O documento descreve os principais componentes de um transístor de junção bipolar (BJT), incluindo: 1) A formação dos elementos tipo N e P em semicondutores; 2) A estrutura de uma junção PN; 3) Os três terminais do BJT - emissor, base e coletor - e como a tensão na base controla a corrente nos outros terminais.
O documento descreve os principais componentes de um transístor de junção bipolar (BJT), incluindo: 1) A formação dos elementos tipo N e P em semicondutores; 2) A estrutura de uma junção PN; 3) Os três terminais do BJT - emissor, base e coletor - e como a tensão na base controla a corrente nos outros terminais.
O documento descreve os principais componentes de um transístor de junção bipolar (BJT), incluindo: 1) A formação dos elementos tipo N e P em semicondutores; 2) A estrutura de uma junção PN; 3) Os três terminais do BJT - emissor, base e coletor - e como a tensão na base controla a corrente nos outros terminais.
O documento descreve os principais componentes de um transístor de junção bipolar (BJT), incluindo: 1) A formação dos elementos tipo N e P em semicondutores; 2) A estrutura de uma junção PN; 3) Os três terminais do BJT - emissor, base e coletor - e como a tensão na base controla a corrente nos outros terminais.
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Eletrónica
4 – Transístor de Junção Bipolar (TJB ou BJT) Semicondutores: Formação dos elementos tipo N e P Num semicondutor extrínseco do tipo N os eletrões estão em maioria, designando-se por portadores maioritários da corrente elétrica. As lacunas (que são a ausência de um eletrão), por sua vez, estão em minoria e designam-se por portadores minoritários da corrente elétrica. Nos Semicondutores do Tipo N, a corrente é constituída pelo movimento de eletrões dos átomos das impurezas no cristal.
20/04/2018 3 Semicondutores: Formação dos elementos tipo N e P Num semicondutor extrínseco do tipo P as lacunas estão em maioria designando-se por portadores maioritários da corrente elétrica. Os eletrões, por sua vez, estão em minoria e designam- se por portadores minoritários da corrente elétrica.
Nos Semicondutores do Tipo P, a corrente é
constituída pelo movimento das lacunas de eletrões dos átomos das impurezas.
20/04/2018 4 A Junção p-n • Junção p-n • É uma aproximação do díodo real. • Constituída pela junção de dois materiais semicondutores, tipo-p e tipo-n.
p n
Semicondutor Semicondutor tipo-p tipo-n
5 O Diodo de Junção O diodo de junção é essencialmente uma junção PN na qual foram adicionados os terminais e feito um encapsulamento adequado Transístores
Os transístores são dispositivos semicondutores de três
terminais. Estes podem ser utilizados em muitas aplicações como sendo: amplificação de sinal, projeto de circuitos lógicos e de memória.
O princípio básico envolvido nestes dispositivos é a utilização
da tensão entre dois terminais para controlar a corrente que flui no terceiro terminal.
20/04/2018 7 Transístores
Transístores de Junção Bipolar
(TJB) (Bipolar Junction Transistor – BJT) Dois tipos de dispositivos semicondutores de 3 terminais Transístores de Efeito de Campo (TEC) (Field Effect Transístor – FET)
20/04/2018 8 Transístores - TJB
O transístor tem os seguintes elementos:
- Emissor -> que emite os eletrões ou buracos - Base -> controla a emissão de eletrões ou buracos - Coletor - > que recolhe os eletrões ou buracos
20/04/2018 10 Transístores - TJB
Estrutura simplificada de um TJB: O TJB NPN é
constituído por 3 regiões com diferentes semicondutores: -A região do Emissor (tipo N) - A região da Base (tipo P) - A região do colector (tipo N)
EB CB
20/04/2018 12 Transístores - TJB
Estrutura simplificada de um TJB PNP
20/04/2018 13 20/04/2018 14 Operação no modo activo de um TJB NPN
São usadas duas fontes externas responsáveis por estabelecer as condições de polarização que são requeridas (ver Tabela) para o funcionamento no modo activo:
-A fonte VBE : impõe à base do tipo P um potencial mais elevado do que o do emissor do tipo N -> polarização directa para JEB
-A fonte VCB : impõe à base do tipo P um potencial mais baixo do que o do colector do tipo N -> polarização inversa para JCB 20/04/2018 15 Operação dos TJB
Dependendo da condição de polarização (directa ou inversa) de
cada uma das junções (JEB, JCB), obtêm-se diferentes modos de funcionamento do transístor:
Polarização Modo de Funcionamento Aplicação típica
Junção BE Junção CB Inversa Inversa Corte Circuitos digitais e Direta Direta Saturação conversores de potência
Direta Inversa Zona ativa Circuitos analógicos
Inversa Direta Zona ativa inversa Circuitos lógicos TTL
20/04/2018 16 Operação de um TJB NPN
20/04/2018 18 Operação de um TJB NPN
20/04/2018 19 TJB NPN Activo A Corrente de Colector
vBE IC I S e VT
Logo I IB C
A Corrente de Base
IS IB evBE VT
Is – Corrente de saturação VT – Tensão Térmica A Corrente de Emissor
