UNIVERSIDAD FRANCISCO DE PAULA SANTANDER 1

FACULTAD DE INGENIERIA
INGENIERIA ELECTROMECANICA
ELECTRÓNICA DE POTENCIA I

Práctica 1: Caracterización de los semiconductores

de potencia.
Jhon Jairo Galván Rozo – 1090925 Luis Alejandro Remolina Figueroa 1091399

I. INTRODUCCIÓN Este componente es importante en las aplicaciones

para trabajar conmutada mente, como elemento
En este laboratorio se desarrollará y se implementara, un utilizado en electrónica de potencia, en circuitos de
conocimiento sobre los elementos y circuitos y características rectificación y de amplificación, debido a su velocidad
de los dispositivos utilizados en electrónica de potencia, y frecuencia.
gracias a estos dispositivos se aceleró y ejecuto y se facilitó, el
desarrollo de circuitos de potencia, primero a grandes escalas, b) Tiristor bidireccional (Triac)
muy pequeños y con mayores aplicaciones en el mundo de la El triac es similar al tiristor y equivale a un par de
electrónica de potencia. Esto también llevo al cambio de tiristores conectados en forma inversa y en paralelo al
antiguos elementos electrónicos, por la nueva tecnología mismo chip, el triac se activa tanto en sentido directo
favoreciéndolo en un gran campo, ya con los nuevos como en sentido inverso.
dispositivos dieron solución a muchas necesidades que había y
que ayudo a un mejoramiento en dicha área.

II. OBJETIVOS

1. Determinar las características de encendido y apagado

en CD y en CA de:

a. Rectificador de silicio controlado (SCR).

Figura 1. Gráfico de Corriente vs Tensión del Triac.
b. Tiristor bidireccional (Triac).
c. MOSFET-canal N. Un ejemplo es el triac MAC212-4 de Motorola, que
d. BJT-NPN. tiene un voltaje máximo sin riesgo de disparo de 200v
e. IGBT. y una corriente máxima en condiciones de trabajo de
12 A rms.
2. Verificar la operación de los dispositivos El efecto que se produce al aplicar un voltaje alterno
semiconductores del punto anterior, en circuitos de senoidal es que la ruptura en sentido directo ocurre
CA y CD. cuando el voltaje aumenta hasta el valor de ruptura a
partir de ese momento el voltaje en el dispositivo
III. MARCO TEÓRICO permanece bajo.
ANÁLISIS PRELIMINAR:
Estudiar y presentar los siguientes temas:

1. Teoría de operación de los siguientes dispositivos:

SCR, Triac, BJT, y MOSFET. canal N, IGBT.

a) Rectificador de silicio controlado (SCR).

Una de sus características es que posee cuatro capas
de material semiconductor, por ende, conlleva a que
puede comportarse como conductor o como aislante, Figura 2. Control de voltaje: a) tiristor, b) Triac.
también cuenta con tres conexiones: ánodo, cátodo y
gate (puerta).

*
Revista Argentina de Trabajos Estudiantiles. Patrocinada por la IEEE.
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Un ejemplo en CD en un tiristor es usarlo como A ambos lados de la interfase oxido –semiconductor
dispositivo de aplicación de control, para controlar un de han practicado difusiones de material n,
voltaje CD constante. fuertemente dopado n+.

Figura 5. Estructura MOSFET de canal N.

Figura 3. Control de cd por tiristor.

En este dispositivo nos encontramos con tres casos,

El tiristor funciona como interruptor, mediante la según los valores que tome la tensión Vgs.
compuerta para activar o desactivar el dispositivo.
1) VGS=0
En el caso de CA, el tiristor al aplicarle una señal en Esta condición implica que VGB=0, puesto que
la compuerta se recorta el voltaje de alimentación y se VSB=0. En estas condiciones no existe efecto campo
produce un voltaje intermitente, de esta manera, la y no se crea el canal de e- debajo de la puerta. Las dos
señal alterna aplicada a la compuerta modifica el valor estructuras PN se encuentran cortadas (B al terminal
promedio del voltaje cd de salida y por tanto lo más negativo) y aisladas. IDS = 0 aproximadamente,
controla. pues se alimenta de las intensidades inversas de
Otro ejemplo puede ser la corriente alterna que se usa saturación.
en un calentador eléctrico, motores eléctricos o
controladores de intensidad luminosa. 2) La tensión VGS crea la zona de empobrecimiento o
deplexión en el canal. Se genera carga eléctrica
negativa en el canal debido a los iones negativos de la
red cristalina similar a la de una unión PN polarizada
en la región inversa, dando lugar a la situación de
inversión débil anteriormente citada. La aplicación de
un campo eléctrico lateral VDS > 0, no puede generar
corriente eléctrica IDS.

3) La tensión VGS da lugar a la inversión del canal y

genera una población de e- libres debajo del óxido de
puerta y p + al fondo del substrato. Se forma el
CANAL N o canal de electrones, entre el drenador y
Figura 4. Circuito para control de fase. la fuente (tipo n +) que modifica las características
eléctricas originales del sustrato. Estos electrones son
cargas libres, de modo que en presencia de un campo
Este es un ejemplo de un circuito para control de fase, eléctrico lateral podrían verse acelerados hacia D o S.
de resistencia variable y de media onda, la corriente Sin embargo, existe un valor mínimo de VGS para
alterna se aplica en la carga, por ejemplo, en el foco que el número de electrones sea suficiente para
del circuito de control de intensidad luminosa, y en alimentar esa corriente es VTn, denominada
serie con el tiristor, donde r1 es un limitador de TENSIÓN UMBRAL.
corriente y r2 un potenciómetro que establece el valor
a partir del cual se dispara el tiristor, el diodo impide Por lo tanto, se pueden diferenciar dos zonas de
que la parte negativa del ciclo de voltaje alterno se operación para valores de VGS positivos: si VGS <
aplique a la compuerta. VTn la intensidad IDS = 0 (en realidad solo es
aproximadamente cero) y decimos que el transistor
opera en inversión débil. En ella, las corrientes son
c) MOSFET-canal N muy pequeñas y su utilización se enmarca en
Se trata de una estructura de cuatro terminales en la contextos de muy bajo consumo de potencia. Se
que el substrato semiconductor de tipo p poco dopado. considerará que la corriente es siempre cero. De otro
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lado, si VGS >= VTn, entonces IDS distinto de cero, base, o lo que es lo mismo una tensión VBE positiva.
si VDS es no nulo. Se dice que el transistor opera en De igual manera, para polarizar la unión de colector
inversión fuerte. en inversa hay que aplicar una tensión VCB negativa.

Por ende, podemos llegar a una conclusión que dicho Es de saber que para que el transistor BJT se apague
elemento o dispositivo se puede considerar como un se debe o se ínsita un pulso de corriente negativa, para
resistor controlado por voltaje, dado que VGS remover la carga almacenada y reducir el tiempo de
modifica la resistencia entre S y D (RDS). La caída de almacenamiento.
voltaje entre D y S, genera un efecto que se opone el
efecto de VGS, y la corriente alcanza un valor de
saturación. La mayoría de MOSFET requieren de un
VGS entre 8 y 12 V, para conducir con baja
resistencia.

d) BJT-NPN
El transistor es un dispositivo de tres zonas o capas.
Podemos tener una zona de material tipo n en medio
de dos zonas de material tipo p, en este caso se
denomina transistor pnp, o bien tener una zona tipo p Figura 7. Circuito de apagado para BJT.
con dos zonas tipo n a cada lado, en cuyo caso
estaríamos hablando de un transistor npn. El capacitor permite el pico del pulso positivo de
corriente para el encendido, y el negativo para el
apagado.

e) IGBT
El IGBT es un dispositivo electrónico que
generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es
un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta
tensión.
Este dispositivo posee la característica de las señales
de puerta de los transistores de efecto campo con la
capacidad de alta corriente y bajo voltaje de
Figura 6. Análisis de corrientes del BJT NPN y PNP. saturación del transistor bipolar, combinando una
puerta aislada FET para la entrada de control y un
En esta figura podemos observar de las tensiones y transistor bipolar como interruptor en un solo
corriente del BJT, ya al sacar una conclusion de ello, dispositivo.
podemos afirmar que cuando hablábamos de la unión
p-n veíamos que teníamos dos posibilidades de
polarización de la misma, de tal forma que el diodo
tenía dos posibles estados o zonas de trabajo: en
directa y en inversa. De esta forma, si polarizamos las
dos uniones en directa, diremos que el transistor está
trabajando en la zona de saturación. En el caso de que
la unión de emisor la polaricemos en directa y la
unión de colector en inversa, estaremos en la zona
activa. Cuando las dos uniones se polarizan en
inversa, se dice que el transistor está en la zona de Figura 8. Circuito interno del IGBT.
corte. Por último, si la unión de emisor se polariza en
inversa y la unión de colector Tema 4. El Transistor El apagado y encendido de estos dispositivos se da
de Unión Bipolar. 82 en directa, el transistor se Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta,
encuentra en activa inversa. el IGBT enciende inmediatamente, la corriente de
colector IC es conducida y el voltaje VCE se va desde
Como acabamos de ver un transistor está trabajando el valor de bloqueo hasta cero. La corriente IC persiste
en la zona activa cuando la unión de emisor se para el tiempo de encendido en que la señal en la
polariza en directa y la unión de colector en inversa. puerta es aplicada. Para encender el IGBT, el terminal
En el caso de un transistor pnp, para polarizar la unión C debe ser polarizado positivamente con respecto a la
de emisor en directa habrá que aplicar una tensión terminal E. La señal de encendido es un voltaje
positiva del lado del emisor, negativa del lado de la positivo VG que es aplicado a la puerta G.
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Este voltaje, si es aplicado como un pulso de Puede funcionar tanto como rectificador de los
magnitud aproximada de 15 volts, puede causar que el semiciclos positivos como negativos.
tiempo de encendido sea menor a 1 s, después de lo En estado de bloqueo o no conducción, se pueden
cual la corriente de colector ID es igual a la corriente utilizar como conmutadores de alta resistencia interna.
de carga IL (asumida como constante). Una vez Por su poder de amplificación pueden
encendido, el dispositivo se mantiene así por una ser amplificadores de corriente.
señal de voltaje en el G. Sin embargo, en virtud del
control de voltaje la disipación de potencia en la
puerta es muy baja.

2. Características de los dispositivos semiconductores de

potencia (Datasheet, identificación de terminales,
interpretación de valores nominales).

a) SCR: es un tipo de tiristor formado por cuatro capas de

material semiconductor con estructura PNPN o bien
NPNP, También posee tres conexiones: ánodo,
cátodo y gate (puerta), son utilizados en electrónica de Figura 11. Características del TRIAC.
potencia, en el campo del control, especialmente en el
de motores, debido a que pueden ser usados como
interruptor de tipo eléctrico.

Figura 12. Símbolo, sección longitudinal y circuito

Figura 9. Características del SCR. equivalente del TRIAC.

c) BJT: El transistor bipolar es un dispositivo formado por

tres regiones semiconductoras, entre las cuales se
forman unas uniones (uniones PN), Siempre se ha de
cumplir que el dopaje de las regiones sea alterno, es
decir, si el emisor es tipo P, entonces la base será tipo
N y el colector tipo P. Esta estructura da lugar a un
transistor bipolar tipo PNP. Si el emisor es tipo N,
entonces la base será P y el colector N, dando lugar a
un transistor bipolar tipo NPN, El transistor se fabrica
sobre un substrato de silicio, en el cual se difunden
impurezas, de forma que se obtengan las tres regiones
antes mencionadas, El transistor bipolar es un
Figura 10. Símbolo, sección longitudinal y circuito equivalente
del SCR.
dispositivo de tres terminales gracias al cual es
posible controlar una gran potencia a partir de una
pequeña.
b) TRIAC: El triac es una versión bidireccional del
tiristor. Las curvas características de un transistor la
El circuito de mando es más sencillo por la existencia representación gráfica de las relaciones entre sus
de un solo electrodo. corrientes y tensiones. Esta información es muy útil
para el diseñador a la hora de elegir uno u otro
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transistor para un circuito, pues permite tanto observar
todas las características del mismo, como realizar el
diseño en sí.
En la siguiente figura se representará las
características de curvas del emisor común.

Figura 15. Características nominales del 2N4401.

Figura 13. Curvas características en emisor común.

Región de corte. Cuando no circula corriente por el

emisor del transistor, lo cual se puede aproximar
como la no circulación de corriente por el colector y la
base, luego la zona corresponde a corriente
IB=IE=IC=01.

Región de saturación. En esta región se verifica que la

tensión colector-emisor es muy pequeña (VCE ≤ Figura 16. Tabla de características del 2N4401.
0,2V, zona próxima al eje de coordenadas).
d) MOSFET. canal N: En este dispositivo nos
encontraremos con las siguientes características, La
Región activa. El resto del primer cuadrante estructura MOS está compuesta de dos terminales y
corresponde a la región activa. tres capas: Un Substrato de silicio, puro o poco
dopado p o n, sobre el cual se genera una capa de
óxido de silicio (SiO2) que, posee características
En la siguiente grafica se presentará las características
dieléctricas o aislantes, lo que presenta una alta
de las regiones del
impedancia de entrada. Por último, sobre esta capa, se
bjt.
coloca una capa de Metal (Aluminio o poli silicio),
que posee características conductoras.

Y algunas de sus mejores características son las

siguientes:

-Máxima tensión drenador-fuente.

-Máxima corriente de drenador.
-Resistencia en conducción.
-Tensiones umbral y máximas de puerta.
-Velocidad de conmutación.

Figura 14. Características de las regiones de corte del BJT. MOSFET IRF540
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Figura 20. Valores máximos 60NG0.

Figura 17. Estructura y diagrama esquemático interno

IRF540.

Figura 21. Características 60NG0.

3. Características de encendido y apagado de los

dispositivos semiconductores de potencia.
Figura 18. Valores máximos IRF540.
a) El encendido del SCR puede ser por:

e) IGBT: es un dispositivo semiconductor que Aplicación de ig en compuerta

generalmente se aplica como interruptor controlado en Por alta temperatura (corriente inversa)
circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo Por luz (LASCR)
posee la característica de las señales de puerta de los Por alto voltaje (avalancha) •Por dv/dt alto.
transistores de efecto campo con la capacidad de alta El SCR se apaga cuando Iak<H.
corriente y bajo voltaje de saturación del transistor
bipolar, combinando una puerta aislada FET para la Cuando un rectificador de silicio controlado se
entrada de control, un transistor bipolar como encuentra en circuito abierto o apagado, tendrá como
interruptor en un solo dispositivo. El circuito de resultado muy alta resistencia entre el ánodo y el
excitación del IGBT es como el del MOSFET, cátodo. En el encendido se aplica un pulso de disparo
mientras que las características de conducción son positivo de corriente a la compuerta G del (SCR), del
como las del BJT. estado abierto o apagado, este se activa entrando en
funcionamiento, es de aclarar que, si no existiera este
IGTB 60NG0: pulso, no circulara corriente entre el ánodo y el
cátodo, el mismo que permanecerá en conducción o
encendido cuando se le retire, actúa como un
interruptor cerrado.
Si se disminuye la corriente en la compuerta, en CD
esto puede generar un problema, por ende, se debe
generar un tipo de interrupción ya sea forzado o
instalad o algún tipo de sistema que lleve la corriente
a cero. En el caso de CA se debe permitir un 45% o
50% de la señal, para que entre en conducción.
Figura 19. Estructura interna 60NG0.
b) TRIAC:
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I. Diseñar los circuitos de CA y CD, en donde se apliquen

los semiconductores del punto anterior.

I. ANÁLISIS PRELIMINAR:

4. Circuitos básicos de encendido y apagado del SCR,

TRIAC y MOSFET canal N, IGTB.

a) SCR:

Figura 22. Características de encendido TRIAC.

c) BJT: El BJT es un dispositivo controlado por corriente.

El circuito de disparo (base driver) de un BJT debe
suministrar una corriente suficiente, para mantener el
transistor conduciendo en condición de saturación (iB
>ic/βf). La ganancia típica de un BJT está en el orden
de 5 a 10. Para mejorar la ganancia se utiliza la
configuración Darlington Además de suministrar
permanentemente la corriente de conducción, el driver Figura 23. Circuito básico de encendido y apagado SCR.
debe generar inicialmente un pulso de sobre corriente,
con valor pico de ic, para acelerar el proceso de
encendido. b) TRIAC: Atenuador de luz
Para apagar el transistor rápidamente, se debe aplicar
a la base un pulso de corriente negativa, para remover
la carga almacenada y reducir el tiempo de
almacenamiento.

d) MOSFET: MOSFET en modo de mejora como

interruptor, ya que estos transistores requieren un
voltaje de puerta positivo para "ENCENDER" y un
voltaje cero para "APAGAR", lo que los hace fáciles
de entender como interruptores y también fáciles de
Figura 24. Circuito básico de encendido y apagado TRIAC.
interactuar con ellos. puertas lógicas.
e) IGBT: Este voltaje, si es aplicado como un pulso de
magnitud aproximada de 15 volts, puede causar que el c) MOSFET:
tiempo de encendido sea menor a 1 s, después de lo
cual la corriente de colector ID es igual a la corriente
de carga IL (asumida como constante). Una vez
encendido, el dispositivo se mantiene así por una
señal de voltaje en el G. Sin embargo, en virtud del
control de voltaje la disipación de potencia en la
puerta es muy baja.
El IGBT se apaga simplemente removiendo la señal
de voltaje VG de la terminal G, EL IGBT requiere un
valor límite VGE (TH) para el estado de cambio de
encendido a apagado y viceversa.
Figura 25. Circuito básico de encendido y apagado MOSFET.
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d) IGTB:
c) MOSFET CANAL N: interruptor.

Figura 29. Interruptor con MOSFET canal N.

d) IGTB: Circuito de ignición transistorizada.

Figura 26. Circuito básico de encendido y apagado IGBT.

5. Circuitos de aplicación del SCR, TRIAC y MOSFET

canal N, y el BJT.

a) SCR: Rectificador de corriente alterna.

Figura 30. Circuito de ignición transistorizada.

6. Tiempo de recuperación inversa del diodo.

El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no

se efectúa instantáneamente. Si un diodo se encuentra
conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unión P-N
está saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor
densidad de éstos cuanto mayor sea IF. Si mediante la
aplicación de una tensión inversa forzamos la anulación de la
corriente con cierta velocidad di/dt, resultará que después del
paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de
portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten
que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante.
Figura 27. Rectificador de corriente alterna con SCR. La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta
después del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento, en el
que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unión la
zona de carga espacial. La intensidad todavía tarda un tiempo
b) TRIAC: Lámpara controlada con el triac.
tb (llamado tiempo de caída) en pasar de un valor de pico
negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van
desapareciendo el exceso de portadores.
Tiempo de almacenamiento: es el tiempo que transcurre desde
el paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo.

Tb (tiempo de caída) es el tiempo transcurrido desde el pico

negativo de intensidad hasta que ésta se anula, y es debido a la
descarga de la capacidad de la unión polarizada en inverso. En
la práctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la
intensidad hasta el 10 % de éste.
Figura 28. Lampara controlada con TRIAC. Trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb.
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IV. EJECUCIÓN
1. Diseñar los circuitos de encendido C.A. y C.D, de los
siguientes semiconductores:

2. Simular los circuitos anteriores, y capturar: a) Las

formas de onda de voltaje y corriente en la entrada y
salida de cada semiconductor, indicando las
magnitudes. b) Forma de onda de la variable de
control

a. SCR

Figura 33. Simulación del circuito de encendido del SCR en AC.

b. TRIAC

Figura 30. Circuito de encendido del SCR en DC.

Figura 34. Circuito de encendido del TRIAC en AC.

Figura 31. Simulación del circuito de encendido del SCR en DC.

Figura 35. Simulación del circuito de encendido del TRIAC en AC.

Figura 32. Circuito de encendido del SCR en AC.

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Figura 39. Simulación del circuito de encendido del MOSFET

M2N6755 en DC.

Figura 36. Circuito de encendido del TRIAC en DC.

Figura 40. Circuito de encendido del MOSFET M2N6755 en AC.

Figura 37. Simulación del circuito de encendido del TRIAC en DC.

c. BJT (NPN)
d. MOSFET canal n

Figura 41. Simulación del circuito de encendido del MOSFET

M2N6755 en AC.

e. IGBT

Figura 38. Circuito de encendido del MOSFET M2N6755 en DC.

Figura 42. Circuito de encendido del IGBT en DC.

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3. Los parámetros de control de los dispositivos
semiconductores de potencia mostrados en su
respectivo Data-sheet al comparar los hallados de
forma experimental muestran una diferencia en su
valor, lo cual permite interpretar que se debe realizar
una excelente toma de datos y conseguir los
respectivos elementos con sus valores y no
aproximados para así acercarse en lo mas posible a los
de los data-sheet.

VI. REFERENCIAS
Figura 43. Simulación del circuito de encendido del IGBT en DC.
CONOCE LAS FUNCIONES Y APLICACIONES DEL TRIAC.
(20 de Febrero de 2020). Obtenido de
https://siaguanta.com/c-tecnologia/triac/
Diodos de potencia. (01 de Abril de 2016). Obtenido de
https://www.uv.es/~marinjl/electro/diodo.html
Hidalgo, R. (02 de Mayo de 2016). APAGADO Y
ENCENDIDO DE UN SCR I. Obtenido de
https://prezi.com/zjhk8lrxela3/apagado-y-encendido-
de-un-scr-
i/#:%7E:text=El%20SCR%20una%20vez%20dispara
do,quitarle%20la%20fuente%20de%20alimentaci%C
3%B3n
Figura 44. Circuito de encendido del IGBT en AC.
IGBT Como funciona Como encenderlo y apagarlo. (19 de
Julio de 2017). Obtenido de
https://slideplayer.es/slide/4070504/
Robbins, A. H., & Miller, W. C. (2008). Analisis De Circuitos
Electricos/ Circuit Analysis: Teoria Y Practica 4
edición. Col. Cruz Manca, Santa FeC.P. 05349,
México, D.F.: Cengage LearningEditores, S.A. de
C.V., una Compañía deCengage Learning, Inc.

Figura 45. Simulación del circuito de encendido del IGBT en AC.

V. CONCLUSIONES

1. El TRIAC se puede emplear para controlar grandes

flujos de potencia, esto se evidencia en la Figura 34,
donde se observa que se conecta a una fuente de
tensión más alta que los demás semiconductores de
potencia, esto es clave para la aplicación en los
motores.
2. Los circuitos en los que se implementó el TRIAC son
muy similares a los que se implementaron con el SCR
ya que el TRIAC es básicamente la conexión en anti
paralelo de los SCR.