INTRODUO

Os dispositivos semicondutores de trs terminais so muito mais utilizados que os de dois terminais (diodos) porque podem ser usados em vrias aplicaes, desde a amplificao de sinais at o projeto de circuitos digitais de memria. O princpio bsico de operao o uso de uma tenso entre dois terminais para controlar o fluxo de corrente no terceiro terminal. A tenso de controle pode ser tambm usada para fazer com que a corrente no terceiro terminal varie de zero at um valor significativo, comportando-se como uma chave, elemento bsico de circuitos digitais. H 2 tipos principais de dispositivos de 3 terminais: o transistor bipolar de juno (TBJ) e o transistor de efeito de campo (FET) que vocs iro ver em outra edio. O transistor bipolar, geralmente chamado apenas transistor consiste em duas junes pn construdas de modo especial e conectadas em srie e em oposio. Nesta matria a seguir iremos entender mais sobre esse tipo de transistores, bom estudo.

Transistor de Juno Bipolar

Um transisitor de juno bipolar (aka a TJB ou Bipolar Transistor ) um ativo dispositivo semicondutor formado por duas junes PN , cuja funo a amplificao de um eltrico atual . Funcionamento de um transistor de juno Bipolar No transistor de juno bipolar ou TJB (BJT Bipolar Junction Transistor na terminologia inglesa), o controle da corrente coletor-emissor feito injetando corrente na base. O efeito transistor ocorre quando a juno coletor-base polarizada reversamente e a juno base-emissor polarizada diretamente. Uma pequena corrente de base suficiente para estabelecer uma corrente entre os terminais de coletor-emissor. Esta corrente ser to maior quanto maior for a corrente de base, de acordo com o ganho. O transistor de juno bipolar, TJB, (bipolar junction transistor, BJT, em ingls), o tipo de transistor mais comum, devido sua facilidade de polarizao e durabilidade. Recebe este nome porque o processo de conduo realizado por dois tipos de carga positiva (lacunas) e negativa (eltrons). O transistor de juno bipolar foi o primeiro tipo de transistor a ser produzido, e que valeu o Prmio Nobel, aos seus inventores. At hoje, permanece como o nico prmio Nobel a ser atribudo a um dispositivo de engenharia. Os primeiros transistores foram produzidos com Germnio e passado algum tempo comeou a ser utilizado o Silcio. O objetivo dos inventores, foi substituir as vlvulas terminicas que consumiam muita energia, tinham muito baixo rendimento, e funcionavam com tenses da ordem das centenas de volts.

O principio do transistor poder controlar a corrente. Ele montado numa estrutura de cristais semicondutores, de modo a formar duas camadas de cristais do mesmo tipo intercaladas por uma camada de cristal do tipo oposto, que controla a passagem de corrente entre as outras duas. Cada uma dessas camadas recebe um nome em relao sua funo na operao do transistor, As extremidades so chamadas de emissor e coletor, e a camada central chamada de base. Os aspectos construtivos simplificados e os smbolos eltricos dos transistores so mostrados na figura abaixo. Observe que h duas possibilidade de implementao.

O transistor da esquerda chamado de NPN e o outro de PNP. O transistor hermeticamente fechado em um encapsulamento plstico ou metlico de acordo com as suas propriedades eltricas. Atravs de uma polarizao de tenso adequada consegue-se estabelecer um fluxo de corrente, permitindo que o transistor seja utilizado em inmeras aplicaes como: chaves comutadoras eletrnicas, amplificadores de tenso e de potncia, osciladores, etc. O termo bipolar refere-se ao fato dos portadores lacunas e eltrons participarem do processo do fluxo de corrente. Se for utilizado apenas um portador, eltron ou lacuna, o transistor denominado unipolar (FET) OPERAO BSICA: 1 - Juno diretamente polarizada: A figura abaixo mostra o desenho de um transistor pnp com a polarizao direta entre base e coletor. Para estudar o comportamento da juno diretamente polarizada, foi retirada a bateria de polarizao reversa entre base e coletor.

Observa-se ento uma semelhana entre a polarizao direta de um diodo com a polarizao direta entre base e emissor, onde aparece uma regio de depleo estreita. Neste caso haver um fluxo relativamente intenso de portadores majoritrios do material p para o material n. 2 - Juno reversamente polarizada: Passemos a analisar o comportamento da juno reversamente polarizada,

conforme mostra a figura abaixo. Neste caso, foi removida a bateria de polarizao direta entre emissor e base.

Observa-se agora, em virtude da polarizao reversa um aumento da regio de depleo semelhante ao que acontece com os diodos de juno, isto ocorre um fluxode portadores minoritrios (corrente de fuga nos diodos), fluxo este que depende tambm da temperatura. Podemos ento dizer que uma juno p-n deve ser diretamente polarizada (base-emissor) enquanto que a outra juno p-n deve se reversamente polarizada (base-coletor).

FLUXO DE CORRENTE:
Quando um transistor polarizado corretamente, haver um fluxo de corrente, atravs das junes e que se difundir pelas camadas formadas pelos cristais p ou n.

Essas camadas no tm a mesma espessura e dopagem, de tal forma que: 1. A base a camada mais fina e menos dopada; 2. O emissor a camada mais dopada; 3. O coletor uma camada mais dopada do que a base e menos dopada do que o emissor.

Uma pequena parte dos portadores majoritrios ficam retidos na base. Como a base uma pelcula muito fina, a maioria atravessa a base a se difunde para o coletor. A corrente que fica retida na base recebe o nome de corrente de base (IB), sendo da ordem
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de microampres. As correntes de coletor e emissor so bem maiores, ou seja, da ordem de miliampres, isto para transistores de baixa potncia, podendo alcanar alguns ampres em transistores de potncia. Da mesma forma, para transistores de potncia, a corrente de base significativamente maior. Podemos ento dizer que o emissor (E) o responsvel pela emisso dos portadores majoritrios; a base (B) controla esses portadores enquanto que o coletor (C) recebe os portadores majoritrios provenientes do emissor. A exemplo dos diodos reversamente polarizados, ocorre uma pequena corrente de fuga, praticamente desprezvel, formada por portadores minoritrios. Os portadores minoritrios so gerados no material tipo n (base), denominados tambm de corrente de fuga e so difundidos com relativa facilidade at ao material do tipo p (coletor), formando assim uma corrente minoritria de lacunas. Lembre-se de que os portadores minoritrios em um cristal do tipo n so as lacunas. Desta forma a corrente de coletor (IC), formada pelos portadores majoritrios provenientes do emissor soma-se aos portadores minoritrios (ICO) ou (ICBO). Aplicando-se a lei de Kirchhoff para corrente (LKT), obtemos: IE = IC + IB, onde: IC = IC (PORTADORES MAJORITRIOS) + ICO ou ICBO (PORTADORES MINORITRIOS) Para uma melhor compreenso, a figura a seguir ilustra o fluxo de corrente em um transistor npn, atravs de outra forma de representao. No entanto, o processo de anlise o mesmo.

Na figura acima se observa que os portadores minoritrios (ICO ou ICBO) provenientes da base so os eltrons, que se somaro a corrente de coletor.

Configuraes Bsicas
Os transistores podem ser utilizados em trs configuraes bsicas: Base Comum (BC), Emissor comum (EC), e Coletor comum (CC). O termo comum significa que o terminal comum a entrada e a sada do circuito.

- Configuraes BC

Ganho de tenso elevado Ganho de corrente menor que 1 Ganho de potncia intermedirio Impedncia de entrada baixa Impedncia de sada alta No ocorre inverso de fase

Configurao CC

Ganho de tenso menor que 1 Ganho de corrente elevado; Ganho de potncia intermedirio Impedncia de entrada alta Impedncia de sada baixa No ocorre a inverso de fase.

Configurao EC

Ganho de tenso elevado Ganho de corrente elevado Ganho de potncia elevado Impedncia de entrada baixa Impedncia de sada alta Ocorre a inverso de fase.

Esta configurao a mais utilizada em circuitos transistorizados. Por isso, os diversos parmetros dos transistores fornecidos pelos manuais tcnicos tm como referncia a configurao emissor comum. Podemos trabalhar com a chamada curva caracterstica de entrada. Nesta curva, para cada valor constante de VCE, variando-se a tenso de entrada VBE, obtm-se uma corrente de entrada IB, resultando num grfico com o seguinte aspecto.

Observa-se que possvel controlar a corrente de base, variando-se a tenso entre a base e o emissor. Para cada constante de corrente de entrada IB, variando-se a tenso de sada VCE, obtm-se uma corrente de sada IC, cujo grfico tem o seguinte aspecto.

Atravs desta curva, podemos definir trs estados do transstor, o CORTE, a SATURAO e a DATIVA

CORTE: IC = 0 SATURAO: VCE = 0 ACTIVA: Regio entre o corte e a saturao.

Para a configurao EC a relao entre a corrente de sada e a corrente de entrada determina o ganho de corrente denominado de b ou hFE (forward current transfer ratio)

Os Limites dos Transstores

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Os transistores, como quaisquer outros dispositivos tm suas limitaes (valores mximos de alguns parmetros) que devem ser respeitadas, para evitar que os mesmos se danifiquem. Os manuais tcnicos fornecem pelo menos quatro parmetros que possuem valores mximos:

Tenso mxima de coletor - VCEMAX Corrente mxima de coletor - ICMAX Potncia mxima de coletor - PCMAX Tenso de ruptura das junes

Na configurao EC, PCMAX = VCEMAX.ICMAX Exemplos de parmetros de transstores comuns. Tipo Polaridade VCEMAX ICMAX (V) 45 30 60 80 -30 -60 B

BC 548 2N2222 TIP31A 2N3055 BC559 BFX29

NPN NPN NPN NPN PNP PNP

(mA) 100 125 a 900 800 100 a 300 3000 20 a 50 15000 20 a 50 -200 125 a 900 -600 50 a 125

Transistor como chave

A utilizao do transstor nos seus estados de SATURAO e CORTE, isto , de modo que ele ligue conduzindo totalmente a corrente entre emissor e o coletor, ou desligue sem conduzir corrente alguma conhecido como operao como chave. A figura abaixo mostra um exemplo disso, em que ligar a chave S1 e fazer circular uma corrente pela base do transstor, ele satura e acende a lmpada. a resistncia ligada a base calculado, de forma que, a corrente multiplicada pelo ganho d um valor maior do que o necessrio o circuito do coletor, no caso, a lmpada.

Veja que temos aplicada uma tenso positiva num transstor NPN, para que ele sature e uma tenso negativa, para o caso de transstores PNP, conforme mostra a figura abaixo.

Concluso

Os transistores bipolar de juno so de grande importncia para vrios tipos de circuitos, na pratica existe varias formas de utilizar esses transistores, quando um transistor estiver polarizarizado corretamente sabemos que havera um fluxo de corrente, formados pelos cristais p ou n que iram difundir-se atraves das junos.

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Referencias bibliogrficas
UNIP Eletrnica para Engenheiros - TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR - I 2Prof. Corradi WWW.corradi.junior.nom.br MALVINO, Albert Paul. Eletrnica Volume 1. McGraw-Hill, So Paulo, 1986.

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