O diodo Shockley é um dispositivo bipolar PNPN comparável a um thyristor. Quando uma tensão menor que VS é aplicada, oferece alta resistência e permite apenas uma pequena corrente. Ao atingir VS, entra em um estado instável com resistência decrescente. Ao passar de IH, conduz plenamente com queda de tensão de ~1V, permanecendo conduzido enquanto a corrente for maior que IH.
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O diodo Shockley é um dispositivo bipolar PNPN comparável a um thyristor. Quando uma tensão menor que VS é aplicada, oferece alta resistência e permite apenas uma pequena corrente. Ao atingir VS, entra em um estado instável com resistência decrescente. Ao passar de IH, conduz plenamente com queda de tensão de ~1V, permanecendo conduzido enquanto a corrente for maior que IH.
O diodo Shockley é um dispositivo bipolar PNPN comparável a um thyristor. Quando uma tensão menor que VS é aplicada, oferece alta resistência e permite apenas uma pequena corrente. Ao atingir VS, entra em um estado instável com resistência decrescente. Ao passar de IH, conduz plenamente com queda de tensão de ~1V, permanecendo conduzido enquanto a corrente for maior que IH.
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DIODO SHOCKLEY O diodo Shockley, tambm conhecido como diodo thyristor ou diodo de quatro camadas, um dispositivo bipolar PNPN
N comparvel em todos os sentidos um thyristor, porm, estando disponveis somente os bornes de anodo e ctodo. Quando aplicarmos em seus bornes (entre ctodo e anodo), uma tenso rescente, mas inferior a um certo nvel VS , sua resistncia ser elevada e somente uma equena corrente o atravessar. Esta corrente da ordem de alguns microampres. Este o seu primeiro estado estvel, pois o diodo est bloqueado.
Este o seu primeiro estado estvel, pois o diodo est bloqueado. Figura Estrutura, curva e smbolo de um diodo Shockley Quando a tenso VS atingida, chegamos na segunda zona, na qual o diodo apresenta uma regio negativa. Este um estado instvel. A resistncia do diodo vai decrescendo rapidamente e a partir do ponto IH ela no tem mais do que alguns ohms. O diodo est plenamente condutor e assim permanece enquanto existir a corrente de manuteno, cujo valor mnimo IH. Esta a terceira zona cujo funcionamento estvel. A queda de tenso introduzida pelo dispositivo da ordem de 1V para os diodos de germnio e 1,3V a 1,7V para os de silcio. O rebloqueio efetua-se reduzindo-se a corrente, abaixo do valor de IH ou a tenso, abaixo de VH . As tenses VS so da ordem de 20 a 100V, enquanto que IH da ordem de 1 a 50 mA.
