Electronica 2

“ESCUELA ELECTRÓNICA MONTERREY”
CAPÍTULO 2
CIRCUITOS AMPLIFICADORES
2A. TRANSISTOR BIPOLAR (BJT).
La palabra transistor se deriva de los vocablos:
Trans, de la palabra transferencia, y sisto, de la palabra resistor, los cuales en conjunto quiere
decir, transferencia de resistencia.
El transistor es un dispositivo cuya función es transferir una corriente, de una sección de baja
resistencia a otra sección de alta resistencia, como se verá más adelante.
Existen dos tipos de transistores bipolares: NPN y PNP.
Fig. 2.1 Símbolos y terminales del transistor, a) NPN, b) PNP.
El transistor se representa con la letra "Q".
El nombre de estos tipos de transistores proviene de su construcción por regiones. Así, el

transistor N-P-N se construye a partir de dos regiones tipo N y de una región más delgada tipo P; lo
contrario sucede para el transistor P-N-P, que se construye a partir de dos regiones tipo P y de una
región más delgada tipo N.
Fig. 2.2 Construcción por regiones, a) NPN, b) PNP.

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Dependiendo de la capacidad de corriente que maneje, el transistor se clasifica en dos tipos:
a).- Transistores de señal.- son aquellos que trabajan con corrientes pequeñas (mA), por lo tanto,
disipan muy poca potencia y pueden operar perfectamente a frecuencias altas (del orden de Khz y
Mhz.).
b).- Transistores de potencia.- son aquellos que trabajan con corrientes grandes (Amperes), por lo tanto,
disipan grandes cantidades de potencia y ofrecen una mejor respuesta a frecuencias bajas (en el orden
de Hz.).
Fig. 2.3 Tipos de encapsulados, formas físicas del transistor.
Para analizar el flujo de la corriente a través de un transistor nos auxiliaremos del siguiente
circuito experimental. En él se representa por regiones un transistor tipo N-P-N, al cual se le ha
conectado un medidor de corriente (amperímetro) y un resistor limitador en cada una de sus terminales.
Fig. 2.4 Funcionamiento del transistor.
Como se aprecia en el circuito, una pila (Vbe) es utilizada para alimentar la unión base-emisor,
y una batería (Vbc) es utilizada para alimentar la unión base-colector. Si cerramos el interruptor SW1 y
SW2 lo mantenemos abierto, se puede observar que la unión base-emisor se polariza de tal manera que
exhibe una baja resistencia (diodo polarizado en directa), estableciéndose un flujo de corriente de
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emisor a base el cual será indicado por los amperímetros A1 y A2, ésta lectura será la misma para
ambos amperímetros. Si ahora abrimos SW1 y cerramos SW, se observa que la unión base-colector se
polariza de tal manera que exhibe una alta resistencia (diodo polarizado en inversa), esto hará que al
flujo de corriente a través de la unión base-colector sea casi cero, indicado por los amperímetros A2 y
A3. Pero, ¿Qué sucede al mantener cerrados ambos interruptores? Lo que sucede es lo siguiente: los
electrones presentes en el cristal tipo P debido a la polarización directa de base-emisor, tienden a ser
atraídos, unos por el potencial positivo de Vbe hacia la base y otros por lo delgada de la base el alto
potencial positivo de Vce hacia el colector, los electrones atraídos hacia la base son en mucha menor
cantidad que los que son atraídos hacia el colector, por lo que se puede considerar una cantidad
prácticamente despreciable. Se aprecia entonces que en el transistor fluyen tres corrientes diferentes,
una que entra por el emisor y que llamaremos corriente de emisor (IE), otra que sale por la base y que
llamaremos corriente de base (Ib) y una más que sale por el colector (IC), por lo tanto la corriente de
emisor es igual a la suma de la corriente de base más la corriente de colector.
Ie = Ib + Ic.
Donde si la Ib se considera despreciable, tenemos que:
Ie = Ic.
Ahora, si suponemos que la baja resistencia de base-emisor es igual a 100 y la alta resistencia
de base-colector es igual a 100K, y una Ie = Ic = 0.0001Amp., ésta misma corriente producirá dos
diferentes caídas de voltaje en el transistor, una de 0.01 V en la unión base-emisor y otra de 100 V en la
unión base-colector, debido al efecto en que las dos resistencias internas en el transistor entre base y
emisor así como entre base y colector parecen haberse invertido (de aquí el nombre de transistor). Este
es el principio del transistor para ser utilizado como amplificador.
De lo anterior podemos resumir que el transistor es un dispositivo controlado por corriente, ya

que las variaciones de la gran corriente de colector dependen de pequeñas variaciones de la corriente de
base.
2A1. POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR.
Se concluye entonces que, para lograr que el transistor opere como tal, es necesario aplicarle
dos polarizaciones:
Entre base y emisor: POLARIZACIÓN DIRECTA.
Entre base y colector: POLARIZACIÓN INVERSA.
Existen tres configuraciones en el transistor y que el fabricante emplea para poder variar las
impedancias, ganancias desfasamiento, etc., y estas son: Emisor común, base común y colector común.
Siendo la más típica la de emisor común que estudiaremos más adelante.
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2A2. PRUEBAS CON EL OHMIMETRO.
Fig. 2.5 Pruebas del transistor con el ohmiómetro.
Cabe mencionar que algunos transistores, sobre todo los de potencia incorporan un diodo entre
colector y emisor, para eliminar el voltaje contra electromotriz cuando la carga del transistor es una
bobina. Así como también, un resistor entre base y emisor para compensar la polarización del transistor
contra efectos de la temperatura.
Fig. 2.6 Transistor que incorpora un diodo y un resistor.
2A3. APLICACIONES DEL TRANSISTOR.
Básicamente el transistor tiene dos aplicaciones:
a).- Como INTERRUPTOR.

b).- Como AMPLIFICADOR.
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2A4. EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR.
Cuando se emplea el transistor como interruptor, se hace trabajar en sus regiones de saturación
y corte.
Región de saturación.
Se presenta cuando la unión base emisor es polarizada directamente, lo que provoca que la
resistencia colector-emisor sea muy baja (idealmente cero), siendo por lo tanto, el voltaje colector
emisor igual a cero (Vce = 0) y la corriente de colector máxima (Ic = máxima).
Bajo estas condiciones, se dice que el transistor se comporta como interruptor cerrado entre
colector y emisor.
Región de corte.
Se presenta cuando la unión base emisor es polarizada inversamente, lo que provoca que la
resistencia colector-emisor sea muy alta (idealmente infinita), siendo por lo tanto, el voltaje colector-
emisor máximo (Vce = máximo) y la corriente de colector cero (Ic = 0).
Bajo estas condiciones, se dice que el transistor se comporta como interruptor abierto entre
colector y emisor.
Fig. 2.7 a) Curvas características del transistor mostrando

la región de corte y de saturación transistor como interruptor
b) Cerrado (en saturación), c) Abierto (en corte).
Nota: Vcc es la abreviación que significa en plural voltaje de colectores o voltaje de colector-colector,
ya que alimenta a todos los colectores de los transistores que forman un circuito.
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Como se observa en la figura 2.7b, una pila (Vbb) polariza directamente la unión base-emisor, a
través de un resistor de base (Rb) que sirve para limitar la corriente de base (Ib). En colector hay un
potencial positivo proporcionado por la batería (Vcc), esto provoca que el transistor entre en la región
de saturación, conduciendo de emisor a colector (interruptor cerrado). En estas condiciones, el resistor
de carga (RL) queda en paralelo a la batería, fluyendo por ello una corriente (Ic = IL), cuya intensidad
depende de el valor de RL y el VCC la carga y puede ser determinada mediante la ley de Ohm.
Ic = VCC Por ejemplo: Si VCC = 12 V.

RL RL = 12 ohms.
Entonces:
IC = 12V = 1 Amp.
12
Cabe mencionar que cuando el transistor trabaja en saturación y como entre base-emisor
análogamente existe un diodo, la caída de voltaje entre estas terminales será igual a la barrera de
potencial de dicho diodo.
Como esta corriente en RL fluye también por el transistor, es importante cuidar de que la IC del
transistor que se utilice, tenga por seguridad una Ic de por lo menos el doble de la corriente demandada
por la carga, esto es para evitar que se dañe por exceso de corriente o por sobrecalentamiento.
En la figura 2.7c, la unión base-emisor es polarizada inversamente, por lo que el transistor se

encuentra en corte, de tal forma que la corriente que fluye por el colector es prácticamente cero (por la
muy alta resistencia entre colector y emisor), pero entre colector-emisor tendremos todo el voltaje de la
batería (Vce = Vcc) comportándose así, como un interruptor abierto. Cabe mencionar que no es
necesario que la base reciba un potencial negativo como lo muestra le figura, recibiendo un nivel de 0V
(aterrizándola) o dejándola al aire, exhibe el mismo comportamiento.
De lo anterior, podemos concluir que los parámetros o datos técnicos más importantes a
considerar cuando el transistor es utilizado como interruptor son: la corriente de colector (Ic) y el
voltaje colector-emisor (Vce).
Existe un tercer parámetro que para consideraciones de diseño es muy importante, llamado:
Ganancia de corriente, β (Beta) o hfe.
La β (Beta), nos da la relación entre las corrientes de colector y de base, en donde se aprecia
cuantas veces una pequeña variación de la Ib produce grandes variaciones de la Ic, y con ello la
ganancia o amplificación de corriente.
β = Ic
Ib
Un parámetro más que nos indica también ganancia de corriente es el llamado alfa (α) el cual se
mencionará en el tema del transistor como amplificador, así también la relación entre estas dos
ganancias.
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La carga puede conectarse al transistor, también de las siguientes formas:
Fig. 2.8 Diferentes formas de conectar la carga al transistor.
El transistor como interruptor se utiliza para accionar cargas de potencia mediante circuitos de
baja potencia, es decir, como una interfase (etapa intermedia entre otras dos).
Por ejemplo, se necesita energizar una foco de 12 V y 2 Amp., mediante un circuito digital que
entrega en su salida un nivel máximo de 5V.
Fig. 2.9 Circuito para el ejemplo anterior.
Checando los datos, obtenemos que por el transistor fluirá una Ic= 2 Amp., cuando este en
saturación, y habrá un Vce = 12 V, cuando este en corte.
Se puede utilizar el transistor TIP 41C cuyos parámetros máximos son:
Ic = 15 Amp. Vce = 40 V β = 40
Primero calculamos la Ib necesaria para asegurar tener una Ic = 2 Amp. (que es la que demanda
la carga).
β = Ic Ib = Ic = 2 Amp. Ib = 0.05 Amp.
Ib β 40
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Por lo tanto, hay que calcular la Rb para limitar la Ib a 0.05 Amp.
Rb = 5V - Vbe = 5V - 0.7v = 4.3V = 86 ohms.

Ib 0.05 A 0.05A
En el ejemplo anterior, la carga es alimentada con voltaje de directa, de igual manera podemos
alimentar cargas con voltaje alterno, pero agregando al circuito un relevador, con el fin de aislar las
tierras, evitando que la frecuencia del voltaje alterno induzca ruido al circuito digital (a través de la
tierra) y altere su funcionamiento.
Fig. 2.10 Manejo de cargas mediante un relevador.
2A5. EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR.
Antes de estudiar al transistor como amplificador, es necesario definir los siguientes términos:
SEÑAL.
Una señal, es un nivel muy bajo de voltaje y por lo regular de alta frecuencia la cual es
modulada y lleva una información de imagen o sonido. Por ejemplo: la salida de audio de una video
grabadora o compact disc, la cual, es necesario hacerla pasar por circuitos que la eleven de nivel para
poder reproducirla en bocinas.
SEÑALES DE AUDIO FRECUENCIA (AF) Y RADIO FRECUENCIA (RF).
El oído humano es capaz de percibir sonidos que varíen dentro de un rango comprendido entre
15 y 15000 o 20 y 20000 vibraciones por segundo, por lo tanto, todas las señales cuya frecuencia estén
entre esta gama, son considerados como señales de audio frecuencia (AF), y todas aquellas señales
cuya frecuencia sean superior a los 15,000 Hz., son considerados como señales de radio frecuencia
(RF). Dentro de las frecuencias de radio, se ubican las estaciones transmisoras de t.v, banda civil
"C.B.", microondas, etc. Tal y como lo muestra el siguiente espectro de frecuencias.
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ESPECTRO ELECTRÓNICO DE FRECUENCIAS
Frecuencia o longitud Nombre Aplicaciones
de onda
Motores de Cd; solenoides; reveladores; voltajes de
Corriente o voltaje
O Hz cd para electrones de válvula de vacío, transistores y
directo estable.
circuitos integrados
Línea de alimentación de 60 Hz, motores de ca,
amplificadores de audio, micrófonos, bocinas,
16 - 16 000 Hz Frecuencia de audio
grabadoras de cintas, equipos de alta fidelidad,
sistemas de altavoces e intercomunicaciones.
Frecuencias Ondas de sonido para limpieza ultrasónica, pruebas
ultrasónicas o de vibración, medición de espesores, detección de
16 - 30 kHz
radiofrecuencias flujo y sonar: ondas electromagnéticas para la
muy bajas. generación de calor.
Radiocomunicaciones y radiodifusión, incluyendo
televisión, radionavegación, radioastronomía,
30 kHz - 30 000 MHz Radiofrecuencias
aplicaciones industriales, médicas, científicas y
militares.
30 kHz -30 000 MHz o Frecuencias extra Experimentos, radar climático, radioaficionados,
1- 0.1 cm altas gobierno.
30 - 0.76 µm Color, fotografía infrarroja.
0.76 - 0.39 µm Rayos infrarrojos Color, iluminación, fotografía
0.39 - 0.032 µm Luz visible Medición de espesores, inspección y médicas.
0.032 - 1.0-5 µm Radios ultravioleta Esterilización, desodorización, usos médicos.
1.0 x 10-5 - 6.0 x 10-7 Rayos X Detección de radiación; penetración mayor a la de los
Rayos gamma rayos X más intensos.
µm
La más corta de todas las Rayos cósmicos Existen en el espacio; pueden penetrar 70 m de agua
ondas electromagnéticas o 11 m de plomo.
ASIGNACIÓN DE FRECUENCIAS DE LA FCC

(COMISION FEDERAL DE COMUNICACIONES)
DE 30 Khz A 3,000 Khz.
Bandas Asignación Comentarios
174-216 MHz Canales de televisión, 7 a 13 También se emplea para comunicaciones fijas
y móviles.
216-470 MHz Aficionados, gobierno y entidades Radio altímetros, trayectorias de vuelo y
no oficiales, comunicaciones fijas y equipo meteorológico; banda civil en 462.5-
móviles, navegación aérea, banda 465 MHz; aviación civil en 225-400 MHz; la
civil. banda de UHF comienza en los 300 MHz.
470-890 MHz Televisión Canales de televisión 14 a 83 en UHF
890 - 3000 Radionavegación aére, Bandas para radar 1300-1600 MHz
MHz radioaficionados, transmisores de
estudio con retardo, gobierno y
entidades no oficiales,
comunicaciones fijas y móviles.
IEI2-EA-C2-68
3000-30 000 Gobierno y entidades no oficiales, Comunicaciones en frecuencias súper altas
MHz comunicaciones fijas y móviles, (SHF); comunicaciones por satélite 3.7-4.2
radioaficionados, radionavegación. GHz, 5.9-6.4 GHz, 12.2-12.7 GHz, y 17.3-
17.8 GHz.
30 000-3000 Experimental, gobierno, aficionados Frecuencias extra altas (EHF)
MHz
30 - 535 kHz Incluye comunicaciones marítimas Frecuencias de radio bajas y medias.
y de navegación y radionavegación
aeronáutica.
535 - 1605 Banda estándar de radiodifusión Radiodifusión de AM
kHz
30 - 50 Gobierno y entidades no oficiales, Policía, bomberos, guardias forestales,
comunicaciones móviles y fijas. carreteras y trenes; la banda VHF comienza
en 30 MHz
50 - 54 MHz Aficionados Banda de 6 m
54 - 72 MHz Canales de televisión, del 2 al 4 También se emplea para comunicaciones fijas
y móviles
72 - 76 MHz Servicios del gobierno y de Las marcas de inicio para navegación aérea
entidades que no forman parte de se encuentra en 75 MHz
éste
76 - 88 MHz Canales de televisión, 5 y 6. También se emplea para comunicaciones fijas
y móviles
88 - 108 MHz Estaciones difusoras de FM Disponible también para estaciones
radiodifusoras de facsímil; difusión educativa
en FM en 88-92 MHz.
108 - 122 Navegación aérea Localizadores, radiofaro y servicios de
MHz control de los aeropuertos.
122 - 174 Gobierno y entidades no oficiales, Banda para aficionados, 144-148 MHz.
MHz comunicaciones fijas y móviles,
radioaficionados.
AMPLIFICADOR:
Un circuito amplificador es aquel capaz de producir aumento, de voltaje, de corriente y por lo

tanto de potencia sobre una señal de entrada, entregándola en la salida de un nivel mayor.
Fig. 2.11 a) Block amplificado, b) Símbolo general.
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Básicamente existen tres tipos de amplificadores; aquellos que procesan señales de audio (15 a
15,000Hz), conocidos como amplificadores de audio frecuencia, aquellos que procesan señales de radio
(de 15 khz en adelante) llamados amplificadores de radio frecuencia y los amplificadores de video
frecuencia, que esencialmente es un mismo amplificador de radio frecuencia.
Un transistor puede ser utilizado en cualquier de estos tipos de amplificadores.
2B. AMPLIFICADORES DE AUDIOFRECUENCIA (A.F.)
2B1. EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR DE A. F.
En general, cuando se utiliza el transistor como amplificador (AF o RF), hay tres formas de
conectarlo, a éstas se les llama configuraciones, y son: emisor común, base común y colector común.
Antes de operar al transistor como amplificador, es necesario polarizarlo correctamente para su

buen funcionamiento. Existen varias formas de polarizarlo, pero la más utilizada es la llamada
"POLARIZACION UNIVERSAL", la cual se caracteriza por el empleo de una sola batería y de dos
resistores actuando como un divisor de voltaje, encargado de proporcionar la suficiente polarización
directa a la unión base-emisor. La figura 2.12 muestra las tres configuraciones, empleando transistor
NPN y polarización universal.
Fig. 2.12 Configuraciones del transistor con polarización universal,

a) Emisor común, b) Base común y c) Colector común.
Cuando se habla de un amplificador, los parámetros más importantes a considerar del mismo
son: Ganancia de voltaje (Δv) y de corriente (Δi), impedancia de entrada (Zi) e impedancia de salida
(Zo).
La impedancia de entrada (Zi), se define como la resistencia que afecta directamente a la señal
aplicada en la entrada del amplificador.
La impedancia de salida (Zo), se define, como la resistencia que afecta directamente a la carga y
que se conecta en la salida del amplificador.
Se entiende por ganancia en un amplificador, como los aumentos de voltaje, corriente o

potencia que produce sobre la señal de entrada, dichos aumentos se obtienen mediante las siguientes
fórmulas:
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Δv = ganancia de voltaje.
Δi = ganancia de corriente.
Vo = voltaje de salida.
Δv = Vo ; Δi = Io Donde: Vi = voltaje de entrada.
Vi Ii Io = corriente de salida.
Ii = corriente de entrada.
Nota: o = out = salida;

i = in = entrada.
CONFIGURACIÓN DE EMISOR-COMÚN.
En la figura 2.12a, se aprecia dicha configuración, recibe este nombre, ya que la terminal de
emisor es común, tanto para la entrada como para la salida. R1 y R2, forman el divisor de voltaje de
entrada antes mencionado, C1 y C2, son llamados "capacitores de acoplamiento" ya que tienen por
función, acoplar solo la componente de alterna de la señal; C1 a la base del transistor y C2 del colector a
la carga (que puede ser otra etapa de amplificación o la bocina).
Debido a que la unión base-emisor, se polariza en directa, la impedancia de entrada debe ser
baja. Como la unión colector-base se polariza en inversa, las impedancias son moderadas. Por lo
común, la impedancia de entrada se encuentra entre 500 Ω y 1500K Ω y la impedancia de salida entre
30k Ω y 50k Ω.
La ganancia de voltaje se encuentra, en general, entre 300 y 1,000.
La ganancia de corriente, llamada también (Beta) o hfe, es aproximadamente de 25 a 50.
Esta ganancia se obtiene de la relación entre las corrientes de entrada y salida, dada de la
siguiente forma:
IC = Corriente de salida o colector = Ib β = Ic

Ib = Corriente de entrada o base = Ic Ib
De lo anterior, se puede obtener también la ganancia de potencia, como ésta es una función del
cuadrado del voltaje, se puede alcanzar ganancias de potencia de hasta 10,000 más o menos.
CONFIGURACIÓN BASE COMÚN.
En la figura 2.12b, se aprecia dicha configuración. R1, R2, C3 y C1 realizan la misma función,
mencionada para la configuración emisor común.
En esta configuración, la impedancia de salida es muy alta, en general, entre unos 300k Ω
500k Ω. Debido a esta alta relación entre las impedancias de entrada y salida, la ganancia de voltaje es
muy elevada, entre 500 y 1,500 aproximadamente.
Como en esta configuración la corriente de entrada es la IE, y la de salida es la Ic, es lógico

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pensar que ya no se maneja la misma ganancia de corriente que en el caso de la configuración emisor
común.
Para este caso, la ganancia de corriente, llamada α (alfa) es igual:

α = Ic
Ie
Corriente de Salida o colector = IC

Corriente de Entrada o emisor = IE
Debido a que la "IE" es casi igual a la Ic, la ganancia de corriente es muy baja menor que la
unidad, por lo común, entre 0.95 y 0.98. Sin embargo, se pueden obtener ganancias de potencia hasta
de 1,000.
Para fines de diseño, como el fabricante por lo regular proporciona solo el valor de β, se obtiene
una relación entre estas dos ganancias, la cual es:
α = β β= __
β+1 1-
C0NFIGURACIÓN COLECTOR COMÚN.
La figura 2.12c muestra esa configuración que es la menos aplicada y en la cual debido a que la
impedancia de entrada es tan elevada, comparada con la de salida, la ganancia de voltaje de este
circuito es menor de la unidad. Sin embargo, la ganancia de corriente es más o menos la misma que en
la configuración emisor común, de unos 25 a 50.
La ganancia de potencia es la más baja, por lo común, de unos 100, más o menos. De lo
anterior, se puede concluir que la configuración emisor común es la más utilizada de las tres.
OTRAS CARACTERISTICAS DE LA CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN.
Además de lo ya mencionado, la configuración emisor común entrega en la salida la señal

desfasada 180º con respecto a la entrada, esto se muestra en la siguiente figura.
Fig. 2.13 La configuración emisor común desfasa 180º la señal de entrada.
IEI2-EA-C2-72
Lo anterior se explica de la siguiente forma:
Si mediante el voltaje de alimentación, R2, R1 y RL se establece en el colector un voltaje de 5V

(BC), una excursión positiva de la señal de entrada, hace que aumente la polarización directa del
transistor, provocando que la resistencia colector - emisor disminuya, con el consecuente aumento en la
Ic y la disminución del Vc, provocando una excursión negativa en la señal de salida de 5V a 3.5V,
según la figura 2.13.
Y por el contrario, una excursión negativa en la señal de entrada, hace que disminuya la
polarización directa del transistor, lo que provoca que la resistencia colector-emisor aumente,
disminuyendo la Ic, pero aumentando el voltaje de colector, como lo muestra la figura 2.13 de 5V a
6.5V, es decir, una excursión positiva.
Un voltaje pico a pico (Vpp) de 0.1V en la señal de entrada, provoca, un Vpp de 3V en la señal
de salida, es decir, una ganancia de voltaje de 30.
Δv = Vo = 3V =30
Vi 0.1V
Es lógico pensar, que entre más aumente la Ic (disminuya la Rce) y entre más disminuya
(aumente la Rce), mayor será el Vpp de la señal de salida. Obviamente esto depende de la magnitud del
voltaje de entrada, ya que entre mayor sea dicho voltaje, mayor será el voltaje de salida.
Vo = Δv x Vi
Sin embargo, nunca se debe llevar la Ic a su valor máximo (Ic = max o Vce =0), es decir, llevar
al transistor a saturación (Rce = 0); ya que esto provocaría tener en la salida 0V.
Ni tampoco llevar la Ic a su valor mínimo (Ic = 0 o Vce = máximo); es decir, llevar al transistor
a corte (Rce = max), ya que esto provocaría tener en la salida el voltaje máximo, que para el caso de la
figura 2.13 sería Vcc = 10V. Esto nos llevaría a tener en la salida una señal recortada (lo que
comúnmente se conoce como distorsión de amplitud), perdiéndose la información original.
Lo anterior se puede corregir controlando la magnitud de la señal de entrada (mediante un

potenciómetro actuando como control de volumen), o bien modificando la polarización, es decir,
aumentando Vcc y encontrando otros valores para R1, R2 y RL.
Para cuestiones de diseño, resulta muy útil recurrir a las curvas características del transistor.
Dichas curvas son gráficas que muestran la Ic y el Vce para diferentes corrientes de base (Ib).
En la figura 2.14, se muestra la curva característica para diferentes condiciones de polarización

y magnitud de la señal de entrada.
La figura 2.14a, muestra el punto de operación del transistor como amplificador (IcQ y VceQ)
dicho punto es fijado mediante la polarización y se recomienda se ubique en el centro de la pendiente
de carga, para lograr la mayor amplitud en la señal de salida.
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Fig. 2.14 Curva característica para diferentes condiciones

de polarización y magnitud de entrada.
Si el punto de operación se ve afectado por fallas en el transistor, en la polarización o por

variaciones en la temperatura (como se verá más adelante), la señal de salida puede aparecer recortada.
Fig. 2.15 Punto de operación alterado, a) Cerca de saturación, b) Cerca de corte.
A continuación se muestran una serie de curvas características para diferentes transistores.
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Fig. 2.16
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2B2. USO DEL MANUAL DE LA ECG (PHILIPS) PARA EL REEMPLAZO DE TRANSISTORES.
1.- Con la matrícula del componente, diríjase al final del manual y localice en la guía por orden
alfanumérico la matrícula que se tiene y vea el reemplazo equivalente.
ECG SEMICONDUCTOR REPLACEMENT GUIDE 2N1405 through 2N2417

To Be ECG To Be ECG To Be ECG To Be ECG To Be ECG To Be ECG To Be ECG
Replaced Replacement Replaced Replacement Replaced Replacement Replaced Replacement Replaced Replacement Replaced Replacement Replaced Replacement
2N1405.............................160 2N1559A....................179 2N1745.....................126A 2N1959A....................128 2N2151.....................75 2N2295........................121 2N2509......................154
2N1406.............................160 2N1560.......................179 2N1476.....................126A 2N1960.......................160 2N2152.....................213 2N2297........................128 2N2510......................128
2N1407.............................160 2N1560A....................179 2N1774.....................126A 2N1960/45..................160 2N2152A..................213 2N2299........................159 2N2511......................128
2N409...............................123 2N1561.......................102 2N1778.....................126A 2N1961.......................160 2N2153.....................213 2N2303........................159 2N2514.....................123A
2N1409A........................123A 2N62...........................102 2N1748.....................126A 21N1962.....................123A 2N2153A..................213 2N2309........................123 2N2515.....................123A
2N410...............................128 2N1564.......................128 2N1750.....................160 2N1963.......................123A 2N2154.....................213 2N2310........................287 2N2516.....................128
2N410A..........................123A 2N1565.......................128 2N1751.....................179 2N1964.......................123A 2N2154A..................213 2N2311........................287 2N2517.....................287
2N411...............................160 2N1566.......................128 2N1752.....................126A 2N1965.......................123A 2N2155.....................213 2N2313........................287 2N2518.....................287
2N1412..........................213 2N1566A....................128 2N1753.....................102A 2N1969.........................100 2N2155A....................213 2N2314......................123A 2N2519.....................287

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2N1542...........................179 2N1700.....................128 2N1893S...................128 2N2097A...................123A 2N2250....................123A 2N2455...................160 2N2672A.................160

2N1542A........................179 2N1702.....................283 2N1905.....................127 2N2098......................160 2N2251....................286 2N2456...................160 2N2672BLK............160
2N1543A........................179 2N1703.....................130 2N1907.....................179 2N2099......................126A 2N2252....................286 2N2459...................287 2N2672GRN............160
2N1544...........................179 2N1704.....................123A 2N1907A..................179 2N2101......................73S 2N2253...................123A 2N2460...................287 2N2673....................123A
2N1544A........................179 2N1705.....................102 2N1917.....................288 2N2102......................128 2N2254...................123A 2N2461...................287 2N2674....................123A
2N1545...........................179 2N1706.....................102 2N1918.....................288 2N2102L...................128 2N2255...................123A 2N2462...................287 2N2675....................123A
2N1545A........................179 2N1707.....................102 2N1919.....................159 2N102S......................128 2N2256...................123A 2N2463...................128 2N2676....................123A
2N1546...........................179 2N1708.....................123A 2N1920.....................159 2N2104......................159 2N2257...................123A 2N2464...................128 2N2677....................123A
2.- Con el número de reemplazo obtenido diríjase al inicio del manual en la sección marcada
(índice del producto) y localice dicho reemplazo por orden secuencial y vea el número de página que le
corresponde.
Product Index (cont'd).

ECG Page Fig. ECG Page Fig.
Description Description
No. No. No. No. No. No.
96LO2 1-336 D8 IC-TTL Lo Pwr Dual Retriggerable/Resettable 168 1-99 Z23 R-Si, Bridge, 400 PRV, 2 A
Monostable Multivibrador 169 1-99 Z23 R-Si, Bridge, 600 PRV, 2 A
96LS02 1-336 D8 IC-TTL Lo Pwr Schotky dual 170 1-99 Z23 R-Si, Bridge, 1000 PRV, 2 A
Retriggerable/Resettable 171 1-41 T38 T-NPN, Si AF/Vid Amp
96S02 1-336 D8 Monostable Multivibrator 172A 1-41 T16 T-NPN, Si, Darlington Amp, AF, Sw
IC-TTL Schottky Dual Retriggerable/Resettable
Monostable Multivibrador
97 1-39 T28 T-NPN, Si, Pwr Darl HV Amp, Fast Sw 173BP --- Z16 D-Dual Silicon Damper, 500 PRV - Discontinued
98 1-39 T28 T-NPN, Si, Pwr Darl HV Amp, Fast Sw 175 1-41 T25 T-NPN, Si AF PO
99 1-39 T28 T-NPN, Si, Pwr Darl HV Amp, Fast Sw 176 1-41 T6 T-PNP, Ge AF PO
100 1-39 T5 T-PNP, Ge, RF/IF Amp, Osc, Mxr, AM 177 1-93 Z4 D-Si, Gen Purp Det, 200 PRV
101 1-39 T5 T-PNP, Ge, RF/IF Amp, Osc, Mxr, AM 178MP 1-93 Z5 D-Si, AFC, AFT, 50 PRV
102 1-39 T5 T-PNP, Ge AF Preamp, Dr, PO 179 1-41 T28 T-PNP, Ge, AF Amp
102A 1-39 T1 T-PNP, Ge AF Preamp, Dr, PO 179MP 1-41 T28 T-PNP, Ge, Matched Pair of ECG179
103 1-39 T5 T-NPN, Ge AF Preamp, Dr, PO 180 1-41 T28 T-PNP, Si, AF Amp
103A 1-39 T1 T-NPN, Ge AF Preamp, Dr, PO 180MCP 1-41 T28 T-Matched Compl pair of ECG181 and ECG180
104 1-39 T28 T-PNP, Ge AF PO 181 1-41 T28 T-NPN, Si, AF Amp
104MP 1-39 T28 T-PNP, Ge Matched Pair of ECG104 181MP 1-41 T28 T-NPN, Si, Matched Pair of ECG181
105 1-39 T29 T-PNP, Ge, AF PO 182 1-41 T46 T-NPN, Si, AF PO
106 1-39 T2 T-PNP, Si, RF/IF Amp, Osc, Mxr, AM/FM 183 1-41 T46 T-PNP, Si, AF PO
107 1-40 T16 T-NPN, Si, RF/IF Amp, Osc, Mxr, UHF/VHF 184 1-41 T45 T-NPN, Si, AF PO
108 1-40 T16 T-NPN, Si, RF/IF Vid Amp, Osc, Mxr, UHF/VHF 184MP 1-41 T45 T-NPN, Si, Matched Pair of ECG184
109 1-93 Z2 D-Ge, Gen Purp, 100 PRV 185 1-41 T45 T-PNP, Si AF PO
110A 1-93 Z2 D-Ge, Gen Purp, 40 PRV 185MCP 1-41 T45 T-Mactched compl Pair of ECG184 AND ECG185
110MP 1-93 Z2 D-Ge, Matched Pair 186 1-41 T38 T-NPN, Si, AF PO
112 1-93 Z4 D-Si, UHF TV, Mxr 186A 1-41 T39 T-NPN, Si, AF PO/CB Dr
113A 1-93 Z15 D-Dual, Si, Horiz AFC, Common Cathode 187 1-41 T38 T-PNP, Si, AF PO
114 1-93 Z12 D-Dual, Se, Horiz AFC, Series Connected 187A 1-41 T39 T-PNP, Si AF PO
115 1-93 Z12 D-Dual, Se Horiz AFC, Common Anode 188 1-41 T36 T-NPN, Si, AF Dr, PO
IEI2-EA-C2-77
116 1-93 Z3 R-Si, 600 PRV, 1.0 Amp 189 1-41 T36 T-PNP, Si, AF Dr, PO
117A 1-93 Z10 R-Si, 1000 PRV, 1.0 Amp 190 1-41 T36 T-NPN, Si, AF PO, Horiz Dr
118 1-91 H38 R-Se, TV HV, Foc, 7.5 k PRV 191 1-41 T36 T-NPN, Si, HV AF/Vid Amp
119 1-91 H39 R-Se, TV Boost, 560 PRV 192 1-41 T21 T-NPN, Si, AF PO
120 1-93 Z17 R-Se, TV Converge, 18 PRV 192A 1-41 T22 T-NPN, Si, AF PO
121 1-40 T28 T-PNP, Ge, AF PO 193 1-41 T21 T-PNP, Si, AF PO
121MP 1-40 T28 T-PNP, Ge, Matched Pair of ECG121 193A 1-42 T22 T-PNP, Si, AF PO
123 1-40 T6 T-NPN, Si, AF Pream, Dr, Vid Amp, Sync Sep 194 1-42 T16 T-NPN, Si, HV, Gen Purp Amp
123A 1-40 T2 T-NPN, Si AF/RE Amp 195A 1-42 T6 T-NPN, Si, CB RF PO/Dr
123AP 1-40 T16 T-NPN, Si, AF/RE Amp, CB Dr 196 1-42 T41 T-NPN, Si AF PO
124 1-40 T25 T-NPN, Si, HV AF PO 197 1-42 T41 T-PNP, Si, AF PO
125 1-93 Z3 R-Si, 1000 PRV 2.5 A 198 1-42 T41 T-NPN, Si, HV AF, Sw
126A 1-40 T2 T-PNP, Ge RF/IF Amp, Osc, Mixer 199 1-42 T16 T-NPN, Lo Noise, Hi Gain Preamp
127 1-40 T28 T-PNP, Ge, Defl Amp, AF PO 201 1-354 AS34 Connector for Cartridge LED/Lamp Indicator
128 1-40 T6 T-NPN, Si, AF Pream, Dr Vid Amp (2/Pkg)
128P 1-40 T17 T-NPN, Si, Gen Purp Amp, Sw 202 --- --- Circuit Breaker, 1 A
129 1-40 T6 T-PNP, Si, Af Pream, Dr, Vid Amp 204 --- C2 Circuit Breaker, 2 A- Discontinued
129MCP 1-40 T6 T-Matched Compl Pair of ECG128 and ECG129 205 --- C2 Circuit Breaker, 3 A- Discontinued
129P 1-40 T17 T-PNP, Si-Gen Purp Amp, Sw 206 1-31 --- Pilot lamp Assembly, 6 V
130 1-40 T28 T-NPN, Si, AF PO 207 1-31 --- Pilot Lamp Assembly, 120 V
130MP 1-40 T28 T-NPN, Si Matched Pair of ECG130 209 1-354 AS9 Standard Socket for TO-3 Package (2/Pkg)
131 1-40 T27 T-PNP, Ge, AF/PO 210 1-42 T38 T-NPN, Si, AF PO, Sw
131MP 1-40 T27 T-PNP, Ge, Matched Pair of ECG131 211 1-42 T38 T-PNP, Si, AF PO, Sw
134A 1-98 Z3A ZD-3.6 V, 1 W (2/Pkg) 213 1-42 T29 T-PNP, Ge, Hi Current, Pwr
135A 1-98 Z3A ZD-5.1 V, 1 W (2/Pkg) 214 1-42 T48-1 T-NPN, Darl 70 V, 10 A, hfe = 2000 (min)
136A 1-98 Z3A ZD-5.6 V, 1 W (2/Pkg) 215 1-42 T48-1 T-NPN, Darl 110 V, 8 A, hfe = 1500 (min)
137A 1-98 Z3A ZD-6.2 V, 1 W (2/Pkg) 216 1-42 T17 T-NPN, Si, Hi Speed Sw, Core Driver
138A 1-98 Z3A ZD-7.5 V, 1 W (2/Pkg) 217 1-42 T17 T-PNP, Si, Hi Speed Sw, Amp
139A 1-98 Z3A ZD-9.1 V, 1 W (2/Pkg) 218 1-42 T25 T-PNP, Si, AF PO
140A 1-98 Z3A ZD-10.0 V, 1 W (2/Pkg) 219 1-42 T28 T-PNP, Si, AF PO, Sw
141A 1-98 Z3A ZD-11.5 V, 1 W (2/Pkg) 219MCP 1-42 T28 T-Matched Compl Pair of ECG130 and ECG219
142A 1-98 Z3A ZD-12.0 V, 1 W (2/Pkg) 220 1-42 T4 MOSFET-N-Ch,VHF Amp/Mix
143A 1-98 Z3A ZD-13.0 V, 1 W (2/Pkg) 221 1-42 T4 MOSFET N-Ch, VHF Amp/Mix
144A 1-98 Z3A ZD-14.0 V, 1 W (2/Pkg) 222 1-42 T4 MOSFET N-Ch, VHF Amp/Mix
145A 1-98 Z3A ZD-15.0 V, 1 W (2/Pkg) 224 1-42 T23 T-NPN, Si RF PO, 27 Mhz
146A 1-98 Z3A ZD-27.0 V, 1 W (2/Pkg) 225 1-42 T23 T-NPN, Si, AF, Vid, Sw
147A 1-98 Z3A ZD-33.0 V, 1 W (2/Pkg) 226 1-42 T26 T-PNP, Ge, AF PO
148A 1-98 Z3A ZD-55.0 V, 1 W (2/Pkg) 226MP 1-42 T26 T-PNP, Ge, Matched Pair of ECG226
149A 1-98 Z3A ZD-62.0 V, 1 W (2/Pkg) 227 1-42 T17 T-NPN, Si, HV Amp, Video Out
150A 1-98 Z3A ZD-82.0 V, 1 W (2/Pkg) 228A 1-42 T39 T-NPN, Si, Hi Speed Sw, AF/Vid PO
151A 1-98 Z3A ZD-110.0 V, 1 W (2/Pkg) 229 1-43 T16 T-NPN, Si, VHF Osc/Mxr, IF Amp
230 1-109 Z42 SCR-Horiz Delf, Switching
231 1-109 Z42 SCR-Horiz Delf, Switching
3.- Una vez localizado el número de página, observe los parámetros eléctricos del componente.
Al final de la hoja, aparece el número de página en la cual podemos checar la forma física, encapsulado
y disposición de terminales del transistor.
Transistors (cont'd) (Maximum Ratings at TC= 25ºC Unless Otherwise Noted)

Package
Collecto Collecto Max. Freq.
Base to
r To r To Collecto in Current
Emitter Max. Device
ECG Type Description and Application Base Emitter r MHz Gain Fig.
Volts Diss. PD Watts Case
Volts Volts Current ft HFE No.
BVCEO
BVCBO BVCEO IC Amps
NPN-Si, UHF/VHF Amp, Osc, .250

ECG107 35 35 5 50 mA (TA=25ºC) 800 min. 70 typ TO-92 T16
Mix, IF Amp
NPN-Si, RF/IF/Video amp, .600

ECG108 30 15 2 50 mA (TA=25ºC) 800 min. 20 min TO- 92 T16
Osc, Mix, VHF/UHF
IEI2-EA-C2-78
ECG121
PNP-Ge, AF Pwr output 65 45 (CER) 15 7 30 22 KHz # 80 typ TO-3 T28
ECG121MP*
NPN-Si AF Preamp, Driver .800
ECG123 60 30 5 0.8 (TA=25ºC) 250 150 typ TO-39 T6
Video Amp, Sync Sep
.500
ECG123A NPN-Si, AF/RF Amp, Sw 75 40 6 0.8 (TA=25ºC) 300 200 typ TO-18 T2
NPN-Si, AF/RF Amp, Driver .500

ECG123AP 75 40 6 0.6 (TA=25ºC) 300 200 typ TO-92 T16
(Compl to ECG159)
ECG124 NPN-Si, HV Audio Pwr Output 300 300 5 0.15 20 30 100 typ TO-66 T25
300 mW
ECG126A PNP-Ge RF/IF Amp, Osc, Mix 15 15 3 50 mA (TA=25ºC) 250 40 typ TO-18 T2
PNP-Ge, Horiz Vert Delf, Pwr 320

ECG127 320 2 10 40 1 15 min TO-3 T28
Output (CES)
NPN-Si, AF Pream, Driver, 1

ECG128 Output, Video Amp (Compl to 120 80 7 1 (TA=25ºC) 120 90 min TO-39 T6
ECG129)
NPN-Si, Gen Purp Amp, Sw TO-

ECG128P 100 80 7 1 1 100 100 min T17
(Compl to ECG129P) 237
PNP-Si, AF Pream, Driver,

ECG129 Output, Video Amp (Compl to
ECG128) 1
90 80 7 1 (TA=25ºC) 120 90 min TO-39 T6
M ATCHED cOMPL pAIR-
ECG129MCP cONTAINS ONE EACH
ECG128 (PNP)
PNP-Si, Gen Purp Amp, Sw TO-

ECG129P 80 80 7 1 1 150 100 min T17
(Compl to ECG128P) 237
ECG130 NPN-Si, AF Pwr Amp (Compl

100 20 7 15 115 0.8 40 typ TO-3 T28
ECG130MP* to ECG219)
ECG131 PNP-Ge, AF Pwr Output 6

32 60 10 3 peak (TC=63ºC) 1 110 typ TO-9 T27
ECG131MP* (Compl to ECG155)
ECG152 NPN-Si, AF Pwr Output TO-

60 60 5 7 50 10 60 typ T41
ECG152MP* (Compl to ECG153) 220
PNP-Si, AF Pwr Output
ECG153 (Compl to ECG152)
TO-
Matched Compl Pair - Contains 60 60 5 7 50 10 60 typ T41
220
ECG153MCP one each ECG152 (NPN) and
ECG153 (PNP)
1-40 Package Outlines - See Page 1-76
IEI2-EA-C2-79
Fig. 2.17
IEI2-EA-C2-80
2B3. DISTORSIÓN EN UN AMPLIFICADOR.
Se entiende por distorsión, cuando la forma de onda de la señal de salida en un amplificador, no

es idéntica a la de la entrada. En general, en todos los amplificadores aparece una pequeña cantidad de
distorsión. Aunque se trata de mantener dentro de limites aceptables, hay aplicaciones en las que se
introduce de forma deliberada distorsión en la señal.
Existen tres tipos de distorsión:
a) De frecuencia.
b) De fase.
c) De amplitud.
a) Distorsión de frecuencia.
Nace de que la señal de entrada es una forma de onda compleja, esta compuesta no solo de una
frecuencia, sino que contiene componentes de varias frecuencias. Dentro del amplificador hay
capacitancia e inductancias producidas por los diversos componentes, sus terminales de conexión y
otros contactos, al ser la reactancia una función de la frecuencia, las frecuencias altas y bajas de la señal
encontrarían una oposición en diferentes grados. Esto produce una distorsión de la forma de onda
original.
Para reducir al mínimo esta distorsión, hay que diseñar el amplificador de una forma tal, que
sean eliminadas las capacitancias e inductancias indeseables. Sin embargo, en aparatos como los
ecualizadores, este tipo de distorsión es introducida, al separar la señal original en frecuencias bajas,
medias y altas, para lograr los diferentes tonos graves, medios y agudos.
b) Distorsión de fase.
Esta distorsión, se debe también a que la señal de entrada contiene diferentes componentes de
frecuencia. Cuando fluye una corriente alterna por un capacitor o un inductor, esta sufre una desviación
de fase. Al ser las desviación de fase una función de la frecuencia, los componentes de alta y baja
frecuencia de la señal, sufren una desviación de fase en diferentes grados, esto produce una distorsión
de la forma de onda de la señal.
Esta distorsión se elimina de la misma forma que la distorsión de frecuencia.
c) Distorsión de amplitud.
Esta distorsión se presenta cuando la corriente de colector del transistor establecida en la

polarización, se sale del punto de operación. Esto provoca que el transistor llegue a trabajar en la región
de corte o de saturación. Esta distorsión se remedia corrigiendo los elementos (resistores) que polarizan
al transistor o en su defecto el propio transistor.
IEI2-EA-C2-81
2B4. ESTABILIZACIÓN DE LA POLARIZACIÓN POR EFECTOS DE LA TEMPERATURA.
La temperatura es un factor que afecta considerablemente a los semiconductores, la resistencia

de un semiconductor exhibe un comportamiento inverso a los cambios de temperatura, es decir, si la
temperatura de su cuerpo aumenta su resistencia disminuye, y viceversa, si la temperatura disminuye su
resistencia aumenta.
Este es un inconveniente muy grande prácticamente en todos los circuitos electrónicos, ya que
deben trabajar en diferentes condiciones de temperatura. Por ejemplo, en un amplificador de audio, en
el cual al variar la resistencia entre colector y emisor del transistor debido a los cambios de
temperatura, varía también la corriente de colector (polarización), modificando el punto de operación,
lo cual ocasionaría distorsión en la señal amplificada.
Es necesario, por lo tanto, compensar estos cambios de corriente agregando dispositivos que
corrijan o estabilicen la polarización.
Existen 4 métodos para estabilizar la polarización por efectos de la temperatura, estos son:
a) Por corriente inversa.
b) Por voltaje inverso.
c) Por termistor.
d) Por diodo.

Utilizando para la explicación la configuración emisor común, consiste en conectar un resistor
en la terminal del emisor y tierra, la cual recibe el nombre de "resistor de emisor o resistor ahogador"
(RE), y en paralelo a el un capacitor llamado "capacitor de desacoplo"(CE). El circuito se muestra en la
siguiente figura.
Fig. 2.18 Estabilización de la polarización por corriente inversa.
La función que desempeñan estos elementos es la siguiente:
En condiciones normales de temperatura, en extremos de RE hay una caída de voltaje con

polaridad indicada en la figura 2.18 y una determinada corriente de colector (Ic). Cuando la
temperatura que percibe el transistor aumente, su resistencia colector-emisor (Rce) tiende a bajar,
aumentando la Ic y por lo tanto la IE, esto provoca que el voltaje en extremos de RE aumente,
IEI2-EA-C2-82
disminuyendo la polarización directa del transistor, aumentando su Rce y disminuyendo así, la IC, es
decir, evitando que se eleve.
Recordando que un capacitor exhibe una resistencia muy baja a la C.A. y una resistencia muy
alta a la C.D, el capacitor de desacoplo (CE) tiene por función eliminar la componente de alterna
presente en RE (debido a la señal de entrada), evitando que altere la polarización del transistor.

Consiste en conectar un resistor (R3) entre la base y el colector del transistor, como lo muestra
la siguiente figura:
Fig. 2.19 Método por voltaje inverso para estabilizar

la polarización por efectos de la temperatura.
En el circuito anterior R3 toma una parte del voltaje presente en el colector para alimentarlo a la
base y modificar su polarización. Al elevarse la temperatura la Ic aumenta, pero disminuye el voltaje
del colector (Vc), parte de este voltaje es aplicado a la base, disminuyendo por lo tanto, su polarización
directa reduciéndose así la Ic a su valor normal.
c) Por termistor.
El método es muy parecido al de corriente inversa, solo que un termistor tipo CNT es conectado
entre el emisor y +Vcc.
Fig. 2.20 Método por termistor para estabilizar la polarización por efecto de la temperatura.
IEI2-EA-C2-83
En la figura anterior se muestra el circuito para este método.
El termistor y RE forman un divisor de voltaje a través de +Vcc y tierra, cuando se eleve la

temperatura la Ic tiende a aumentar, pero la resistencia del termistor disminuye, lo que aumenta la caída
de voltaje en extremos de RE, disminuyendo la polarización directa del transistor y manteniendo así la
Ic en su valor normal.
d) Por diodo.
Consiste en conectar un diodo (del mismo material que el transistor) entre la unión base-emisor,
a fin de polarizar dicha unión. El circuito se muestra a continuación:
Fig. 2.21 Método por diodo para estabilizar la polarización por efectos de la temperatura.
Como se observa en la figura 2.21, R1 y D forman un divisor de voltaje entre +Vcc y tierra,
cuando se eleve la temperatura, la Ic tiende a subir, pero al mismo tiempo la resistencia del diodo
disminuye, lo que provoca que aumente el voltaje en R1, este voltaje disminuye la polarización directa
del transistor, logrando así que la Ic se estabilice. La ventaja de este método, es que el diodo y el
transistor al ser del mismo material, responden igual a los cambios de temperatura. La desventaja es
que solo se pueden aplicar señales de entrada de una magnitud menor a la barrera de potencial del
diodo, ya que magnitudes mayores, serían recortadas.
2B5. RETROALIMENTACIÓN.
La retroalimentación es la transferencia de una muestra del voltaje o de corriente, de la sección

de salida del circuito, hasta la sección de entrada. Para conectar estas dos secciones se suelen utilizar
resistores, capacitores o inductores.
Existen dos tipos de retroalimentación:
- Positiva, directa o regenerativa.

- Negativa, inversa o degenerativa.
IEI2-EA-C2-84
Retroalimentación positiva, directa o regenerativa.
Se presenta cuando el voltaje o la corriente retroalimentados, están en fase con el voltaje o la

corriente de entrada. Esta retroalimentación no es recomendada para amplificadores, ya que dichos
voltajes o corrientes se suman, los cuales al ser pasados por el amplificador recibirán un mayor
incremento, este proceso es acumulativo; lo que resultaría en un amplificador inestable (transistor
saturado), provocando distorsión en la señal amplificada. En la siguiente figura, se muestra a blocks la
retroalimentación positiva.
Fig. 2.22 Retoalimentación positiva.
Nota: Esta retroalimentación es utilizada en circuitos osciladores.
Retroalimentación negativa, inversa o degenerativa.
Se presenta cuando el voltaje o la corriente retroalimentados están desfasados con el voltaje o la

corriente de entrada, dichos voltajes o corrientes en lugar de sumarse se restan. Esta retroalimentación
es la empleada en circuitos amplificadores, ya que el efecto de la misma es disminuir el voltaje o la
corriente de entrada y, por lo tanto, disminuir el aumento del amplificador, pero entregando una señal
sin distorsión. La figura 2.23, muestra a blocks este tipo de retroalimentación.
Fig. 2.23 Retroalimentación negativa.

IEI2-EA-C2-85
De lo dicho anteriormente, podría pensarse, ¿Cuál es entonces el objetivo de retroalimentar? El
problema es, que todo amplificador por sí solo, provoca distorsión, por la respuesta de sus elementos a
la señal de entrada, dicha distorsión puede o no ser considerable, por lo tanto, puede o no utilizarse
retroalimentación. El objetivo de la retroalimentación inversa es eliminar la distorsión que provoca el
propio amplificador, así como se aprecia, en la siguiente gráfica.
Fig. 2.24 Gráfica que muestra como elimina la distorsión

la retroalimentación negativa.
Existen 2 métodos para retroalimentar en forma inversa, los cuales son:

a) Retroalimentación por corriente inversa.
En la figura 2.25 se expone una etapa de amplificación en emisor común con retroalimentación
por corriente inversa.
Fig. 2.25 Amplificador E-C con retroalimentación por corriente inversa.
IEI2-EA-C2-86
Como se podrá observar en la figura anterior, el circuito es muy semejante al que se utiliza para
corregir la polarización por efectos de la temperatura mediante el método de corriente inversa, solo que
falta el capacitor de desacoplo (CE) que normalmente se conecta en paralelo con el resistor de emisor
(RE). La omisión de dicho capacitor trae como resultado que la distorsión de amplitud desaparezca al
disminuir la amplitud de la señal de salida, lo cual no están grave sí consideramos que existen
transistores de mayor potencia.
b) Retroalimentación por voltaje inverso.
Consiste en conectar entre las terminales del colector y la base un resistor (R3), cuya función
será la de transferir una porción del voltaje de colector hacia la base. El circuito se muestra a
continuación.
Fig. 2.26 Retroalimentación por voltaje inverso.
2B6. FACTORES QUE LIMITAN AL TRANSISTOR A TRABAJAR EN FRECUENCIAS ALTAS.
Existen dos factores que limitan al transistor a trabajar en frecuencias altas, los cuales son: La
capacitancia interelectródica (capacitancias parásitas) y el tiempo de tránsito.
Capacitancia interelectródica.
La capacitancia interelectródica o parásita, es aquella que inevitablemente se presenta entre los

electrodos de cualquier dispositivo. Así, en el transistor se presentan capacitancias entre las terminales
base-emisor, base-colector y colector-emisor.
Fig. 2.27 Capacitancias interelectródicas (parásitas) en el transistor.
Dichas capacitancias son muy pequeñas, y como la frecuencia es una función de la capacitancia,
la corriente para las frecuencias altas encontrará cierta oposición al fluir por el transistor.
IEI2-EA-C2-87
Tiempo de tránsito.
El cuerpo del transistor es construido de unas determinadas dimensiones (longitud y anchura),

dichas dimensiones dependen de la cantidad de corriente que manejen, por lo tanto, la corriente tendrá
que recorrer estas dimensiones a través del transistor, el tiempo que tarde en hacerlo es lo que se
conoce como tiempo de tránsito.
Fig. 2.28 Tiempo de tránsito en el transistor.
Obviamente, si la frecuencia es alta, el tiempo de tránsito deberá ser bajo para que el transistor
tenga una buena respuesta a dichas frecuencias. Por lo tanto, el tiempo de tránsito va en función del
tamaño del transistor, por lo que es necesario utilizar transistores de pequeña señal (pequeñas
dimensiones) al trabajar con frecuencias altas.
2B7. AMPLIFICADORES DE AUDIO DE VARIAS ETAPAS.
Los amplificadores se usan para llevar una pequeña señal hasta el nivel en que pueda accionar
una etapa de potencia que, a su vez, proporciona la potencia necesaria para hacer funcionar un
dispositivo consumidor de potencia, como lo es la bocina o el altoparlante. Como la señal de entrada
suele ser muy pequeña, se requieren una o más etapas de amplificación para llevarla a un nivel
apropiado. Entonces, la salida de una etapa se acopla a la entrada de la siguiente. Las etapas acopladas
de esta forma se conocen como "acoplamiento en cascada". Existen varios métodos para acoplar una
etapa a otra y se nombran de acuerdo al dispositivo utilizado.
a) Acoplamiento R-C (resistor-capacitor), conocido también como acoplamiento de resistencia.
Fig. 2.29 Acoplamiento de dos etapas por resistor - capacitor.
Este acoplamiento es el más utilizado por la simplicidad y tamaño de los componentes.

IEI2-EA-C2-88
b) Acoplamiento por transformador.
Fig. 2.30 Acoplamiento de dos etapas por transformador.
c) Acoplamiento por impedancia.
Fig. 2.31 Acoplamiento de dos etapas utilizando bobina y capacitor (impedancia).
d) Acoplamiento directo.
Este acoplamiento es utilizado para amplificar también niveles de directa (VCD).
Fig. 2.32 Acoplamiento directo de dos etapas (colector de Q1 a base de Q2).

IEI2-EA-C2-89
Cuando se utiliza un amplificador en cascada, la ganancia total del amplificador será el
producto de la ganancia de cada una de las etapas. Por ejemplo: dos etapas de amplificación conectadas
en cascada, donde cada una tiene una ganancia de voltaje de 10, la ganancia total será igual a 100.
Fig. 2.32a. Multiplicación de las ganancias en amplificador de 2 etapas conectadas en cascada.
2B8. EL DECIBEL.
Además de la salida de potencia, estamos interesados en la relación entre la entrada y la salida

de potencia de un amplificador. Con el fin de comprender cómo se pueden comparar dos niveles de
potencia, examinemos brevemente la potencia del sonido.
Afortunadamente para nosotros, el oído humano no percibe los sonidos en su nivel de potencia
directo. Así, podemos escuchar la conversación ordinaria con mucha comodidad y sin embargo
podemos escuchar el trueno, que es muchas veces más alto, sin que se rompan nuestros tímpanos. Esto
se debe a que el oído humano es un dispositivo logarítmico.
El logaritmo común (log10) de un número, es el número de veces que debe multiplicarse la cifra
10 por sí misma para igualar ese número. Así, el logaritmo de 100 (es decir, 10 x 10, o 10 2) es 2. El
logaritmo de 1,000 (10 x 10 x 10, o 103) es 3. El logaritmo de 10,000 (105) es 5. En matemáticas,
expresamos esta relación como:
Log10 100,000 = 5.
Al comparar dos potencias, usamos la unidad bel, que es el logaritmo de la relación de esas dos
potencias. Así, al comparar la potencia de la conversación ordinaria con la del trueno (que se supone
tiene 100,000 veces la potencia de la conversación ordinaria), decimos que el aumento en el sonido es
igual a:
Potencia del trueno 100,000

Log10 = ,o Log10 = = 5 bels.
Potencia de la conversaci ón 1
Una unidad más cómoda es el decibel (abreviado como dB), que es un décimo de bel. Entonces,
el aumento en el sonido de la conversación ordinaria al trueno, será igual a:
100,000
10 Log10 = = 50 decibeles = 50 dB.
1
IEI2-EA-C2-90
El mismo método se emplea para medir el aumento en la potencia de los dispositivos
electrónicos. Por tanto, el aumento de potencia en un amplificador será:
Po
Aumento de potencia en decibeles = 10 Log10 =
Pi
Donde:
Po = Potencia de salida.
Pi = Potencia de entrada.
Cuando la potencia de salida es mayor que la de entrada, decimos que tenemos un aumento en
decibeles, o incremento en decibeles, y se indica como +dB. Cuando la potencia de salida es menor que
la de entrada, decimos que tenemos una pérdida de decibeles, o reducción de decibeles, y se indica
como -dB.
Cuando se conectan varios amplificadores para trabajar unidos (conexión en cascada),

multiplicamos las amplificaciones o ganancias. Así, si tres amplificadores, cada uno con una ganancia
de 100, se conectan juntos, obtenemos un aumento total de 100 x 100 x 100, o 1,000,000. Pero, en el
sistema de decibeles, sumamos los aumentos de decibeles. Por tanto, tenemos + 20 dB + 20 dB + 20
dB, o + 60 dB. De manera similar, si conectamos dos amplificadores, uno de ellos con un aumento de +
30 dB, y el otro con una reducción de -10 dB, el resultado neto será + 20 dB.
Para conocer el aumento de voltaje en decibeles, hay que sustituir en la fórmula anterior, la
igualdad de la potencia en función del voltaje, es decir:
Po
Aumento de potencia en decibeles = 10 Log10
Pi
Po= (Vo)2 /Zo

Pi= (Vi)2 /Zi
Aumento de voltaje en dB = 10 [Log10 (Vo)2 /Zo]

(Vi )2 /Zi
= 10 [Log10 (Vo)2Zi ]
(Vi )2Zo
= 20 [Log10 (Vo) + Log10 Zi]

Vi Zo
Si las impedancias de entrada y de salida son iguales, Zi/Zo es igual a 1, como el logaritmo de 1
es cero, desaparece la porción de la impedancia en la fórmula, por lo que la fórmula queda:
Vo
Aumento de voltaje en dB = 20 Log10
Vi
IEI2-EA-C2-91
2B9. CONFIGURACION COMPUESTA DARLINGTON.
Esta configuración consiste en conectar dos transistores, tal y como lo muestra la siguiente
figura:
Fig. 2.33 a) Configuración Darlington, b) Configuración Darlington

en un amplificador emisor común.
En general, esta configuración presenta una impedancia de entrada alta, con una impedancia de
salida baja y una ganancia de corriente (β) alta, todas características deseables para un amplificador de
corriente.
Dicha β, es igual al producto de la β de cada uno de los transistores. Por ejemplo, si ambos
transistores son iguales, la β total será:
βT = β x β2 βT = β²
En ocasiones, los fabricantes de transistores ponen dos transistores conectados como un par
Darlington dentro de la misma cápsula del transistor.
Este dispositivo opera como un solo transistor con una β extremadamente alta. De tal manera,
que bien puede ser utilizado como interruptor o amplificador con las características ya mencionadas.
En seguida se muestra una hoja de datos técnicos para el transistor de potencia Darlington
2N6383, así como su configuración interna, en la cual se aprecia un diodo Damper entre colector y
emisor, y dos resistencias entre base y emisor, cuya función es compensar la polarización contra
cambios de temperatura.
Así como también, hoja de datos para transistores Darlington en reemplazo ECG.
IEI2-EA-C2-92
Fig. 2.34 Transistor de potencia Darlington RCA NPN.

IEI2-EA-C2-93
Darlington Power Transistors Maximum Ratings at TC= 25ºC
Collector Collector Emiter Max. Max. Typ NPN/PNP
Max.
Description To Base To Emitter To Bse Collector Device Current Equivalent Package
Base Current
Volts Volts Volts Current Diss. PD Gain Circuit
IB mA
NPN PNP BVCBO BVCEO BVEBO IC Ampers Watts hFE Case/Fig.Basing
ECG243 ECG244 80 80 5 8 120 100 3,000 A/B
ECG245 ECG246 80 80 5 10 200 150 4,000 A/B
ECG247 ECG248 100 100 5 12 200 150 3,500 A/B
ECG249 ECG250 100 100 5 16 500 150 3,500 A/B
ECG251 ECG252 100 100 5 20 500 160 2,400 A/B
ECG2349 ECG2350 120 100 5 50 2,000 300 1,000 min A/B
ECG97 --- 500 120 8 10 2,500 150 40 min G
EC G99 --- 600 400 8 50 10,000 250 25 min G
ECG98 --- 700 400 8 20 2,500 175 40 min G
ECG274 ECG275 80 500 5 4 80 50 3,000 A/B
ECG256 --- 450 80 8 20 2,500 150 30 min G

ECG270 ECG271 100 400 5 10 500 125 1,000 min E/F
ECG2316 --- 500 100 5 10 5,000 105 100 min A
ECG2317 --- 500 450 5 15 1,000 105 40 min A
ECG214 --- 70 450 6 10 --- 60 2,000 min A
ECG215 --- 110 60 6 8 --- 60 1,500 min A
ECG2335
--- 60 + 15 100 6 5 --- 80 2,000 min J
ECG257 ECG258 80 60 + 15 5 5 100 70 750 min A/B
ECG259 ECG260 100 80 5 8 120 75 2,500 A/B
ECG2326 --- 150 100 7 8 800 40 3,000 min A
ECG2332 --- 60 + 10 60 + 10 6 2 400 20 4,000 min H

ECG2334 --- 60 + 10 60 + 10 6 5 500 40 4,000 min H
ECG261 ECG262 100 100 5 8 250 65 1,000 min A/B
ECG263 ECG264 100 100 5 10 250 65 1,000 min A/B
ECG2343 ECG2344 120 120 5 12 500 125 1,000 min A/B
ECG2315 --- 400 200 6 8 2,000 60 100 min G
ECG2336 --- 60 + 10 60 + 10 7 8 --- 45 200 min I
ECG2338 --- 60 + 10 60 + 10 8 2 200 10 4,000 min H

ECG253 ECG254 80 80 5 4 100 40 2,000 A/B
IEI2-EA-C2-94
Delington Power Transistor (cont'd)
Max.
Emitt
Collect Max.
er To Max. Typ NPN/P
Collector To Collector To or Base
Descripti Base Device Current NP
Base Volts Emitter Volts Curre Curre Package
on Volts Diss. PD Gain Equival
BVCBO BVCEO nt nt
BVEB Watts hFE ent
IC IB mA
O Circuit
Amps
NPN PNP Case/Fig./Basing
SOT-82
Fig. T45-2
ECG2345 ECG2346 120 120 5 6 150 60 750 min. A/B METAL

CONTACT
CONNECTS TO
COLLECTOR
2,000 TO126N
ECG2340 --- 60 + 10 60 + 10 7 8 --- 45 I Fig. T45-1
min
METAL
1,000 CONTACT
ECG2351 ECG2352 100 80 5 4 --- 15 A/B
min CONNECTS TO
COLLECTOR
10,000 TO-202
ECG265 --- 50 50 13 0.5 --- 6.25 C
min Fig. T38
40,000
ECG266 --- 50 50 13 0.5 --- 6.25 C
min TAB
90,000 CONNECTS
ECG267 --- 30 30 13 0.5 --- 6.25 C TO COLLECTOR
min
1,000 TO-202N
ECG268 ECG269 50 50 13 2 --- 10 C/D
min Fig. T36
TAB
25,000mi
ECG272 ECG273 50 40 12 2 --- 10 C/D CONNECTS
n
TO COLLECTOR
Darlington Power Transistor Circuits
IEI2-EA-C2-95
2BA. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL.
Un amplificador diferencial tiene dos circuitos transistorizados idénticos o igualados que

comparten una impedancia de emisor. El par de transistores amplifica la diferencia entre las dos señales
de base. La señal de salida se puede tomar del colector de uno o ambos transistores. La figura siguiente
muestra el circuito básico de un amplificador diferencial.
Fig. 2.35 Amplificador diferencial.
El amplificador diferencial, se caracteriza por presentar ambas redes simétricas, es decir, los
valores asociados a Q1 son idénticos a los valores asociados a Q2, de tal forma que: RC1 = RC2, RB1
= RB2, y Q1 y Q2 son el mismo tipo de transistor.
La resistencia de emisor es común tanto a Q1 como a Q2. Se utiliza un potenciómetro de

balance para ajustar el flujo de corriente a través de las dos mitades del circuito de manera que bajo
condiciones de operación de c.d. y, a determinada temperatura, sean iguales los voltajes de colector.
Todo voltaje desigual existente entre los colectores se conoce como voltaje de desplazamiento
de c.d. El balance compensa por las tolerancias de componentes y corrientes desiguales de
polarización.
Comúnmente al amplificador diferencial, (aunque no siempre) se le suministra energía con

fuente dual o de doble polaridad (+V y -V) mostrada en la figura anterior.
Una fuente de voltaje de doble polaridad tiene iguales voltajes positivo y negativo con respecto
al común del circuito, lo que se aprovecha al determinar la polarización directa de base-emisor que se
requiere para la conducción en el punto de operación, y referenciado de señal de salida a tierra.
Una fuente de doble polaridad también permite que una o ambas entradas este a una referencia a
tierra y aún mantenga conducción directa con una alta impedancia de entrada. Si se pone a tierra una
entrada, la otra también está a referencia a tierra debido a la simetría del circuito.
IEI2-EA-C2-96
FUNCIONAMIENTO DEL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL.
Como ejemplo de funcionamiento del circuito, suponga que se aplica una señal que va al
positivo de la base de Q1 lo que permite que este transistor conduzca más (al inicio ambos transistores
están polarizados directamente), permitiendo que baje el voltaje de su colector. Al aumentar el flujo de
corriente a través de RE, crea una polarización positiva en el emisor de Q2, lo que permite que Q2
disminuya su conducción en casi la misma cantidad, aumentando con ello su voltaje de colector. En los
dos colectores se producen señales iguales, pero de fases opuestas. Es posible utilizar cualquiera de
ellas (salida simple), o se pueden combinar y utilizar juntas (salida diferencial). La amplitud de la
salida diferencial es del doble de la amplitud de cualquiera de las salidas simples. Si al mismo tiempo
se aplican señales de amplitud igual pero de fases opuestas a la base de Q1 y Q2, (entrada diferencial),
el resultado es el mismo, lo que quiere decir que un transistor se apaga en la misma cantidad que el otro
se enciende, y el flujo neto de corriente a través de RE permanece sin cambio y nuevamente se
producen señales iguales pero de fase opuesta en ambos colectores. En ambos casos cada transistor
contribuye un medio a la ganancia diferencial. En ambos transistores ocurre el mismo cambio si se
aplica una señal que tenga la misma amplitud y polaridad a ambas entradas simultáneamente (señal de
entrada de modo común). La salida diferencial permanece sin cambio, ya que ambas salidas cambian
en la misma dirección o tienden a cancelarse, a lo que se le conoce como rechazo de modo común
(RMC) y es una de las ventajas de utilizar un amplificador diferencial, debido a que se rechazan
efectivamente las señales de modo común producidas por el ruido, variaciones en la fuente de energía y
cambios de temperatura comunes a ambos transistores. En tanto el cambio en modo común afecte a
ambos lados del circuito en igual manera, éste se rechaza efectivamente por el amplificador diferencial
balanceado.
2B10. AMPLIFICADORES DE AUDIO INTEGRADOS.
Actualmente es muy común encontrar circuitos integrados que trabajan como amplificadores de
audio. De tal forma que solo con unos cuantos componentes externos, se logra tener un amplificador de
audio y de buena calidad. Estos amplificadores varían en cuanto a características, distribución y
cantidad de terminales de acuerdo al fabricante, por lo que se hace importante recurrir a manuales
originales o de reemplazo, a fin de tener una mayor idea de sus características y circuitos de
aplicación. En general, estos amplificadores se representan simbólicamente mediante un triángulo
indicando el número y nombre de sus terminales. Como es difícil abarcar tantos amplificadores,
explicaremos brevemente solo el TDA2002, ya que este amplificador emplea pocos componentes
externos para su funcionamiento.
TDA2002.
El TDA 2002, es un amplificador de audio integrado de solo 5 terminales, en encapsulado TO-
220. Dicho amplificador se muestra en la siguiente figura.
Fig. 2.36 TDA2002, a) Forma física, b) Símbolo y c) Disposición de terminales.

IEI2-EA-C2-97
El TDA2002, puede ser alimentado en un rango de +5 V hasta +20 V. Con el máximo voltaje de
alimentación, suministra 5.2 W de salida sobre una carga de 4 ohms y 8W sobre una carga de 2 ohms.
En la siguiente figura se muestra el circuito típico para el TDA2002.
Fig. 2.37 Amplificador de audio integrado.
En el circuito anterior, R1, R2 y C3, forman la red de retroalimentación, como la terminal

positiva de C3 se conecta en la entrada inversora del TDA, la retroalimentación es positiva. R3 y C4,
forman una red de filtro a la salida del TDA, para permitir que en la bocina se reproduzcan solo ciertas
frecuencias (tonos). C1y C5, son los capacitores de acoplamiento a la entrada y a la salida del
amplificador C2 mejora el filtraje de la alimentación, disminuyendo el rizado y eliminando ruido
presente en dicha alimentación.
Este circuito puede ser utilizado como amplificador para radios portátiles o bien como
trazadores de señales. Un trazador de señales no es otra cosa más que un amplificador en buen estado,
utilizado para rastrear la señal de audio a través de las diferentes etapas de amplificación, para poder
diagnosticar así, que etapa del amplificador esta fallando.
AMPLIFICADOR DE 3 ETAPAS
Fig. 2.38 Forma de utilizar el trazador de señales.

IEI2-EA-C2-98
A continuación se muestran las hojas de datos técnicos para algunos amplificadores de audio
integrados, así como algunos circuitos de aplicación.
Absolute Maximum Ratings (TA=25ºC)
Characteristic Symbol Rating Unit

Supply Voltage VCC 18 V
DC Supply Voltage VCC (DC) 26 V
Peak Supply Voltage VCC (Peak) 50" V
Output Current IO (Peak) 4 A
Power Dissipation PT 15 W
Thermal Resistance OJ-C 3 ºC/W
Junction Temperature TJ 150 ºC
Operating Temperature TOPR -20 to + 70 ºC
Storage Temperature TSTG -55 to + 125 ºC
< 200 msec pulse width, rise time > msec.
IEI2-EA-C2-99
Absolute Maximum ratings (TA = 25ºC)
Parameters Symbols Rating Unit

Maximum Supply Voltage VCC max 18 V
Maximium Output Current 1, 8, 10 (Pin 1: Flow In, A
Pin 8: Flow out,
Pin 10: Flow in, out) 4.5"
Surge Supply Voltage VSURGE t<200 msec 40 V
Allowable power dissipation PD MAX 7º W
Operating Temperature Topg -20 to + 75 ºC
Storage Temperature Tstg -40 to + 150 ºC
100 x 100 x 1.5 mm3 Al heat sink
IEI2-EA-C2-100
Maximum Ratings (TA= 25ºC)
Characteristic Symbol Rating Unit

Peak Supply Voltage VCC Surge 45 V
DC Supply Voltage VCC DC 25 V
Operating Supply Voltage VCC opr 18 V
Output Current (Peak) IO (peak) 4.5 A
Power dissipation PD 25 W
Operating Temperature Topt -30 to 75 ºC
Storage Temperature Tstg -55 to 150 ºC
Note: Less than 2 Ω (dual mode) or 4 Ω BTL mode) load impedance is not recommended.
IEI2-EA-C2-101
Fig. 2.39 Intercomunicador usando el LM390.
Fig. 2.40 TDA2030 usado como amplificador de 15 watts.
Fig. 2.41 Amplificador para radio AM con el LM386.

IEI2-EA-C2-102
2B11. DISIPADORES DE CALOR.
Una forma de incrementar el límite de potencia del transistor consiste en radiar el calor más
rápidamente. Esta es la función de un disipador de calor (una pieza de metal). Si se incrementa el área
superficial del encapsulado del transistor, se permite que el calor se radie más fácilmente hacia el aire
circundante.
Fig. 2.42 a) Disipador superpuesto a presión,

b) transistor de potencia en cápsula plástica y
c) Transistor de potencia con el colector conectado a la cápsula.
Por ejemplo, la figura 2.39a, muestra un tipo de disipador de calor. Cuando este se coloca sobre
el encapsulado del transistor el calor se radia más rápidamente puesto que con las aletas se incrementa
la superficie.
La figura 2.39b, muestra otro tipo de encapsulado, cuyo nombre comercial es el de power-tab.
La oreja metálica proporciona una trayectoria para radiar el calor fuera del transistor. Ésta se puede
sujetar al chasis del equipo electrónico. Puesto que el chasis es un disipador de calor de gran superficie,
el calor se puede transmitir fácilmente del transistor al chasis.
Los transistores de gran potencia como el que se muestra en la figura 2.39c, tienen el colector
directamente conectado al encapsulado, esto permite que el calor se libere más fácilmente. Cuando el
encapsulado del transistor se fija a un chasis aterrizado y para evitar que se produzca un corto circuito
entre el colector y el mismo chasis, se utiliza una arandela y una delgada mica entre la cápsula del
transistor y el chasis. También es común el empleo de una pasta blanca llamada "grasa Silca", que se
coloca entre el disipador y el transistor y que ayuda a una mayor disipación del calor. De igual manera,
se acostumbra pintar de negro al disipador, esto ayuda a radiar el calor en un 25% más rápidamente. De
todo esto, la idea fundamental es que se libere más rápidamente el calor del transistor, lo que significa
que el transistor tenga una mayor capacidad de corriente a la temperatura ambiente.
Fig. 2.43 Disipadores de calor para diferentes encapsulados de transistores.

IEI2-EA-C2-103
2C. FET Y MOSFET.
2C1. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET).
El FET (Field Effect Transistor) conocido también como JFET (FET de Juntura), es un
dispositivo monopolar o unipolar, ya que su operación depende de un solo tipo de cargas, ya sea de
huecos o de electrones, a diferencia del transistor bipolar, en el cual su funcionamiento (flujo de
corriente), se basa tanto en los electrones como en los huecos.
Los FET's son dispositivos controlados por voltaje, a diferencia de los bipolares que son
controlados por corriente.
Existen dos tipos de FET, el de canal N y el de canal P. A continuación se muestran sus

símbolos, construcción por regiones y terminales.
Fig. 2.44 FET

a) Símbolo, b) Construcción por regiones y c) Terminales.
Para explicar el funcionamiento del FET, nos basaremos en el de canal N y en el siguiente

diagrama.
Fig. 2.45 Funcionamiento del FET.

IEI2-EA-C2-104
Como se muestra en el diagrama, entre compuerta (G) y surtidor (S), hay una unión P-N
(diodo), que es polarizada inversamente mediante el voltaje VGG , que varía a partir de 0 V. En el
drenador (D) se conecta una carga y alimentándolo un voltaje VDD con respecto al surtidor.
Si el voltaje inverso (VGG) entre G y S es 0 V, la zona de agotamiento será mínima, de tal forma
que la corriente que entra por el surtidor (Is), no encuentra oposición al fluir por el canal (región N) y
será recogida totalmente por el drenador (ID). Como entre G y S hay cero volts, la IG será cero (IG = 0).
Ahora bien, conforme se incrementa VGG, la zona de agotamiento tiende a incrementarse,

ofreciendo mayor oposición al flujo de la corriente a través del canal, de tal forma que la ID tiende a
disminuir.
Como puede observarse a través del FET, solo fluyen un tipo de cargas, los electrones (para el
caso del FET canal N). Además la IG es cero en todo momento, esto es debido a la muy alta resistencia
que hay entre la unión G-S, dada por la polarización inversa aplicada a dicha unión. De aquí, que el
FET sea controlado solo por voltaje.
Este aspecto es muy importante, sobre todo en aquellas aplicaciones en las cuales el transistor
no puede ser utilizado para procesar señales muy débiles, ya que al ser un dispositivo que consume
corriente de entrada, representaría una carga muy grande para la señal procesada.
A diferencia del FET, que por su muy alta resistencia de entrada (entre G y S), no consume
corriente (IG =0), por lo que no representa carga alguna para la señal procesada.
De lo dicho anteriormente, se deduce que, para que el FET opere correctamente, es necesario
polarizarlo de la siguiente forma:
1.- Entre la compuerta y el surtidor: polarización inversa.

2.- Entre el surtidor y el drenador: polarización inversa con respecto al drenador y polarización directa
con respecto al surtidor.
Es decir, tal y como esta polarizado en la figura 2.42.
El FET se emplea al igual que el transistor bipolar como transistor y amplificador, pero con la
ventaja ya mencionada.
Por último, los FET's poseen varias diferencias importantes respecto a los transistores bipolares,
incluyendo las siguientes:
a) Los FET's son mucho más fáciles de construir y son particularmente apropiados en la construcción
de circuitos integrados, debido a que ocupan menos espacio que los transistores bipolares.
b) Los FET's exhiben una resistencia de entrada mucho mayor, típicamente del orden de mega Homs.
c) Los FET's son normalmente menos sensibles a la temperatura.
d) Cuando se usan como amplificadores, los FET's tienen menos ganancia de voltaje y producen mayor
distorsión de señal, salvo cuando operan con señal débil.
e) Los FET's tienen menos ruido que los transistores bipolares. Ruido es el término que se aplica a las
fluctuaciones eléctricas aleatorias provocadas por el movimiento de los electrones dentro de la
estructura del semiconductor. El ruido normalmente se considera una señal eléctrica indeseable.
IEI2-EA-C2-105
Pruebas con el omhímetro
Fig. 2.46 Pruebas del FET con el omhímetro.
2C2. EL TRANSISTOR MOSFET.
EL MOSFET (FET Semiconductor de Óxido Metálico). Llamado también IGFET (Insulated-

Gate FET - FET de compuerta aislada), es un dispositivo que mejora la característica de alta resistencia
de entrada del FET, ya que en el MOSFET, la terminal de compuerta, se encuentra totalmente aislada
del canal mediante una capa delgada de óxido de silicio (Si O2), llamado también vidrio, es decir, un
aislante.
Existen 2 tipos de MOSFET, el de empobrecimiento o agotamiento, y el de enriquecimiento o

acrecentamiento (ambos canal N y canal P). A continuación se muestran los símbolos, construcción por
regiones y terminales para los dos tipos de MOSFET.
Fig. 2.47 a) MOSFET de empobrecimiento; símbolo y construcción por regiones,

b) MOSFET de enriquecimiento; símbolo y construcción por regiones.
IEI2-EA-C2-106
Si la resistencia de entrada del FET no es suficientemente alta, se puede usar un MOSFET. De
hecho, el MOSFET es un amplificador separado casi ideal, porque la compuerta aislada, significa que
la resistencia de entrada se aproxima al infinito.
Además, los MOSFET tienen excelentes propiedades de bajo ruido, una ventaja importante para
cualquier etapa a la entrada de un sistema, donde la señal es muy débil.
Algunos MOSFET, tienen doble compuerta, esto quiere decir, que posee dos compuertas
separadas.
Fig. 2.48 MOSFET de empobrecimiento canal N de doble compuerta.
Este tipo de MOSFET, representa una forma conveniente de construir un amplificador en

cascada. En el cual la señal de entrada de C.A. excita a la compuerta inferior (G), Fig. 2.46, mientras
que la compuerta superior (G) se conecta a tierra. Por su estructura interna, el MOSFET con doble
compuerta equivale a un MOSFET excitando a otro MOSFET.
Fig. 2.49 Amplificador con MOSFET de doble compuerta.
Sin embargo, el MOSFET sobre todo el de enriquecimiento, ha tenido su mayor impacto en la

construcción de circuitos digitales; (llamados de tecnología C'MOS); una de las razones es su bajo
consumo de potencia; otra, es el pequeño espacio que ocupa en el microcircuito (bloquecillo o chip).
En otras palabras, el fabricante puede colocar una mayor cantidad de transistores MOS que de
transistores bipolares en un chip (circuito integrado). Esta es la razón por la cual los MOSFET se usan
en integración a gran escala, para microprocesadores, memorias y otros dispositivos que requieren
miles de transistores en un solo chip.
Cabe mencionar, que los MOSFET y los CI`s (circuitos integrados) fabricados con este tipo de
transistores, se ven fuertemente afectados por las descargas electrostáticas, ya que dichas descargas
rompen la capa aislante de la compuerta, poniendo en corto dicha terminal con el resto del dispositivo.
IEI2-EA-C2-107
Como el cuerpo humano guarda cargas electrostáticas de una gran cantidad de voltaje, es importante
que al maniobrarlos, tener la precaución de aterrizarse, para eliminar dichas cargas y evitar dañar al
dispositivo. Una forma de hacer esto, se muestra en la siguiente figura.
Fig. 2.50 a) La descarga del cuerpo daña la capa aislante de la compuerta,

b) Forma de eliminar la carga del cuerpo, antes de manejar el integrado.
A continuación se muestra unas hojas de datos técnicos; así como las formas físicas para
algunos FET y MOSFET en reemplazo ECG.
Field Effect Transistors Maximum Ratings at TA = 25ºC (Observe MOS Handling)

Gate to Zero-Gate Gate to
Source Voltage Source
Trans - conductance Cutoff Drain Breakdow Input Transfer Device
ECG Package
Description and Application gfs Voltage Current n Voltage Cap Cap Diss.
Type VGS (off) IDSS mA BVGSS Ciss Crss PD
Typ µmhos
Max V Min - Max Min V Max pf Max pf Max
mW Case/Fig./Basing
MOSFET, N-Ch , VGF
ECH220s Amp/Mix, NF 5dB Max at 7,500 8 5 - 25 20 7 0.35 330
200 Mhz
Dual Gate MOSFET, NCh,
ECG221s VHF Amp/Mix, NF 5dB Max 15,000 6 18 typ 20 5.5 0.03 400
at 200 Mhz.
Dual Gate MOSFET, N-Ch,
ECG222s VHF Amp/Mix, NF 6dB Max 12,00 4 5 - 35 20 6 typ 0.03 330
at 200 MHz Gate Protected
JFET, N-Ch, UHF/VHF
ECG452s Amp, NF 4dB at 400 MHz. 5,500 6 5 - 15 30 4 0.8 300
Dual Gate MOSFET, N-Ch,

ECG454 UHF/VHF Amp, NF 7 d 15,000 4 6 - 30 25 --- 0.03 360
JFET, N-Ch, Gen Purp

ECG456 3,500 6 2-6 30 6 2 300
Amp/Sw
JFET, N-Ch, AF
ECG459 4,500 6 2 - 10 50 6 3 300
Amp/Chopper/Sw
JFET, P-Ch, AF Amp
ECG460 2,500 6 2-6 20 20 --- 300
JFET, N-Ch, VFH Amp/Mix
ECG312 NF 4dB Max at 400 MHz 5,500 6 5 - 15 30 4.5 1 360
JFET, P-Ch, Gen Purp AAF

ECG326 Amp, NF 2.5dB Max at 100 3,000 7.5 2-9 60 7 2 310
Hz
JFET, N-Ch, UHF/VHF
ECG451 Amp, NF 4dB at 400 MHz 4,000 4 4 - 10 25 5 1.2 310
IEI2-EA-C2-108
JFET, NCh, Gen Purp
ECG457 Amp/Sw 3,000 5 1-5 25 6 3 310
JFET, N-Ch Gen Purp, Lo
ECG458 Noise Audio Amp. 12,000 1.5 1-3 50 13 (typ) 2.6 (typ) 250
JFET, P-Ch, Gen Purp,
ECG489 11,000 2 2 - 15 30 32 8 360
Chopper
Dual Gate MOSFET, N-Ch, G1=2

0.5 - 8 20
ECG455s TV UHF RF Amp, 900 MHz 22,000 G2=0.7 3.5 0.03 200
(VGS2=4V) (BV DSX)
Gate Protected
Matched Dual JFET, N-Ch,

ECG461 DC Amp/Sampler/Chopper 3,500 4.5 0.5 - 8 50 6 2 400
MOSFET, N-Ch, AF Amp,

ECG462s NF 3.8dB at 1.0 kHz 2,250 7 2-6 20 8 0.8 300
JFET, N-Ch, VHF/FM Amp, 7,000 ---- 12 - 24 18 --- 0.65 200

ECG453
NF 3.5dB at 100 MHz
MOSFET, P-Ch, 5 25 600 300

10 nA 3 mA
ECG464s Enhancement, Sw, (Compl to 5
Max Min (on) td 60 ns; tr 65 ns; t (off) 60 ns.
ECG465)
MOSFET, N-Ch, 5 25 300 300
10 nA 3 mA
ECG466 Enhancement, Sw (Compl to 5
Max Min (on) td 60 ns; tr 65 ns; t (off) 60 ns.
ECG464)
JFET, N-Ch, Chopper/Sw 50 nA 250 pA 18 40 25 360
ECG465s 10
Max Max (off) td 6 ns; tr 65 ns; t (off) 60 ns.
JFET, N-Ch, Chopper/Fast 50 mA 1.0 nA 10 30 30 310
ECG467 ---
Sw Min Max (off) td 4 ns; tr 5 ns; t (off) 5 ns.
20 mA 1.0 nA 16 35 30 360
ECG468 JFET, N-Ch, Chopper/Sw 10
Min Max (off)
td 7 ns; tr 6 ns; t (off) 20 ns.
2 mA 1.0 nA 16 35 100 360

ECG469 JFET, N-Ch, Chopper/Sw 3
Min Max (off) td 7 ns; tr 6 ns; t (off) 20 ns.
2D. CIRCUITOS INTEGRADOS (CI).
2D1. CLASIFICACIÓN DE CIRCUITOS INTEGRADOS.
Un circuito integrado (C'I) se fabrica como un ensamble inseparable de componentes en una

estructura única.
En la figura 2.48a, se muestra un bloquecillo (chip), o sea una pequeña placa de material
semiconductor, cuyas dimensiones son representativas de los modernos CI´s.
Utilizando un proceso fotográfico complejo, un fabricante de CI´s puede producir circuitos en

las superficies superior e inferior de este bloquecillo. Estos circuitos contienen muchos diodos,
resistores, transistores, FET, etc. El circuito ya terminado es tan pequeño que las componentes y sus
interconexiones sólo pueden distinguirse empleando un microscopio poderoso.
IEI2-EA-C2-109
Fig. 2.51 a) Bloquecillo semiconductor, b) Clasificación de los

circuitos integrados según su proceso de fabricación.
Los CI´s pueden clasificarse en diferentes formas. Según el proceso general de fabricación, los
CI´s pueden ser monolíticos o híbridos. En el proceso monolítico, los componentes que constituyen el
CI son parte de una sola pieza de material semiconductor; es decir, son atómicamente parte del mismo
bloquecillo. En el proceso híbrido, uno o más CI´s monolíticos se combinan con componentes discretos
en un solo encapsulado o paquete.
La categoría de los CI monolíticos puede subdividirse en: CI´s monolíticos bipolares, MOS y
BI-MOS, vea la figura 2-48b. Esta clasificación se basa en el hecho de que, si los principales
componentes del CI son transistores bipolares, MOSFET o ambos.
La categoría de los CI híbridos puede subdividirse en circuitos integrados híbridos de película

gruesa y de película delgada. Estas subcategorías pueden a su vez ser bipolares, MOS o BI-MOS.
Los CI´s también pueden clasificarse también según su función general. Las dos categorías más
comunes son la digital y la lineal. Los CI´s digitales contienen circuitos cuyos voltajes de entrada y de
salida están limitados a dos estados posibles: voltaje bajo o alto. Las salidas también se relacionan con
las entradas conforme a cierta lógica específica.
Los CI´s digitales incluyen circuitos tales como compuertas lógicas, flip-flops, contadores,
microprocesadores y bloquecillos de relojes digitales, de calculadoras y de memoria.
Los CI´s lineales contienen circuitos cuyas entradas y salidas pueden tomarse en una gama
continua de valores, y las salidas son generalmente proporcionales a las entradas. Los CI´s lineales
incluyen reguladores, comparadores de voltaje y amplificadores. Tanto los CI´s digitales como los
lineales gozan de una utilización ampliamente difundida en los sistemas electrónicos modernos y cada
uno de ellos tiene un cometido importante y diferente. Algunos de los CI´s más recientes contienen
circuitos digitales y lineales combinados para aprovechar las ventajas características de cada tipo.
IEI2-EA-C2-110
2D2. ENCAPSULADOS Y ENUMERACIÓN DE TERMINALES PARA LOS CIRCUITOS
INTEGRADOS (CI's).
Los CI's son fabricados en diferentes encapsulados, los más comunes son:
-DIP (dual in-line packed) encapsulado en doble línea.
- SIP (single in-line packed) encapsulado en línea simple o sencilla.

- Encapsulado metálico.
- Encapsulado TO-3.
- Encapsulado TO-220.
Fig. 2.52 Encapsulados más comunes para CI's.
Un CI en encapsulado DIP, presenta una muesca que sirve como referencia para enumerar las
terminales. Tomando la vista superior del CI, la terminal No. 1 es la que se encuentra a la izquierda de
la muesca y las restantes se enumeran en sentido contrario a las manecillas del reloj, figura 2.50a.
Algunos CI's, a falta de la muesca presentan un punto en cualquiera de las esquinas, indicando la
terminal No. 1.
Fig. 2.53 Enumeración de terminales para un CI, a) DIP, b) SIP y c) Metálico.
Para el encapsulado SIP, la terminal No. 1 se encuentra a la izquierda del CI tomando como
referencia la vista frontal del mismo. En ocasiones presenta un punto que indica la terminal No.1.
El encapsulado metálico, presenta una pequeña ceja o lengüeta la cual indica la última terminal
el CI, las restantes se enumeran en orden descendente y en sentido contrario a las manecillas del reloj.
La cantidad de terminales varía dependiendo de la función que realice el C.I. De igual forma,
IEI2-EA-C2-111
las terminales de los encapsulados TO-220 y TO-3, es preferible consultarlas en un manual, ya que
varían de acuerdo a la función del CI.
A continuación se muestran los logotipos más comunes de algunos fabricantes de CI's.
2E. AMPLIFICADOR OPERACIONAL (OP-AMP).
Un amplificador operacional (OPAMP-del inglés Operational Amplifier), es un circuito

integrado que puede ser empleado en diferentes modos de operación.
Cuando en sí, es utilizado como amplificador, es capaz de proporcionar una ganancia de lazo
abierto muy alta (idealmente infinita), y dicha ganancia puede ser controlada utilizando resistores
externos. En la siguiente figura se muestra el símbolo del opamp:
Fig. 2.54 Símbolo del opamp.
Existen opamp's de características o parámetros eléctricos (voltaje de alimentación, respuesta a

la frecuencia, inmunidad al ruido, etc.), diferentes entre sí, lo que aumenta su costo y dificultad para
localizarlos en el mercado, debido a esto enfocaremos nuestro estudio en el opamp estándar industrial
741, el cual por sus características, bajo costo y facilidad de encontrar en el mercado, es uno de los más
utilizados, tanto en proyectos finales como prototipos, para posteriormente ser reemplazado por el
opamp adecuado.
IEI2-EA-C2-112
2E1. AMPLIFICADOR OPERACIONAL ESTANDAR INDUSTRIAL 741.
Puede ser encontrado en 3 tipos de encapsulado. Tipo DIP (Dual In line Packed - encapsulado
en doble línea), tipo SIP (Single In line Packed - encapsulado en línea simple) y en encapsulado
metálico.
Fig. 2.55 Formas físicas del opamp 741.
Nota: El 741 en encapsulado SIP, prácticamente no es utilizado.
2E2. DISTRIBUCIÓN DE TERMINALES.
Las terminales se distribuyen en el OPAMP, como lo muestra la siguiente figura:
Fig. 2.56 Distribución de terminales en el OPAMP.
2E3. FUNCIÓN DE LAS TERMINALES.
Terminal No.1.- Terminal que se emplea junto con la No.5, para eliminar un voltaje llamado "voltaje
de desbalance".
Terminal No. 2.- Entrada inversora, un voltaje aplicado en esta entrada será obtenido en la salida
defasado 180º (VCA) o con polaridad invertida (VCD).
Terminal No. 3.- Entrada no inversora, un voltaje aplicado en esta entrada será obtenido en la salida en
fase ó sin inversión de polaridad.
Terminal No. 4.- Terminal donde se aplica el voltaje de alimentación negativo.
Terminal No. 5.- Terminal que se emplea junto con la No.1, para eliminar un voltaje llamado "voltaje
IEI2-EA-C2-113
de desbalance".
Terminal No. 6.- Terminal donde se obtiene el voltaje de salida con respecto a tierra.
Terminal No. 7.- Terminal donde se aplica el voltaje de alimentación positivo.
Terminal No. 8.- Terminal que internamente no es conectada en el circuito integrado, es decir, no es
utilizada.
2E4. CARACTERISTICAS IDEALES Y REALES DEL OPAMP 741.
En general se desea que todo amplificador presente las siguientes características ideales:
- Una ganancia de voltaje (Δv) de un valor infinito para que produzca la mayor amplificación posible.
- Una impedancia de entrada (Zi) de un valor infinito, para que consuma una corriente de entrada igual
a cero, y no represente carga alguna para la señal aplicada o para etapas anteriores.
- Una impedancia de salida (Zo) igual a cero, para que entregue a la carga la mayor cantidad de
corriente posible.
Sin embargo, en el proceso de fabricación, se logra que el 741 presente las siguientes
características reales:
- Una ganancia de voltaje en lazo abierto (Δv) de 100,000 a 200,000 veces.

- Una impedancia de entrada (Zi) igual a 2 megaohm.
- Una impedancia de salida (Zo) igual a 75 ohm.
Estas características se representan en el opamp de la siguiente forma:
Fig. 2.57 Representación de los parámetros en el OPAMP.
Cabe mencionar que el OPAMP solamente exhibe aumentos de voltaje y no de corriente, ya que
por su alta impedancia de entrada la corriente en esa etapa es prácticamente cero (Ii = 0).
2E5. FORMAS DE APLICAR EL VOLTAJE DE ALIMENTACION AL OPAMP.
Existen 2 formas de alimentar al opamp: Con fuente dual (doble) o con fuente simple.
ALIMENTACIÓN CON FUENTE DUAL.
Consiste en alimentar al opamp con voltaje positivo y negativo, a sus respectivas terminales de
alimentación (+Vcc a la terminal No.7 y -Vcc a la terminal No.4).
IEI2-EA-C2-114
Fig. 2.58 Alimentación del opamp 741, utilizando fuente dual.
ALIMENTACIÓN CON FUENTE SIMPLE.
Consiste en alimentar un voltaje positivo en la terminal No.7 (+Vcc), con respecto a la terminal
No.4 como punto de tierra.
Fig. 2.59 Alimentación del opamp 741, utilizando fuente simple.
Cabe mencionar que dependiendo del opamp utilizado, es el valor del voltaje aplicado. Para el
caso del 741, este se alimenta con un rango de ±3v a ±15v.
Como se había mencionado el opamp puede ser operado en diferentes modos (modos de
operación), los cuales son:
a).- Amplificador inversor.
b).- Amplificador no inversor.
c).- Sumador inversor.
d).- Diferenciador.
e).- Integrador.
f).- Comparador.
g).- Oscilador.
a) Amplificador inversor.
Este circuito amplifica un voltaje aplicado en su entrada inversora (Vi), con una ganancia (Δv)
determinada por 2 resistores externos RF (FEEDBACK-RETROALIMENTACIÓN) y RI (IN -
ENTRADA), figura 2.57. Además de obtener el voltaje amplificado en la salida (Vo), presenta un
desfasamiento de 180º con respecto al voltaje de entrada si es de CA, o bien con una inversión de
polaridad si es de CD.
IEI2-EA-C2-115
En este circuito, la ganancia de voltaje se calcula con la siguiente fórmula:
RF
Δv = -
RI
Donde: RF es la resistencia de retroalimentación.

RI es la resistencia de entrada.
Y el signo negativo indica solo la inversión de polaridad o el desfasamiento.
Como también la ganancia de voltaje es igual:
Vo
Δv =
Vi
El voltaje de salida será igual:
Vo = ΔV x Vi
Fig. 2.60 Amplificador inversor mostrando el desfasamiento

o la inversión de polaridad en el voltaje de salida.
Cabe mencionar que en la entrada puede ser aplicado un voltaje de alterna o bien de directa, y
que en la salida no podemos obtener un voltaje de un valor mayor del que se esta alimentando (+Vcc y
-Vcc). Es decir, si se alimenta el opamp con ±15 v, el voltaje en la salida no puede ser mayor que ese
valor. Ejemplo:-
Obtener Vo y Δv si:
RF 2000 ohms
Vi= 1V. Δv = - =- = - 20
RI 100 ohms
RF = 2000 ohms
RI = 100 ohms
Vo = Δv Vi = -20V (1V) = - 20V (Teórico).
Vo = V saturación = -13V (Práctico).
IEI2-EA-C2-116
En el ejemplo anterior, se obtuvo una Δv = 20 y con un Vi = 1V, teóricamente tendríamos un
Vo = -20V, sin embargo, en la práctica un opamp se satura (V saturación) aproximadamente a 2V
menos del voltaje de alimentación de tal forma que, si lo alimentamos con Δ5V (máximo voltaje de
alimentación), se obtendría en la salida un voltaje aproximado a los -13V.
b) Amplificador no inversor.
Para este amplificador la ganancia de voltaje se calcula con la fórmula:

RF
Δv = 1+
RI
Y para el Vo se emplea la misma fórmula anterior:
Vo Δv Vi
En la siguiente figura se muestra el circuito de este amplificador:
Fig. 2.61 Amplificador no inversor.
La ganancia de este amplificador es mayor que la del amplificador inversor y el voltaje de

salida no presenta defasamiento ni inversión de polaridad.
Ejemplo:-
RF 100 kΩ
Vi= 0.1 V Δv = 1 + = 1+ = 1+100 =101
RI 1 kΩ
RF= 100 kΩ
RI= 1 kΩ Vo = Δv Vi = 101 (0.1V) = 10.1V
10 kΩ
Vi= 0.1 V Δv = 1+ = 1+10 = 11
1 kΩ
RF= 10 kΩ
RI = 1 kΩ Vo = 11 (0.1V) = 1.1V
IEI2-EA-C2-117
De lo visto, se desprende que la V de estos amplificadores puede ser controlada hasta un valor
alto, siempre y cuando no sature al OPAMP, por lo que su mayor aprovechamiento radica en ser
utilizado para amplificar valores muy bajos de voltaje, provenientes de diferentes tipos de sensores (de
intensidad luminosa, temperatura, etc.).
c) Sumador inversor.
Como su nombre lo dice, este circuito nos entrega un voltaje de salida resultado de la suma de
los voltajes de entrada afectada cada uno por su respectiva ganancia. El circuito y la fórmula para
calcular el voltaje de salida, se muestra en la siguiente figura.
Fig. 2.62 Sumador inversor.
Nota: la cantidad de entradas puede variar.
Como se observa en la figura anterior, la ganancia que afecta a cada voltaje de entrada, esta
determinada por RF y su respectivo resistor de entrada (R1, R2, R3, R4), además, el voltaje de salida
presenta defasamiento o inversión de polaridad, por ser aplicado la entrada a la inversora.
RF RF RF RF
Ejemplo: Vo = -( V1 + V2 + V3 + V4)
R1 R2 R3 R4
Obtener Vo si:
1 kΩ 1 kΩ 1 kΩ 1 kΩ
V1=V2=V3=V4=2V Vo = - ( 2V + 2V+ 2V+ 2V)
1 kΩ 1 kΩ 1 kΩ 1 kΩ
R1=R2=R3=R4=1kΩ
RF= 1kΩ Vo = - (2V + 2V +2V+ 2V)
Vo = - 8V.
El sumador inversor encuentra su aplicación en: computadoras analógicas, y como elemento

básico de conversión, de una información digital a analógica.
Convertidor digital-analógico con un sumador inversor.
Se desea un circuito que convierta un dato binario de 4 bits (en donde el 0 lógico son 0V y 1
lógico 5V), a un dato analógico, equivalente al valor binario aplicado en sus entradas. Es decir, si se
IEI2-EA-C2-118
aplica un 0000 obtener 0V, si se aplica un 0001 obtener 1V y así sucesivamente.
Tomando como referencia un valor para RF de 10 kilo ohm (RF=10 kΩ) y determinando que la
entrada V1 es la de mayor peso y la entrada V4 la de menor peso, se tienen los siguientes valores para
los resistores de entrada:
R1 = 6.25 kΩ R2 = 12.5 kΩ R3 = 25 kΩ R4 = 50 kΩ
El circuito queda como lo muestra la siguiente figura:
Fig. 2.63 Convertidor digital-analógico con el sumador inversor.
d) Diferenciador.
Fig. 2.64 a) Diferenciador, b) Voltaje de salida a diferentes frecuencias.
Este circuito es semejante al amplificador inversor pero la resistencia de entrada es sustituida

por un capacitor, de tal forma, que la ganancia de voltaje y el voltaje de salida, están dados por las
siguientes fórmulas:
RF RF Vo
Δv = - =- Δv =
XC 1 Vi
2ΠfC
Δv = - 2πFcrF Vo = Δv x Vi
IEI2-EA-C2-119
Analizando la fórmula de ganancia de voltaje, se deduce que la misma, varía directamente
proporcional al valor del capacitor a la resistencia de retroalimentación y a la frecuencia del voltaje de
entrada. Así, si aplicamos en la entrada un voltaje de CD (cuya frecuencia es cero), manteniendo C y R f
constantes, la Δv tiende a ser cero, lo mismo que el Vo, conforme se incremente la frecuencia se
incrementará también la Δv y el Vo, hasta que a una determinada frecuencia se obtenga la mayor Δv y
el mayor Vo posible.
De aquí, que el diferenciador sea utilizado en ecualizadores como un filtro activo pasa altos, es
decir, como un circuito que permite solo el paso de frecuencias altas, y que además las amplifica.
e) Integrador.
Fig. 2.65 a) Integrador, b) Voltaje de salida a diferentes frecuencias.
En el integrado Fig. 2.62a, el capacitor es colocado en la retroalimentación, de tal forma, que la

ganancia de voltaje y el voltaje de salida, se calcula con las siguientes fórmulas:
Xc 1
Δv = - =- Vo = Δv x Vi
RI 2ΠfC
RI
1
Δv = -
2ΠfCRI
De la formula de Δv, se deduce que esta varía en forma inversamente proporcional a la

frecuencia, es decir a frecuencias bajas la ganancia es mayor que a las frecuencias altas. Figura 2.62b.
Este circuito es utilizado también en ecualizadores pero como un filtro activo pasa bajos, o sea,
permite el paso solo de frecuencias bajas y las amplifica.
IEI2-EA-C2-120
f) Comparador
Fig. 2.66 a) Comparador, b) Niveles o estados de salida.
Como su nombre lo dice tiene por función comparar dos voltajes aplicados en sus entradas
(inversora y no inversora) y entregar en su salida un voltaje cuya polaridad indica cual de los 2 es de
mayor magnitud o si son iguales.
Por ejemplo en la figura 2.63a, se observa el circuito del comparador, un voltaje V1 es aplicado
en la entrada inversora y un voltaje V2 en la no inversora con respecto a tierra. Si damos a V1 un valor
de 5V y V2 de 7V (V1 < V2) alimentando al OPAMP con ±15V (fuente dual), el voltaje en la salida
tiende a ser +13V, es decir, voltaje de saturación positivo (+V sat). Cuando ambos voltajes son iguales,
teóricamente la salida sería 0V, sin embargo internamente en el opamp se produce un voltaje llamado
"voltaje de desbalance", el cual por la más mínima diferencia de voltaje en las entradas, el voltaje de
salida no será cero.
Este voltaje se elimina utilizando las terminales 1 y 5 (offset null), conectando entre ambas una
resistor variable en forma de reóstato; la resistencia de este elemento se justa hasta tener en la salida
0V, la resistencia del mismo debe ser de 10kΩ y de 10 o más vueltas (de los llamados resistores de
precisión). En la figura 2.64, se muestra la forma de eliminar el voltaje de desbalance para el opamp
741; para el caso de otros opamp´s, es necesario consultar el manual de operación en donde se indicará
la forma de eliminar este voltaje de desbalance.
Fig. 2.67 Forma de eliminar el voltaje de desbalance en el opamp 741.
Si ahora a V1 le damos un valor de -7V y V2 de -5V, la salida tiende a ser saturación positiva
(+V sat), ya que V1 por ser aplicado en la entrada inversora tiende a cambiar su polaridad, de tal
manera, que internamente lo que el opamp compara es un +7V con un -5V.
IEI2-EA-C2-121
Cabe mencionar, que cuando el opamp se alimenta con fuente simple solo hay 2 niveles de
salida +V saturación y aproximadamente 2V, que sería la máxima saturación hacia el nivel más
negativo.
Fig. 2.68 a) Comparador alimentado con fuente simple,

b) Niveles o estados de salida.
Las aplicaciones del comparador son enfocadas en la gran mayoría a circuitos On-Off
(encendido-apagado), activados por temperatura, luz, nivel, sonido, etc. En la siguiente figura se
muestra un circuito que activa y desactiva una carga en base a los cambios de temperatura registrados
sobre un termistor.
Fig. 2.69 Aplicación del comparador (control de temperatura).
g) Oscilador.
Fig. 2.70 Oscilador de onda cuadrada con OPAMP.

IEI2-EA-C2-122
Este circuito entrega en su salida una forma de onda cuadrada a partir del voltaje de
alimentación del opamp.
El funcionamiento del circuito es el siguiente:
Tomando como base que al energizar el circuito en la salida existe un voltaje positivo igual al
voltaje de saturación (+V sat), en extremo de R2 hay una caída de voltaje cuyo valor depende del
divisor de voltaje formado por la propia R2 y por R1, con una polaridad que se muestra en la figura
2.67. Por lo tanto, en la entrada no inversora hay un voltaje positivo con respecto a tierra. El capacitor
(C) se carga a través de R y el voltaje en sus extremos es el mismo que se aplica a la entrada inversora.
Cuando el voltaje en esta entrada es mayor al de la entrada no inversora, la salida pasa ahora a
saturación negativa (-V sat), descargándose el capacitor a través del opamp. Ahora, en R2 hay una caída
con polaridad contraria a la anterior pero de la misma magnitud ya que no se han modificado los
valores del divisor de voltaje, C se carga también en sentido pasando nuevamente la salida a saturación
positiva, cuando el voltaje en sus extremos aplicado a la entrada inversora, sea mayor que el de la
entrada no inversora.
Como se puede apreciar, la magnitud del voltaje de salida depende del voltaje de alimentación
al opamp, y la frecuencia, del tiempo de carga del capacitor, o sea, de su propio valor y del valor de R.
A continuación se muestra una tabla comparativa de los parámetros eléctricos para los
OPAMP's que se utilizan con mayor frecuencia.
V enti (comp) / ent (pol) / ent (comp) / sal (máx) f uni Rapidez de resp.
Número
mV nA na mA MHz V/µS
LF351 5 0.05 0.025 20 4 13
LF353 5 0.05 0.025 20 4 13
LF355 3 0.03 0.003 20 2.5 5
LF356 3 0.03 0.003 20 5 12
LM10C 0.5 12 0.4 20 0.1 0.12
LM11C 0.1 0.025 0.0005 2 0.5 0.3

LM301C 2 70 3 10 1 0.5
LM307 2 70 3 10 1 0.5
LM308 2 1.5 0.2 5 0.3 0.15
LM312 2 1.5 0.2 6 1 0.1
LM318 4 150 30 21 15 70
LM324 2 45 5 20 1 0.5
LM348 1 30 4 25 1 0.5
LM358 2 45 5 40 1 0.5
LM709 2 300 100 42 * 0.25
LM739LM74 1 300 50 1.5 6 1

1C 2 80 20 25 1 0.5
LM747C 2 80 20 25 1 0.5
LM748 2 80 20 27 * *
LM1458 1 200 80 20 1 0.5
LM4250 3-5 * * * * *
LM13080 3 * * 250 1 *
NE531 2 400 50 20 1 35
TL071 3 0.03 0.005 10 3 13
TL072 3 0.03 0.005 10 3 13
TL074 5 0.05 0.025 17 4 13
* Contrato externamente por resistores o capacitores.
IEI2-EA-C2-123
2E6. CIRCUITOS PRACTICOS CON OPAMP´S.
Control de alumbrado.
Voltímetro gráfico luminoso.
Indicador gráfico luminoso de intensidad de audio usando el LM3914.
Fig. 2.71 Circuitos de aplicación con OPAMP.

IEI2-EA-C2-124
2F. AMPLIFICADORES DE RADIOFRECUENCIA (R.F.).
Las frecuencias de radio como se ha aprendido, varían desde 100 Hz. a 15 Khz. Las frecuencias
más altas que las de audio, se conocen como radiofrecuencias (RF) y los amplificadores diseñados para
funcionar con ellas, se conocen como amplificadores de radiofrecuencia. Las radiofrecuencias pueden
ser hasta de varios cientos de megahertz (Mhz.).
Como ningún amplificador de RF puede cubrir toda la escala de frecuencia, el espectro de RF se

separa en varias bandas, usándose cada una para un fin específico. La tabla siguiente muestra esa
adaptación.
Frecuencia muy baja (FMB-VLF) 3 KHZ. a 30 KHZ.

Frecuencia baja (FB-LF) 30 KHZ. a 300 KHZ.
Frecuencia media (FM- MF) 300 KHZ. a 3 MHz.
Frecuencia alta (FA-HF) 3 MHz. a 30 MHz.
Frecuencia muy alta (FMA-VHF) 30 MHz a 300 MHz.
Frecuencia ultralta (FUA-UHF) 300 MHz. a 3 GHz.
Frecuencia superalta (FSA-SHF) 3 GHz. a 30 GHz.
Frecuencia extralta (FEA-EHF) 30 GHz. a 300 GHz.
Para fines de transmisión en Estados Unidos, la Comisión Federal de Comunicaciones (FCC) ha

adoptado otro sistema más. En la banda de transmisión de amplitud modulada (AM), la escala de
frecuencia se encuentra entre 535 a 1,605 KHZ, es decir, una amplitud de 1,070 KHZ. Las frecuencias
de las estaciones transmisoras comprendidas en esta banda, tienen una separación de 10 a 15 KHZ para
evitar interferencias entre ellas.
En la banda de transmisión de frecuencia modulada (FM), la escala de frecuencias es de 88.1 a

107.9 MHz., es decir, una amplitud de 19,800 KHZ. Las estaciones de transmisión tienen una
separación de 200 KHZ.
Se han destinado dos bandas de frecuencias para la transmisión de televisión. Una, la banda de
frecuencia muy alta (VHF), cubre una escala de 162 MHz., desde 54 a 126 MHz. La otra, la banda de
frecuencia ultra alta (UHF), cubre una amplitud de 420 MHz desde 470 a 890 MHz. Las estaciones de
ambas bandas tienen una separación de 6 MHz.
Dentro de una banda determinada, se asigna a cada estación transmisora la frecuencia a la que
ha de funcionar. Sin embargo, cada estación transmite no sólo en esta frecuencia, sino en una banda
bastante estrecha de frecuencias que se hallan a cada lado de ésta frecuencia asignada. Esta banda de
frecuencias es necesaria para que la señal sea inteligible, Así, por ejemplo, una estación que se
encuentra en la banda de transmisión de AM a la que se asigna una frecuencia determinada, transmitirá
una señal cuyas frecuencias abarcan una banda que se extiende de 5 a 7.5 KHZ a cada lado de la
frecuencia asignada.
Por lo tanto, el amplificador de RF se ajusta para cubrir no sólo toda la banda de transmisión de
AM (que abarca una escala de 1,070 KHZ) simultáneamente, sin más bien, una porción de la banda de
unos 15 KHZ de ancho, que corresponde al ensanche de una sola estación. Decimos que la amplitud de
banda del amplificador de RF es de 15 KHZ. El amplificador se ajusta (se sintoniza) a una estación
cada vez. En la banda de transmisión de FM, en la que cada estación esta separada 200 KHZ de sus
IEI2-EA-C2-125
vecinas la amplitud de banda del amplificador de RF es de 150 KHZ, aproximadamente. En las bandas
de televisión, el amplificador de RF tiene una amplitud de banda de unos 6 MHz.
El amplificador de RF se diseña para funcionar sólo en una banda determinada. Por lo tanto,
tenemos un amplificador de RF para la banda de transmisión de AM, otro tipo para la banda de
transmisión de FM y otro más para la banda de transmisión de televisión.
Entonces, el amplificador de RF sirve para un doble propósito. Uno, como filtro de paso de
banda, que deja pasar las señales de la estación deseada y rechaza las demás. El otro, por supuesto, es
amplificar estas señales de RF. Estos amplificadores difieren entre sí por las frecuencias en que
funcionan y sus amplitudes de banda. Podemos dividir los amplificadores de RF en dos tipos:
AMPLIFICADORES DE BANDA ESTRECHA (con una amplitud de hasta varios cientos de KHZ.) y
los AMPLIFICADORES DE BANDA ANCHA (con una amplitud del orden de los MHz.).
A continuación se muestra un circuito amplificador de RF.
Fig. 2.72 Etapa de amplificación sintonizada de RF

que emplea un transistor NPN.
En el circuito anterior, T1 y T2 son llamados transformadores de frecuencia intermedia (FI), y en

conjunto con C1 y C2 (que es un capacitor variable), son los encargados de ajustar (sintonizar) la
frecuencia a la cual se desea que trabaje el amplificador.
Fig. 2.73 a) Transformador de FI y b) Capacitor variable

utilizados en un amplificador de RF.
La radiofrecuencia reviste de una gran importancia, ya que sin ella no sería posible la
comunicación a distancia (telecomunicación), a través del espacio. Por lo que todo equipo de
transmisión incorpora un oscilador de RF, para la transmisión de sus datos. Por ejemplo, un control
remoto para televisión, en el cual, además del circuito que genera la orden de datos, sin el oscilador de
RF no sería posible el control del aparato receptor.
IEI2-EA-C2-126
2G. AMPLIFICADORES DE VIDEOFRECUENCIA (V.F.).
Los amplificadores de video son similares en diseño y arreglo a los amplificadores de audio. La
diferencia se encuentra en la respuesta que tiene a la frecuencia. Generalmente operan cubriendo un
rango desde 0 Hz (CD) hasta varios Megahertz, aunque típicamente se diseñan dentro de un rango de
30 Hz a 5Mhz, adecuado para muchas aplicaciones.
Como su nombre lo dice son utilizados en aplicaciones donde la información involucre imagen
(osciloscopios, T.V., radar, procesamiento de datos, etc.), aunque también se utilizan para amplificar
formas de onda de pulsos.
Todo lo relacionado con amplificadores de audio (configuraciones, métodos de polarización,

métodos de acoplamiento, etc.), es aplicado también en los amplificadores de video.
Fig. 2.74 Formas de onda procesadas por el amplificador de video.

a) Pulsos agudos b) Onda cuadrada c) Onda triangular d) Señal de T.V.
Estos amplificadores deben de tener una respuesta a la frecuencia amplia (ancho de banda
amplio), porque generalmente se les requiere para procesar formas de onda de pulsos agudos,
cuadrados y triangulares (figura 2.71). Esto es, porque dichas ondas son la suma de varios senoidales
armónicamente relacionadas (una fundamental y un número infinito de armónicas, múltiplos de la
fundamental). Algunas de estas armónicas tienen frecuencia que son 10 o más veces mayores que la
frecuencia fundamental. Dichas armónicas deben ser amplificadas para no perder la información
original, lo que obviamente incrementa la respuesta del amplificador.
Fig. 2.73 Onda cuadrada descompuesta en una senoidal

fundamental y un número infinito de armónicas.
Aun número determinado de armónicas, la amplitud de las mismas es pequeña que se desprecia.
Si el amplificador presenta una mala respuesta a la frecuencia, causará distorsión a la señal
amplificada.
Fig. 2.76 Distorsión por mala respuesta a la frecuencia.

IEI2-EA-C2-127
CAPÍTULO 2
CUESTIONARIO
1.- ¿Qué es un transistor?

2.- Mencione son los tipos de transistor que existen y dibuje sus símbolos.
3.- ¿Cómo se clasifican los transistores?
4.- El transistor, es un dispositivo controlado por:
5.- ¿Cómo se debe polarizar el transistor?
6.- Al probar el transistor con el omhímetro ¿Qué lecturas nos deberá indicar para considerar que el
transistor se encuentra en buen estado?
7.- ¿Cuáles son las 2 aplicaciones del transistor?
8.- ¿En qué regiones se hace trabajar al transistor como interruptor?
9.- ¿Para qué se utiliza el transistor como interruptor?
10.- ¿Cómo se define señal?
11.- ¿Cuáles son las frecuencias de audio y cuáles las de radio?
12.- ¿Cómo se define un circuito amplificador?
13.- ¿Cómo se define un amplificador de AF y como uno de RF?
14.- ¿Cuáles son las 3 configuraciones del transistor como amplificador?
15.- ¿Cuáles son los factores que limitan al transistor a trabajar en frecuencias altas?
16.- ¿Qué se entiende por distorsión?
17.- ¿Cuáles son los tipos de distorsión que existen?
18.- Mencione los métodos utilizados para estabilizar la polarización por efectos de la temperatura.
19.- ¿Cómo se define retroalimentación?
20.- ¿Cuáles son los tipos de retroalimentación que existen?
21.- ¿Cuando se presenta la retroalimentación directa?
22.- ¿Qué provoca la retroalimentación directa en un amplificador?
23.- ¿En qué circuitos se utiliza la retroalimentación positiva?
24.- ¿Cuando se presenta la retroalimentación inversa?
25.- ¿Qué tipo de retroalimentación se recomienda en un amplificador?
26.- ¿Qué se entiende por amplificador en cascada?
27.- Mencione los acoplamientos que existen.
28.- ¿Cuál es el acoplamiento más utilizado?
29.- ¿Qué se entiende por logaritmo común de un número?
30.- ¿Qué es el bel?
31.- ¿Cuál es la unidad más cómoda utilizada para comparar dos potencias?
32.- ¿Cómo se abrevia decibel?
33.- ¿Qué representa un +dB y un -dB?
34.- Dibuje una configuración Darlington.
35.- ¿Cuáles son las características de la configuración Darlington?
36.- Dibuje el circuito de un amplificador.
37.- ¿Cuál es la característica principal del amplificador diferencial?
38.- ¿Para qué se utiliza el potenciómetro de balance en los circuitos de emisor en un amplificador
diferencial?
39.- ¿Qué es el voltaje de desplazamiento de c.d. en un amplificador diferencial?
40.- ¿En un amplificador diferencial a que se le llama rechazo de modo común (RMC)?
41.- Dibuje el símbolo del TDA2002.
42.- Dibuje el diagrama de un amplificador empleando el TDA2002.
IEI2-EA-C2-128
43.- ¿Cuál es la función de un disipador de calor?
44.- Los FET's, son dispositivos controlados por:
45.- Mencione los tipos de FET que existen y dibuje sus símbolos.
46.- ¿Cómo debe ser polarizado el FET?
47.- Mencione las diferencias entre el FET y el transistor bipolar.
48.- Mencione los tipos de MOSFET y dibuje sus símbolos.
49.- ¿Cuál es la mayor aplicación del MOSFET?
50.- ¿Qué precaución se debe observar al manipular circuitos integrados de tecnología CMOS?
51.- ¿Cómo se clasifican los C.I.'s según su fabricación?
52.- ¿Cómo se clasifican los C.I.'s según su función?
53.- ¿Cuáles son los C.I.'s digitales?
54.- ¿Cuáles son los C.I's lineales?
55.- ¿Qué es un OPAMP?
56.- Dibuje el símbolo del OPAMP.
57.- Mencione las características reales del OPAMP 741.
58.- Diga la función de cada una de las terminales del OPAMP 741.
59.- ¿Cuáles son las dos formas de alimentar a un OPAMP?
60.- Dibuje el OPAMP 741 alimentado con fuente dual y con fuente simple.
61.- Mencione los modos de operación del OPAMP.
62.- Dibuje el circuito y exprese las fórmulas de ganancia de voltaje y voltaje de salida para los
diferentes modos de operación del opamp.
63.- ¿Cuáles son los niveles o estados de salida del comparador?
64.- ¿Cuáles son los dos propósitos de un amplificador de RF?
65.- Mencione los dos tipos de amplificadores de RF.
66.- ¿A qué tipo de amplificadores son similares los amplificadores de video?
67.- ¿Cuál es la diferencia que existe entre los amplificadores de audio y de video?
68.- ¿Dentro de que rango operan los amplificadores de video?
69.- ¿En qué aplicaciones son utilizados este tipo de amplificadores?
70.- ¿Qué formas de onda procesan los amplificadores de video?
71.- ¿A qué se debe que los amplificadores de video tienen una amplia respuesta a la frecuencia?
72.- ¿Qué sucede si un amplificador presenta una mala respuesta a la frecuencia?
IEI2-EA-C2-129

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“ESCUELA ELECTRÓNICA MONTERREY”

2A. TRANSISTOR BIPOLAR (BJT).

La palabra transistor se deriva de los vocablos:

Existen dos tipos de transistores bipolares: NPN y PNP.

Fig. 2.1 Símbolos y terminales del transistor, a) NPN, b) PNP.

El transistor se representa con la letra "Q".

El nombre de estos tipos de transistores proviene de su construcción por regiones. Así, el

Fig. 2.2 Construcción por regiones, a) NPN, b) PNP.

Fig. 2.3 Tipos de encapsulados, formas físicas del transistor.

Fig. 2.4 Funcionamiento del transistor.

Donde si la Ib se considera despreciable, tenemos que:

De lo anterior podemos resumir que el transistor es un dispositivo controlado por corriente, ya

2A1. POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR.

Entre base y emisor: POLARIZACIÓN DIRECTA.

Entre base y colector: POLARIZACIÓN INVERSA.

Fig. 2.5 Pruebas del transistor con el ohmiómetro.

Fig. 2.6 Transistor que incorpora un diodo y un resistor.

2A3. APLICACIONES DEL TRANSISTOR.

Básicamente el transistor tiene dos aplicaciones:

a).- Como INTERRUPTOR.

Fig. 2.7 a) Curvas características del transistor mostrando

Ic = VCC Por ejemplo: Si VCC = 12 V.

En la figura 2.7c, la unión base-emisor es polarizada inversamente, por lo que el transistor se

Fig. 2.8 Diferentes formas de conectar la carga al transistor.

Fig. 2.9 Circuito para el ejemplo anterior.

Se puede utilizar el transistor TIP 41C cuyos parámetros máximos son:

Rb = 5V - Vbe = 5V - 0.7v = 4.3V = 86 ohms.

Fig. 2.10 Manejo de cargas mediante un relevador.

2A5. EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR.

SEÑALES DE AUDIO FRECUENCIA (AF) Y RADIO FRECUENCIA (RF).

ASIGNACIÓN DE FRECUENCIAS DE LA FCC

Un circuito amplificador es aquel capaz de producir aumento, de voltaje, de corriente y por lo

Fig. 2.11 a) Block amplificado, b) Símbolo general.

Un transistor puede ser utilizado en cualquier de estos tipos de amplificadores.

2B. AMPLIFICADORES DE AUDIOFRECUENCIA (A.F.)

2B1. EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR DE A. F.

Antes de operar al transistor como amplificador, es necesario polarizarlo correctamente para su

Fig. 2.12 Configuraciones del transistor con polarización universal,

Se entiende por ganancia en un amplificador, como los aumentos de voltaje, corriente o

Nota: o = out = salida;

La ganancia de voltaje se encuentra, en general, entre 300 y 1,000.

La ganancia de corriente, llamada también (Beta) o hfe, es aproximadamente de 25 a 50.

IC = Corriente de salida o colector = Ib β = Ic

CONFIGURACIÓN BASE COMÚN.

Como en esta configuración la corriente de entrada es la IE, y la de salida es la Ic, es lógico

Para este caso, la ganancia de corriente, llamada α (alfa) es igual:

Corriente de Salida o colector = IC

C0NFIGURACIÓN COLECTOR COMÚN.

OTRAS CARACTERISTICAS DE LA CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN.

Además de lo ya mencionado, la configuración emisor común entrega en la salida la señal

Fig. 2.13 La configuración emisor común desfasa 180º la señal de entrada.

Si mediante el voltaje de alimentación, R2, R1 y RL se establece en el colector un voltaje de 5V

Lo anterior se puede corregir controlando la magnitud de la señal de entrada (mediante un

En la figura 2.14, se muestra la curva característica para diferentes condiciones de polarización

Fig. 2.14 Curva característica para diferentes condiciones

Si el punto de operación se ve afectado por fallas en el transistor, en la polarización o por

Fig. 2.15 Punto de operación alterado, a) Cerca de saturación, b) Cerca de corte.

A continuación se muestran una serie de curvas características para diferentes transistores.

ECG SEMICONDUCTOR REPLACEMENT GUIDE 2N1405 through 2N2417

2N1412..........................213 2N1566A....................128 2N1753.....................102A 2N1969.........................100 2N2155A....................213 2N2314......................123A 2N2519.....................287