Atividade Pratica Willians Da Silva Campos 02
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Ib=2,4/40K
Ib= 60µA
β = 19,93mA/60µA
β= 332,167
α= 332,167/(332,167+1)=
α= 0,997
Tabela 1
3. Analise o circuito a seguir e complete as tabelas de acordo com o que for pedido em
cada componente :
a) Calcule o valor da corrente quiescente no coletor (I CQ) e a tensão quiescente (VCEQ) entre coletor e
emissor e anote suas respostas na tabela 2.
b) Calcule a anote na tabela 2, a compliance CA (variação de pico a pico do sinal) na saída e a corrente
de dreno (IF) do estágio. Veja no final desta experiência, comentários sobre a corrente de dreno.
c) Calcule a potência máxima dissipada pelo transistor, a potência máxima na carga sem ceifamento, a
potência CC de entrada do estágio e a eficiência do estágio. Anote suas respostas teóricas na coluna
correspondente da tabela 3.
d) Monte, no EWB, o circuito. Reduza o sinal do gerador a zero. Use o multímetro para medir I CQ e
VCEQ, e anote esses valores na tabela 2.
e) Use o osciloscópio para observar a tensão na carga. Ajuste o gerador de sinal até que o ceifamento
inicie em ambos os semiciclos. Deve-se observar que a forma de onda fica quadrada na parte superior
e alongada na parte inferior. A causa desta distorção não linear é a grande variação de r e quando o
coletor se aproxima do corte e da saturação.
f) Reduza o sinal do gerador até que não haja mais ceifamentos, de forma que o sinal na saída tenha a
aparência de uma senóide perfeita. Meça e anote na tabela 2, a tensão CA de pico a pico. Este valor
medido é uma aproximação da compliance do sinal CA de saída (pico a pico).
h) Calcule e anote os valores experimentais listados na tabela 3, usando os dados medidos e anotados
na tabela 3.
TABELA 2
VALORES CALCULADO EXPERIMENTAL
ICQ 666 µA 666,5 µA
VCEQ 15V 15V
PP (compliance)
IF 906 µA 906 µA
TABELA 4
VALORES VALORES MEDIDOS
CALCULADOS
IB1 75 µA 75 µA
IB2 0A 0A
IC1 2,10 µA 23,10 µA
IC2 400 µA -400,6 µA
IE1 98 µA 97,66 µA
IE2 876 µA -876,3 µA
VE1 15 V 14,39V
VE2 15V 14,39V
VB1 74,5mV -74,62mV
VB2 0V 0V
VC1 230mV 229,4mV
VC2 4V 3,399V
5. Calcule os valores de tensão pedidos na Tabela 5, onde os valores medidos serão obtidos a
partir da construção do circuito abaixo no programa EWB. Calcule também os valores de
resistência de entrada, resistência de saída e o ganho de tensão para o circuito abaixo e compare
com o valor experimental. Considere o sinal do gerador 1Vpp a uma freqüência de 10kHz.
Tabela 5
6. Explique como se comportará um diodo ao ser alimentado de forma direta e reversa. Qual
costuma ser a queda de tensão de um diodo ao ser alimentado de forma direta?
R;
Polarização direta: Nesse tipo de polarização o polo positivo da fonte de tensão está conectado ao lado
P do diodo. Isso faz com que o lado positivo; torne-se ainda mais positivo, e o lado N, ainda mais
negativo.
As cargas elétricas conseguem atravessar a barreira de potencial existente entre o lado P e o lado N do
diodo, portanto, há condução de corrente;
Na polarização reversa ao atuar como isolante elétrico e como se fosse uma chave aberta no circuito,
a corrente elétrica na malha em que o diodo está inserido será próxima a 0 A, ou seja , qualquer
carga ou equipamento que estiver em série com o diodo retificador irá parar de funcionar O diodo
possui uma queda de tensão de, aproximadamente, 0,3 V (germânio) e 0 ,7 V ( silício)
8. Monte, no EWB, o circuito abaixo e anote as tensões calculada e medidas na Tabela 6 para valor
de tensão de entrada. Por fim, explique o que se pode observar na tensão de saída ao passo que a
tensão de entrada vai aumentando.
OBS: O diodo 1N753 tem uma tensão nominal de 6,2V.
9. Calcule os resistores e capacitores para o oscilador ponte de Wien abaixo para as freqüências
de 2kHz e 10kHz. Em seguida meça os valores obtidos através da montagem do circuito no EWB.
Esse valores devem ser apresentados nas Tabelas 6 e 7.
f R1 R2 R3 R4 C1 C2
2kHz 0V 0V 0V 0V 0V 0V
10kHz 2VM 2VM 2VM 2VM 2VM 2VM
10. Monte, no EWB, o circuito abaixo e complete a Tabela 9 para cada transistor solicitado. Por fim,
Analise os valores calculados e medidos na Tabela 9 e apresente suas conclusões.
TABELA 9
CALCULADO MEDIDO
TRANSISTOR IB IC VCE IB IC VCE
BC337 1,41 mA -14,10mA 165mV 1,428mA -14,11 mA 165,3mV
BC547 1,40 mA -1,70mA 12,5V 1,435mA -1,748 mA 12,58V
BC548 1,40 mA -1,70mA 12,5V 1,435mA -1,748 mA 12,58V