TP4 CEM

E4
Mai 2024 Feuille 1 / 9

Remis par : P. POULICHET

Objectifs : dans la première partie, on étudie dans ce TP la diaphonie des lignes couplées en
régime transitoire. Dans la deuxième partie du TP, quelques exemples d’intégrité de signal.

PREMIERE PARTIE : mesure de la diaphonie

1. Présentation

Soit le schéma ci-dessous. On considère le couplage électrique et magnétique entre les deux
lignes L1 et L2. La ligne 1 peut être considérée comme une ligne isolée (c’est à dire que les
signaux sur cette ligne se propagent en toute indépendance par rapport à la ligne 2) car le
couplage entre les 2 lignes se fait uniquement de 1 vers 2. On dit que le couplage est lâche.

Sur la ligne 1, il est appliqué un signal impulsionnel de temps de monté tm. La durée de
propagation du signal entre A et B et entre C et D est appelée . Entre la ligne 2 et la ligne 1
il existe un couplage électrique et un couplage magnétique.

Les ondes incidentes vi ou réfléchies vr sur la ligne 1 vont induire sur la ligne 2 un couple
d’ondes : une onde avant et une onde arrière. L’onde arrière (en arrière de la ligne) apparaît
en C et l’onde avant (en avant de la ligne) apparaît en D.

1
 Onde incidente et tensions induites

La mise en équation d’un schéma équivalent de lignes couplées comme celui présenté ci-
dessous, et la résolution des équations, permettent de déterminer les amplitudes des ondes
arrière et avant. Ces amplitudes dépendent de  et K qui sont donnés par les expressions ci-
dessous.

 M C 
 et K
C  L 

Schéma équivalent d’une ligne de longueur

x

2
2. EXPERIMENTATION

Avant de relever les signaux, vous devez prendre les précautions suivantes :
 ajuster les niveaux d’amplitude du générateur pour avoir des niveaux compris entre
0 et 5 V en entrée de la maquette : Square > Output Menu > Load Impedance >
LOAD,
 utiliser deux sondes pour observer les signaux. Connecter la masse de chaque sonde
à la masse globale du montage sinon les mesures seront aberrantes.

2.1. Description de la maquette

La ligne couplée de la maquette est constituée par un câble en nappe de trois conducteurs
d’une longueur de 10m. Sur chaque ligne, on peut connecter le générateur, la masse ou une
résistance. La valeur des résistances peut être ajustée pour être à l’adaptation de la ligne.
En général on destinera une ligne à être une ligne perturbatrice, une ligne sera placée à la
masse et la troisième servira à observer le résultat du couplage.

2.2. Adaptation des lignes

La tension d’entrée sera délivrée à partir du générateur d’impulsion et on réglera
l’amplitude (5V), le temps de montée (le plus faible possible) et la période. Réaliser pour
une ligne le montage suivant.

L2

Ve RL

 En observant conjointement le signal d’entrée et de sortie de la ligne on pourra en

déduire le temps de propagation dans la ligne. La résistance RL sera ajustée pour
diminuer les réflexions du signal en sortie. Débrancher alors la résistance et
l’alimentation et mesurer la valeur de RL à l’ohmmètre. A partir des résultats
(impédance caractéristique et vitesse de propagation), déterminer les valeurs de L et
C pour une ligne isolée.
 On rajoutera les 2 lignes d’à coté à la masse en entrée et en sortie. En observant
conjointement le signal d’entrée et de sortie de la ligne, ajuster la résistance RL pour
être à l’adaptation. Mesurer alors à l’ohmmètre la valeur de RL.
 Conclusion ?

2.3. Observation de l’onde arrière seule (t)

2.3.1. Masse latérale

3
 Observation
L1

L2

Ve L3 RL R’L

Ajuster la valeur de R’L pour visualiser (observation) l’onde arrière (t). En déduire la valeur
de   K  1 . Débrancher l’alimentation et mesurer la valeur de la résistance R’L à
l’ohmmètre.
Pour étudier l’influence du temps de montée tm, on ajustera celui-ci avec la commande
(Pulse > leading) et on notera les variations de (t). Expliquer. Quand le temps de
propagation est plus faible que le temps de montée, que se passe-t-il ? Quelle est la
conclusion à en tirer ?

2.3.2. Masse centrale

Réaliser le montage suivant :

Observation
L1

L2

L3 R’L

Ve RL

Visualiser l’onde arrière (t) (observation), mesurer son amplitude et en déduire   K  1

pour cette nouvelle configuration. Conclusion ? Expliquer pourquoi la tension mesurée est
réduite.

2.4. Observation de l’onde avant seule (t)

2.4.1. Masse centrale

Ajuster R’L pour être bien certain de visualiser une onde avant. Relever l’onde (t). Mesurer
son amplitude et en déduire la valeur de   K  1 .
Constater et expliquer l’évolution de l’onde avant lorsque l’on fait varier la valeur du temps
de montée.

4
 Observation
L1

L2

R’L L3

Ve RL

DEUXIEME PARTIE : intégrité de signal

1. Simulation d’une liaison sur un CI simple face

Nous testons une piste de CI au-dessus d’un plan de masse. Celle-ci est attaquée par deux
drivers type CMOS 3.3 V.

1.1. Saisie de schéma

 Ouvrir une feuille de schéma par File > New Free Form Schematic.
 Placer un buffer en entrée et en sortie par . Double cliquer et choisir un driver
générique par Select > EASYMOD > CMOS, 3.3V, FAST. Définir l’un en entrée et
l’autre en sortie.

 Définir les unités par défaut (Metric, Length) par : Setup > Options > units. Choisir
une liaison par . Pour tracer les connexions, rapprocher la ligne de l’entrée et de la
sortie des portes.
 Choisir en double cliquant sur TL1 Microstrip et définir les dimensions suivantes pour
le CI : longueur 10 cm, largeur de piste 1000 µm, épaisseur du diélectrique 1600 µ,
épaisseur du conducteur (plating et conductor chacun 35 µm). Ce sont des
caractéristiques usuelles d’un CI. La permittivité du diélectrique époxy type FR4 est
4,8.

1.2. Lancement de la simulation

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  Simulate SI > Run Interactive Simulation pour ouvrir la fenêtre de l’oscilloscope et
Start Simulation. Choisir Oscillator 50 MHz et la base de temps en bas à 2 ns.
 Pour visualiser le rayonnement du circuit, faire : Simulate SI > Run Interactive EMC
Simulation. Conclusion ?

Pour résoudre les problèmes de propagation, nous allons placer, juste après la sortie de la
porte U1, une résistance.

 Ajouter une résistance en série avec la sortie de la porte par . Déterminer la valeur

idéale. Pour cela, utiliser la valeur conseillée par le logiciel en utilisant l’icône .
Apply. Justifier l’ordre de grandeur de la résistance utilisé. Justifier les nouvelles
formes de tensions délivrées par l’oscilloscope. Conclusion ?
 Remplacer les portes de type CMOS par des 74HCT04_DIP (libraries 74HCT.PML
Devices 74HCT_DIP A pour l’entrée et Y pour la sortie) et refaire la même simulation
que la 1ère.
 Visualiser le spectre rayonné. Conclusion ? Regarder quelles sont les fréquences
caractéristiques du spectre du signal rayonné.

1.3. Utilisation d’un modèle ibis

Dans un modèle Ibis (Input/ouput Buffer Information Specification), on définit un modèle
comportemental; on remplace l’entrée et la sortie par un modèle équivalent ou une courbe
représentant l’entrée et la sortie et on modélise les temps de montée et descente des
composants. L’avantage d’un modèle Ibis comparé à un modèle Spice est sa standardisation,
sa rapidité de simulation, et sa nature non-propriétaire. Voir
https://perso.esiee.fr/~poulichp/CEM/IbisBehavorialModels.pdf pour avoir plus
d’informations.

Enregistrer depuis http://www.esiee.fr/~poulichp/CEM/CEM.html le modèle ibis du

composant 74VHC04 dans le répertoire
C:\MentorGraphics\2010.1HL\SDD_HOME\hyperlynx64\Libs.
Remplacer le modèle de U1 et U2 par ce modèle ibis. Double cliquer sur les composants
pour : Assign Models > Select > vhc04m_450.ibs et configurer U1 en sortie et U2 en entrée.
Simuler.
Pour visualiser les caractéristiques du modèle, faire Edit Model File et dans la fenêtre de
gauche et avec le clic droit de la souris Model data_o > View Data. Observer les
caractéristiques de temps de montée et descente. Que représentent les 3 caractéristiques
typical, minimum, maximum ?

A partir des temps de montée et de la période, calculer les deux fréquences caractéristiques du
spectre d’un signal de forme trapézoïdal.

1.4. Circuit multicouches

Reprendre les circuits de type CMOS, 3.3V, FAST.
On garde la piste en face supérieure du CI mais on définit un circuit multicouches. Les
couches internes sont utilisées pour les couches d’alimentation et les couches signaux. Quel
est l’intérêt d’avoir des couches internes pour l’alimentation ?

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Choisir Stakup dans Transmission-line type. Dans Values, choisir la couche 1, Signal, TOP.
 Visualiser alors le signal en entrée et en sortie et le spectre.

1.5. Liaison interne au CI

Déplacer la trace à partir du menu EditCouplingRegions pour la placer à l’intérieur du CI sur
la couche InnerSignal1 SignalLayer. Visualiser le spectre. Expliquer.

2. Simulation d’une liaison bifilaire dans un CI multicouches

Nous allons déterminer les tensions en entrée et en sortie de 2 pistes d’un CI multicouches.

2.1. Pistes placées sur une face d’un circuit imprimé

Saisir le schéma suivant. Les portes sont des modèles simples EasyModel > CMOS 3.3 V
UltraFast. Après avoir placé les 2 lignes TL1 et TL2, choisir en double cliquant sur les 2
lignes Coupled Stackup. Dans la fenêtre coupling Region, double cliquer sur coupling0001.
Modifier la position de la trace sur le CI selon la figure ci-dessous avec le curseur Move trace.

DesignFile: C
I_double_face.ffs
HyperLynxLineS imV 7.5

U1.1 TL1 U2.1

36.2 ohms
614.795 ps
CMOS,3.3V,ULTR... 10.000 cm CMOS,3.3V,ULTR...
Coupled Stackup

U3.1 TL2 U4.1

0
36.2 ohms
614.794 ps
CMOS,3.3V,ULTR... 10.000 cm CMOS,3.3V,ULTR...
Coupled Stackup

Pour le circuit U3.1 de la figure précédente, on aura choisi la configuration « Struck Low »
pour signifier que la sortie est au niveau logique « 0 ».

 Dans le menu FieldSolver, visualiser les lignes de champ électrique et magnétique en

mode commun et en mode différentiel. A partir des matrices résistances, inductances
et capacitives, menu (FieldSolver > NumericalResults) donner un schéma équivalent.
Se référer aux matrices inductances et capacités établies dans le polycopié.
 Justifier l’allure de la tension en entrée de U4. Comparer par rapport à la valeur
V M  
théorique    de l’onde arrière.
4  L C   
 Conclure par rapport aux niveaux de déclenchement de la porte U4. Remplacer les
portes par des CMOS, 3.3V, MEDIUM. Conclusion ?

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  Placer les 2 pistes du circuit imprimé simulé sur la couche « InnerSignal1
SignalLayer ». Que se passe-t-il ?

2.2. Ajout d’une trace de garde

Nous allons ajouter une trace connectée à la masse des deux côtés pour réduire le couplage
entre les deux pistes initiales. Modifier le schéma suivant la figure ci-dessous. La
numérotation des traces défini l’ordre de leur placement par défaut. On conserve la largeur des
pistes de 1000 µm et on les espace de 500 µm et elles sont placées au-dessus du CI.

DesignFile: C
I_double_face.ffs
HyperLynxLineS imV 7.5

U1.1 TL5 U2.1

36.8 ohms
618.108 ps
CMOS,3.3V,ULTR... 10.000 cm CMOS,3.3V,ULTR...
Coupled Stackup

R1 TL6 R2

0.0 ohms 36.6 ohms 0.0 ohms

617.766 ps
10.000 cm
Coupled Stackup

U3.1 TL7 U4.1

0
36.8 ohms
618.108 ps
CMOS,3.3V,ULTR... 10.000 cm CMOS,3.3V,ULTR...
Coupled Stackup

 Noter la valeur de la tension induite.

 Enlever maintenant la trace du milieu et changer la distance entre les traces pour
qu’elles soient à la même distance que dans le 1er cas. Simuler. Conclusion ?

2.3. Pistes internes au circuit imprimé

 Modifier la position des traces sur le CI en plaçant TL1 sur InnerSignal1 SignalLayer
et TL2 sur InnerSignal2 SignalLayer. Conclusion.

3. Liaison différentielle

3.1. Circuits utilisés

Nous testons dans cette partie une liaison différentielle (type LVDS). Le signal est donc
transmis en même temps que le signal opposé et il est calculé la différence des 2 signaux à la
sortie du récepteur. L’émetteur différentiel est un circuit type DS90LV031 tandis que le
récepteur est un DS90LV032.

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 3.2. Saisie de schéma
La saisie de schéma se fait ici par la commande New LineSim Schematic > Cell-based. On
accède alors à une page avec des cellules qui sont prédéfinies. Saisir le schéma de la page
suivante (composants Lv031tm.ibs et Lv032tm.ibs). Visualiser les signaux en sortie de A0,
A1, B0 et B1. Choisir un CI multicouches avec une largeur de piste de 200 µm, une longueur
de 10 cm et une largeur entre piste de 125 µm.
Définir des sondes en différentiel : dans oscilloscope > Differential Probe channel.
Visualiser alors le signal de sortie pour une horloge à 100 MHz et un rapport cyclique à 49 %.
Observer le spectre rayonné. Prendre quelques valeurs pour la résistance d’adaptation pour
obtenir la valeur optimale.

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 DS90LV031TM DS90LV031TM
DOUT1+ DOUT1-

CELL:A0 CELL:B0

57.4 ohms 52.4 ohms

691.693 ps 691.693 ps
10.000 cm 10.000 cm
Coupled Stackup Coupled Stackup

DS90LV032TM DS90LV032TM
RINA+ RINA-

CELL:A1 150.0 ohms CELL:B1

RS(A1)

Date: Monday Mar. 26,2007 Time: 16:43:56

Design file: LIAISON_DIFFERENTIELLE.TLN
Designer:
LineSim for Windows V 7.5 - HyperLynx

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