ETUDE DES CARACTERISTIQUES STATIQUES ET

DYNAMIQUES DES COMPOSANTS UTILISES EN

ELECTRONIQUE DE PUISSANCE

1-Les Diodes
1-1. Caractéristiques statiques
La diode est l’interrupteur électronique non commandé réalisant les fonctions
suivantes : • Fermé dans un sens (direct),
• Ouvert dans l’autre (inverse).
D’où les caractéristiques statiques idéales, figure (1-1) :

ik ik

direct
Vk

inverse
Vk
0
Figure (1-1) : Caractéristiques statiques idéales d’une diode
Les caractéristiques réelles des composants disponibles diffèrent sensiblement
de ces courbes.


iF iF

vF


iF
iF VRRM vF
0
iR
vF


v
i
iF

vFP
diF vR vF statique
dt

tfr t
t


R1 iF iR R2

V2
V1

K


iF

diF
dt
vF
t1 t2
t

t0 Qs QR
dirr
irr dt

I RM vR
iF

diF
dt

t1t2 t

t0
dirr
dt

Figure (1-7) : Diode à remontée brutale

iF

diF
dt

t1 t2 t

t0
dirr
dt

Figure (1-8) : Diode à remontée progressive



U
IA

R
Etatconducteur

L VA K
IH
iA
iG Th
Etatbloqué
vA K Etatbloqué
inverse
vGK direct

 iG

0.1iG t
tf

vAK

0.9vAK

td tr

1.1vA K t

tGT
iA

diA
dt

PA

Figure (1-10) : Caractéristiques dynamique du thyristor



 U

R
Ar

AT
vAK vB

iA

Figure (1-11) :Schéma équivalent

 iA

0.9iA
iA1

t
t0 t01 t02t03 t04

iA2

t01 t02t03 vAK1 t

t04
t0
vB

vAK2

tB1
tB2

Figure (1-12) :Evolution du courant et de la tension au blocage



 C Th p
vc

Tha
v Tha iT
ua

ic Ich
D vD

iD

Figure(1-13) :Circuit de blocage en tension

iT ic iD
Ich

Figure(1-14) :Allure des courants

 Figure(1-15) :Allure des tensions
b- Blocage en courant.
Les dispositifs de blocage en tension imposent à la charge et à la diode
de roue libre une surtension importante. On élimine cette surtension en
disposant une diode antiparallèle D aux bornes du thyristor à bloquer.
p
 ip
iDp
vc C vThp

L Thp
vDp
ua vTha Tha

ic I ch
vD
iD
Figure (1-16) :circuit de blocage en courant
 ip
vc C vThp

L Thp

ua

ic I ch
vD

Figure (1-17): Première phase

iDp
vc C

L
vDp
ua

ic I ch

Figure (1-18) : Deuxième phase

 vc C
vThp
L
ua vTha Tha

ic I ch
vD
iD
Figure (1-19):Troisième phase
Figure (1-20) :Evolution des différentes grandeurs



 U

Rc
ic
iB
Tr
vCE
vBE

Figure (1-21) :Schéma de principe

Etats
aturé
iB4

iB3

iB2

iB1

vCE(sat)
vCE (B)

Figure (1-22) : Caractéristiques statiques


 iB
iBF

0.1iBF t

ic
icF
0.9icF

0.1icF
t
td tr
ton

Figure (1-23) :fermeture d’un transistor


 iB

ic

icI
0.9icI

0.1icI t

ts tf
toff

Figure (1-24) : Ouverture d’un transistor

4- Les transistors à effet de champ

Les constructeurs réalisent des transistor de puissance ( ou de commutation)

à effet de champ. Ce sont en général des composants à grille isolée, figure
(1-25). Ces
composants permettent des performances comparables à celles du transistor
bipolaire tout en profitant des avantages du transistor à effet de champ :
• Très grande impédance d’entrée ; ce qui signifie que l’état du
fonctionnement du transistor est fixé par la tension d’entrée,
• Durée de commutation très courte et en principe pas de temps de retard ni
temps d’évacuation de la charge stockée.
 D D

G G

S S
CanalN CanalP

Figure (1-25) :Transistor à effet de champ

4- Les transistors IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor)
Un transistor IGBT est le mariage d’un transistor bipolaire et un
transistor à effet de champ comme le montre les figures suivantes :

D C

G B

S E
C

Figure (1-26) :Principe

Le schéma d’un IGBT est alors :

Figure (1-27) :Symbole d’un IGBT

 Série TD 02 (Convertisseurs AC/DC)
EX 01
EX 02
EX 03
Série TD 02 correction
Corr EX01
Corr EX 02
Corr EX 03