.
La opción que se seleccione dependerá de la exactitud
deseada en los cálculos del circuito.
La primera aproximación de un diodo, llamada
”aproximación ideal”, considera al diodo polarizado
directamente como un interruptor cerrado y una caída
de voltaje de cero volts

Datos/Observaciones
Aproximaciones de los diodos - Primera aproximación

Del mismo modo, esta

aproximación considera al diodo
en polarización inversa, como un
circuito abierto, con una corriente
cero

curva característica del diodo en su aproximación ideal.

Datos/Observaciones
Aproximaciones de los diodos - Segunda aproximación

La Segunda Aproximación del diodo considera al diodo

polarizado directamente como un diodo ideal en
serie con una batería
Para el diodo de silicio, esta batería es de 0.7 V, el mismo valor
de la barrera de potencial VB, en la unión p-n.
En polarización inversa, esta aproximación considera al
diodo como un interruptor abierto

Datos/Observaciones
Aproximaciones de los diodos - Segunda aproximación

Curva característica de polarización directa e inversa de esta aproximación.

Datos/Observaciones
Aproximaciones de los diodos - Tercera aproximación

La tercera aproximación contiene la resistencia de los

materiales p y n, y se le denomina rB
En polarización directa, esta aproximación incluye, además
de la resistencia rB, el voltaje de la barrera de potencial
El valor de rB depende del nivel de doping y del tamaño de los
materiales.
En esta aproximación, la caída de voltaje VF , en polarización
directa se calcula:

De la ecuación podemos observar que, en polarización directa, la resistencia rB causa un

pequeño incremento en el voltaje VF cuando se incrementa la corriente IF

Datos/Observaciones
Aproximaciones de los diodos - Tercera aproximación

La figura muestra la tercera

aproximación del diodo en
polarización inversa, en la
cual se observa un interruptor
abierto en paralelo, con una
resistencia de un valor muy
grande, la cual, en
consecuencia, permite el paso
de una corriente de fuga IR,
muy pequeña

Curva característica de polarización directa e inversa de

esta aproximación.

Datos/Observaciones
Práctica - Ejercicio

Para ilustrar el uso de

las tres aproximaciones
del diodo, resolveremos
el circuito de la figura
mostrado a) para
obtener el voltaje y la
corriente de carga.

Datos/Observaciones
Solución - Primera aproximación

Datos/Observaciones
Solución - Segunda aproximación

Datos/Observaciones
Solución - Tercera aproximación

Datos/Observaciones
Ejercicio:

- Compruebe los resultados obtenidos en el ejercicio anterior (tres

aproximaciones).
- Descargue el software Ltspice e implemente el circuito de la figura.
https://www.analog.com/en/design-center/design-tools-and-calculators/ltspice-simulator.html

- Efectúe la simulación. Anote los resultados obtenidos.

Datos/Observaciones
Canvas

- Material
- Ejercicios
- Foro de consultas

Datos/Observaciones
Cierre

- ¿Cuáles fueron los tipos de materiales semiconductores estudiados?

- ¿Qué plantea la segunda aproximación del diodo?