Cours dElectronique Analogique

ENSPS - 1ire anne. Anne universitaire : 2005/2006

Thomas Heiser Institut dElectronique du Solide et des Systmes (InESS) Campus Cronenbourg tel: 03 88 10 62 33 email: heiser@iness.c-strasbourg.fr

Version jour du cours, Archives : noncs examens http://www-iness.c-strasbourg.fr/~heiser/EA/

1

Introduction
Quest-ce que llectronique ?

Domaine de la physique applique qui exploite les variations de grandeurs lectriques pour capter, transmettre ou analyser des informations.

Le traitement de linformation est gnralement assur par des circuits lectroniques.

 Quest-ce quun circuit lectronique ?

Un ensemble de composants (rsistances, condensateurs, diodes, transistors, circuits intgrs: AOP, microprocesseurs, ) qui agissent sur les courants et tensions lectriques

ils engendrent, modifient et utilisent des signaux lectriques. stockage et traitement de l information, commande et contrle d appareillage,... amplificateur, redressement, modulateur , gnrateur, capteur, compteur,.
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 Lhirarchie de lElectronique Technologies des composants semiconducteurs - Conception et modlisation des composants physique des semiconducteurs (transport de charge, interfaces,) - Fabrication des composants
physique de la matire condense (croissance cristalline, dopage, )

Conception de circuits lectroniques et microlectroniques - Conception de circuits fonctionnels - Conception assiste par ordinateur
Traitement du signal, algbre de Boole

Ralisation de systmes complets - Architecture des systmes - Interfaces avec lenvironnement - Systmes asservis
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 Electronique Analogique ou Numrique Electronique analogique - Variation continue des grandeurs lectriques Information valeurs instantanes I(t) et V(t) Electronique numrique - Variation binaire des grandeurs lectriques Codage de lInformation Niveau dabstraction supplmentaire

 Pour quelles applications ?

Instrumentation Robotique Communications Multimdia Systmes informatiques Cartes mmoires

 Pourquoi quels ingnieurs ? R&D sur les composants lectroniques rduction des dimensions, introduction de nouveaux matriaux, nouveaux types de composants: optolectronique, de puissance, mmoires, ... Simulation et programmation R&D sur la simulation de la fabrication et du fonctionnement des C.I. Conception de circuits lectroniques et de composants intgrs conception, simulation et ralisation de circuits

 Llectronique : Un domaine en volution exponentielle

En 1947 : le premier transistor (Shockley, Brattain, Bardeen)

En 1957 : le premier CI (Texas / Kilby)

En 1971 : le premier Processeur (Hoff, Faggin, prix 200$)

4004 dINTEL : 15/11/1971

(2250 Transistors Bipolaires, 108 KHz, 4bits, 604 mots ad.)

Aujourdhui: ATHLON 64 X2 Dual-core => deux processeurs sur un seul chip

Mmoire cache (SRAM)

233 000 000 Transistors en technologie 90nm

Premier processeur

Deuxime processeur

10

La loi empirique de Moore

Taille des transistors Taux dintgration Vitesse de calcul

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et demain La nano-lectronique
Transistor 25nm (10nm possible)

Couplage avec la micro-mcanique et loptique (MEMS, MOEMS)

12

Les technologies mergentes

Electronique sur plastique

Electronique molculaire Une molcule comme composant

13

Mais a ne se fait pas tout seul...

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 L Electronique lENSPS 1A: Les bases : - Electronique Analogique - Electronique Numrique - Complment dlectronique - Physique et technologie des semiconducteurs (ancien Capteurs ) 2A: Notions avances : - Electronique Numrique et Analogique II - Simulation et modlisation en microlectronique - Microcontrleurs En option : - Physique des dispositifs lectroniques base de semiconducteurs - Electronique programmable - CAO 3A: La spcialisation : - ENSPS: OPTION ELEC / OPTION PHYSIQUE 15 - MASTER: micro- et nanolectronique: du composant au systme sur puce

 Le lien avec les autres enseignements (1A) :

Physique de la matire semiconducteurs, thorie des bandes, transport de charges Systmes asservis systmes linaires, circuits contre-raction Traitement du signal filtrage, systmes linaires, modulation...

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Contenu du cours d lectronique analogique

Quelques rappels utiles 1. 2. 3. Les Diodes et applications des diodes Le Transistor bipolaire et applications Les Transistors effet de champ et applications

Bibliographie
Principes dlectronique, Alberto P. Malvino, McGraw-Hill, 1991 Electronique: composants et systmes d'application, Thomas L. Floyd, Dunod, 2000 Trait de llectronique analogique et numrique (Vol.1), Paul Horowitz & Winfield Hill, Elektor,1996 Microlectronique, Jacob Millman, Arvin Grabel, Ediscience International, 1994 17 Logiciel de simulation gratuit: ICAP/4, version demo (www.intusoft.com)

Contenu du cours d lectronique analogique

et pour sentraner 12 sances de travaux dirigs 10 sances de travaux pratiques (4h)

et aprs
Complments dlectronique (C. Lallement) : Electronique et temprature, composants de puissance Amplificateurs oprationnels: - parfaits et rels - applications Autres composants intgrs (N555): - interface A/N - autres applications
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Rappels utiles Composants linaires et loi d Ohm Rsistance lectrique = composant linaire : V=RI loi d Ohm I I V V R

Le modle linaire ne dcrit le comportement rel du composant que dans un domaine de fonctionnement (linaire) fini. Gnralisation au rgime harmonique (variation sinusodale des tensions et courants) :
V ( ) = Z ( ) I ( )
C composant linaire : impdance : L

Z ( ) =

1 jC

Z ( ) = jL
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Source de tension, source de courant Sources idales :

I source de courant idale : Io V I Io V charge

le courant fourni par la source est indpendant de la charge

V Vo I I Vo V charge

source de tension idale :

la tension aux bornes de la source est indpendante de la charge

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Sources relles :
I Io

domaine de fonctionnement linaire ou domaine de linarit schma quivalent V

source de courant relle :

Le domaine de linarit dfini la plage de fonctionnement du composant en tant que source de courant Schma quivalent: hyp : Vdomaine de linarit
I Io Ri V charge

I = Io

V Ri

Ri = rsistance interne (Gi = 1/Ri = conductance interne)

I cst = I o V tant que I >> courant dans la rsistance interne R i

source de courant Ri >> V/I = Ze = impdance d entre de la charge.

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domaine de linarit source de tension relle : V Vo I schma quivalent

Schma quivalent: hyp : Vdomaine de linarit I Vo Ri V charge

V = Vo Ri I V cst = Vo

tant que la chute de potentiel aux bornes de Ri est faible devant V (Ri I << V ) source de tension Ri << Ze
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Transformation de schma : en fait... Vo Ri

V

vu de la charge

avec circuit (charge remplace par un courtcircuit) [Vo = tension en circuit ouvert du diple]
V I o = o = courant de courtRi

puisque

I = Io

V Vo V = V = Vo Ri I Ri Ri Ri

selon la valeur de Ze/Ri on parle de source de tension (Ze>>Ri) ou source de courant (Ze<<Ri)

Sources lies Lorsque la tension (ou le courant) dlivre par une source dpend de la tension aux bornes d un des composants du circuit ou du courant le parcourant, la source est dite lie . Vous verrez des exemples de sources lies dans le cas des transistors.
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charge

charge

Io Ri

Thorme de Thvenin Tout circuit deux bornes (ou diple) linaire, constitu de rsistances, de sources de tension et de sources de courant est quivalent une rsistance unique RTh en srie avec une source de tension idale Vth. A I V Rth I A

Vth

V B

= gnrateur de Thvenin

B Calcul de Vth: Calcul de Rth: ou

Vth = V (circuit ouvert )
Rth =
!

Vth V (circuit ouvert ) = I (court - circuit ) I (court - circuit )

Rth = RAB en absence des tensions et courants fournies par les sources non-lies.

[remplacement des sources de tension non-lies par un fil (Vo=0), et des sources de courant non-lies par un circuit ouvert (Io=0)]

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Thorme de Millmann Considrons le schma suivant :

V2

R2 V1 R1 V Ri Vi

Vi i Ri V= 1 i Ri

Thorme utile pour calculer la tension en un nud dun circuit

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Principe de superposition Dans le cas des circuits lectriques composs exclusivement d'lments linaires (rsistances, capacits, inductances, gnrateurs de tension ou de courant indpendants ou dpendant linairement d'un courant, d'une tension...), la rponse dans une branche est gale la somme des rponses par chaque gnrateur indpendant pris isolment, en inactivant tous les autres gnrateurs indpendants (gnrateurs de tension remplacs par des fils et gnrateurs de courants par des interrupteurs ouverts).

! Le circuit peut inclure des composants non-linaires (diodes ou transistors ), qui oprent dans un domaine restreint o leur comportement est approximativement linaire.

Do lintrt des modles segments linaires ou des modles petits signaux des composants lectroniques dont nous parlerons dans ce cours.

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Analyse statique / dynamique d un circuit L Analyse statique se limite au calcul des valeurs moyennes des grandeurs lectriques (ou composantes continues, ou encore composantes statiques) = Analyse complte du circuit si seules des sources statiques sont prsentes

L Analyse dynamique ne tient compte que des composantes variables des sources (ou signaux lectriques, ou encore composantes alternatives (AC) )

Notation :

lettres majuscules pour les composantes continues lettres minuscules pour les composantes variables
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Illustration : Etude de la tension aux bornes d un composant insr dans un circuit. R1 ve VE R2 V(t)=V+v(t) ve = signal sinusodal, valeur moyenne nulle VE = source statique

Calcul complet

V (t ) =

R2 [VE + ve (t )] = R2 VE + R2 ve (t ) R1 + R2 R1 + R2 R1 + R2
V v(t)

Principe de superposition : Comme tous les composants sont linaires, le principe de superposition s applique la source statique VE est l origine de V et ve est l origine de v
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Analyse statique :

R1 VE R2 V

ve = 0

V =

R2 VE R1 + R2

schma statique du circuit En statique, une source de tension variable valeur moyenne nulle correspond un court-circuit Analyse dynamique : VE indpendant du temps ve R1 R2 v
v(t ) = R2 ve (t ) R1 + R2

schma dynamique

VE = 0 dans l analyse dynamique

Une source de tension statique correspond un court-circuit dynamique

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Autres exemples: R1 1) ve Io R3 V(t)=V+v(t) R2

Schma statique

R1

R2 Io R3 V
V=

R1R3 Io R1 + R2 + R3

Schma dynamique R1 ve R2 R3 v
v(t ) = R3ve (t ) R1 + R2 + R3

Une source de courant statique est quivalent en rgime dynamique un circuit ouvert. [puisque i(t)=0!]
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2) Val C vg Rg R2 R1

! C = composant linaire caractris par une impdance qui dpend de la frquence du signal

V (t)

Schma statique :

frquence nulle C = circuit ouvert

Val

R1

V =

R2 Val R1 + R2

R2

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Schma dynamique :
Zc =

1 iC

ZC vg Rg R2

R1 v

v =

R2 // R1 vg avec Z g = Rg + 1 R2 // R1 + Z g iC

schma quivalent dynamique pour suffisamment leve :

v= R2 // R1 vg R2 // R1 + Rg

Z g Rg

et

A trs hautes frquences ( prciser suivant le cas), le condensateur peut tre remplac par un court-circuit.
32

1. Les Diodes
1.1 Dfinition
Caractristique couranttension d une diode idale : Id Vd Id sous polarisation directe ( Vd0 ), la diode = court-circuit (i.e. conducteur parfait)

Vd sous polarisation inverse (Vd<0) la diode = circuit ouvert Le courant Id ne peut passer que dans un sens . Ce type de composant est utile pour raliser des fonctions lectroniques telles que le redressement d une tension, la mise en forme des signaux (crtage, ). La diode (mme idale) est un composant non-linaire Aujourd hui la majorit des diodes sont faites partir de matriaux semiconducteurs (jonction PN ou diode Schottky, cf cours Phys. et Tech. des SC 1A et Option: Physique des dispositifs lectroniques base de SC, 2A)

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1.2 Caractristiques dune diode relle base de Silicium

hyp: rgime statique (tension et courant indpendants du temps) Id
140 100 60

comportement linaire

Is

20 -2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5

Vo 1

Vd

Pour Vd <0, la diode se comporte comme un bon isolant : Is ~ 1 pA - 1A , la diode est dite bloque dans ce domaine son comportement est approximativement linaire le courant inverse , Is , augmente avec la temprature Pour Vd >> ~0.7, le courant augmente rapidement avec une variation peu prs linaire la diode est dite passante mais Id n est pas proportionnel Vd (il existe une tension seuil ~ Vo)
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Id
140 100 60 20 -2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5

Vo 1

Vd

Zone du coude : Vd [0,~ Vo] : augmentation exponentielle du courant

V I d I s exp d V T

avec 1 2 (facteur d idalit ) 1 VT = k T/e -23

k = 1,38 10 J/K= constante de Boltzmann e= 1.6 10-19Coulomb, T la temprature en Kelvin Is = courant inverse

le comportement est fortement non-linaire forte variation avec la temprature ! VT (300K) = 26 mV / Diode idale car comportement identique celle prvue pour une jonction PN
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Limites de fonctionnement : Zone de claquage inverse Ordre de grandeur : Vmax = quelques dizaines de Volts ! peut conduire la destruction pour une diode non conue pour fonctionner dans cette zone. ! Vmax = P.I. V (Peak Inverse Voltage) ou P.R.V (Peak Reverse Voltage) claquage par effet Zener ou Avalanche Vmax Vo Vd Id VdId=Pmax

Limitation en puissance (1/2W pour les diodes standards) Il faut que VdId=Pmax Influence de T : diode bloque : Id = IS double tous les 10C (diode en Si) diode passante : Vd ( Id constant) diminue de ~2mV/C

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1.3 Diode dans un circuit et droite de charge

Point de fonctionnement Comment dterminer la tension aux bornes d une diode insre dans un circuit et le courant qui la traverse?

Id Val
Vd

RL VR

Id , Vd, ?

Id et Vd respectent les Lois de Kirchhoff

Id et Vd sont sur la caractristique I(V) du composant Au point de fonctionnement de la diode, (Id,Vd) remplissent ces deux conditions
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Droite de charge

Val Vd Loi de Kirchoff : I d = RL

Caractristique I(V)

= Droite de charge de la diode dans le circuit

Id
Val/RL

IQ

Q= Point de fonctionnement

Droite de charge

Vd
VQ Val

Connaissant Id(Vd) on peut dterminer graphiquement le point de fonctionnement ! procdure valable quelque soit la caractristique I(V) du composant ! On peut calculer le point de fonctionnement en dcrivant la diode par un modle simplifi.
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1.4 Modles statiques hyp: Id, Vd constants ou variation lente (pas d effets transitoires).
= modles grands signaux, basses frquences Modle de premire approximation: Diode idale On nglige l cart entre les caractristiques relle et idale

Id
pas de tension seuil conducteur parfait sous polarisation directe Vd <0: circuit ouvert

Id Vd

Vd

Schmas quivalents :

Id
Val >0 Ri Val Val< 0 Val

pente=1/Ri

Ri Val

Vd
Val

diode passante Id 0

V I d = al , Vd = 0 Ri
Ri diode bloque Vd < 0

Id Vd
Val

I d = 0, Vd = Val
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Modle amlior de seconde approximation tension seuil Vo non nulle caractristique directe verticale (pas de rsistance srie ) Vd <0: circuit ouvert

Id Vd

Id Vd
Vo schmas quivalents :

! Pour une diode en Si: Vo 0,6-0,7 V

Schmas quivalents

Id

Ri pente=1/Ri Val

diode passante V Id 0
o

Val >Vo Ri Val Val<Vo Val Vo Val

Vd Id Vd
Val

V Vo I d = al , Vd = Vo Ri
Ri diode bloque Vd < Vo

I d = 0, Vd = Val
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Modle de 3ime Approximation tension seuil Vo non nulle rsistance directe Rf non nulle Vd <0: rsistance Rr finie

Id Vd pente = 1/Rr~0

Caractristique relle pente = 1/Rf Modlisation

Vd -2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1

! Pour une diode en silicium, Vo = 0,6-0.7V, Rf ~ q.q. 10,

Rr >> M,
Schmas quivalents

Vo

schmas quivalents : Val >Vo :

Id

pente=1/Ri

Ri Val Vd

Vo Id Rf

Vd
Vo Val

diode passante I d 0 et Vd Vo

Vd = Vo + R f I d

Id
Val <Vo : Val Ri

Vd

Val

diode bloque Rr

Vd < Vo

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Remarques :

V Rf d Id

Le choix du modle dpend de la prcision requise.

Les effets secondaires (influence de la temprature, non-linarit de la caractristique inverse, .) sont pris en compte par des modles plus volus (modles utiliss dans les simulateurs de circuit de type SPICE).

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Calcul du point de fonctionnement via lutilisation des schmas quivalents : Problme: le schma dpend de l tat (passante ou bloque) de la diode. Il y a deux schmas quivalents possibles Lequel est le bon?

Dmarche (pour dbutant...): a) choisir le schma (ou tat) le plus vraisemblable (en vous aidant par exemple de la droite de charge) b) calculer le point de fonctionnement Q de la diode c) vrifier la cohrence du rsultat avec l hypothse de dpart S il y a contradiction, il y a eu erreur sur l tat suppos de la diode. Recommencer le calcul avec l autre schma. Dmarche pour tudiants entrans... Un coup d il attentif suffit pour deviner l tat (passant/bloqu) de la diode ! Le calcul de Q se fait tout de suite avec le bon schma quivalent...

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Exemple : Calcul de Q du circuit suivant, en utilisant la 2ime approximation pour la diode.

50 5V

hypothse initiale : diode passante

50 1k

[Vd >Vo , (Id>0)]

50 5V

0,6V

ID
1k

Diode en Si :Vo = 0.6V

50

OK!

I d = 1,85 mA
Vd = 0,6V
En partant de l hypothse d une diode bloque: Vd
En utilisant la 3ime approximation: (Rf = 15, Rr = 10M)

= 2,5V > Vo
I d = 1,82mA et Vd = 0,63V
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Rem: Refaites le calcul aprs avoir remplace la rsistance de 1k par 10

Autres exemples : 1) 50 Val Rc

Calcul de Id et Vd pour : a)Val = -5V, Rc = 1k b) Val = 5V, Rc = 1k c) Val= 1V, Rc = 1k d) Val= 1V, Rc = 10

Diode au Si

Conseil: simplifier le circuit d abord avant de vous lancer dans des calculs

2) 2V

D1

D2

3) 100 1V

50

Diode au Si

Diodes au Si
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1.5 Modles dynamiques

Modle petits signaux, basses frquences

Variation suffisamment lente pour que ID(VD) soit toujours en accord avec la caractristique statique de la diode. Variation de petite amplitude autour du point de fonctionnement statique Q : la caractristique Id(Vd) peut tre approxime par la tangente en Q
pente : Id

dI d dVd Q

id

dI d vd dVd Q

Q Id

2|id| Vo

schma quivalent dynamique correspondant au point Q : Q Vd 2| v|

1

dI d dVd Q

= rsistance dynamique de la diode

Q Vd

! Ce schma ne peut tre utilis QUE pour une analyse dynamique du circuit !

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 Notation :

rf =

dI d dVd V > 0 d dI d dVd V < 0 d

1

= rsistance dynamique pour VdQ> 0

rr =

= rsistance dynamique pour VdQ < 0

Pour Vd >> Vo, rf Rf

Pour Vd [0, ~Vo] , r f = Pour Vd < 0 , rr Rr ! temprature ambiante :

dI d dVd

1 Vd

d dVd

Vd VT I se I s

VT Id

rf

25 I d (mA)

( = 1)

! proche de Vo la caractristique I(V) s carte de la loi exponentielle rf ne devient jamais infrieure Rf (voir courbe exprimentale, p27)

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Exemple :
1k C Rb 2k D

diode: Si, Rf = 10 , Vo = 0,6V , Temprature : 300K

5V

Ve

Ra 10F ve

Vd(t)

ve = 0,1 sin 103 2 t

Analyse statique :

ID
rf

5 0,6 = 2,2mA, VD 0,62V 2000

Analyse dynamique : Schma dynamique :

26 = 12, Zc =16 << Ra 2,2

1k

2k

vd 1,2 103 sin 103 2 t

vd

Amplitude des ondulations rsiduelles : 1,2 mV

~ 12

ve

48

Rponse frquentielle des diodes

Limitation haute frquence : Pour des raisons physiques, le courant Id ne peut suivre les variations instantanes de Vd au del dune certaine frquence. apparition dun dphasage entre Id et Vd le modle dynamique basse frquence nest plus valable

Le temps de rponse de la diode dpend : du sens de variation (passant bloqu, bloqu passant) (signaux de grande amplitude) du point de fonctionnement statique (pour des petites variations)

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 Variation de Vd de faible amplitude, sous polarisation directe (VdQ >0) Une petite variation de Vd induit une grande variation Id, c est --dire des charges qui traversent la diode A haute frquence, des charges restent stockes dans la diode (elle n arrivent pas suivre les variations de Vd) ~ Comportement d un condensateur, dont la valeur augmente avec Id (cf physique des dispositifs semiconducteurs) Modle petits signaux haute frquence (Vd >0) : rc

rsc

Cd

Q Id

Ordre de grandeur : Cd ~ 40 nF 1mA, 300K.

T = capacit de diffusion

basse frquence : rc + rs = rf la sparation en deux rsistances tient mieux compte des phnomnes physiques en jeu.
50

suite de lexemple prcdent: 5V

1k ve C Rb 2k D

A quelle frquence la capacit dynamique commence-t-elle influencer la tension vd ? Id = 2,2mA Cdiff ~100nF

Ra 10F

Vd(t)

Schma dynamique en tenant compte de Cdiff :

1k ~ 12
ve

(hyp simplificatrice: rc ~0)

rth ~11

v
Cdiff
vth

v
Cdiff = filtre passe-bas

v log v th

-3dB log f f = 1

2rthCdiff

130kHz 51

 Variation de Vd de faible amplitude, sous polarisation inverse (VdQ < 0) : Une variation de Vd entrane une variation du champ lectrique au sein de la diode, qui son tour dplace les charges lectriques. A haute frquence, ce dplacement donne lieu un courant mesurable, bien suprieur Is. Ce comportement peut encore tre modlis par une capacit lectrique :

Modle petits signaux haute frquence (Vd < 0) :

rr

Ct

1 = capacit de transition ou dpltion Vd Vo

Ordre de grandeur : ~pF

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 Diode en commutation : Temps de recouvrement direct et inverse Le temps de rponse fini de la diode sobserve aussi en mode impulsionnel , lorsque la diode bascule dun tat passant vers un tat bloqu et vice-versa.
VQ

Vg t

Vo R Vg Vd -VR Id (VQ-Vo)/R
-VR/R temps de rponse -VR Vo Vd

le temps de rponse dpend du courant avant commutation. ordre de grandeur : ps ns

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1.6 Quelques diodes spciales Diode Zener

Diode conue pour fonctionner dans la zone de claquage inverse, caractrise par une tension seuil ngative ou tension Zener (VZ) Caractristiques Id -Vz -Imin Imax : courant max. support par la diode (puissance max:Pmax ~VZImax) Vd VZ : tension Zener (par dfinition: VZ >0) Imin : courant minimal (en valeur absolue) au del duquel commence le domaine linaire Zener

-Imax

Ordre de grandeur : VZ ~1-100 V , Imin ~0,01- 0,1mA, Pmax rgime de fonctionnement

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 schmas quivalents hyp : Q domaine Zener

Modle statique :

Vd Id -Vz -Imin Q pente 1/Rz -Imax Vd

Id

Rz

Vz

Modle dynamique, basses frquences, faibles signaux :

dI d rz = dVd Q

Rz

pour |Id| >Imin

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Diode lectroluminescente (ou LED) Principe : La circulation du courant provoque la luminescence Fonctionnement sous polarisation directe (V > Vo) L intensit lumineuse courant lectrique Id ! Ne fonctionne pas avec le Si (cf. cours Capteurs) Vo 0.7V ! (AsGa(rouge): ~1.7V; GaN(bleu): 3V)

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Diode Schottky Une diode Schottky est une diode qui a un seuil de tension Vo trs bas et un temps de rponse trs court. Diode Varicap Une varicap est une diode capacit variable. Elle utilise la variation de Ct avec Vd en polarisation inverse. Photodiode Sous polarisation inverse, la photodiode dlivre un courant proportionnel lintensit de la lumire incidente.

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1.7 Applications des Diodes Limiteur de crte (clipping)

Un aperu qui sera complt en TD et TP.

Fonction : Protger les circuits sensibles (circuits intgrs, amplificateur grand gain) contre une tension dentre trop leve ou dune polarit donne. Clipping parallle (diode // charge) Rg Vg

Ve

circuit Ze protger

Ve ne peut dpasser significativement Vo

Limite dutilisation : Puissance maximale tolre par la diode.

Clipping srie : Rg Vg Ve(t)

Ie
circuit Ze protger

Ie ne peut tre ngatif

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Protection contre une surtension inductive (ex: ouverture/ fermeture d un relais)

+20V V L I A

ouverture de l interrupteur :

+20V

Protection par diode : Vmax<0 ~ - 0.7V

dI dt VA +
V = L risque de dcharge lectrique travers l interrupteur ouvert ! L interrupteur pourrait tre un transistor...

V I

VA ~20,7V ! la conduction de la diode engendre un courant transitoire et diminue la tension inductive.

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Alimentation
Objectif: Transformer un signal alternatif en tension continue stable (ex: pour lalimentation dun appareil en tension continue partir du secteur)

Les fonctions effectues par une alimentation :

Redressement

Filtrage passe-bas

Rgulation

V>0

V<0

60

Redressement simple alternance Vs 220V 50Hz Vs Rc

Vm 0.7

(cf avant) t Ri =rsistance de sortie du transformateur Vm =amplitude du signal du secondaire

Redressement double alternance (pont de Graetz) R D1 Vi D3 D4 D2 Vs Rc Vs Vi , ~1.4V t

Vi < 1.4V

61

avec filtrage : D1 D3

50 R Vi D2
200F Rc=10k

Vs

D4

ondulation rsiduelle Charge du condensateur travers R et dcharge travers Rc RC << RcC sans condensateur avec condensateur Rgulation: utilisation dune diode Zener (cf TD, TP et chapitre sur les transistors)
62

Autres configurations possibles : Utilisation d un transformateur point milieu :

secteur ~ transformateur point milieu

! mauvais rendement, puisqu chaque instant seule la moiti du bobinage secondaire est utilis

Alimentation symtrique : +Val secteur ~

masse

-Val
63

Restitution dune composante continue (clamping) ou circuit lvateur de tension

Fonction : Dcaler le signal vers les tensions positives (ou ngatives) reconstitution dune composante continue (valeur moyenne) non nulle Exemple : Rg C

Vg(t)

Vc

Vd

Fonctionnement : (hyp: diode au silicium) Lorsque Vg - Vc > ~0.7V , la diode est passante Rg Vg I C Vc Lorsque Vg - Vc < 0.7, la diode est bloque Rg Vd ~0.7V Vg C Vc

Vd

C se charge et Vc tend vers Vg 0.7 Vd ~ 0.7

Vc = constant (C ne peut se dcharger!) Vd = Vg +Vc ~ composante continue

64

 Cas particulier :

Rg (C dcharg)

Vg = Vm sin( t ) pour t > 0

Vc = 0 pour t < 0

Vg(t)

Vc

Vd

Phase transitoire au cours de laquelle le condensateur se charge Simulation Vg charge du condensateur Vd 0.7V Vc C=1F Rg =1k f= 100hz Vm =5V

Vd t (s)

65

Charge de C avec une constante de temps de RgC chaque fois que la diode est passante Dcharge de C avec une constante de temps RrC Le circuit remplit ses fonctions, si pour f >>1/RrC (105hz dans l exemple) : en rgime permanent: Vd Vg - Vm composante continue

Exercice : Modifier le circuit pour obtenir une composante continue positive.

66

Multiplieur de tension
Fonction : Produire une tension de sortie continue partir dun signal dentre variable. La tension continue est gnralement un multiple de lamplitude du signal dentre. Exemple : doubleur de tension Rg Vg ~ VD1 C Cl VRc Rc>> Rg

Vg = Vm sin(2f t ) pour t > 0

Vm=10V, f=50Hz, C=10F Rc=100k.

clamping VD1 ,VRc

redresseur monoalternance avec filtre RC * En rgime tabli, le courant d entre du redresseur est faible (~ impdance d entre leve)

VRc 2 Vm 1,4 2 Vm
t * Il ne s agit pas d une bonne source de tension, puisque le courant de sortie (dans Rc) doit rester faible (~ rsistance interne leve)
67

rgime transitoire

permanent

Autre exemples :

Doubleur de tension

source AC charge

L impdance d entre de la charge doit tre >> Rf + Rtransformateur+Rprotection ! source flottante ncessit du transformateur

68

2. Transistor bipolaire 2.1 Introduction

le Transistor = l lment clef de l lectronique il peut : amplifier un signal amplificateur de tension, de courant, de puissance,... tre utilis comme une source de courant agir comme un interrupteur command ( = mmoire binaire) essentiel pour l lectronique numrique ... il existe : soit comme composant discret soit sous forme de circuit intgr, i.e. faisant partie d un circuit plus complexe, allant de quelques units (ex: AO) quelques millions de transistors par circuit (microprocesseurs)

69

 on distingue le transisor bipolaire du transistor effet de champ diffrents mcanismes physiques Ils agissent, en 1ire approx., comme une source de courant command transistor bipolaire : command par un courant transistor effet de champ: command par une tension

Icontrle

I command = A I contrle
Vcontrle

I command = G Vcontrle

source de courant commande par un courant A = gain en courant

source de courant commande par une tension G = transconductance.

Idalement : l tage d entre ne dpend pas de l tage de sortie.

70

2.2 Structure et fonctionnement dun transistor bipolaire

Structure simplifie

Transistor PNP diode EB E metteur base collecteur C

Transistor NPN E N+ P N C diode BC diode EB

couplage entre les diodes diode BC

P+ N P

Deux jonctions PN ou diodes couples effet transistor Symtrie NPN/PNP

71

 Effet transistor Exemple: Transisor NPN RE E IE

Conditions de polarisation :

Jonction EB : directe Jonction BC: inverse = MODE ACTIF du transistor

N+
eIB

P
E
B

C IC

RC

VEE

VCC

si VEE > ~ 0.7V , jonction EB passante VBE ~ 0.7V, IE >> 0 La jonction EB est dissymtrique (dopage plus lev ct E) courant port essentiellement par les lectrons (peu de trous circulent de B vers E) VCC > 0, jonction BC bloque => champ lectrique intense l interface Base/Collecteur La majorit des lectrons injects par l metteur dans la base sont collects par le champ IC ~IE et IB = IE -IC << IE En mode actif, IC est contrl par IE , et non vice versa
72

 Premires diffrences entre le transistor bipolaire et la source commande idale... Contraintes de polarisation : VBE > ~ 0.7V, VCB > - 0.5V .

Symboles

C B E PNP NPN B

IE >0 en mode actif

Conventions des courants :

IB

IC IE

IB

IC IE PNP
73

NPN
IE = IB+IC

2.3 Caractristiques du transistor NPN

Choix des paramtres : Les diffrentes grandeurs lectriques (IE, IB, VBE,VCE, ) sont lies: diffrentes repsentations quivalentes des caractristiques lectriques existent Configuration Base Commune ( base = lectrode commune) Caractristiques : IE (VBE,VBC), IC (VBC ,IE) Configuration Emetteur Commun (metteur= lectrode commune) Caractristiques : IB (VBE , VCE), IC (VCE, IB) RE VEE VBE IE IB VCE IC VCB RC VCC

La reprsentation des caractristiques en configuration collecteur commun est plus rare.

74

Caractristiques en configuration BC : CAS DU TRANSISTOR NPN IE (VBE, VCB) : caractristique dentre hypothse: diode BC bloque (mode usuel)

IE (mA) VCB=0 , -15 2 1 VBE (V) 0.1 0.5

~ caractristique d une jonction PN

V I E I s exp BE 1 VT
! trs peu d influence de IC (resp. VCB)

Jonction BE bloqu IE ~ 0, VBE < 0.5 V

Jonction BE passante IE >0, VBE 0.6-0.7V= Vo

75

mode actif IC (VCB, IE) : Ic (mA)

IE (mA) VBE
2.0 1.5 1

1.5 1.0 0.5 -0.5 1 2 3

IC I E

0.5 0
VCB (V)

tension seuil de la jonction BC pour VCB > ~-0.5V, on a IC =F IE , avec F proche de 1. En mode actif, I B = I E IC = I E (1 F )

jonction PN polarise en inverse

pour IE = 0, on a IC = courant de saturation inverse de la jonction BC ~ 0 Transistor en mode bloqu pour VCB -0.7, la jonction BC est passante, IC n est plus controle par IE Transistor en mode satur Ordre de grandeur : F ~0.95 - 0.99

F = gain en courant continue en BC

76

Caractristiques en configuration EC : IB (VBE, VCE) : caractristique dentre hypothse: diode BC bloque (mode usuel)
IB (A)

IE VCE= 0.1V N P IB

IC
E

1.5 0.5 0 0.1 0.2 0.3

> 1V VBE (V)

VBE > 0.6V, jonction PN passante IB <<IE charges non collectes par le champ lectrique de la jonction BC

I B = (1 F )I E
Influence non-ngligeable de VCE sur F Effet Early

77

IC (VCE, IB) :

Ic(mA)

Ib= 20 A
2 1
15A 10A 5A VCE (V)

1 Transistor satur

3 5 Mode actif

Transistor bloqu IC = ICO

Mode actif : BE passant, BC bloque VBE 0.7V et VCB >~ -0.5 V VCE = VCB +VBE > -0.5 + 0.7 ~0.2 V

I C = F I E = F (I C + I B ) I C =
ordre de grandeur : hFE ~ 50 - 250

F I B =" hFE " I B 1F

hFE = gain en courant continue en EC = F

! Grande dispersion de fabrication sur hFE. Effet Early : F tend vers 1 lorsque VCE augmente hFE augmente avec VCE Mode satur : Diode BC passante -> IC ~ indpendant de IB hFE diminue lorsque VCE 0

78

 Modes actif / bloqu / satur

Transistor NPN
Configuration EC : Mode actif : Mode bloqu :

VBE 0.7V

~ 0.3V < VCE < VCC

I c hFE I B

IB 0

VCE VCC VCE 0.2V

IC 0

Mode satur : VBE 0.8V

I c hFE I B
B ~0.8V E Mode satur C ~0.2V

C B E

B IB

C hFE IB

~0.7V

E Mode actif

E Mode bloqu

VCC = source de tension externe alimentant la maille contenant C et E (cf plus loin) VCE ne peut pas dpasser cette valeur!

79

Transistor PNP
Configuration EC : Mode actif : VBE 0.7V ~ 0.3V < VCE < VCC Mode bloqu :

(< 0)

I c hFE I B

IB 0

VCE VCC

IC 0

Mode satur :VBE 0.8V

VCE 0.2V

I c hFE I B
B C ~0.2V ~0.8V

C B E

B IB

C hFE IB

~0.7V

E Mode actif

E Mode bloqu

E Mode satur

80

 Valeurs limites des transistors Tensions inverses de claquage des jonctions PN (EB, BC) Puissance maximale dissipe : Pmax =VCE IC Courants de saturations inverses : IC , IB et IE 0 en mode bloqu

ICVCE =Pmax

fiches techniques :

81

 Influence de la temprature La caractristique d une jonction PN dpend de la temprature ! les courants inverses (mode bloqu) augmentent avec T VBE, IB,E constant, diminue avec T ou rciproquement : pour VBE maintenue fixe, IE (et donc IC) augmente avec T Risque d emballement thermique :

T I C Puissance dissipe T

82

2.4 Modes de fonctionnement du transistor dans un circuit Point de fonctionnement

Droites de charges : Le point de fonctionnement est dtermin par les caractristiques du transistor et par les lois de Kirchhoff appliques au circuit. Exemple : Comment dterminer IB, IC, VBE, VCE ?

+VCC Rc Rth Vth

Droites de charges :

V V Vth = Rth I B + VBE I B = th BE Rth V V VCC = RC IC + VCE I C = CC CE RC

83

 Point de fonctionnement
IB

V VBE I B = th Rth
IBQ Q

VBEQ 0.6-0.7V, ds que Vth> 0.7V (diode passante transistor actif ou satur)

0.1 0.2 0.3

VBE (V)

VBEQ

Ic(mA) Q

VCEsat VCEQ VCC

IBQ V VCE I C = CC RC ICO VCEsat VCEQ
VCE (V) 84

ICQ

I CO I c

VCC VCEsat VCC Rc Rc

Q fixe le mode de fonctionnement du transistor

Exemple : Calcul du point de fonctionnement +VCC=10V Rc=3k Rth=30k

hFE =100

Rth IB Vth 0.7V

Rc

Vcc

hFE IB

Vth =1V

I BQ = 10A
IC Q = 1mA
On a bien : ~0,3 <VCEQ < VCC Rsultat cohrent avec le mode actif du transistor.

VCE Q = 7V

85

 Remplacement de Rth par 3k :

+VCC=10V Rc=3k Rth=3k

hFE =100

I BQ = 100 A

IC Q = 10mA VCE Q = 20V !!

Rsultat incompatible avec le mode actif ! le modle donne des valeurs erronnes Vth =1V

Cause : En ayant augment IBQ,(rduction de Rth) Q a atteint la limite de la zone correspondant au mode actif

Ic(mA) Q

IBQ

VCE Q ~ 0.3V
et I CQ = 3.2mA VCEQ
VCE (V) 86

 Quelques circuits lmentaires : Transistor interrupteur: +VCC VBB 0.7V t RB Rc

t<0 :

VBE < 0.7V Mode bloqu +VCC RB RC Interrupteur ouvert I RC = 0

t>0 :

VBE > ~0.8V, telque RcIc ~VCC VCE ~qq. 100mV VCC RB RC Interrupteur ferm

Vcc Rc

IC

Interrupteur ferm

Interrupteur ouvert VCC VCE

~0.8V

~0.2V <<VCC

I Bmin

( interrupteur ferm)

VBEmin 0.7 Vcc Rc hFE RB

V 0.2 VCC I RC = CC RC RC
87

Transistor source de courant : VCC charge Rc I

V 0.7V I BB RE
quelque soit Rc tant que le transistor est en mode actif

E VBB RE Domaine de fonctionnement :

(VBB > 0.7V )

0 < VCE = VCC (RC + RE )IC < VCC

Source de courant

V Rcmax cc RE I
pour Rc suprieure Rcmax transitor satur !

Rcmin = 0
88

Exercices : Calculer le courant dans la charge, la plage de tension

15V charge 10k I

10V 560

Vz =5,6V 10k

4,7k

I charge

89

Transistor, amplificateur de tension : +VCC RC B vB VBB IC E VSortie RE

hypothses : Point de fonctionnement au repos : Transistor en mode actif lorsque vB = 0 (amplificateur classe A ) Amplitude du signal vB suffisamment faible pourque le transistor soit chaque instant actif En 1ire approximation :

IE

VB 0.7 IC = IC + ic RE

(IB <<IC)

v En ngligeant la variation de VBE : ic B RE

avec VS = Vcc R I C :

Enfin : et

VSortie = Vcc Rc IC = VS + vs
R vs = Rcic = c vb RE

Rc Le signal vB est amplifi par le facteur Av = RE

! Av = pour RE =0 ?? voir plus loin pour la rponse... Comment fixer le point de fonctionnement au repos de manire optimale?

90

2.5 Circuits de polarisation du transistor

Le circuit de polarisation fixe le point de repos (ou point de fonctionnement statique) du transistor Le choix du point de repos dpend de l application du circuit.

Il doit tre l intrieur du domaine de fonctionnement du transisor (IC(B) < Imax,, VCE (BE) <Vmax,....) Les principales caractristiques d un circuit de polarisation sont : sensibilit par rapport la dispersion de fabrication du transistor (incertitude sur hFE , ) stabilit thermique. (coefficient de temprature des diffrents paramtres du transistor :VBE, hFE,).

91

 Circuit de polarisation de base ( courant IB constant) IC

Vcc Rc

Dispersion de fabrication: hFE mal dfini Q1 Q2 mme IB 2 transistors diffrents

RC VCC RB

IC1 IC2

V VBE Vcc 0.7 I B = cc RB RB

VCE1 VCE2

Vcc

VCE

Q : I c = hFE I B

et VCE = Vcc Rc I c

Consquence : hFE Ic VCE Le point de repos dpend fortement de hFE = inconvnient majeur Circuit de polarisation peu utilis. Exemple : Transistor en mode satur RB tel que I B > I Bsat

Vcc Rc hFE
92

en prenant pour hFE la valeur minimale garantie par le constructeur.

 Polarisation par raction de collecteur

+VCC RB RC

IC

VCC 0.7 RC + RB hFE

Le point de fonctionnement reste sensible hFE Proprit intressante du montage : Le transistor ne peut rentrer en saturation puisque VCE ne peut tre infrieur 0.7V

Cas particulier : RB=0

V 0.7 I C CC RC

VCE = 0.7V

Le transistor se comporte comme un diode.

93

 Polarisation par diviseur de tension - polarisation courant (metteur) constant +VCC R1 RC Rth R2 RE Vth

+VCC Rc

IC I E

Vth Vo RE + Rth / hFE

(Vo~0.7V)

VCE = VCC (RC + RE )IC

avec Vth =

R2 VCC R1 + R2

et

Rth = R1 // R2

Peu sensible hFE :

si

Rth V Vo << RE IC th hFE RE

Bonne stabilit thermique de IC condition que Vth >>Vo <~> VB >>Vo Rgles dor pour la conception du montage : Rth/RE 0.1 hFEmin ou encore R2 < 0.1 hFEmin RE IR2 10 Ib VE ~VCC/3 L Diminuer Rth augmente le courant de polarisation IR1
94

Une faon de comprendre la stabilit du montage :

R1

+VCC RC

RE introduit une contre-raction

R2 RE

Augmentation de T

IE augmente

VE augmente

VBE et IE diminuent

VBE I diminue de 2mV/C

E

contre-raction VB ~Vth

95

2.6 Modle dynamique petits signaux

Variation de faibles amplitudes autour d un point de fonctionnement statique Comportement approximativement linaire Modles quivalents Caractristique d entre : +VCC RC B vB VBB IC E VSortie RE IBQ
0

IB

V I B I s exp BE 1 hFE VT

iB Q

vB
VBE

VBEQ
0.2 0.4 0.6

vBE t Pour vB petit:

I B IE v ib vbe vbe = be VBE Q hFE VT " hie "

hie = rsistance d entre dynamique du transistor en EC

96

Notation :

h V " hie " = FE T IE

= rsistance d entre dynamique du transistor en EC ib hie E

B vbe

hie i pour input, e pour EC, h pour paramtre hybride (cf quadriple linaire) ! Ne pas confondre hie avec l impdance d entre du circuit complet. (voir plus loin). ! A temprature ambiante (300K) on a :

hie

26 hFE I E (mA)

()

97

 Caractristique de sortie en mode actif :

Ic

droite de charge

En premire approximation :

ic=hfe ib t
Q

IBQ+ib
IBQ

ic " h fe "ib
B ib hie E ic C

VCE

hfeib hfe = gain en courant dynamique hFE en Q (*) o

VCEQ

vce

En tenant compte de l effet Early: ic = h feib + hoevce B ib hie hfeib hoe-1 E ic C

hoe =

I c VCE Q

hoe 1 = impdance de sortie du transistor en EC

Ordre de grandeur : 100k - 1M

Le modle dynamique ne dpend pas du type (NPN ou PNP) du transistor

98

Note sur hFE et hfe :

droite de charge
Ic IB (A)

Ic

tangente en Q

ic = h feib
Q

20 Q 15 10 5
VCE

droite passant par lorigine

IC = hFE I B
IB (A) on a gnralement :

h fe hFE
sauf proximit du domaine satur

99

 Analyse statique / analyse dynamique Exemple: Amplificateur de tension VCC A.N.: Vcc=15V R1=47k R2=27k Rc=2.4k RE=2.2k hFE=100 R1 Rc statique C R2 RE composante continue Analyse statique : on ne considre que la composante continue des courants et tensions C = circuit ouvert (aucun courant moyen circule travers C). Point de fonctionnement statique Q (cf avant) Vs=VS+vs signal R2 RE VCC R1 Rc

vg

VS

R2 VCC VBE R + R 1 2 I EQ RE

mode actif

ICQ = 2.2mA
100

A.N

VS = VCC Rc ICQ = 10V

A.N

Analyse dynamique : Hypothses : transistor en mode actif schma quivalent du transistor Schma dynamique du circuit : R1 ib hie hfeib RE en ngligeant hoe... ib hoe-1 transistor vs

Rc (circuit ouvert)

1 iC
vg

R2

1 iC
vg

hie R1 // R2 hfeib RE
101

Rc

vs

Pour C suffisamment leve on peut ngliger son impdance devant les rsistances : ib hie vg R1 // R2 hfeib

i RE
RE

Rc

vs

Calcul de la fonction de transfert vs/vg :

vg = hieib + RE iRE = hie + h fe RE ib

vs = Rc h fe ib

Rc h fe vs Rc = = h vg hie + RE h fe RE + ie h fe

Pour RE >> hie/hfe on retrouve le rsultat de la page 94.

102

Autre exemple : Rgulateur de tension Transistor de puissance

R1=10
DZ

IDz
T

IC
RL

DZ = diode Zener avec |VZ|=9,4V Imin = 1 mA charge: RL = 25 Vs =VS + vs ondulation rsiduelle composante continue

hFE = h fe = 50
hoe
1

Ve = 15 2V

IR2

R2 = 500

En statique : Ve = 15V VD VZ et VBE 0.6V VS 10 V

I R2 =

0.6 = 1,2mA 500

10 = 0.4 A RL

V V I R1 = e S = 0.5 A R1

I RL =

IC = I R1 I DZ I RL = 0.1 I Dz et I I Dz = I R2 + I B = 0.0012 + C h fe

I I DZ 3mA , IC 97mA et I B = C 2mA hFE

103

Efficacit de rgulation ondulation rsiduelle : Ve varie de 2V, quelle est la variation rsultante de Vs ? Etude dynamique du montage : R1 Rz ve R2 C

.
ib hie
RL

I c 100mA hie

h fe 25mV I E (mA)

13

vs

hfeib

R1 hie <<R2 ve Rz ib

i = h fe + 1 ib
i

vs = (Rz + hie ) ib

vs Rz + hie Rz + hie = 0.4 i h fe + 1 h fe

RL

vs

hie

hfeib

104

R1

ve

0.4

RL

vs

Rz + hie h fe v Rz + hie s = = 0,03 << 1 ve Rz + hie + R Rz + hie + h fe R1 1 h fe

Le mme montage sans transistor aurait donne une ondulation rsiduelle de

vs (Rz + R2 ) // RL 0.7 ve (Rz + R2 ) // RL + R1

105

 Modle dynamique hautes frquences Aux frquences leves on ne peut pas ngliger les capacits internes des jonctions EB et BC. En mode actif : la jonction EB introduit une capacit de diffusion Cd la jonction BC introduit une capacit de transition Ct .

Schma quivalent dynamique hautes frquences B rce iB Cd hFE rse Ct hfe iB ro iC C

E ! Ces capacits influencent le fonctionnement du transistor aux frquences leves et sont responsable d une bande passante limite des amplificateurs transistor bipolaire (cf plus loin).
106

2.7 Amplificateurs transistors bipolaires 2.7.1 Caractristiques dun amplificateur

Rg ie ve source amplificateur +VCC Ze vs Zs -VEE il

vg

RL charge

vL

Fonction: amplifier la puissance du signal tout amplificateur est alimente par une source d energie externe (ici: VCC et (ou) VEE)

v L entre de l amplificateur est caractrise par son impdance d entre Z e = e ie

La sortie agit comme une source de tension vs caractrise par son impdance de sortie Zs ! Zs = rsistance de Thvenin quivalent au circuit vu par RL
107

 Gain en tension : Comme Zs 0 le gain en tension dpend de la charge Dfinitions Gain en circuit ouvert :

Rg vg source

ie ve Ze vs

+VCC Zs -VEE iL vL

v v Av = L = s ve R = ve L

RL charge

Gain sur charge

v : AvL = L = ve

RL Av RL + Z s
Comme Ze , Avc diffre de AvL

Gain composite : (tient compte de la rsistance de sortie de la source)

Ze v Avc = L = AvL v g Ri + Z e

Gain en courant :

A Z i Ai = L = vL e ie RL
v i A p = L L = Avc Ai v g ie
108

Gain en puissance :

L amplificateur idal : Gains indpendants de l amplitude et de la frquence (forme) du signal d entre Impdance d entre leve peu de perturbation sur la source Impdance de sortie faible peu d influence de la charge

La ralit... Domaine de linarit : distorsion du signal pour des amplitudes trop leves Nonlinarit des caractristiques lectriques des composants la tension de sortie ne peut dpasser les tensions d alimentation Bande passante limite : le gain est fonction de la frquence du signal capacits internes des composants condensateurs de liaison Impdances d entre (sortie) dpendent de la frquence

109

Illustration : systme audio

110

2.7.2 Amplificateur metteur commun (EC)

Particularits des amplificateurs EC : Le transistor en mode actif Le signal d entre est appliqu ( inject ) la base du transisor La sortie est prise sur le collecteur La borne de l metteur est commune l entre et la sortie Emetteur commun

Les diffrences d un amplificateur EC l autre sont : Le circuit de polarisation Les modes de couplages avec la source du signal et la charge. La prsence ventuelle de condensateurs de dcouplage (cf plus loin).

111

Exemple : R1 CB vg R2 RE RC CC RL

VCC Polarisation par diviseur de tension Couplage capacitif avec la source, vg, et la charge RL. vs hypothses : Point de repos du transistor: mode actif ( choix des rsistances)

A la frquence du signal les impdances condensateurs de liaison sont ngligeables :

1 C B

<< R1 // R2 ;

1 CC

<< RL

! CB est ncessaire pour que le point de fonctionnement statique (vg=0) ne soit pas modifi par la prsence du gnrateur de signaux. ! Cc vite que la charge voit la composante continue de VC, et qu elle influence le point de repos du transistor.

112

 Analyse statique : Les condensateurs agissent comme des circuits ouverts circuit de polarisation pont diviseur

Analyse dynamique :

rB = R1 // R2 rc = RL // RC
RC C vg RL vL ie rB ib ve hie RE hfeib rc vL

R1

vg R2 RE

i RE iRE = h fe + 1 ib

rc h fe Gain en tension (sur charge): Av = v L = L ve hie + RE h fe

Gain en circuit ouvert : Remplacer rc par Rc

113

 Impdance d entre : Ze dpend de l endroit d o vous regardez l entre de l amplificateur. - Impdance d entre vue de la source : ve

ie rB hie

h fe ib

v Ze = e = rB // hie + h fe + 1 RE rB // h fe RE ie

) ]

Ze

Ze '

RE h fe + 1

schma quivalent vu de la source :

VRE = RE h fe + 1 ib
- Impdance d entre vue aprs les rsistances de polarisation :

Z e ' = hie + h fe + 1 RE h fe RE
Gain en courant :

(hie ~qq. 100 qq. 1k Ohms)

ie

iL rB ve hie RE hfeib rc

i Ai = L = ie

1+

h fe hie + h fe + 1 RE

vg

rB

114

 Impdance de sortie : Zs dpend de l endroit d o vous regardez la sortie. Impdance de sortie vue de la charge (RL): Z s = Rc Zs Zs de l ordre de quelques k loin d une source de tension idale AvL diminue lorsque RL < ~Rc Parfois RC constitue aussi la charge de l amplificateur (tout en permettant la polarisation du transistor) Zs hfeib Rc RL

' Impdance de sortie vue de Rc : Z s = " "

! ne tient pas compte de l effet Early (hoe) ! approximativement vraie tant que le transistor est en mode actif
115

Avec l effet Early : vg

ie rB ve hie RE

iL hfeib h 1 oe Rc vsortie

Zs Mthode de calcul possible (en fait la plus simple ici) : Zs = RThAB = rsistance entre A et B, avec vg court-circuit = vs / is ! A rB ib

is

(1) :
vs

vs = hoe 1 is h feib + RE (is + ib )

hie RE

hfeib h 1 oe

(2) :

0 = hieib + RE (is + ib )

vs 1 1 + h fe RE + RE hie Z s = = hoe is hie + RE hie + RE

116

 Droite de charge dynamique et dynamique de sortie : Ic droite de charge dynamique: pente 1/(rc+RE), passe par Qrepos

vce = vL RE ic = (rc + RE )ic vce ic = rC + RE

vce ic
Q(repos)

IBQ

droite de charge statique

V VCE I C = CC RC + RE

VCE

vce
t

le point de fonctionnement reste sur une droite de charge dite dynamique

117

La forme du signal de sortie change lorsque le point de fonctionnement touche les limites, bloque ou sature, du domaine linaire.

vs = rcic =
Ic

rc vce vs vce rc + RE
VCEQ
Ic
droite de charge

ICQ

Q(repos)

IBQ

IBQ

Q(repos)

VCE

VCE

VCEQ

(rc + RE )ICQ
vce

Point de repos optimale pour une dynamique maximale : VCEQ (rc + RE )ICQ
118

rsum sous forme dun schma 1D (Morgan)

119

 Amplificateur EC avec metteur la masse : RE est ncessaire pour la stabilit du point de fonctionnement statique. RE diminue considrablement le gain... Remde : dcoupler ( shunter ) RE par un condensateur en parallle seul le schma dynamique est modifi. VCC R1 CB vg R2 RE CE RC CC RL vs pour CE ou f suffisamment* lev : ie vg rB ib ve hie hfeib rc

*:

h RE // CE << ie h fe

120

 Gain en tension (sur charge):

Av L =

rc h fe hie

r = c >> gain avec RE rf

le gain dpend fortement de rf (rsistance interne de la fonction BE) (la contre-raction n agit plus en dynamique)

or

kT rf IC

rI AvL c C kT

Le gain dpend de IC distorsion du signal aux amplitudes leves

Impdance d entre de la base :

v Z e = e = hie ib

significativement rduit...

Impdance de sortie : Z s = hoe 1 // Rc

(vue de la charge RL)

121

 Droite de charge dynamique et dynamique de sortie :

vce = ic rc
Ic ICQ

droite de charge dynamique

vce ic
Q droite de charge statique

VCEQ rc I CQ

VCE

Il y a dformation du signal ds que :

vs > min VCEQ , rc ICQ VCEQ = rc I CQ

)
122

Le point de repos optimal correspond

 Lamplicateur EC en rsum : Emetteur la masse :

R R Gain en circuit ouvert : Av = C h fe = C >> 1 en valeur absolue hie rf

Impdance de sortie :

Z s RC
Ze hie

(de q.q. k ) (de q.q. k )

Impdance dentre de la base du transistor:

Avec rsistance dmetteur (amplificateur stabilis ): Gain en circuit ouvert :

Av

RC R C r f + RE RE

Impdance de sortie : Impdance dentre de la base:

Z s RC
Ze = hie + h fe + 1 RE

(leve, hfe ~100-200)

L inconvnient du faible gain peut tre contourn en mettant plusieurs tages amplificateur EC en cascade (cf. plus loin).

123

2.7.3 Amplificateur collecteur commun (CC) ou encore montage metteur suiveur Particularits des amplificateurs CC : Le transistor en mode actif Le signal d entre est appliqu ( inject ) la base du transisor La sortie est prise sur l metteur La borne du collecteur est commune l entre et la sortie Collecteur commun

Les diffrences d un amplificateur CC l autre sont : Le circuit de polarisation Les modes de couplages avec la source du signal et la charge. La prsence ventuelle de condensateurs de dcouplage .

124

Exemple:

VCC

R1 C vg R2 Ze B E RE C

Polarisation par diviseur de tension Couplage capacitif avec la source, vg, et la charge RL.

isortie
RL vs

hypothse: Mode actif

Analyse simplifie ( 1ire approximation ) :

Mode actif VBE 0.7V

v Av = s 1 vg

VE = VB 0.7V vs = vE vB = vg

L metteur suit la base.

125

 Analyse dynamique : ientre R1//R2

ib hie

transistor
B C

hfeib
E

vg

iL vs RL

RE

Ze Gain en tension en circuit ouvert :

Av =

RE RE +

hie h fe + 1

RE 1 RE + r f

kT RE >> r f = I E

Gain en tension sur charge : Av = L

rE 1 avec rE = RE // RL rE + r f

Impdance dentre : Ze = rB // hie + h fe + 1 rE >> 1 Gain en courant : Ai =

) ]

iL ientre

vs = vg

RL Ze

Z = AvL e RL

Ze >> 1 RL
126

 Impdance de sortie ib hie is hfeib

rB

RE

vs vs

v Zs = s is v = 0 g

vs = RE is h fe + 1 ib vs = hie ib

[ (

) ]

RE

vs = RE is + h fe + 1

v )h s
ie

RE hie Zs = = hie + RE h fe + 1

hie h fe + 1

hie h fe + 1

hie ! = RE // = rf h fe +1 h fe + RE hie

127

 Dynamique de sortie VCC Ic R1 C vg R2 B E RE C

droite de charge statique Q(repos)

droite de charge dynamique : pente 1/rE

isortie
RL vs

V VCE I C = CC RE

rE ICQ
VEmax VCC -0.2V

VCE

VE = VCC VCE

VEmin 0 V

Point de repos optimal :

VCEQ rE ICQ

! Le point optimal dpend de la charge.

128

Lamplicateur CC en rsum :

Av 1

Ze = R1 // R2 //(hie + h fe rE ) h fe RE
Z s = RE // Rg + hie Rg + hie h fe + 1 h fe

peut tre de lordre de quelques 100k

infrieure quelques dizaines d Ohms

Av L = Av
Intrts du montage :

RL Av RL + Z s

Z i Ai = L = Av L e >> 1 hfe si RE constitue la charge ie RL (i = i et i i )

L c e b

Faible impdance de sortie Applications :

Impdance d entre leve

Etage - tampon Isolement d une source haute impdance de sortie d une charge basse impdance. exemple : 1

Amplificateur de puissance (cf plus loin)

129

2.7.4 Amplificateur base commune (BC) Particularits des amplificateurs BC : Le transistor en mode actif Le signal d entre est appliqu ( inject ) l metteur du transisor La sortie est prise sur le collecteur La borne de la base est commune l entre et la sortie Base commune VCC

RC R1 RL RE E

hfeib C hie ib B rc

R2

RE

vg
130

 Proprits :

hfeib E C hie ib B rc

Gain en tension :

Av L =

h fe rc hie

ve

RE

Ze Gain en courant : Ai =

Zs

h fe hie + h fe + 1 RE

Impdance d entre : Z e = RE //

hie h kT ie r f = h fe + 1 h fe + 1 I CQ
sinon

quelques .

Impdance de sortie : Z s = "" (hoe = 0)

1 Z s = hoe

comportement en source de courant

131

Exemple d application : convertisseur courant - tension

quadriple quivalent ltage BC R ie vg Ze Ai ie Zs is RL

ie =

vg R + Ze

vg R

vs = RL is RL Ai ie

tant que RL <<Zs.

~indpendant de Ze

tension de sortie courant d entre

Lorsque vg = 0, (ie=0), la sortie est vue par la charge comme une rsistance trs grande (hoe-1) (cf. charge active)
132

2.7.5 Influence de la frquence du signal On se limitera au montage EC pour illustrer linfluence de la frquence du signal sur les performances dun amplificateur transistor bipolaire. Limitation basse frquence condensateurs de liaison et de dcouplage Limitation haute frquence capacits internes au transistor Basse frquence C et Ce court circuit
+VCC R1 RG RL R2 RE RC

filtres passe-haut Rg C ib hie hfeib C RC RL

dynamique

vg

R1 // R2

RE

CE

1 , avec r = R1 // R2 // Z e + Rg 2 rC Ze = impdance d entre de l tage Frquence de coupure infrieure du montage ~ max f c , f c i o f ci =

Z E = RE // CE 0 ZE diminue le gain (voir ampli stabilis)

f co = 1 2 (RL + RC )C 133

Hautes frquences Rg ib hie Cbc Cbe

R1 // R2

hfeib

Rc // RL

qualitativement: aux frquences leves, Cbe court-circuite la jonction base-metteur ib diminue Cbc cre une contre-raction. On montre que : Comportement en filtre passe-bas, avec

f ch

1 h fe 1 + 2 Cbe + Cbc RL hie // Rg // R1 / 2 hie

134

2.7.6 Couplage entre tages Objectif Coupler plusieurs tages pour amliorer les proprits du circuit... Exemple : Amplificateur avec - gain en tension lev - faible distorsion - bonne stabilit (thermique, dispersion) - impdance d entre leve - impdance de sortie faible Solution possible : stabilit et faible distorsion EC stabilis (RE) gain lev plusieurs tages en cascades Ze leve tage C.C en entre Zs faible tage C.C en sortie Difficults du couplage : Polarisation de chaque tage Gain sur charge : chaque tage charge l tage prcdent Rponse en frquence de l ensemble (cf. couplage capacitif)
135

 Couplage capacitif Utilisation de condensateurs de liaison, CL Exemple: amplificateur trois tages CC - EC - CC

+VCC R1 RC R1 R1

CL
ventre R2

CL CL
RE R2 RE R2 RE

CL CE

charge

C.C.

E.C.

C.C.

* Les points de fonctionnement des 3 tages sont indpendants (en statique CL = circuit ouvert) (dans l hypothse o la rsistance interne de Vcc ngligeable) * Les paramtres dynamiques (gains, impdances) ne sont pas indpendants ex: l impdance d entre du 3ime tage (= charge de l tage E.C.) dtermine le gain sur charge du 2ime tage, etc.

136

+VCC R1 RC R1 R1

CL
ventre R2

T1
RE

CL
R2 RE

T2

CL

T3
RE

CL

charge

CE

R2

C.C.

E.C.

C.C.

ier ier ier AvL montage = AvL1 t. AvL 2 t. AvL 3 t.

comme

Ze E.C >> Z sCC et ZeC.C >> Z s EC

Rc h feT2 hieT2

AvL tages Av

AvCC 1 AvL montage Av E.C =

137 Inconvnient: les condensateurs imposent une frquence de coupure basse au montage (cf. plus loin)

Couplage direct Pas de frquence de coupure basse Les circuits de polarisation des diffrents tages ne sont pas indpendants.

Un exemple : hfe ~100 5k 27k

30V 24k

T4 T3 T1 ,T2=PNP!! vg AvL ~1 T1 T2 680 Av -10 2 suiveurs Darlington E.C. E.C. AvL -40 = gain en circuit ouvert (2.4k x hfe>> 27k)
EC EC EC EC Av = Av #1 Av #2 Av #1 Av #2 L L

2.4k

vs

Amplificateur de tension stabilis : Ze leve :

1 1 2 Z e h fe Z eT2 h fe h fe 5000 = 50 M

Zs 24 k

138

 Analyse statique : VCC polarise en directe les deux jonctions EB de T1 et T2 (transistors PNP) En statique, vg = 0
T1 VCE = 0.7V

VCC= 30V 24k 5k 3V 0.7V 0.7V T1 T2 T3

T I E3

27k T4 vs

2.4k

T1 en mode actif
2 VCE = 1.4V

680

T2 en mode actif

VE3 0.7V I C3 I E3 1mA

T T T

3 VCE 2.3V T3 en mode actif

T4 VE 4 2.3V IC4 I E4 1mA VCE 3.6V T4 en mode actif

VC 4 6V

I E 2 5.7mA et I E1 =

hFET2

I E2

139

Mais attention. refaisons le calcul avec VBE=0.6V : 5k

T2 VCE = 1.2V
T VE 3 0.6V T T I C3 I E3 0,88mA 0,9mA

VCC= 30V 24k 27k 3V 0.6V 0.6V vg T1 T2 T3

T I E3

T4 vs

2.4k

680

T3 VCE 5.7V au lieu de 3V

T T T VE 4 5.1V IC4 I E4 2,1mA 2mA T4 VCE 18V

T4 en mode satur !!

Amplification des drives des composantes statiques

140

 Couplage par transformateur : tage EC

condensateur d accord: le circuit rsonnant, LC, limite la transmission aux frquences proches de la frquence de rsonnace Av = Z c r f

condensateur de dcouplage (masse en alternatif) (EC)

polarisation par diviseur de tension transmission du signal dun tage l autre par le transformateur Application majeure: essentiellement en radiofrquences (>500kHz) exemple: syntonisation d une station radiophonique ou d un canal de tlvision
141

2.7.7 Amplificateurs de puissance Impdance de sortie et amplicateur de puissance Zs iL vs vL RL charge Puissance moyenne fournie par l amplificateur :

vL 2 P = vL (t ) iL (t ) = 2 RL

RL vs R + Z 2 L s = RL vs = 2 RL 2(RL + Z s )2
1 cos 2 t = , vL = amplitude du signal 2

tage de sortie d un amplificateur

dP vs 2 = 0 RL = Z s Puissance maximale: Pmax = dRL 8 Zs ( adaptation d impdance)

! Pour vs constant, Pmax augmente quand Zs diminue Rg vg Etage CC Ze Zs vg charge

A.N. vs=1V : Zs=10k Pmax=0.012mW | Zs=10 Pmax=12mW

gain en puissance en conditions dadaptation dimpdance avec et sans tage amplificateur = Zs /Rg

142

 Amplificateur de Darlington Amplificateur comprenant deux tages metteur-suiveur monts en cascade Vcc Darlington R1 T2 vg R2 T1 vs RE Ze Gain en tension : L impdance d entre de T1 est trs leve et ne charge pas beaucoup T2

Av 1
Impdance d entre du Darlington : (aprs les rsistances du pont diviseur) L impdance d entre leve de T1 constitue la rsistance d metteur (RE) de T2

T1: hfe1

T2:hfe2

T Z e h fe2 Z e1 h fe2 h fe1 RE >> 1

Ib (T2) trs faible choix de R1 et R2

Gain en courant :

iE1 iE2 Ai = = = = h fe1 h fe2 T2 T1 T2 T1 T2 ib ib ib ib ib

iE1

T iE1 ib1

T T

143

 Impdance de sortie du Darlington :

Vcc R1 T2 vg R2 I E 2 T1

T Z s 2 + hieT1 Zs h fe 1

hieT2 + hieT1 h fe
2

h fe1

hieT2 2 h fe1 h fe2

puisque vs RE

kT hieT2 T1 kT h fe1 hie = = = e I E1 e I E2 h fe2

I E2 = I B1 = I E1 h fe1

I E1

[h fe hFE ]

h Etage CC unique : Z s = ie h fe

Pmax (tage CC avec Darlington ) >> Pmax (simple tage CC)

144

Darlington = supertransistor bipolaire. Existe sous forme de composant discret trois bornes, nomm transistor Darlington. Il se comporte comme un seul transistor gain en courant extrmement lev. (ex: 2N2785: hfe=2000-20000.) Existe aussi avec des transistors PNP.

Utilis frquemment pour les applications d isolement entre tages (Ze trs leve, Zs trs faible)

Utilis frquemment comme tage de sortie des amplificateurs de puissance (Zs trs faible)

145

 Amplificateur Push-Pull Amplificateur classe A / classe B Dans les montages amplificateur vus prcdemment, les transistors sont chaque instant en mode actif Amplificateur de classe A Avantages: faible distorsion (en cas d amplificateur stabilis) simplicit Inconvnients : Amplitude de sortie limite (typ: 0.2<VCE<Vcc vCEmax~Vcc/2) Importante consommation en absence du signal : courants de polarisation non nuls +VCC R1 Ip R2 RE

I CQ

RC

Palimentation Vcc I CQ + I p

ex: Vcc = 15V, IC=1mA, Ip = 0.1mA => P ~ 15mW en absence de signal

Amplificateur classe B: transistor bloqu en absence de signal dentre. (ex: Push-Pull) Avantages: faible consommation, dynamique de sortie leve Inconvnients : Distorsion du signal
146

 Push Pull Exemple :

Principe de fonctionnement Transistors bloqus au point de repos (amplificateur classe B ). +Vcc R1 B R2

P

R1 et R2 sont telles que (lorsque vg=0) on a

ICNPN NPN

VBE NPN < ~ 0.6 et VEB PNP < ~ 0.6V

Transistors bloqus (de justesse): IB~0 =>IC~0

vg

~1.2V

NPN PNP VCE + VEC = VCC

RL

R2 B R1

NPN PNP IC IC
vsortie ICNPN

NPN V PNP VCE CC VEC Q Q 2

ICPNP VP

PNP ICPNP

IC 0

IB~0

IB~0

VCENPN VCC VCEPNP 0

147

-VCC

NPN VCE Q

PNP VCE Q

metteur suiveur +Vcc R1 B R2

P

En prsence dun signal dentre chaque transistor est alternativement actif ou bloqu ( Push-Pull ) Si v g>0 NPN actif, PNP bloqu

NPN

V p = VB 0.7V V p VB = v g

vg

~1.2V

R2 B R1

RL PNP

vsortie

Droite de charge dynamique IC

v ic = CE RL

droite de charge statique VCEQ ~VCC/2 Amplitude max : VCC/2 IB=0

VCC/2

VCE

si vg<0 NPN bloqu, PNP actif

148

Formation du signal de sortie

ib NPN

vg h fe RL
t

IC NPN VCE

IC PNP VEC

PNP ib
Signal de sortie: vsortie
NPN actif

t
PNP actif

Plus grand domaine de fonctionnement

149

Difficults de cet exemple positionnement du point de repos

VBEQ trop faible

IC ICsat

t
t VCE transistors bloqus

Distorsion de croisement : Si VBE trop faible au repos, les deux transistors seront bloques pendant une fraction du cycle.

Risque demballement thermique (pas de contre-raction)

150

Polarisation par diodes Point de repos +Vcc R1 NPN D1 ID 2 VBE vg D2 PNP R1 RL vsortie choix de R1 : ID ~0 comme VD =Vbe IE ~ID ~0 Idalement D1, D2 = diodes de caractristiques apparis aux transistors

Remarques: L amplificateur Push-Pull existe aussi avec des paires de Darlington Zs plus faible puissance maximale suprieure

151

2.7.8 Amplificateur diffrentiel ! Deux signaux dentre, V+, V! Sortie = collecteur d un transistor Rc hypothse : T1 et T2 apparis (circuit intgr) +Vcc Rc Vs

RB
Rgime statique : (V = V+ = 0) Par symtrie : IE1=IE2=IE

V+

T1 IE RE

T2 IE 2IE -VEE

RB

Pour RB <<hfeRE :

VRB = RB I B << 2RE I E VEE 0.7 + 2RE I E

V 0.7 I E EE 2 RE
Tension continue en sortie :

Vs = VCC Rc I E
152

 Rgime dynamique: Mode diffrentiel: hyp: V+ = V =" ve " I E1 = I E + ie 1 et avec IE la composante continue du courant metteur. Pour de signaux dentre de faible amplitude : ie ie 2 1 Par consquent : I R = I E + I E = 2I E E 1 2 Le courant dans RE na pas chang, et la tension en E reste constante. E constitue une masse dynamique ! Rc Rc

+Vcc Rc Vs
RB V

I E2 = I E ie 2

RB
V+

T1

T2

RE -VEE

d o le gain en mode diffrentiel : Rc vs

RB

Rc h fe v Ad = s = >> 1 ve hie

E
ve

RB

ve

! V+ = entre non-inverseuse ! V- = entre inverseuse

tage EC

vs =

Rc h fe hie

( ve ) =

Rc h fe hie

ve

153

 Mode commun: hyp:

V+ = V = ve

I E1 = I E + ie et I E = I E + ie 2
RB
V+

+Vcc Rc Rc Vs
RB V

I RE = I E1 + I E2 = 2(I E + ie )

VE = 2RE (I E + ie ) = 2RE I E + 2REie

La tension en E quivaut celle dun tage unique ayant une rsistance d metteur double. D o le schma quivalent : Rc Rc vs
RB RB

T1

T2

RE -VEE

vs

Rc ve 2 RE

ve
2RE 2RE

ve

do le gain en mode commun :

Ac =

Rc << 1 pour RE >> RC 2 RE

2 tages EC stabiliss indpendants

154

 Signaux dentre quelconques : On peut toujours crire :

V +V V V V+ = + + + = Vmc + Vmd 2 2 V +V V V V = + + = Vmc Vmd 2 2 V +V V V Vmc = + et Vmd = + 2 2

v vs = Ad vmd + Ac vmc = Ad vmd mc CMRR

avec

Do, par le principe de superposition :

2h fe RE A = taux de rjection en mode commun CMMR = d = Ac hie (common mode rejection ratio)

Intrts de l amplificateur diffrentiel : Entres en couplage direct (seule vmd est amplifie) Ampli. diffrentielle = tage d entre des Amplificateur oprationnel. Impdance d entre et CMRR trs levs

155

 Polarisation par miroir de courant Il faut

CMRR =

2h fe RE hie

>> 1
+Vcc Rc
RB
V+

Choisir RE trs leve pose plusieurs problmes: ncessite une augmentation de l alimentation pour maintenir Ic (donc le gain) constant incompatible avec la technologie des circuits intgrs.

Rc Vs

T1

T2 IEE

RB

! il suffit que RE soit leve en rgime dynamique ! Solution = source de courant ( R,D,T3)

R T3 D IE3 -VEE

hyp: D et T3 = apparis

V + V 0.7 I EE I E3 cc EE R

156

 Miroir de courant Hyp: la caractristique I(V) de la diode est identique (apparie) celle de la jonction BE du transistor Val

V 0.7 I D al R
comme VBE = VD IC = I D

ID

IC est le miroir de ID IC I ne dpend pas du circuit en pointill vu de A, le circuit se comporte comme une source de courant idal (tant que le transistor est actif) en tenant compte de leffet Early, IC dpend lgrement de VCE

VD

157

Schmas quivalents du circuit vu de A : schma dynamique petits signaux

Val

schma statique grands signaux

R IC=ID +VCE . hoe ID A IC ID VD R > 100 k R ~hoe-1 R ~hoe-1 iC=vCE . hoe

158

Schma quivalent de lampli diffrentiel: en dynamique +Vcc

Vs

vs

IEE

hoe-1 -VEE

hoe-1

hoe-1 (effet Early de T3) est de lordre de quelques 100k.

En dynamique, hoe-1 joue le mme rle que RE et augmente considrablement CMRR.

159

Exemple dapplication Thermostat

160

Exemple dapplication Thermostat charge active

R
0.5mA

A Figure 2.76

paire diffrentielle

source de courant

161

Exemple dapplication Thermostat Si VA> VB

R
0.5mA

A Figure 2.76

paire diffrentielle

source de courant

162

Exemple dapplication Thermostat Si VA> VB 0.6V

I=

0.6 = 6A 0.1

R
0.5mA

A Figure 2.76

paire diffrentielle

source de courant

163

Exemple dapplication Thermostat Si VA< VB 0V

I = 0A

R
0.5mA

A Figure 2.76

paire diffrentielle

source de courant

164

3. Transistors effet de champ ou FET (field effect transistor) 3.1 Introduction

Caractristiques de base Composant trois bornes : S, D et G, (parfois quatre: substrat) Un courant (ID) peut circuler de la source S au drain D via le canal (zone dans le semiconducteur, proche de l interface avec la grille): Le courant circulant dans la grille (IG) est ngligeable. => IS = ID ! ID , VDS constant, est command par la tension de grille source (VGS) effet du champ lectrique FET canal N : courant port par les lectrons, de S vers D (sens positif de ID: de D vers S) FET canal P : courant port par les trous, de S vers D (sens positif de ID: de S vers D)
165

VGS S G ID substrat (Si)

VDS D canal

n Allure gnrale des caractristiques de sortie : I D (VDS ) V

GS

ID

Rgime linaire

Mode actif VGS = cst

~rsistance module par VGS

~ source de courant commande par VGS

VDS
limite de zones
166

n Diffrences entre FET et transistor bipolaire : l IG << IB Impdance dentre trs grande (parfois > 1014) Montages de polarisation plus simples l Rgime linaire pente = f(VGS) rsistance variable (pas dquivalent pour le bipolaire) VDSsat > VCEsat : tension rsiduelle du transistor en mode satur plus leve. l Rgime de saturation (mode actif) ID command par une tension dI transconductance g m = d (au lieu de hfe) dV gs Dispersion de fabrication plus leve sur gm que sur hfe l Caractristiques transverses en mode actif : Bipolaire : VCE cst, IC =IB ou IC = IE FET: VDS cst, ID = f(VGS) = relation non-linaire dpend du type de FET.
167

n Diffrences entre FET et transistor bipolaire :

figure 3.2 p 115

168

 Diffrents types de FET JFET : FET jonction : La grille et le canal forme une jonction PN S G JFET canal P D S G JFET canal N D

Transistor normalement passant ID est maximal pour VGS = 0, et diminue lorsquon augmente VGS (en valeur absolue). ID est nulle lorsque VGS dpasse une valeur limite VGSoff. Canal P : VGS > 0 la charge positive sur la grille repousse les trous Canal N : VGS < 0 la charge ngative sur la grille repousse les lectrons

169

 MOSFET (Mtal Oxyde Semiconducteur FET) enrichissement : La grille et le canal forment un condensateur plaques // , l isolant tant l oxyde du silicium.

D substrat S G S substrat

MOSFET : canal N

canal P

transistor normalement bloqu . ID est nul lorsque VGS = 0 et augmente ds que VGS dpasse une valeur seuil Vs Canal P : Vs < 0 la charge ngative sur la grille attire les trous Canal N: Vs > 0 la charge positive sur la grille attire les lectrons

170

La ligne pointille indique que le canal est inexistant tant que VGS < Vseuil Le substrat est gnralement reli la source. Les transistors MOSFET appauvrissement : comportement similaire au JFET, mais VGS >0 (canal N) autoris trs peu utiliss non traits en cours. Dautres symboles sont parfois utiliss pour les mmes composants Exemples:

171

 Caractristiques d un JFET canal N :

Conditions de fonctionnement : VGS 0 , VDS 0

ID (mA)

VDS sat = VGS + VP

VDS > VDS sat

transistor bloqu VGS(V) -2 -1.5 -1 -0.5

16 I DSS 12 8 4 0 2V 4 6
2

VGS=0

VGS=-1V

VGSoff

VDS (V)

Rgime de saturation Rgime linaire

Pour VDS > VDS sat : Pour VDS < VDS sat :

V I D I DSS 1 GS VGS off

I 2 k = DSS = k V V GS GSoff VGSoff 2

V I D 2k VGS VGSoff DS VDS 2

pour VGS < VGSoff, ID 0, transistor bloqu. pour VGS >0, le courant IG augmente rapidement (zone non utilise). tension de pincement VP ~ - VGSoff
172

 Caractristiques d un MOSFET canal N :

VDS > VDS sat

ID transistor bloqu VGS(V) Vs ID

VDS sat = VGS VS

VDS (V)

Rgime de saturation Rgime linaire

Pour VDS > VDS sat :

I D = k (VGS Vs )2

V Pour VDS < VDS sat : I D 2k (VGS Vs ) DS VDS 2

pour VGS < VS, ID 0, transistor bloqu VGS-VS = tension dattaque de grille .
173

En rsum :

VDS > VDS sat

VGSoff

Vs

Vs

VGSoff

174

3.2 Schmas quivalents petits signaux

Rgime linaire : ID Q VDS G D RDS S Pour VGS > VP , et VDS <VGS +VP :RDS rsistance fonction de VGS

VDS = VGS + VP

1 V k (VGS + VP ) DS 2

avec k = constante dpendant du composant

Condition: VDS suffisamment faible (<VGS+VP ), souvent infrieure 0.5V. Dans ces conditions, Source et Drain peuvent tre inverss. JFET: RDS(on) = RDS pour VGS 0 MOSFET enrichissement: RDS(on) = RDS pour VGS leve (~10V).

ordre de grandeur:

RDSon = 0.05 10k

RDSoff = RDS VGS < VGSoff (canal N) > M

175

 Rgime de saturation : Pour VDS > VDS sat , ID est commande par VGS
I D k (VGS VS )2

ID Q

VGS

VDS ID est command par VGS

id = g m v gs avec g m = I D = transconductance VGS V DS

ID (mA) 16 12

schma linaire quivalent: G id D

8 4

v gs

g m v gs
S

vds

VGS(V)

VGSoff

-2 -1.5 -1 -0.5

tient compte de l augmentation de vds avec id (quivalent de l effet Early) caractristique ID(VGS) non-linaire : gm (VDS)
176

JFET
V g m = g mo 1 GS VGS off , avec g = 2 I DSS = pente pour VGS=0 mo VGS off

gm varie linairement avec VGS .

MOSFET enrichissement

gm = 2k (VGS Vs )
Ordre de grandeur : gm=1 - 10 mA/V (mS ou mmho) gm1 = 0.1 1k

)
177

3.3 Quelques circuits de polarisation

Objectif : fixer le point de fonctionnement au repos

Polarisation automatique par rsistance de source dun JFET:

+VDD RD ID IG 0 G RG
D S

ID =

1 VGS RS

ID

ID

V VDS I D = DD RD + RS

ID

Q Q VGS VP VGSQ Dipersion de fabrication

Q Q VDSQ

VGS

RS

VDS

V I D I DSS 1 GS VGS off V I D = GS RS

ID , VGS , VDS .
178

 Polarisation par raction de drain (MOSFET enrichissement)

+VDD RD RG D S VGS(V) ID

V VDS I D = DD RD
ID . Q

IG 0 VGS = VDS

VGS
VDS (V) VDD

IG 0 VGS = VDS

179

3.4 Applications des FET

Sources de courant JFET +VDD charge

VGS = 0 I D = I DSS
Avantage du JFET: polarisation de la grille inutile. Inconvnient : dispersion de fabrication sur IDSS. IDSS= augmente avec VDS rsistance de sortie non infinie

Source de courant ajustable par la rsistance variable.

V I D I DSS 1 GS VGS off V I D = GS R
2

I D
180

Source de courant plus grande impdance de sortie

+VDD charge I T2

T2 et T1 tel que IDSS(T2) > IDSS(T1)

T1 I = IDSS (T1 ) VGS (T2) est telle que ID(T2) = IDSS(T1) VDS(T1) =VGS(T2)

T1 influence de le charge sur VDS(T1) attnue source de courant ordinaire I varie moins avec la charge impdance de sortie plus grande.

181

 Amplificateur source commune Exemple : RD C vg RG RS C D S C vg RG Ze VCC hypothse: Mode actif , C trs leves JFET vgs RD vs

vs

gmvgs

Zs

Gain en tension (circuit ouvert) : Impdance dentre : Impdance de sortie :

Av = g m RD
(RG peut tre prise trs grande, de lordre du M ou plus)

Ze = RG

Z S = RD

gm = fonction de VGS distorsion quadratique

182

Stabilisation par une rsistance de source : VCC RD D S RG RS rS vg vs RG vgs gmvgs rS RD vs JFET

vg

Gain en tension : vg = vgs + rs g mvgs

et vs = g mvgs RD

v g R RD do : Av = s = m D = 1 vg 1 + rs g m + rs gm
Linfluence de gm sur le gain est rduite si rs>>1/gm. Le gain en tension est plus faible. rs introduit une contre-raction:

v gs = v g + rs vs
183

(vs et vg en opposition de phase, Av <0)

 Amplificateur drain commun (ou source suiveuse )

VCC vg D S RG RS vs Zs Ze

ve
RG

G JFET D vGS S RS vs gmvGS

vg

Gain en tension (circuit ouvert) : Impdance dentre : Impdance de sortie :

Av =

g m RS RS = 1 1 + g m RS g m 1 + RS

Ze = RG
Zs = vsc.o. isc.c Rs Rs g m 1 = = = Rs // g m 1 g m Rs + 1 Rs + g m 1
184

 Rsistance commande Pour VGS > VGSoff et VDS <VGS +VP :

RDS

1 V k (VGS + VP ) DS 2

ex: R ventre

vsortie

vsortie =

RDS ventre RDS + R

= attnuateur variable, command par Vcom En choississant Vcom

R >> RDS on , vsortie varie entre ~0 et ventre

Imperfection: RDS dpend de VDS rponse non-linaire

185

Amlioration possible:

RDS

1 V k (VGS + VP ) DS 2

R vsortie ventre R1 R1

VGS =
RDS

VDS Vcom + 2 2
1 k (Vcom + VP )

(IG 0)

Vcom

Linarit presque parfaite

186

Application: Commande lectronique de gain exemple: 15V 5k 75k signal d entre 1F signal de sortie Etage EC avec rE =RDS (//200k//5.6k)

50k

5.6k

100k Vcom 100k

1F

R 5k Av c = rE RDS (Vcom ) // 5,6k Av 5k Vcom + V p RDS (Vcom )

il faut RDS< 5.6k amlioration possible: charge active pour RE.

187

 Interrupteur FET

Exemple dapplication:

(Convertisseur N-A cf Morgan)

188

n Inverseur logique CMOS= Complementary MOS)

aucun courant drain circule, quelque soit le niveau de sortie

189

n Fonction logique de base : la porte NAND

A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 C 1 1 1 0 InA 0V 0V 5V 5V InB 0V 5V 0V 5V Q1 Q2 Q3 Q4 O O F F O F O F F O F O F F O O Out 5V 5V 5V 0V

190

191

192