Dissertacao Marcus Vinicius Pelegrini

MARCUS VINÍCIUS PELEGRINI
ESTUDO DE MATERIAIS PIEZOELÉTRICOS DA FAMÍLIA III-V
OBTIDOS POR SPUTTERING REATIVO VISANDO SUA APLICAÇÃO
EM SENSORES E MEMS
São Paulo
2010
EM SENSORES E MEMS
Dissertação apresentada à Escola

Politécnica da Universidade de São Paulo
para a obtenção do título de Mestre em
Engenharia
São Paulo
2010
EM SENSORES E MEMS
Dissertação apresentada à Escola

Politécnica da Universidade de São Paulo
para a obtenção do título de Mestre em
Engenharia
Área de concentração: Microeletrônica
Orientadora: Profª. Titular

Inés Pereyra
São Paulo
2010
Este exemplar foi revisado e alterado em relação à versão original, sob
responsabilidade única do autor e com a anuência de seu orientador.
São Paulo, de agosto de 2010.
Assinatura do autor ___________________________
Assinatura do orientador _______________________
FICHA CATALOGRÁFICA
Pelegrini, Marcus Vinícius

Estudo de materiais piezoelétricos da família III-V obtidos
por sputtering reativo visando sua aplicação em sensores e
mems /
M.V. Pelegrini. -- ed.rev. --São Paulo, 2010.
127 p.
Dissertação (Mestrado) - Escola Politécnica da Universidade

de São Paulo. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrô-
nicos.
1. Engenharia elétrica 2. Microeletrônica 3. Processos de mi-

croeletrônica 4. Atuadores piezelétricos I. Universidade de São
Paulo. Escola Politécnica. Departamento de Engenharia de
Sistemas Eletrônicos II. t.
DEDICATÓRIA
Aos meus amados pais Reynaldo

Pelegrini e Solidea Ap. Pelegrini por todo
o amor e carinho a mim dedicados ao
longo de minha vida.
AGRADECIMENTOS
À professora Inés Pereyra pela orientação, estímulo e principalmente pelas
inúmeras conversas, tanto ligadas a assuntos profissionais quanto pessoais, que
muito me auxiliaram no crescimento profissional e pessoal obtido durante esses dois
anos de trabalho de mestrado.
Aos meus pais que tanto amo Reynaldo Pelegrini e Solidea Ap. Pelegrini, aos
meus irmãos Marcelo e Eduardo, aos meus sobrinhos Natalia, Paulo Henrique, Luis
Gustavo, Valentina e Giovana, e a minha namorada Lígia Fernandes por serem
parte tão importante a minha vida.
Aos professores Dr. Marcelo Carreño, Dr. Marco Alayo e Dra. Marcia Fantini
pela ajuda na interpretação dos resultados.
Aos amigos do grupo de Novos Materiais e Dispositivos Dra. Katia Franklin,
Dra. Marcia Ribeiro, Dr. Alessandro Oliveira, Dr. Gustavo Rehder, Me. Hector Baez,
Me. Alexandre Lopes, Me. Daniel Orquiza, Maria Armas, Murilo Mielli e Alexandre
Gollub pela ajuda nas tarefas laborais principalmente pelos diversos momentos de
descontração.
Ao chefe da manutenção do laboratório Pedro Cruz pelas diversas idéias que
muito me ajudaram a desenvolver esse trabalho de mestrado.
Ao pessoal da sala limpa do Laboratório de Microeletrônica: Cristina, João,
Marco, Rita e Tereza, pelo precioso apoio no processamento em sala limpa.
Aos meus amigos Sérgio Marques, Leice Amurin, André Solci, Ricardo
Marques e Camila Previatti que mesmo sem poder me ajudar tecnicamente, me
escutaram, e muito, nos momentos de dificuldade deste projeto.
À FAPESP e ao CNPq pelo apoio financeiro.

“Nenhum homem é uma ilha isolada;
cada homem é uma partícula do
continente, uma parte da terra... E por
isso não perguntes por quem os sinos
dobram; eles dobram por ti”
John Donne
RESUMO
Neste trabalho, apresento um estudo sobre a fabricação e caracterização
físico-química de filmes finos de nitreto de alumínio (AlN) obtidos pela técnica de
pulverização catódica reativa por rádio frequência (r.f sputtering) utilizando um alvo
de alumínio puro. Visto que o AlN é um material que apresenta piezoeletricidade e
compatibilidade com a tecnologia MOS, o objetivo principal desse trabalho é definir
os parâmetros de processo de deposição que resultem em um material com
propriedades adequadas para sua utilização como elemento atuador e/ou sensor em
sistemas micro eletromecânicos (MEMS).
O estudo da influência dos parâmetros de processo foi realizado em três
etapas. Na primeira realizei um estudo preliminar sobre a influência da pressão de
processo e potência de r.f. Na segunda etapa realizei um estudo sobre a influência
da relação entre o gás reativo (N2) e o pulverizante (Ar) nas características físico-
químicas do material. Na 3º etapa estudei o efeito da temperatura de deposição nas
características do filme que apresentou as propriedades mais propícias para
aplicações em MEMS.
Propriedades como índice de refração, composição química e stress residual
não apresentaram grandes variações com a mudança da composição gasosa da
atmosfera de deposição, no entanto, os resultados de difração de raios-X mostraram
que os filmes obtidos com 30% de N2 possuem maior cristalização na direção que
apresenta maior piezoeletricidade, sendo assim, mais favorável para ser utilizado
como sensor/atuador na fabricação de MEMS. No estudo sobre o efeito da

temperatura de deposição verificamos que o filme crescido a 250°C apresentou as
melhores propriedades para as aplicações em MEMS desejadas.
Para finalizar o trabalho a constante piezoelétrica de carga foi obtida utilizando
capacitores de placas paralelas de molibdênio e o AlN como dielétrico, obtendo um
coeficiente piezoelétrico de carga d33 de 0,5 pm/V.
Palavras chave: Nitreto de alumínio. Sputtering reativo. Piezoeletricidade e
MEMS
ABSTRACT
I present a study on the production and physicochemical characterization of
aluminum nitride thin films (AlN) obtained by r.f. reactive magnetron sputtering, using
a target of pure aluminum. Since AlN is a material that presents piezoelectricity and
compatibility with MOS technology, the main objective of this work is to define the
process parameters that will result in a material with properties suitable for its use as
an actuator / sensor in micro electromechanical systems (MEMS).
The process parameters influence study was performed in three steps. First I
conducted a preliminary study on pressure process and rf power influence. In the
second step was studied the influence of the reactive (N2) and sputtering (Ar) gas
ratio on the material physical and chemical properties. Last but not least, I studied
the temperature deposition effects in the AlN thin film obtained in the gas ratio which
presented the most favorable properties for MEMS applications.
Properties such as refractive index, chemical composition and residual stress
did not show considerable variations with changing in the atmosphere deposition,
however X-ray diffraction results showed films obtained with 30% N2 have higher
crystallization in (002) direction, which is the one with greater piezoelectricity
response and thus, more favorable to be used as sensor / actuator in MEMS
fabrication. The study on deposition temperature effects has shown maximum (002)
crystallization direction is achieved in films grown at 250° C.
Piezoelectric coefficient was defined using parallel plate capacitors method
using AlN as dielectric resulted in a d33 piezoelectric coefficient of 0,5 pm/V.
Keywords: Aluminum nitride, Reactive sputtering, Piezoelectricity and MEMS.

LISTA DE ILUSTRAÇÕES
Figura 1-1 – Diagrama esquemático de uma micro-bomba (esquerda) e a
fotografia de uma micro-bomba utilizando esse sistema de atuação. .......... 20
Figura 1-2 – Representação de um cristal piezoelétrico em seu estado de
equilíbrio (a), ao ser tracionado (b) e comprimido (c). .................................. 22
Figura 1-3 – Representação cartesiana dos índices piezoelétricos. ............................. 24
Figura 1-4 – Material ferroelétrico antes (a), durante (b) e após (c) a polarização
por uma fonte externa de tensão. ................................................................. 24
Figura 1-5 – Representação das ligações entre os átomos de alumínio e
nitrogênio (a) e da estrutura cristalina Wurtzite de sua célula unitária
(b). ................................................................................................................ 28
Figura 2-1 – Diagrama da câmara de deposição utilizada na fabricação dos
filmes de AlN deste trabalho. ........................................................................ 33
Figura 2-2 – Foto do equipamento de sputtering reativo utilizado na deposição
dos filmes deste trabalho.............................................................................. 34
Figura 2-3 – Representação do degrau definido para a medida de espessura. ............ 37
Figura 2-4 – Espectro típico de FTIR de um filme de nitreto de alumínio
fabricado nesse trabalho. ............................................................................. 39
Figura 2-5 – Representação ilustrativa dos modos vibracionais moleculares. .............. 39
Figura 2-6 – Diagrama esquemático de um interferômetro de Michelson. .................... 40
Figura 2-7 – Diagrama esquemático de um Elipsômetro. ............................................. 43

Figura 2-8 – Espectro ideal de RBS que leva em consideração somente os
fatores físicos(a). Espectro real que leva em consideração as
flutuações estatísticas e os fatores aleatórios(b). ......................................... 46
Figura 2-9 – Representação de um feixe de luz incidente, refletido e transmitido
em uma amostra de espessura d. ................................................................ 47
Figura 2-10 – Representação esquemática da transição entre a banda de
condução e de valência de forma direta e indireta. ...................................... 50
Figura 2-11 – Espectro da emissão de raios-X por um alvo de Molibdênio em
função da tensão de aceleração aplicada ao alvo. ....................................... 55
Figura 2-12 – Ilustração da emissão de raios-X contínuo (a), e do decaimento
eletrônico para emissão de raios-X característico (b)................................... 55
Figura 2-13– Difração de raios-X entre dois planos cristalográficos de um cristal
com parâmetro de rede d. ............................................................................ 57
Figura 2-14 – Difratograma de raios-X de uma amostra de nitreto de alumínio. ........... 58
Figura 2-15 – Exemplo da curva ajustada ao pico de difração referente a
orientação (002). .......................................................................................... 59
Figura 2-16 – Deformação do substrato devido ao stress residual compressivo
ou tensivo. .................................................................................................... 63
Figura 2-17 – Diagrama esquemático do sistema de alavanca óptica utilizada
nas medidas de raio de curvatura do substrato. ........................................... 66
Figura 2-18 – Resposta piezoelétrica em função de um campo elétrico (a)
sem e (b) com aplicação de campo elétrico externo. ................................... 69

Figura 2-19 – Capacitância em função da frequência de um capacitor fabricado
com dielétrico de AlN. C0 é sua resposta sem aplicar potencial
elétrico dc externo e CV sua capacitância aplicado um potencial
elétrico externo dc de 2 V. ............................................................................ 70
Figura 3-1 – Ilustração da máscara utilizada na litografia para definição dos
capacitores utilizados na determinação do coeficiente piezoelétrico
de carga, e da configuração final dos dispositivos. ...................................... 76
Figura 4-1 – Taxa de deposição em função do fluxo de N2 da 2° série de
deposições obtida por perfilometria e por elipsometria. ............................... 83
Figura 4-2 – Concentração percentual dos átomos de Al e N em função do fluxo
de N2. ........................................................................................................... 84
Figura 4-3 – Espectros de FTIR em função da composição gasosa da
atmosfera de deposição. .............................................................................. 86
Figura 4-4 – Representação da estrutura cristalográfica do nitreto de alumínio e
dos planos cristalográficos (100) e (002)...................................................... 88
Figura 4-5 – Difratogramas dos filmes de AlN em função da composição da
mistura gasosa da atmosfera de deposição. ................................................ 89
Figura 4-6– Exemplo do ajuste de uma curva lorentziana a um pico de difração
de modo a determinar o tamanho de grão cristalográfico e o grau de
cristalização do filme. ................................................................................... 91
Figura 4-7 – Fotos de HRTEM de secção transversal dos filmes 30/70 (a) e
70/30 (b). ...................................................................................................... 93

Figura 4-8 – Índice de refração em função da composição gasosa da atmosfera
de deposição obtido por elipsometria. .......................................................... 95
Figura 4-9– Índice de refração obtido através dos dados de transmitância para
o filme fabricado em uma atmosfera de deposição composta por 20
% de N2 em função do comprimento de onda. ............................................. 96
Figura 4-10 – Coeficiente de absorção em função da energia do feixe incidente
para a amostra 70/30 ................................................................................... 97
Figura 4-11 – Stress residual em função do fluxo de N2 na mistura gasosa. ................ 99
Figura 4-12 – Pontos experimentais da evolução da espessura corroída de AlN
em função do tempo, e reta ajustada aos pontos para determinar sua
taxa de corrosão para TMAH(10%wt) a 80°C. ........................................... 103
Figura 4-13 – MEV das linhas definidas em AlN por corrosão úmida em TMAH. ....... 104
Figura 4-14 – Espectros de FTIR do AlN depositados a 150°, 250° e 350°C
para substrato de Si(100) (a), Si(111) (b). .................................................. 106
Figura 4-15 – Comparação entre os espectros de FTIR do filme depositado a
250°C sobre Si (100) e Si (111). ................................................................ 107
Figura 4-16 – Taxa de deposição em função da temperatura de deposição para
os filmes fabricados com 70sccm de argônio e 30 sccm de
nitrogênio. ................................................................................................... 109
Figura 4-17 – Difratogramas das amostras depositadas sobre (a) Si (100) e (b)
Si (111) a 150°, 250° e 350°C. ................................................................... 111
Figura 4-18 – Comparação entre os difratogramas de AlN depositado sobre Si
(100) e Si (111)........................................................................................... 112

Figura 4-19 – Variação da capacitância em função da tensão aplicada entre as
placas de um capacitor de placas paralelas utilizando o SiO2 como
dielétrico. .................................................................................................... 115
Figura 4-20 – Variação da capacitância em função da tensão aplicada entre as
placas de um capacitor de placas paralelas utilizando o AlN como
dielétrico. .................................................................................................... 115
Figura 4-21 – Vista superior do capacitor fabricado para o estudo da
piezoeletricidado do AlN. Os círculos destacam a presença de
defeitos em sua superfície. ......................................................................... 117

LISTA DE TABELAS
Tabela 2.1 – Diversos conceitos associados a medida do coeficiente
piezoelétrico dxy. ........................................................................................... 67
Tabela 3.1 – Séries de deposição e seus parâmetros de processo. ............................. 74
Tabela 3.2 – Relação dos tipos de substratos utilizados nas deposições. .................... 75
Tabela 4.1 – Parâmetros de deposição da primeira série de deposições e suas
respectivas taxas de deposição.................................................................... 79
Tabela 4.2 – Grau de texturização na direção, e tamanho de grão na direção
(002) dos filmes fabricados. ......................................................................... 92
Tabela 4.3 – Largura a meia altura (FWHM) do pico de absorção referente a
ligação Al-N ................................................................................................ 108
Tabela 4.4 – Grau de texturização e tamanho de grão cristalográfico na direção
(002) dos filmes fabricados sobre Si (100) e Si (111)................................. 113

SUMÁRIO
CAPÍTULO 1 - INTRODUÇÃO TEÓRICA E JUSTIFICATIVA ........................................ 18
1.1. O nitreto de alumínio .................................................................................. 26
CAPÍTULO 2 - PROCEDIMENTOS EXPERIMENTAIS .................................................. 30
2.1. A técnica de deposição por Sputtering ....................................................... 30
2.2. Técnicas de caracterização ........................................................................ 34
2.2.1. Perfilometria .............................................................................................. 35
2.2.2. Espectroscopia de absorção na região de infravermelho (FTIR) .............. 37
2.2.3. Elipsometria .............................................................................................. 41
2.2.4. Espectroscopia por retro espalhamento Rutherford (RBS) ....................... 43
2.2.5. Absorção óptica na região do visível......................................................... 47
2.2.6. Difração de raios-X (XRD) ........................................................................ 53
2.2.7. Medida do stress residual ......................................................................... 61
2.2.8. Determinação do coeficiente piezoelétrico................................................ 67
CAPÍTULO 3 - METODOLOGIA .................................................................................... 73
CAPÍTULO 4 - RESULTADOS E DISCUSSÃO.............................................................. 77
4.1. Estudo preliminar sobre as condições de deposição do AlN (1ª série
de deposições) .................................................................................................. 77
4.2. Estudo sobre a influência da composição gasosa entre Ar e N2 nas
propriedades físico/químicas do AlN (2ª série de deposições) .......................... 81

4.2.1. Taxa de deposição .................................................................................... 82
4.2.2. RBS........................................................................................................... 83
4.2.3. FTIR .......................................................................................................... 85
4.2.4. Difração de raios X.................................................................................... 87
4.2.5. Índice de refração ..................................................................................... 93
4.2.6. Espectroscopia na região do visível (Uv-Vis) ............................................ 96
4.2.7. Stress residual .......................................................................................... 98
4.2.8. Testes de Corrosão................................................................................. 101
4.3. Estudo da influência da temperatura de deposição nas
características do AlN (3ª Série de deposições).............................................. 104
4.3.1. FTIR ........................................................................................................ 105
4.3.2. Taxa de deposição .................................................................................. 108
4.3.3. Difração de raios-X ................................................................................. 109
4.4. Determinação do coeficiente piezoelétrico de carga dos Filmes de
AlN 113
CAPÍTULO 5 - CONSIDERAÇÕES FINAIS ................................................................. 118
5.1. Conclusões ............................................................................................... 118
5.2. Sugestões para trabalhos futuros ............................................................. 120

CAPÍTULO 1 - INTRODUÇÃO TEÓRICA E JUSTIFICATIVA
O presente trabalho visa obter e determinar algumas das propriedades físico-
químicas de filmes da família III-V obtidos pela técnica de pulverização catódica
reativa, doravante denominada sputtering reativo, visando o desenvolvimento de
sistemas micro eletromecânicos (MEMS) como sensores e atuadores. As
propriedades físico-químicas dos filmes fabricados foram estudadas pelas técnicas
de absorção no infravermelho por transformada de Fourier (FTIR), elipsometria,
perfilometria, espectroscopia por retro espalhamento de Rutherford (RBS), difração
de raios-X (XRD) e absorção na região do visível (UV-Vis).
Outras características também estudadas nesse trabalho foram o stress
residual e a constante piezoéletrica de carga. Este estudo foi realizado junto ao
Grupo de Novos Materiais e Dispositivos (GNMD), do laboratório de Microeletrônica
do Departamento de Sistemas Eletrônicos da Escola Politécnica da Universidade de
São Paulo (LME/PSI/EPUSP).
A motivação em desenvolver esse trabalho esta fundamentada no fato de que
os MEMS vêm adquirindo crescente aplicabilidade em diversas áreas tecnológicas.
Do ponto de vista comercial esses dispositivos já são utilizados em diversas
aplicações como, por exemplo, no acionamento de airbags, por meio de
acelerômetros, em cabeças de impressão de impressoras jato de tinta, além de
apresentar aplicações promissoras nas indústrias médica [1], automobilística, bélica
e de comunicações [2,3]. Estes dispositivos também são utilizados no
desenvolvimento de micro-sensores [4] e micro-atuadores [5], permitindo a interface
homem-máquina na conversão de sinais elétricos em movimento e vice-versa.
18
As estruturas MEMS podem ser classificadas em dois grupos: sensores e
atuadores.
No grupo dos sensores, as estruturas são desenvolvidas de modo a
responderem, em geral, na forma de uma deformação física da estrutura a estímulos
que podem ser tanto físicos quanto químicos. A resposta desses sensores podem
ser observadas através de uma variedade de fenômenos físicos, dentre eles, se
destacam os efeitos ópticos e elétricos. As estruturas e dispositivos desse grupo são
projetados para apresentar mudanças na resistência elétrica (piezoresistividade),
capacitância ou carga (piezoeletricidade), quando sujeitas a uma deformação por
exemplo. Assim, projetando geometrias adequadas, podem ser obtidos dispositivos
(sensores) sensíveis a diversas grandezas como, por exemplo: aceleração, pressão,
temperatura, variação química, fluxo de gases entre outros.
Já os atuadores são dispositivos projetados geralmente para realizar algum
trabalho e seu funcionamento usualmente é baseado em eletrostática,
piezoeletricidade e forças térmicas ou magnéticas. São exemplos de atuadores:
micro-chaves, posicionadores, micro-válvulas e micro-bombas. Esses dispositivos
representam um papel vital para o avanço tecnológico em diversas áreas
principalmente no campo da micro-fluídica [6], onde são utilizados para a fabricação
das micro-bombas, responsáveis pela movimentação do fluído.
Na Figura 1-1 é apresentado um diagrama esquemático de uma micro-bomba
bem como uma fotografia de um sistema micro-fluídico utilizando esse dispositivo.
19
Figura 1-1 – Diagrama esquemático de uma micro-bomba (esquerda) e a fotografia de uma micro-
bomba utilizando esse sistema de atuação [7].
O Grupo de Novos Materiais e Dispositivos (GNMD) vem desenvolvendo
trabalhos na área de MEMS desde 2002, sempre utilizando filmes finos
semicondutores e isolantes obtidos por Deposição Química a Vapor Assistida por
Plasma (PECVD), seja como material estrutural ou como material de sacrifício e/ou
mascaramento durante os processos de fabricação. A motivação para desenvolver
MEMS baseados em materiais PECVD deriva da longa experiência do grupo na
obtenção e otimização destes materiais. Em particular, foram desenvolvidos filmes
com propriedades otimizadas e promissoras para aplicações em MEMS e MOEMS
[8], a saber, filmes de carbeto de silício (a-SiC:H) e oxinitreto de silício (a-SiOxNy), os
quais apresentam baixo stress interno, alta estabilidade mecânica e excelente
seletividade em processos de corrosão química. Desta forma, nos últimos anos
foram fabricadas desde estruturas passivas e genéricas relativamente simples
utilizando uma única foto máscara, como grades, membranas, vigas, cantilevers e
pontes auto sustentadas [9,10,11,12,13], até sistemas mais complexos como
protótipos de micro-motores eletrostáticos [14], sistemas atuados por efeito
20
termoelétrico e que implementam movimento sincronizado (ciliar) [15,16,17], sistemas
de micro-relés ópticos [18] e matrizes de micro-lâmpadas [19].
Tendo em vista a experiência que o grupo de pesquisa adquiriu no decorrer
desses anos na fabricação de MEMS atuados termicamente, é de grande interesse
incorporar novos materiais na produção desses dispositivos, ampliando assim, as
possibilidades de acionamento dessas estruturas, pois uma das maiores
desvantagens do acionamento térmico é a baixa resposta em frequência, limitada
principalmente pela velocidade de dissipação térmica do material utilizado na
fabricação do dispositivo. Dentre as diversas possibilidades de acionamento das
estruturas MEMS, a que me despertou maior interesse foi a atuação piezoelétrica,
devido à possibilidade de fabricação de dispositivos com alto sinal de saída, baixo
ruído e principalmente alta frequência de operação.
O princípio de funcionamento de materiais piezoelétricos é relativamente
simples, baseia-se no fato de que alguns materiais, ao serem expostos a um campo
elétrico, apresentam uma deformação proporcional a esse sinal elétrico, sendo o
inverso também verdadeiro, ou seja, ao se deformar esse mesmo material, ele
produzirá uma variação no campo elétrico que o rodeia [20], como representado na
Figura 1-2. Para ser piezoelétrico o material deve ser cristalino e sua rede
cristalográfica deve possuir assimetria de cargas elétricas, como por exemplo, as
redes hexagonais, a saber, aproximadamente 66% [21] das redes cristalinas
conhecidas têm essa característica, e, portanto, apresentam algum grau de
piezoeletricidade.
Devido ao fato dos cristais piezoelétricos não apresentarem obrigatoriamente
simetria de cargas elétricas [20], ou seja, serem elétricamente anisotrópicos, a
resposta a uma perturbação externa varia tanto com a direção da força em relação à
21
orientação cristalográfica, como com as diversas direções cristalográficas. Dessa
maneira, as constantes físicas (constantes piezoelétricas), que relacionam o tipo de
força aplicada (elétrica ou mecânica) com a intensidade da resposta do material
apresentam dois sub-índices para caracterizá-las: o primeiro representa a direção do
campo elétrico ou a direção de polarização gerada em resposta a um stress aplicado
ao cristal, já o segundo representa a direção de deformação do material em resposta
a um campo elétrico ou a direção da força aplicada no cristal. Geralmente campo
elétrico e polarização são vetores, ou seja, tensores de ordem 1, no entanto
deslocamento e stress são tensores de ordem 2, portanto, a princípio, a descrição
desses tensores seria uma matriz [3x3], porém, como esses tensores são simétricos,
eles podem ser reduzidos de ordem utilizando a notação de Voigt, passando a ser
um vetor de ordem 6, com os pontos reescritos da seguinte maneira [20]:
Figura 1-2 – Representação de um cristal piezoelétrico em seu estado de equilíbrio (a), ao ser
tracionado (b) e comprimido (c).
11 → 1; 22 → 2; 33 → 3; 21 e 12 → 4; 23 e 32 → 5; 31 e 13 → 6
Representando o tensor stress ou deslocamento com a letra S temos:

→

22
Esses sub-índices têm o mesmo princípio do plano cartesiano, no entanto as
coordenadas x, y e z são substituídas pelos números 1, 2 e 3 respectivamente, e os
coeficientes 4, 5 e 6 representam forças de cisalhamento aplicadas aos eixos x,y e z
respectivamente, como pode ser observado na Figura 1-3. A direção de polarização
normalmente coincide com o eixo 3, o qual corresponde com o eixo de maior
parâmetro de rede do cristal.
O coeficiente piezoelétrico de carga é mais usual na definição da
piezoeletricidade de um material, representado pela letra “d”, que define a amplitude
da deformação em função de um campo elétrico, ou a carga gerada em função de
um stress aplicado ao cristal, por exemplo:
• d33 representa a polarização induzida na direção 3 por unidade de
stress aplicado no eixo 3, cuja unidade é Coulomb por Newton [C / N ],
ou o deslocamento gerado no eixo 3 por unidade de campo elétrico
aplicado no eixo 3, em metros por volt [m / V].
• d15 representa a polarização induzida na direção 1 por unidade de stress
de cisalhamento aplicado no eixo 2, cuja unidade é Coulomb por
Newton [C / N ], ou deslocamento de cisalhamento gerado no eixo 2 por
unidade de campo elétrico aplicado no eixo 1, em metros por volt
[m / V].
Há uma grande variedade de materiais piezoelétricos desde cerâmicas poli-
cristalinas como o titanato zirconato de chumbo (PZT), cerâmicas cristalinas, cristais
orgânicos, polímeros e até mesmo o osso humano. Em geral, sua classificação e
feita em duas categorias: Ferroelétricos e não ferroelétricos.
23
Figura 1-3 – Representação cartesiana dos índices piezoelétricos.
Noss materiais ferroelétricos

ferroelétricos, os domínios cristalográficos do material
apresentam uma direção de polarização própria, resultante da presença de dipolos

dipolo
elétricos, possibilitando que sejam alinhados por um campo elétrico externo e assim
permanecer mesmo após a remoção desse campo [22], como representado na
Figura 1-4.. Já os materiais não ferroelétricos não apresentam essa característica e,
portanto, devem ser orientados no momento de sua fabricação, pois caso contrário,
mesmo que cada cristal individualmente

individualmente apresente um alto coeficiente piezoelétrico,
o efeito no material como um todo será pequeno devido a anulação de movimentos
em sentidos opostos.
Figura 1-4 – Material ferroelétrico

ferro antes (a), durante (b)) e após (c) a polarização por uma fonte
externa de tensão.
24
Devido à grande quantidade de aplicações interessantes que a
piezoeletricidade possibilita na fabricação de MEMS, novos materiais têm sido
pesquisados para atender as novas necessidades do mercado que exigem
dispositivos livres de chumbo (lead free) e cada vez menores. A crescente
miniaturização dos dispositivos é um dos principais motivos que impedem que as
cerâmicas atuais, como por exemplo, o titanato de bário, sejam utilizadas na
fabricação de MEMS, pois, para serem obtidas, requerem temperaturas muito
elevadas, em torno de 1000°C, e métodos de preparação não convencionais à
industria microeletrônica, dificultando, desta forma, a integração desses dispositivos
com a eletrônica de controle, e impedindo também que o conhecimento em micro-
fabricação atual seja utilizado na fabricação de MEMS utilizando esses materiais
piezoelétricos.
Dentre esses novos materiais pesquisados compatíveis com os processos de
microeletrônica, se destacam os materiais da família III-V. Em especial o grupo dos
III-nitretos, representado pelo nitreto de alumínio (AlN), nitreto de gálio (GaN), nitreto
de índio (InN) e nitreto de titânio (TiN), vem despertando bastante interesse dos
pesquisadores devido ao fato de que os III-nitretos são capazes de se cristalizar na
forma hexagonal Wurtzite. Uma das características dessa estrutura é a falta de
centro de simetria de cargas, fazendo com que materiais dessa natureza geralmente
apresentam propriedades como piezoeletricidade e piroeletricidade [23]. Outras
características que fazem com que os III-nitretos se destaquem dentre os outros
materiais da família III-V é a boa estabilidade térmica [24] e o alto ponto de fusão
(~2800ºC) [25], além do fato da banda de energia proibida (Eg) destas ligas variar
em uma larga faixa de energia, desde 6,2 até 1,9 eV [26], o que possibilita que esses
25
materiais sejam utilizados tanto como isolantes ou como semicondutores, além das
diversas aplicações ópticas como filtros e guias de onda.
Diversas técnicas de deposição têm sido reportadas na obtenção de filmes da
família III-V, como, por exemplo, deposição química a vapor [27], epitaxia por feixe
molecular [28], deposição assistida por feixe de íons e sputtering reativo [29]. Dentre
esses processos de deposição, a técnica de sputtering reativo é a que tem
apresentado os melhores resultados quanto ao crescimento desses filmes, pois
possibilita que eles sejam depositados com alto grau de precisão [30], tanto na
espessura, quanto na estequiometria.
1.1. O nitreto de alumínio
Dentro da família dos III-nitretos, o nitreto de alumínio (AlN) é o material que
apresenta o maior coeficiente piezoelétrico, dureza elevada, resistência a corrosão e
alta resistividade. Além dessas propriedades, esse material também apresenta
grande potencial de aplicação na área de ondas acústicas de superfície (surface
acoustic waves – SAW) devido a sua grande taxa de propagação acústica
(aproximadamente 5500 m/s), e baixas perdas de transmissão, fazendo com que
este material seja muito atrativo para aplicações em altas frequências, como, por
exemplo, telefonia celular. Outra aplicação que vem sendo largamente estudada é
sua utilização como dielétrico e/ou isolante para substituir do óxido de silício. A
saber, o AlN apresenta condutividade térmica que varia entre 140 e 270 W/mK e
uma constante dielétrica de aproximadamente 8 para uma frequência de 1KHz [31],
26
enquanto que o SiO2 apresenta uma condutividade térmica de apenas 1,38 W/mK
[32] e uma constante dielétrica de 3,9 [33], favorecendo, portanto, a utilização do AlN
como substituto ao SiO2, pois, ao utilizarmos materiais com maior condutividade
térmica, a dissipação de temperatura pelo dispositivo é efetuada de forma mais
eficiente, fazendo com que falhas causadas por super aquecimento sejam
reduzidas, além de aumentar o tempo de vida dos dispositivos. O stress desse
material é mais uma característica muito interessante, pois, quando obtido pela
técnica de sputtering reativo, pode ser variado de compressivo a tensivo de acordo
com a pressão de processo [34] (fluxo de N2 + Ar) viabilizando diversas aplicações
na área de MEMS.
O AlN pode se cristalizar tanto na forma cúbica quanto na hexagonal, sendo
que neste último caso sua estrutura também pode ser chamada de Wurtzite, pois o
arranjo cristalino de seus átomos é o mesmo do mineral com esse nome. Na
configuração hexagonal, devido à falta de centro de simetria de cargas, o material
poderá apresentar comportamento piezoelétrico.
Na forma cristalina Wurtzite do AlN tanto os átomos de alumínio como os de
nitrogênio apresentam hibridização do tipo sp3 [35], com três orbitais semi-completos
e o 1 orbital, vazio no caso do alumínio, e cheio no caso do nitrogênio. Assim cada
átomo de nitrogênio está rodeado por outros quatro átomos de alumínio, como visto
na
Figura 1-5 (a), com três ligações Al0-N(i) e outras três Al(i)-N0(i= 1, 2 e 3) com
distância de 0,1885 nm, nomeadas de B1 e uma ligação Al0-N0 com 0,197 nm
nomeada de B2, o ângulo N0-Al0-N(i) é de 107,7° e o entre N(i)-Al(0)-N(i) é de 110,5°. O
caráter distorcido do tetraedro formado pelas ligações Al-N é devido justamente pelo
fato de um dos quatro orbitais ser diferente, pois a ligação química realizada entre o
27
orbital vazio do Al e o cheio do N, nomeada B2, tem um caráter mais iônico que as
demais ligações, levando-a a ser menos energética que as demais e, portanto
distorcendo a estrutura.
Na
Figura 1-5 (b) é apresentado o esquema da estrutura cristalina Wurtzite do AlN,
com constantes de rede a=b=0,3110 nm e c= 0,4980 nm [36], e com as ligações do
tipo B2 se estendendo paralelas ao eixo c.
Figura 1-5 – Representação das ligações entre os átomos de alumínio e nitrogênio (a) e da
estrutura cristalina Wurtzite de sua célula unitária (b).
Tendo em vista que o nitreto de alumínio é um material que se destaca dentre
os demais compostos da família III-V devido as propriedades mencionadas e,
embora ele possua uma constante piezoelétrica menor que as cerâmicas PZT, d33=
5,7 e 30 pm/V [73,74] respectivamente, ao contrário das cerâmicas PZT, o AlN é
compatível com a tecnologia CMOS [37]. Todas essas qualidades aliadas fazem com
que seja muito interessante fabricar estruturas MEMS utilizando esse material, de
28
modo a acioná-las piezoeletricamente, possibilitando assim aplicações como, por
exemplo, sensores e atuadores piezoelétricos [38,39].
Desta forma, pelas diversas possibilidades que se abrem ao utilizar o AlN,
neste projeto de mestrado produzi este material, pela técnica de sputtering reativo, e
o caracterizei visando obter propriedades como alta piezoeletricidade, stress residual
controlado, entre outras características, de modo a utilizá-lo como elemento ativo
(piezoelétrico) na fabricação de MEMS.
29
CAPÍTULO 2 - PROCEDIMENTOS EXPERIMENTAIS
Este capítulo é dedicado a apresentação dos procedimentos experimentais
utilizados nesse trabalho, o qual será organizado da seguinte maneira:
primeiramente será apresentada uma breve descrição do princípio de funcionamento
da técnica de deposição por pulverização catódica, mais conhecida como
“sputtering”, utilizada na fabricação dos filmes desse trabalho, bem como a
apresentação do sistema de deposição utilizado. Em seguida, serão apresentadas
os métodos de caracterização utilizados, seu principio de funcionamento, e o
objetivo de utilizá-los na análise das propriedades dos filmes fabricados.
2.1. A técnica de deposição por Sputtering
A deposição por pulverização catódica, doravante denominada de sputtering, é
uma técnica de deposição física a vapor (PVD - Physical Vapor Deposition) [40] para
obtenção de filmes finos. Essa técnica se baseia no choque de átomos ionizados
altamente energéticos de um gás contra a superfície de um alvo. Como a energia
desse choque é suficientemente alta para romper as ligações químicas entre os
átomos do alvo, eles são ejetados em todas as direções, inclusive aquela em que se
encontra o substrato, ao se encontrarem com uma superfície qualquer eles perdem
parte de sua energia ao se adsorverem, se condensam, e formam o filme desejado.
Geralmente o gás utilizado nessa técnica de deposição é inerte e pesado, de modo
a não reagir com o alvo e transferi-lo a maior energia possível. No entanto, quando
30
se deseja depositar um filme com composição química diferente daquela do alvo, um
gás reativo pode ser adicionado na atmosfera de deposição, reagindo com as
moléculas pulverizadas do alvo no seu caminho até o substrato, ou até mesmo na
própria superfície de deposição. Ao adicionarmos o gás reativo na mistura gasosa a
técnica de deposição passa a se chamar sputtering reativo. Em geral o gás inerte
mais utilizado é o argônio (Ar), no entanto, para deposição de materiais de número
atômico elevado gases mais pesados como o criptônio (Kr) e o xenônio (Xe) [41]
também podem ser utilizados.
Existem basicamente duas formas de fornecer energia para ionizar o gás e
atraí-lo contra o alvo, nesse trabalho uma breve comparação será apresentada a
seguir.
A primeira possibilidade é a utilização de um potencial negativo constante (DC)
aplicado ao alvo, que repele os elétrons já presentes no gás, os quais em geral são
gerados termicamente, e que ao se chocarem contra átomos do gás de sputtering
removem um elétron de sua eletrosfera, ionizando-o. O elétron removido juntamente
com o elétron gerado termicamente são acelerados, e, consequentemente um efeito
avalanche é estabelecido, resultando na formação de um plasma. Os íons gerados
são então atraídos contra a superfície do alvo pelo potencial DC negativo e, ao se
chocarem contra ele, removem átomos de sua superfície. Um dos problemas que
apresenta a técnica de sputtering DC é que durante o processamento de alvos
isolantes, cargas positivas se acumulam sobre a superfície do alvo, repelindo os
íons positivos e, consequentemente, diminuindo muito a taxa de deposição do filme.
Para solucionar esse inconveniente Wehner [42] propôs aplicar um sinal
alternado no alvo para que as cargas positivas não se acumulassem. Nessa forma
de sputtering como os elétrons apresentam maior mobilidade do que íons positivos,
31
dado um alvo dielétrico, mais elétrons serão acumulados sobre o alvo no ciclo
positivo do sinal alternado do que íons positivos no ciclo negativo, levando o alvo a
adquirir um potencial negativo denominado de potencial de auto polarização. Esse
potencial é crescente até o ponto em que a grande quantidade de íons positivos
atraídos pelo potencial de auto polarização faça com que a superfície do alvo se
carregue positivamente, nesse instante, mais elétrons são atraídos para anular
essas cargas e se acumulam novamente no próximo ciclo positivo do sinal
alternado. Nesse tipo de sputtering os íons são acelerados contra o alvo por um
efeito secundário à aplicação do potencial alternado ao alvo, o chamado potencial de
auto-polarização, que é gerado pelo acúmulo de elétrons, e não diretamente pelo
sinal alternado, pois como citado anteriormente, os íons apresentam uma massa
mais elevada que o elétron, logo uma inércia maior, não respondendo às variações
do sinal aplicado ao alvo [43].
Nos sistemas atuais, em ambas as técnicas apresentadas, outro elemento
chamado de magnetron faz parte do sistema, esse magnetron nada mais é que um
conjunto de imãs permanentes incorporados logo abaixo do alvo. O campo
magnético produzido por esses imãs faz com que os elétrons fiquem confinados e
orbitando na região próxima do alvo, elevando assim a taxa de ionização do gás e,
consequentemente, aumentando a densidade do plasma, o que permite utilizar uma
menor pressão de trabalho, além de aumentar a taxa de deposição do material.
Todos os filmes depositados neste trabalho foram obtidos pela técnica de r.f.
magnetron sputtering reativo. Um diagrama da câmara de deposição (Figura 2-1), e
uma fotografia do sistema de sputtering utilizado na deposição dos filmes (Figura
2-2) são apresentados a seguir. A frequência de r.f. utilizada nesse equipamento é
fixa em 13,56MHz, aplicada a um substrato circular de 4 polegadas (10,16 cm) de
32
diâmetro. Os principais parâmetros de processo que podem ser controlados no
sistema utilizado são: pressão de processo (mTorr), densidade de potência de r.f.
(W/cm2), fluxo dos gases (sccm) e temperatura do substrato (°C).
A remoção dos gases residuais desse sistema de deposição é realizado por
uma bomba turbomolecular da Edwards STP 1003C de 3600 m3/h em série com
uma bomba rotatória Edwards E2M8 de 80 m3/h. A inserção de gases é controlada
por controladores de fluxo de massa (mass flown controller - MFC), enquanto a
pressão de processo é controlada por uma válvula gaveta automática entre a bomba
turbomolecular e a câmara de deposição, o controle de temperatura do substrato é
feito por um termopar colocado junto ao porta amostra, e o aquecimento feito por
uma lâmpada halôgena. O sistema utilizado também é provido de uma pré-câmera
para o carregamento/descarregamento das amostras, a qual evita que o vácuo seja
perdido no interior da câmara de deposição.
Figura 2-1 – Diagrama da câmara de deposição utilizada na fabricação dos filmes de AlN deste
trabalho.
33
Figura 2-2 – Foto do equipamento de sputtering reativo utilizado na deposição dos filmes deste
trabalho.
2.2. Técnicas de caracterização
Nesse trabalho a caracterização dos filmes fabricados foi feita pelas técnicas
de perfilometria que tem por objetivo determinar a espessura do filme depositado e,
portanto, sua taxa de deposição; absorção de infravermelho por transformada de
Fourier (FTIR) para estudar as ligações químicas presentes; elipsometria para
determinação do índice de refração e a espessura do filme depositado;
espectroscopia por retro espalhamento de Rutherford (RBS) que estuda a
composição química; absorção na região do visível (UV-Vis) a qual tem por objetivo
34
determinar o gap óptico e validar os resultados de índice de refração e espessura; e
finalmente difração de raios-X (XRD) para verificar a orientação cristalográfica dos
filmes.
Além dessas técnicas de caracterização também foi obtido o stress residual
dos filmes pela medida do raio de curvatura do substrato e a constante piezoéletrica
de carga, a qual será obtida através de medidas de capacitância com e sem
polarização DC.
A seguir são descritas sucintamente as diferentes técnicas de caracterização
utilizadas nesse trabalho.
2.2.1. Perfilometria
O perfilômetro é um instrumento eletromecânico que mede o perfil de
superfícies de materiais sólidos através do movimento horizontal de uma agulha que
percorre a superfície da amostra [44]. Esta agulha se encontra acoplada
mecanicamente ao núcleo de um transformador diferencial linearmente variável
(Linear Variable Differential Transformer, LVDT). O alto grau de precisão do
equipamento permite que a agulha caminhe sobre a superfície da amostra
detectando variações ou defeitos na superfície do material que causam translações
verticais na agulha e, consequentemente, mudanças na posição do núcleo do LVDT.
Estas mudanças no LVDT produzem um sinal proporcional ao deslocamento vertical
da agulha.
35
Por se tratar de uma técnica de contato mecânico de alta precisão, este
equipamento deve ser operado numa área que apresente o mínimo de vibrações
mecânicas, já que estas podem causar erros apreciáveis na medida. Essa
caracterização tem como objetivo determinar a espessura dos filmes depositados
para que então seja possível determinar sua taxa de deposição.
Vale citar o compromisso entre dois parâmetros muito importantes nessa
técnica que são a velocidade de varredura e a força aplicada pela agulha contra a
amostra. Ao analisarmos o perfil da superfície de uma amostra, se a velocidade de
varredura da ponta for muito elevada e com baixa força, a agulha pode não
contornar todos os detalhes da superfície da amostra, no entanto, se aplicarmos
uma força demasiada sobre um filme macio, como por exemplo, o fotorresiste,
podemos danificar a amostra, além de sujar a ponta da agulha.
Como se trata de uma técnica que mede variações de topografia em uma
superfície, as amostras devem apresentar um degrau entre o substrato e o filme, de
modo que se possa medir a espessura do mesmo (Figura 2-3).
Nas amostras aqui analisadas o degrau foi definido por uma máscara mecânica
a qual impede a deposição do filme sobre uma determinada área do substrato,
deixando o restante livre para a deposição do filme.
O aparelho utilizado foi um perfilômetro Tencor, modelo Alpha Step 500,
localizado no Laboratório de Microeletrônica da Escola Politécnica da Universidade
de São Paulo. Esse aparelho pode medir variações de altura de até 10nm, a agulha
utilizada é de diamante com um diâmetro de 12,5 µm. Para evitar vibrações
excessivas o equipamento foi montado sobre uma mesa de isolamento vibratório. De
modo a obter resultados confiáveis, apesar da grande precisão do aparelho e dos
filmes depositados terem espessuras maiores que 100nm, três pontos de medida em
36
um mesmo substrato foram tomados e a média simples desses pontos foi assumida
como espessura do filme.
Figura 2-3 – Representação do degrau definido para a medida de espessura.
2.2.2. Espectroscopia de absorção na região de infravermelho (FTIR)
A espectroscopia na região do infravermelho [45] é uma ferramenta de grande
importância para engenharia de materiais na obtenção de informações estruturais
dos materiais estudados em. Suas aplicações abrangem áreas de análise tanto
qualitativas como quantitativas.
Sabe-se que a energia de uma molécula é a soma de suas energias rotacional,
vibracional e eletrônica. No entanto, enquanto as transições eletrônicas são
responsáveis por absorção ou emissão na região do visível e ultravioleta, a energia
vibracional é responsável por absorção na região do infravermelho, pois em
temperatura ambiente a vibração dessas moléculas em relação a sua posição de
equilíbrio, é da ordem de até 0,1Å, com frequências que variam de 1012 a 1014 Hz.
Essa frequência, bastante específica para cada tipo de ligação molecular, é da
37
mesma ordem de grandeza da radiação infravermelha*. Por essa razão ao se incidir
uma radiação infravermelha com a mesma frequência da vibração natural das
moléculas do material analisado, haverá uma mudança no estado vibracional, que
se for acompanhada por uma mudança no momento dipolar, ou seja, na energia das
moléculas, uma banda de absorção será observada no espectro de infravermelho.
Esse espectro nada mais é que um gráfico da percentagem da radiação absorvida
(ou transmitida) em função do número ou comprimento de onda incidente. A análise
de um espectro de infravermelho permite obter informações tanto sobre o tipo de
ligação presente no material, quanto sobre a quantidade relativa dessas ligações.
Quanto mais espesso for o material, maior será a intensidade dos picos de absorção
(transmissão), o que faz necessário a normalização dos espectros pela espessura
do filme fino, possibilitando assim que conclusões semi-quantitativas possam ser
obtidas. Um espectro típico de uma amostra de nitreto de alumínio, já normalizado
pela espessura, é apresentado na Figura 2-4, onde se observa uma banda de
absorção bastante intensa em torno de 700 cm-1 referente às ligações do tipo Al-N.
Algumas ligações, apesar de serem entre os mesmos átomos, aparecem em
mais de um comprimento de onda nos espectros de FTIR, isso ocorre pelo fato de
que um mesmo tipo de ligação pode vibrar de forma diferente e, portanto, entrar em
ressonância com comprimentos de onda diferentes. Uma representação ilustrativa
destes modos vibracionais pode ser visto na Figura 2-5 [45].
* A radiação infravermelha esta compreendida entre 0,77µm~1000µm.
38
AlN
Intensidade [u.arb]
500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000

-1
Número de onda [cm ]
Figura 2-4 – Espectro típico de FTIR de um filme de nitreto de alumínio fabricado nesse trabalho.
Figura 2-5 – Representação ilustrativa dos modos vibracionais moleculares.
A técnica de caracterização por infravermelho comum consiste na utilização de
um monocromador para selecionar cada comprimento de onda de luz. Um sistema
de grades, filtros e fendas separam a luz em diferentes frequências e cada uma
destas regiões de frequência (∆ν) do espectro de energia incide sobre a amostra. A
resposta da amostra para cada ∆ν é medida no detector sequencialmente. No caso
de um espectrômetro de infravermelho por transformada de Fourier (FTIR), a luz não
é separada em frequências individuais, mas é modulada por um interferômetro de
39
Michelson, cujo diagrama esquemático é apresentado na Figura 2-6, incidindo na
amostra ao mesmo tempo. Nesse interferômetro a radiação infravermelha
proveniente da fonte passa por um espelho fixo semitransparente que reflete metade
da intensidade a um espelho fixo e a outra metade para um espelho móvel, em
seguida esse feixe é recombinado construtiva ou destrutivamente dependendo da
posição do espelho móvel e direcionado para a amostra.
Espelho
Móvel
Detector
Espelho
Amostra Fixo
Fonte de
Infravermelho
Figura 2-6 – Diagrama esquemático de um interferômetro de Michelson.
Finalmente o espectro de absorção/transmissão será obtido através da
transformada inversa de Fourier do interferograma da intensidade do feixe
transmitido em função da posição do espelho móvel.
40
Os resultados dos espectros medidos pelo FTIR não são visualizáveis
diretamente sendo necessário um computador para realizar manipulação
matemática (utilizando transformada rápida de Fourier) obtenção do espectro de
absorção/transmissão da amostra na região do infravermelho [46].
Neste trabalho as medidas foram realizadas em um espectrômetro de
infravermelho por transformada de Fourier (FTIR) da BIO RAD modelo QS 300,
pertencente ao Laboratório de Microeletrônica da Escola Politécnica da Universidade
de São Paulo.
2.2.3. Elipsometria
O elipsômetro [47] é um instrumento óptico que mede mudanças no estado de
polarização de feixes colimados de luz monocromática polarizada causadas pelas
reflexões em superfícies. Essa técnica envolve a incidência de um feixe colimado,
elipticamente polarizado, de luz monocromática sobre a superfície de uma amostra e
a posterior determinação do estado de polarização do feixe refletido. Os parâmetros
ópticos obtidos a partir da diferença entre os estados de polarização do feixe
incidente e refletido, em combinação com teoria física de filmes finos, permitem
determinar o valor do índice de refração e da espessura da amostra medida [48].
Algumas características citadas a seguir fazem com que a elipsometria seja
uma técnica muito aplicada na caracterização de filmes finos. São elas:
• Permite a determinação do índice de refração (n) em filmes finos com
espessuras desconhecidas (somente um valor aproximado da espessura
41
é necessário, obtido geralmente por perfilometria, pela taxa de
deposição ou pela coloração do filme ao ser visto perpendicularmente ao
olho humano).
• Não requer ambiente ou condições especiais, tais como ambiente
evacuados ou aquecimento da amostra para a realização da medida;
• Não requer prévia preparação das amostras;
• É uma técnica não destrutiva.
Um diagrama esquemático do elipsômetro utilizado nesse trabalho pode ser
visto na Figura 2-7. Esse elipsômetro apresenta uma fonte de luz não polarizada, a
qual é colimada e passa por um polarizador e um compensador de quarto de onda
que tem por objetivo polarizar a luz elipticamente, fazendo assim que ela apresente
componentes Ep e Es como visto na Figura 2-7. Quando o feixe incidente interage
com o filme ocorrem mudanças no estado de polarização da luz que é refletida, e as
componentes Ep e Es são convertidas em Rp e Rs respectivamente. A etapa de
análise do feixe refletido é composta por um analisador rotativo e um filtro de
comprimento de onda. Na condição em que o analisador rotativo obtiver a condição
nula ou mínima do feixe refletido, o detector produzirá uma corrente proporcional ao
ângulo de fase das componentes de polarização do feixe. Esse parâmetro junto com
a análise matemática realizada pelo próprio equipamento permite obter entre outras
informações o índice de refração e a espessura do filme analisado.
O equipamento utilizado foi um Rudolph Research-Auto EL NIR-3/4D/SS1
existente no Laboratório de Sistemas Integráveis da Escola Politécnica da
Universidade de São Paulo, onde os comprimentos de onda de 405, 638 e 830 nm
podem ser utilizados.
42
Figura 2-7 – Diagrama esquemático de um Elipsômetro.
2.2.4. Espectroscopia por retro espalhamento Rutherford (RBS)
A técnica de RBS é um tipo de espectroscopia que permite determinar a
composição química do material [49]. Esta técnica consiste basicamente na
incidência de um feixe mono energético de íons, geralmente de H+ ou He+, com
energia na ordem de 2 MeV, que ao incidir sobre a superfície da amostra
apresentam uma probabilidade de serem repelidos elasticamente pelo núcleo dos
átomos da amostra (átomo estacionário). Doravante o ato de repulsão entre esses
elementos será definido como choque. Quando ocorre o choque o íon incidente é
espalhado em diferentes ângulos com energia menor que a inicial, pois parte dela foi
transferida no choque ao átomo estacionário. Um detector capta esses íons
espalhados e emite um sinal elétrico proporcional a sua energia, esse sinal por sua
43
vez é então contabilizado em um canal referente a energia do íon espalhado
detectado.
A técnica de RBS se baseia praticamente em quatro fatores, sendo três deles
físicos e um estatístico.
Fator Cinemático (K): O íon incidente, ao se chocar elasticamente com o
átomo da amostra, transfere parte de sua energia para o átomo estacionário e a
parte restante da energia do íon corresponde a uma fração da energia incidente,
chamado de fator cinemático K, sendo (0<K<1). Quão maior for a massa do átomo
estacionário maior será o valor de K. Esse fator é o que define a necessidade de
utilizarmos como partículas incidentes íons leves de H+ ou He+, pois nessa técnica
não há possibilidade de análise de átomos com massa menor do que a massa da
partícula incidente, pois isso faria com que o fator cinemático fosse menor que zero
e, logo, mesmo se chocando contra um átomo estacionário o íon incidente não
retornaria para ser detectado;
Diferencial da Seção de Choque (Г): Mede a probabilidade de ocorrer o
choque entre as partículas incidentes e os átomos da amostra. Quanto maior for o
tamanho do átomo estacionário maior será a probabilidade de ocorrer o choque,
sendo assim, maior o número de íons espalhados que o detector irá recolher. Vale
ressaltar que o detector só recolhe os íons espalhados em um determinado ângulo
sólido Ω, portanto o valor a ser utilizado deve ser o diferencial de Г, ou seja, dГ/dΩ;
Seção Transversal de Freamento (ε): Em sua grande maioria os íons
incidentes não se chocam com os átomos da superfície da amostra, penetrando no
filme e interagindo com as nuvens eletrônicas dos átomos do material, essa
interação faz com que os íons percam energia, e caso eles venham a colidir com
algum átomo estacionário e retornar ao detector, esse irá contabilizar esse íon em
44
um canal de energia diferente não correspondente àquele átomo. Essa perda de
energia é representada pela seção transversal de freamento, que é dependente da
densidade do material, da distância percorrida antes de haver o choque e dos
ângulos de incidência e espalhamento dos íons;
Flutuações estatísticas e outros fatores aleatórios: O íon ao incidir dentro
do material interage de forma aleatória com as nuvens eletrônicas dos átomos do
material, onde ora pode passar mais perto do núcleo do átomo, perdendo mais
energia, ora passando em média mais longe do núcleo. Essa variação faz com que
ao percorrer a mesma distância dentro do material analisado, ao se chocar com o
mesmo elemento, dois íons possam ser contabilizados em canais de energia
diferentes. O espectro também pode ser influenciado por fatores aleatórios como
variação da energia dos íons incidentes, erros no detector devido a ruídos, dentre
outros. Todos esses fatores aleatórios somados introduzem um comportamento
gaussiano que é somado ao espectro, como pode ser observado na Figura 2-8.
As medidas de RBS foram realizadas no equipamento pertencente ao
Laboratório de Materiais e Feixes Iônicos do Instituto de Física da USP (LAMFI-
USP). O RBS do LAMFI conta essencialmente com um acelerador eletrostático tipo
Pelletron-Tandem, modelo 5SDH, fornecido pela NEC dos EUA, que alcança 1,7 MV
de tensão máxima no terminal. Acopladas ao acelerador existem duas câmaras de
alto vácuo sendo que uma delas é para análises de RBS e a outra para análise
PIXE.
A câmara para análise de RBS tem 43 cm de diâmetro interno e 15 cm de
altura. O detector encontra-se montado com um ângulo θ de 170º em relação à
incidência do feixe.
45
Figura 2-8 – Espectro ideal de RBS que leva em consideração somente os fatores físicos(a).
Espectro real que leva em consideração as flutuações estatísticas e os fatores
aleatórios(b).
Para determinar a composição química da amostra se utiliza o programa
SIMNRA [50]. Nesse programa primeiramente são fornecidos os dados
experimentais obtidos, resultando em um espectro experimental. O segundo passo é
introduzir os parâmetros utilizados no experimento, tais como energia e tipo do feixe
incidente, ângulo de detecção dos íons retro espalhados, entre outros. O terceiro
passo é indicar as características da amostra analisada como número e espessura
de cada camada de filme na amostra, o substrato deve ser considerado como uma
camada, e quais átomos estão presentes em cada uma dessas camadas. A partir
desses dados iniciamos a simulação, ajustando a espessura e a concentração
atômica de cada camada, de modo a obter um espectro simulado que represente de
maneira fiel o espectro experimental.
O substrato utilizado para essa técnica de caracterização foi o carbono amorfo
ultra denso (UDAC – Ultra dense amorphous carbon), pois é um material leve,
comparado com os elementos presentes na amostra, evitando a sobreposição do
sinal do substrato com o do filme.

46
2.2.5. Absorção óptica na região do visível
As medidas de absorção óptica consistem basicamente na incidência de um
feixe de radiação eletromagnética, que varia desde o ultravioleta até o
infravermelho∗, varrendo, portanto, toda a faixa do espectro visível. Quando uma da
radiação incidente em uma dada frequência é absorvida pelo material, resultando
em transições eletrônicas entre os estados das bandas do material, fazendo com
que um elétron presente na parte superior da banda de valência adquire energia
suficiente para transitar para a parte inferior da banda de condução, ou seja,
atravessar a banda proibida (gap óptico), obtendo-se um espectro da radiação
absorvida, ou transmitida, em função do comprimento de onda incidente.
Dado um feixe de luz, com intensidade I0, incidindo sobre uma amostra, uma
porção Ir dessa intensidade será refletida pela amostra e uma fração It será
transmitida como representado esquematicamente na Figura 2-9.
Figura 2-9 – Representação de um feixe de luz incidente, refletido e transmitido em uma amostra
de espessura d.
∗ O equipamento utilizado varia sua fonte luminosa de 300nm a 1200nm.
47
A partir dessa representação se definem a transmitância (T), a refletância (R) e
a absorbância (A) como:

= (2.1)

= (2.2)

1
= (2.3)

É conhecido que a intensidade da luz dentro do material decai
exponencialmente com sua espessura (d) e com o coeficiente de absorção (α) do
material [51], sendo assim a intensidade I no ponto imediatamente após a interface
ar/material (onde d=0+∆d, sendo que ∆d tende a 0) é igual a:
= ( − )! "#$ (2.4)
Colocando I0 em evidência temos:
= (1 − )! "#$ (2.5)
Logo a intensidade de luz transmitida desconsiderando as múltiplas reflexões
material/ar será:
= (1 − )! "#$ (2.6)
Isolando α obtêm-se a expressão:
(1 − )
! "#$ = (2.7)

(1 − )
)(!"#$ ) = ) (2.8)

48
(1 − )
−+, = ) (2.9)

1 (1 − )
+ = − ) (2.10)
,
Onde:
Io é a intensidade incidente da radiação;
It é a intensidade transmitida da radiação;
Ir é a intensidade refletida da radiação;
T é a transmitância;
R é a refletância;
d é a espessura do filme;
α é o coeficiente de absorção do filme.
É conhecido que em materiais semicondutores amorfos existem estados
permitidos na banda proibida (gap óptico), os quais se estendem na forma de
caudas, devido a esse fato não existe uma banda proibida bem definida, sendo,
portanto, necessário adotar alguns critérios para determinar essa característica do
material. Um método bastante utilizado para determinar o gap desses materiais é o
método de Tauc [52].
Já para materiais cristalinos, como idealmente não existem estados permitidos
dentro da banda proibida, a transição dos elétrons entre a banda de valência e a de
condução se dá de forma mais abrupta, podendo ocorrer de forma direta ou
indiretamente como representado na Figura 2-10.
No caso dos cristais de transição direta, o elétron de maior energia da banda
de valência pode mudar para o estado de menor energia da banda de condução
49
sem que haja mudança em seu momento. A energia necessária para essa transição
é transmitida ao elétron por um fóton.
Figura 2-10 – Representação esquemática da transição entre a banda de condução e de valência

de forma direta e indireta.
Já no caso dos materiais de transição indireta, o elétron não pode realizar a
transição entre o nível mais energético da banda de valência para o nível menos
energético da banda de condução sem que haja mudança de seu momento, essa
mudança é feita pela absorção de um fônon. Como na transição indireta o elétron
necessita absorver dois tipos diferentes de elementos, um fóton e um fônon, essa
transição é menos provável de ocorrer, o que resulta em um material menos
absorvente que um de transição direta.
Uma possibilidade de se determinar se o material cristalino apresenta uma
transição direta ou indireta é analisar seu coeficiente de absorção.
Na transição direta, o coeficiente de absorção (α) pode ser relacionado com a
frequência da radiação incidente pela seguinte fórmula [51]:
+ ≈ ∗ 1ℎ3 − 4 (2.11)
50
Onde:
67 ∗ 68 ∗ /
5 (2 )
67 ∗ + 68 ∗
∗ ≈ (2.12)
);ℎ 68 ∗
ℎ;
ℎ< = (2.13)
=
Sendo:
Eg é a banda proibida (gap óptico);
mh* é a massa efetiva da lacuna;
me* é massa efetiva do elétron;
q é a carga elementar (1.60×10−19 coulombs);
n é a parte real do índice de refração;
h é a constante de Planck (6,62 ˣ 10-34 J ˣ s ou 4,135 ˣ 10-15 eV ˣ s);
c é a velocidade da luz no vácuo (~2,9 ˣ 10-8 m/s);
λ é o comprimento de onda incidente.
lembrando que a equação (2.12) ignora outras fontes de absorção tais como defeitos
em contornos de grão, atração entre elétrons e lacunas criadas, dentre outras.
Já para os materiais de transição indireta a equação que descreve o coeficiente
de absorção é dada por:
(ℎ3 − 4 + H ) (ℎ3 − 4 − H )
+≈ + (2.14)
4 4
!IJ K M − 1 1 − !IJ K− M
L L
Onde:
Ep é a energia do fônon;
k é a constante de Boltzmann;
T é a temperatura absoluta [K].

51
Analisando a equação (2.14) se ao realizar um gráfico de hν por α2 e se obtiver
uma reta, se pode concluir que se trata de um material de transição direta, com um
gap óptico que pode ser obtido pela extrapolação da reta para α = 0. No caso de um
material de transição indireta, o gráfico de hν por α1/2 resultará em uma reta e,
novamente o gap do pode ser obtido pela mesma extrapolação apresentada
anteriormente (assumindo que Ep ≈ 0).
Como o AlN não é necessariamente um semicondutor amorfo, podendo
apresentar cristalização parcial ou total, e que de acordo com a literatura esse
material apresenta um gap direto, é possível inferir a respeito da sua cristalinidade
ao se observar os valores do coeficiente de absorção (α) em função de hν, além de
possibilitar realizar uma estimativa do valor de seu gap óptico.
Para obter o coeficiente de absorção (α), como descrito na equação (2.10), são
necessários tanto os dados da transmitância quanto os da refletância do material. As
informações sobre a luz transmitida podem ser obtidas pela geometria mais comum
em um espectrofotômetro de absorção no visível, uma vez que o detector
geralmente se encontra após a amostra a ser analisada. Já os dados referentes a
refletância do material são obtidos ao se acoplar um acessório ao equipamento,
chamado de esfera integradora, a qual irá colimar a radiação refletida em todas as
direções pelo material e direcioná-la ao detector. Essas medidas foram realizadas
em um espectrofotômetro VARIAN CARY 500 UV - Vis NIR, pertencente ao
laboratório de cristais iônicos, filmes finos e datação (LACIFID) do instituto de física
da Universidade de São Paulo.
52
2.2.6. Difração de raios-X (XRD)
A técnica de difração por raios-X permite determinar parâmetros estruturais
como orientação e o parâmetro de rede de um cristal.
Os raios-X são uma forma de radiação eletromagnética, cujo comprimento de
onda está na ordem de 10-10 m. Normalmente a produção de raios-X é feita pela
desaceleração dos elétrons ao se chocarem contra um alvo positivamente
carregado. Ao se aproximarem da eletrosfera do alvo, os elétrons incidentes são
repelidos e desacelerados bruscamente, a energia dissipada por essa
desaceleração brusca é liberada de diversas formas como, por exemplo, pelo
aquecimento do alvo e pela emissão de raios-X [53].
Os raios-X liberados pela rápida desaceleração dos elétrons ao se
aproximarem da eletrosfera dão origem a um espectro de emissão contínua,
conhecida como radiação branca, pois, assim como a luz branca, essa radiação é
formada por diversos comprimentos de onda. No entanto nem todos os elétrons
perdem energia da mesma maneira, existem os que dissipam sua energia de forma
gradativa por sucessivas repulsões, emitindo fótons em diversas energias e aqueles
que transmitem toda a energia em uma única repulsão, neste caso a energia do
elétron incidente é transmitida a um único fóton.
Ao se aumentar o potencial de aceleração dos elétrons contra o alvo, ou seja,
sua energia, a intensidade dos raios-X obtidos também aumentará, como observado
na Figura 2-11 para potenciais de aceleração de 5 a 25 kV, no entanto, ao observar
o espectro obtido para a maior energia de aceleração (25 kV) se observam dois
picos, os quais são chamados de radiação característica. A liberação desse tipo de
53
energia ocorre quando os elétrons incidentes têm energia suficiente para ultrapassar
a barreira formada pela nuvem eletrônica mais externa dos átomos do alvo e, caso
se choquem contra um elétron da camada mais interna da eletrosfera de um átomo
poderá remover esse elétron, deixando um estado vazio dentro de uma camada da
eletrosfera. Como as camadas mais internas apresentam uma energia menor, o
estado vazio dentro da eletrosfera é rapidamente recomposto por um elétron de uma
camada mais externa e a energia desse decaimento eletrônico é liberada na forma
de um fóton com energia muito bem definida e específica para cada tipo de metal
utilizado como alvo. A energia desse fóton será decrescente quão mais distante do
núcleo for a camada do elétron ejetado, e também variará de acordo com a origem
do elétron que recompôs o estado vazio gerado. A radiação característica Kα é
devida a um decaimento de um elétron da camada L para a K, já um decaimento
Kβ é decorrente de um decaimento da camada M para a K, como observado na
Figura 2-12. Existem também as radiações menos prováveis como, por exemplo, Lα,
proveniente do decaimento de um elétron da camada M para L e assim por diante.
Em 1912 Max Von Laue propôs e realizou um experimento onde utilizou os
fenômenos de difração, já conhecidos na época para radiação eletromagnética na
faixa do visível, utilizando raios-X, pois esse apresenta um comprimento de onda na
faixa de poucos Angstroms, ou seja, da mesma ordem, ou até mesmo menor, que os
espaçamentos interatômicos. Como Laue realmente observou as figuras de difração
esperadas, um grande interesse surgiu na comunidade cientifica da época. Nesse
mesmo ano William Henry Bragg e seu filho William Lawrence Bragg formularam a
equação de Bragg (equação 2.20) [54], assumindo que a posição dos picos de
difração poderiam ser determinadas assumindo que os raios-X são refletidos pelos
planos paralelos de uma rede cristalina, como visto na Figura 2-13.

54
Figura 2-11 – Espectro da emissão de raios-X por um alvo de Molibdênio em função da tensão de
aceleração aplicada ao alvo.
Figura 2-12 – Ilustração da emissão de raios-X contínuo (a), e do decaimento eletrônico para
emissão de raios-X característico (b).
Consideremos dois planos paralelos P1 e P2 separados por uma distância d.
Os feixes incidentes 1 e 2 estão em fase. Para que os feixes 1’ e 2’ fiquem em fase e

55
consequentemente haja interferência construtiva, as seguintes condições devem ser
obedecidas para o feixe 2’:
Q + QR = )= (2.15)
Ou seja, o incremento de caminho percorrido pelo feixe 2’ deve ser igual a um
número inteiro de comprimento de onda. Como o ângulo formado entre
SQ = RSQ = T (2.16)
Q = QR Q + QR = 2Q (2.17)
2Q = )= (2.18
E por definição trigonométrica tem-se:
Q
= WX) T (2.19)
,7UV
A partir das equações (2.18) com (2.19) obtemos a equação de Bragg:
2,7UV WX) T = )= (2.20)
Onde:
,7UV = Parâmetro de rede;
= = Comprimento de onda incidente;
) = É um número inteiro de períodos;
T = Ângulo de incidência dos raios-X.
Nesse trabalho foi utilizado o método de difratometria de pó, com a varredura
do ângulo em 2θ, utilizando a geometria θ – θ, na qual o feixe incidente e o detector
se movem ao mesmo tempo em θ com a amostra fixa. Quando um feixe é difratado
e coletado pelo detector, esse gerará um pulso elétrico que é convertido em uma
contagem pelo programa que controla o equipamento. O resultado dessa técnica é
um difratograma, que nada mais é que um gráfico das contagens coletadas pelo
detector em função do ângulo de incidência/reflexão (2θ).
56
Figura 2-13– Difração de raios-X entre dois planos cristalográficos de um cristal com parâmetro de
rede d.
Nesse trabalho os difratogramas são apresentados em contagens por segundo
(cps), ao invés de utilizar o número de contagens em função de 2θ, de modo a
normalizar o eixo Y caso o tempo de coleta de dados variasse de uma amostra para
outra. Um exemplo de um difratograma obtido neste trabalho é apresentado na
Figura 2-14, na qual se observa principalmente dois picos em 33,1° e 36,0°. O
pico mais intenso em 36,0° é referente ao plano (002) do AlN, já o pico menos
intenso em 33,1° pode ser atribuído tanto ao substrato de silício utilizado (100) como
à orientação (100) do AlN, o tópico 4.2.4 nos resultados e discussão explorará mais
esse assunto. Além desses picos o AlN também pode apresentar picos em 37,9°,
49,8°, 59,3°, 66,1°, 71,4°, referentes aos planos (101), (102), (110), (113) e (112) [55]
respectivamente, já um difratograma de um filme de alumínio puro pode apresentar
picos em 38,4°, 44,7°, 65,1° e 78,2°, referentes aos planos (111), (200), (220) e
(311) [56] respectivamente. Apesar desses materiais apresentarem picos de difração
para ângulos (2θ) maiores que 60°, esses picos são de baixa intensidade, e,
portanto os difratogramas apresentados nesse trabalho foram obtidos somente até
60°. Ao analisarmos a posição dos picos de AlN e de Al verificamos que não há
sobreposição de picos, facilitando a interpretação dos dados.

57
AlN
(002)
1000
Contagens por segundo [cps]
Si
(100)
100
10
30 35 40 45 50 55 60
2θ
Figura 2-14 – Difratograma de raios-X de uma amostra de nitreto de alumínio.
Para determinar se um material apresenta crescimento preferencial de uma
determinada orientação se deve calcular seu grau de texturização e comparar seus
resultados com os de um material totalmente aleatório, ou seja, poli-cristalino que
não apresente crescimento preferencial em nenhuma orientação. Para realizar essa
comparação primeiramente as áreas referentes a todos os picos presentes no
difratograma do filme fabricado são somadas, a qual pode ser chamado de AT (área
total), e então a área referente a cada pico de difração é dividida pela área total AT,
se obtendo assim o grau de texturização do material em estudo. Tanto a área
referente a cada pico, como sua largura a meia altura (FWHM – Full Width Half
Maximum ), foram obtidas ajustando uma curva ao pico de difração como mostra a
Figura 2-15. Já para o filme totalmente aleatório, ao invés de utilizarmos a área de
cada pico, utilizamos a intensidade de cada pico do padrão fornecido pelo Centro
58
Internacional de Dados de Difração (ICDD – International Centre for Diffraction
Data). Portanto, para determinar se um filme apresenta crescimento preferencial de
uma determinada direção, seu grau de texturização deve ser maior do que o de um
material totalmente aleatório e quanto mais próximo de 1 esse valor estiver, mais
orientado naquela direção o material estará.
AlN 70/30
(002) Lorentziana ajustada
10000
Área = 6616 u.arb.

o
Si Centro = 35,61
Intensidade [cps]
(100) Largura = 0,38

o
1000
100
30 33 36 39 42 45 48 51 54 57 60
2θ
Figura 2-15 – Exemplo da curva ajustada ao pico de difração referente a orientação (002).
Outra característica que também foi extraída dos difratogramas foi o tamanho
de grão cristalográfico, o qual pode ser calculado utilizando a fórmula de Scherrer
[57] onde:
50,99 ∗ =
Y7UV = (2.21)
[7UV ∗ ;W T7UV
59
Onde:
Dhkl = tamanho de grão cristalográfico [Å];
λ = comprimento de onda utilizado [Å];
Bhkl = largura a meia altura (FWHM);
[7UV = alargamento devido ao tamanho finito do grão cristalino;
b = alargamento instrumental.
Quando a curva ajustada ao pico for uma lorentziana:
R7UV = [7UV + \ (2.22)
Ou quando a curva ajustada for uma Gaussiana:
R7UV = [7UV + \ (2.23)
As medidas realizadas foram feitas em um difratômetro de Raios-X Rigaku,
modelo Ultima+, pertencente ao Laboratório de Cristalografia do Instituto de Física
da Universidade de São Paulo, o qual utiliza radiação do Cu Kα (1.5418Å),
sintonizada por um monocromador de grafite de orientação [0002] e parâmetro de
rede de 3,354 Å. Um detector de cintilação foi utilizado para detectar os raios-X
espalhados. O alargamento instrumental desse equipamento é de 0,1°.
60
2.2.7. Medida do stress residual
Grande parte dos filmes obtidos artificialmente apresenta algum tipo de stress
(tensão mecânica), independente da técnica de deposição utilizada, decorrente de
fenômenos ligados tanto a fatores internos quanto externos à estrutura do material
obtido.
O termo stress residual representa a soma do stress intrínseco, extrínseco e
térmico presentes no filme.
O stress intrínseco é gerado no processo de deposição do filme, onde,
utilizando o modelo de crescimento de filmes de Volmer-Weber [58], ao ocorrer o
encontro das ilhas de deposição, formadas a partir dos sítios ativos da superfície do
substrato, a energia relacionada com esse novo contorno de grão esta associada a
formação de stress intrínseco, sendo que, quanto menor o tamanho de grão, maior
será o stress desenvolvido no filme [59]. Fatores como pressão, taxa, temperatura e
técnica de deposição, como também tipo de substrato (diferença de cadeias
atômicas) [60] estão relacionados à formação desse tipo de stress.
Já o stress extrínseco, do ponto de vista da técnica de deposição por
sputtering, é praticamente decorrente do bombardeamento da superfície do filme em
crescimento por átomos e íons energéticos [61], os quais causam a incorporação de
impurezas, além de causar uma repulverização da superfície do filme. Um fator que
está diretamente relacionado com a transferência de momento pelos íons incidentes
na superfície do filme é o livre caminho médio da fase gasosa, ou seja, a pressão de
processo. Quanto maior o livre caminho médio, mais perpendicularmente à
superfície do filme os íons tendem a chegar, transferindo-o um maior momento, já
61
para um menor livre caminho médio, os íons tendem a ser espalhados em diversas
direções, diminuindo a transferência de momento ao filme em crescimento.
O stress térmico é basicamente decorrente da diferença entre o coeficiente de
expansão térmica do filme e do substrato, pois os filmes geralmente são depositados
a uma temperatura diferente da qual ele será utilizado. Esse tipo de stress pode ser
facilmente calculado pela equação abaixo caso as propriedades do filme sejam bem
conhecidas.
_`
]=^ a b+` − +c d($ − ) (2.24)
1 − <`
Onde:
] =Stress térmico do filme;
Εf =Módulo de elasticidade do filme;
<` =Número de Poisson do filme;
+` =Coeficiente de expansão térmica do filme;
+c = Coeficiente de expansão térmica do substrato;
$ =Temperatura de deposição do filme;
=Temperatura de utilização do filme.
Ao se depositar um filme fino o stress residual pode causar a curvatura do
substrato, a qual dependendo do tipo de stress, como observado na Figura 2-16,
causará uma curvatura positiva ou negativa do substrato. No caso do stress
compressivo o substrato é comprimido pela expansão do filme paralelamente a
superfície, esse tipo de stress pode causar defeitos como envergamento, bolhas e
até mesmo a separação entre o filme e substrato, já no stress tensivo o substrato é
tensionado pelo filme, devido ao fato de que o filme apresenta um menor coeficiente
62
de expansão térmica que o substrato, esse tipo de stress pode resultar em trincas
nos filmes depositados. Em ambos os casos quanto maior for a espessura do filme
depositado mais pronunciada será a curvatura do substrato.
Figura 2-16 – Deformação do substrato devido ao stress residual compressivo ou tensivo.
Existem diversas possibilidades para se quantificar o stress como, por
exemplo, as técnicas de medida do raio de curvatura do substrato [62], fabricação de
microestruturas [63], microscopia Raman [64] e difração de raios X [65]. Dentre essas
possibilidades, a que se destaca pelo fato de ser uma técnica simples e de fácil
implementação, pois não é necessária a fabricação de estruturas específicas, muito
menos utiliza equipamentos sofisticados como, por exemplo, um difratômetro de
raios X, é a medida do raio de curvatura do substrato, a ser descrita posteriormente,
sendo essa, portanto, a técnica que será utilizada nesse trabalho.
A determinação do stress residual pela medida de curvatura do substrato se
baseia no trabalho de Stoney [62], que a princípio relacionou o stress residual de
películas metálicas com o raio de curvatura do substrato, o qual era circular, no
entanto trabalhos posteriores como o de Preissig [66] demonstraram a possibilidade
de utilizar a equação de Stoney para outros formatos de substrato e filmes não
metálicos. Como geralmente silício é utilizado como substrato na maioria dos
estudos de filmes finos e suas propriedades são bem conhecidas, essa equação se
63
torna bastante útil, pois somente se baseia na espessura do substrato e do filme e
no número de Poisson e módulo de elasticidade do substrato, como apresentado a
seguir.
1 c ,c
] = K M^ a (2.25)
g 6(1 − <c ) ,`
Onde:
] =Stress residual do filme;
Εh =Módulo de elasticidade do substrato;
<c =Número de Poisson do substrato;
,c =Espessura do substrato;
,` =Espessura do filme;
g =Raio de curvatura do substrato.
Como a maioria dos substratos utilizados já apresenta alguma curvatura devido
ao processo de fabricação, necessita-se medir a curvatura do substrato antes e após
a deposição do filme, subtraí-las e então obter a curvatura decorrente do stress
residual do filme. A equação que leva em consideração essa curvatura prévia do
substrato é denominada de equação de Stoney modificada a qual é apresentada
abaixo.
1 1 c ,c
] = ^ − a^ a (2.26)
` i 6(1 − <c ) ,`
Onde:
` = Raio de curvatura com o filme;
i = Raio de curvatura sem o filme.
64
Para determinar a curvatura do substrato prévia e posteriormente a deposição,
foi utilizado uma alavanca óptica. Esse sistema consiste em um feixe de laser que
passa por uma lente divergente, em seguida, por uma matriz de pontos e, por fim, é
refletido pela superfície do substrato para um anteparo. Uma câmera digital tira uma
fotografia dos pontos no anteparo e um programa desenvolvido no próprio grupo de
pesquisa por Rehder [67] calcula a distância entre o centro desses pontos (Figura
2-17).
O programa calcula o raio de curvatura do substrato utilizando a equação de
Stoney modificada [67], que leva em consideração a distância entre os pontos na
amostra (∆X), no anteparo gerado por um espelho plano utilizado como padrão (∆E)
e a no anteparo gerado pelo substrato (∆S). O caminho óptico (L) utilizado foi de
0,943 m. Apesar do caminho óptico e da distância entre os pontos na amostra serem
pequenos, podendo acarretar erros na determinação da distância entre eles, o erro é
minimizado ao se utilizar os 36 pontos gerados pela matriz de furos, distribuídos em
6 linhas, sendo que cada linha apresenta mais 6 pontos cada. A distância média
entre os pontos é calculada da seguinte maneira:
Primeiramente se calcula a média simples entre a distância entre os pontos de
cada linha e, posteriormente, se obtém a distância média eles realizando a média
entre a média das distâncias de cada linha, obtendo-se assim uma boa estatística da
distância essas distâncias, possibilitando utilizar um caminho óptico e uma distância
entre os pontos na amostra relativamente pequenos.
65
Figura 2-17 – Diagrama esquemático do sistema de alavanca óptica utilizada nas medidas de raio
de curvatura do substrato [67].
Visto como é obtida a distância entre os pontos, o raio de curvatura do
substrato é obtido por:
kl
g = 2j (2.27)
k − k
Onde:
g = Raio de curvatura do substrato;
j = Caminho óptico percorrido pelo feixe;
ΔS = Distância entre os pontos no anteparo gerados pela amostra;
ΔX = Distância entre os pontos na amostra;
ΔE = Distância entre os pontos no anteparo gerados pelo espelho.
66
2.2.8. Determinação do coeficiente piezoelétrico
Diversas técnicas são reportadas na literatura para a determinação do
coeficiente piezoelétrico de carga dos materiais tanto por métodos diretos como
indiretos. Na
Tabela 2.1 é apresentado um resumo dos diversos métodos que podem ser
utilizados para caracterizar o coeficiente piezoelétrico de carga, bem como o efeito
físico associado ao método.
No entanto, salvo o método capacitivo, as técnicas apresentadas nessa tabela
para a determinação do coeficiente piezoelétrico de carga para filmes finos são de
difícil implementação, pois se tratam da obtenção desse parâmetro diretamente, ou
seja, se aplica um potencial e se verifica uma deformação ou aplicada uma pressão
se mede a carga gerada. Como o deslocamento de um filme fino piezoelétrico é da
ordem de alguns nanômetros, mesmo quando potenciais elevados, na ordem de kV
são aplicados, equipamentos sofisticados são necessários para que essa pequena
deformação seja mensurável. No caso de utilizar os cantilevers, um fator que
dificulta utilizar essa técnica é a necessidade do domínio tecnológico para fabricar
estruturas auto sustentadas.
Tabela 2.1 – Diversos conceitos associados a medida do coeficiente piezoelétrico dxy.

Método Causa – Efeito
Laser [68] Potencial – Deslocamento
Difração de raios X [69] Potencial – Deslocamento
Microscopia de força atômica Potencial – Deslocamento
[70]
Cantilever [71] Pressão – Carga
Carga [72] Pressão – Carga elétrica
Capacitivo [73, 74] Potencial – Variação de
capacitância
67
Devido à necessidade de utilizar equipamentos sofisticados ou então de
fabricar estruturas auto sustentadas, como é o caso dos cantilevers, optei por utilizar
nesse trabalho o método capacitivo, o qual apesar de ser um método não direto da
medida do coeficiente piezoelétrico, é de fácil implementação como descrito a
seguir.
Nesse método o coeficiente piezoelétrico é obtido ao se medir a capacitância
de um capacitor de placas paralelas com a camada dielétrica feita com o material
piezoelétrico que se deseja caracterizar. O coeficiente piezoelétrico é extraído da
variação de capacitância desse capacitor com e sem polarização DC.
A teoria relacionada a esse método capacitivo é explicada a seguir.
É conhecido que o comportamento de um capacitor de placas paralelas é dado
pela equação (2.28) [75]:
p p
Q = (2.28)
q
Onde:
p = Permissividade do vácuo;
p = Permissividade relativa ou constante do dielétrico;
= Área do capacitor;
q = Espessura do dielétrico.
A partir do valor medido da capacitância, a equação (2.28) pode ser utilizada
para determinar a permissividade do dielétrico, que no nosso caso será a o AlN, o
qual, em temperatura ambiente, não apresenta variação de sua permissividade
dielétrica quando exposto a um potencial contínuo (dc). Quando um campo elétrico
68
dc (rs ) é aplicado a uma estrutura, como exemplificado na Figura 2-18 (b), sua
espessura aumenta em δt enquanto a área diminui em δA [76].
A A-dA
t E
t+dt
(a) Sem Campo (b) Com Campo

Figura 2-18 – Resposta piezoelétrica em função de um campo elétrico rs (a) sem e (b) com
aplicação de campo elétrico externo.
Essas modificações nas dimensões do dielétrico resultam na mudança da
capacitância do dispositivo, como observado na Figura 2-19, e pode ser calculada
usando a seguinte expressão:
p p( − u)
Qt = (2.29)
(q + uq)
Relembrando a notação utilizada dos coeficientes piezoelétricos, onde os sub-
índices 1, 2 e 3 representam os eixos cartesianos x, y e z respectivamente e que por
convenção é assumido que o eixo definido por 3 é paralelo ao campo elétrico
aplicado rs . Dessa maneira a variação na espessura δt e a variação na área δA
estão correlacionados com os coeficientes longitudinal (d33) e transversal (d31) de
carga respectivamente [20], onde o sinal negativo na variação de área é devido sua
redução como representado Figura 2-18.

69
Figura 2-19 – Capacitância em função da frequência de um capacitor fabricado com dielétrico de
AlN. C0 é sua resposta sem aplicar potencial elétrico dc externo e CV sua capacitância
aplicado um potencial elétrico externo dc de 2 V [74].
uq = v |, | (2.30)
−v |, |
u = (2.31)
q
Levando em consideração a conservação de volume do material, e também
que não houve variação de sua densidade devido a deformação, assume-se que o
coeficiente piezoelétrico de carga longitudinal (d33) é igual a duas vezes o latitudinal
(d31) chegando a seguinte relação, a qual além de ser válida para cerâmicas de
titanato zirconato de chumbo, ou PZT [20], é uma boa aproximação para outros
filmes como, por exemplo, o AlN:
70
|, | = 2|, | (2.32)
No entanto, quando se deseja utilizar uma relação mais precisa, que não faça
nenhuma suposição quanto a variação de densidade, deve-se utilizar a seguinte
relação, onde x varia entre 2 e 2,5 [20].
|, | = I |, | (2.33)
Onde para cerâmicas PZT vale:
uq u
= 2 (2.34)
q
E para casos mais gerais se tem:
uq u
= I (2.35)
q
Reescrevendo a equação (2.29):
u
p p x1 − y
Qt = (2.36)
u,
q x1 + y
q
u
x1 −y
Qt = Q (2.37)
uq
x1 + q y
Sendo:
u
x1 − y
Q = (2.38)
uq
x1 + q y
Onde Cr parte da relação:
Qt = Q × Q (2.39)
Inserindo a equação (2.35) na equação (2.38) se obtém:
71
(1 − Q )
uq = q (2.40)
(I " + Q )
(Q − 1)
u = (2.41)
(Q + I)
Onde para fins práticos, levando em consideração a conservação de
densidade, x pode ser aproximado para 2.
Portanto ao se aplicar um campo elétrico dc (rs ) ao dielétrico piezoelétrico, as
variações de dimensões resultarão na mudança da capacitância do dispositivo,
como exemplificado na Figura 2-19. Conhecendo a espessura inicial do dielétrico (t)
e a razão (Cr) é possível determinar os coeficientes piezoelétricos d33 e d31 a partir
das equação (2.30) e (2.31).
Essas medidas foram realizadas em um medidor de parâmetros RLC FLUKE,
modelo PM6304, utilizando um sinal de 200 Hz com amplitude de 1 Vpp,
pertencente ao departamento de sistemas eletrônicos da Escola Politécnica da
Universidade de São Paulo.
72
CAPÍTULO 3 - METODOLOGIA
A produção dos filmes de nitreto de alumínio (AlN) foi organizada em três
séries de deposições. Na primeira série o objetivo foi obter resultados preliminares
sobre o crescimento dos filmes em relação a potência de r.f. aplicada, pressão e
temperatura de processo e por esse motivo nessa série somente a taxa de
deposição foi caracterizada. Na segunda série de deposições procurei encontrar a
razão entre os fluxos de Ar e N2 que favorecesse principalmente o crescimento de
filmes de AlN com orientação cristalográfica (002), pois essa é a que apresenta
maior coeficiente piezoelétrico, uma vez que tinha como objetivo utilizar esses filmes
em MEMS atuados piezoeletricamente. Verificada a melhor razão entre os fluxos
gasosos, utilizarei essa composição gasosa para depositar a terceira série de
deposições, a qual verificará a influência da temperatura de deposição nas
propriedades dos filmes depositados.
Os filmes foram obtidos a partir da pulverização catódica (sputtering) de um
alvo puro de alumínio (99,99%) em uma atmosfera composta de uma mistura
gasosa de argônio (Ar) e nitrogênio (N2), a qual será apresentada no decorrer desse
trabalho da forma X-Y, onde X refere-se ao fluxo de argônio e Y ao de nitrogênio,
ambos em sccm (centímetros cúbicos padrão por minuto). A câmara de deposição
foi previamente evacuada a pressões menores que 4x10-7 Torr, de modo a eliminar
impurezas da atmosfera de deposição. Na Tabela 3.1 são apresentadas as três
séries de deposição realizadas e seus os respectivos parâmetros de processo.
73
Tabela 3.1 – Séries de deposição e seus parâmetros de processo.
Parâmetros de processo
Temperatura Mistura
Pressão de Potência de
de deposição gasosa Ar-N2
processo [mTorr] r.f. [W/cm2]
[°C] [sccm]
0,122, 0,612 e
1° série 5e2 25 e 250 10-20 e 80-20
1,23
2° série 2 250 1,23 Variável
3° série 2 150, 250 e 350 1,23 70-30
As técnicas de caracterização utilizadas nesse trabalho foram:
• Perfilometria que tem por objetivo determinar espessura dos filmes e
consequentemente sua taxa de deposição [Å/min];
• Absorção de infravermelho por transformada de Fourier (FTIR) para
estudar as ligações químicas presentes;
• Elipsometria para determinar tanto o índice de refração (n) quanto a taxa
de deposição;
• Espectroscopia por retro espalhamento de Rutherford (RBS) para obter
a composição química;
• Absorção na região do visível a qual tem por objetivo validar os
resultados do índice de refração obtidos por elipsometria, e determinar o
coeficiente de absorção e o gap óptico;
• Difração de raios-X (XRD) para verificar a orientação cristalográfica dos
filmes.
Além disso, também foram caracterizados o stress residual pela medida do raio
de curvatura do substrato, e a constante piezoelétrica de carga [d31] utilizando o
método capacitivo.
74
Devido necessidade de utilizar substratos específicos para cada tipo de técnica
de caracterização, a Tabela 3.2 apresenta uma relação dos tipos de substratos
utilizados nesse trabalho e as respectivas técnicas de caracterização nas quais eles
foram utilizados.
Tabela 3.2 – Relação dos tipos de substratos utilizados nas deposições.

Tipo de substrato Tipo de caracterização
Carbono amorfo
RBS
Ultra Denso
Quartzo Absorção no visível
Silício p(111) Elipsometria, XRD e FTIR
Elipsometria, XRD, FTIR,
Silício p(100) Perfilometria, Stress residual e
testes de corrosão
Além do tipo de substrato, cada técnica de caracterização também se
diferencia quanto a espessura ideal da camada a ser analisada como, por exemplo,
as técnicas de RBS e elipsometria são mais acuradas quando utilizado filmes com
espessuras na ordem de 1000 Å, enquanto que para caracterizar o gap óptico,
através da absorção na região do visível, e o stress residual é mais aconselhável
utilizar espessuras na ordem de alguns micrometros, sendo assim necessária a
deposição de mesmo filme, ou seja com a mesma composição gasosa, duas vezes
para a obtenção desses parâmetros.
Na fabricação dos capacitores de placas paralelas para obtenção do
coeficiente piezoelétrico de carga, o dispositivo foi fabricado utilizando as seguintes
etapas de processo:
1. Deposição da primeira camada de molibdênio com espessura de 1µm pela
técnica de sputtering, utilizando um fluxo de argônio de 100 sccm a uma
pressão de 2 mTorr, e uma densidade de potência de r.f. de 1,23 W/cm2;

75
2. Deposição de 0,6µm de AlN;
3. Deposição de 0,5 µm de molibdênio com os mesmo parâmetros da primeira
camada;
4. Litografia para definição dos capacitores;
5. Corrosão do molibdênio utilizando solução de nitrato cérico amoniacal (vide
item 4.2.8);
6. Remoção do fotorresiste com acetona seguida pela corrosão do AlN em
solução de TMAH a 80°C (vide item 4.2.8).
Na Figura 3-1 é apresentada a máscara utilizada para a definição dos
capacitores, bem como uma representação dos capacitores ao final do processo de
fabricação.
Figura 3-1 – Ilustração da máscara utilizada na litografia para definição dos capacitores utilizados
na determinação do coeficiente piezoelétrico de carga, e da configuração final dos
dispositivos.
76
CAPÍTULO 4 - RESULTADOS E DISCUSSÃO
Nesse capítulo serão apresentados e analisados os resultados das três séries
de deposições realizadas nesse trabalho. As séries de deposições serão
apresentadas individualmente, e seus resultados apresentados de acordo com o tipo
de caracterização utilizada.
4.1. Estudo preliminar sobre as condições de deposição do AlN

(1ª série de deposições)
Como o estudo de filmes de nitreto de alumínio (AlN) é inédito no grupo de
novos materiais e dispositivos (GNMD), no qual foi realizado esse trabalho de
mestrado, a primeira série de deposições foi programada com o objetivo de se obter
resultados preliminares quanto ao o crescimento dos filmes em relação a potência
de r.f. aplicada, pressão e temperatura de processo, por essa razão somente as
taxas de deposição desses filmes foram caracterizadas. Essa série foi dividida em
três etapas. Na primeira, se verificou a influência da potência de r.f., a qual foi
variada de 0,123 à 0,617 W/cm2. Na segunda, foi variada a pressão de processo de
5 para 2 mTorr e incrementada ainda mais a potência de r.f. de 0,617 para 1,23
W/cm2. Na terceira e última etapa, foi variada a composição gasosa da atmosfera de
deposição e a temperatura de obtenção dos filmes. Os resultados, juntamente com
seus respectivos parâmetros de processo de cada etapa desta série são
apresentados na Tabela 4.1.

77
Analisando a Tabela 4.1, se observa que na 1ª etapa ao aumentar a potência
de r.f. a taxa de deposição, que para 0,122 W/cm2 foi nula, aumentou para 3 Å/min,
no entanto esta taxa é muito baixa para aplicações em MEMS, onde são
necessárias espessuras na ordem de poucos micrometros. Em função desse
resultado, na 2ª etapa a pressão de processo foi diminuída de 5 para 2 mTorr e a
taxa de deposição praticamente sextuplicou, resultado que pode ser atribuído ao
maior livre caminho médio das moléculas dentro do plasma e, consequentemente,
ao aumento da probabilidade do alumínio ejetado do alvo chegar ao substrato. A
maior taxa de deposição, aliada ao fato de que em menores pressões as moléculas
de AlN tendem a chegar perpendicularmente à superfície do substrato, favorece o
crescimento colunar dos cristais de AlN e, portanto, favorecendo a obtenção de uma
maior constante piezoelétrica, fez com que a pressão de processo de 2 mTorr fosse
escolhida para as demais séries de deposição. Pressões menores que 2 mTorr não
foram estudadas pois o plasma, no sistema de deposição utilizado nesse trabalho,
fica instável.
Como citado anteriormente para aplicações em MEMS é desejável ter taxas de
crescimento que possibilitem a deposição de filmes de poucos micrometros e,
portanto, a taxa de 17 Å/min, obtida na segunda etapa ainda não é apropriada para
as aplicações desejadas para esses filmes. Por esse motivo, a densidade de
potência de r.f. foi duplicada de 0,617 para 1,23 W/cm2 e, desta forma se obteve
uma taxa de deposição mais razoável de 67 Å/min. Potências maiores que 1,23
W/cm2, a qual corresponde aos 100 W aplicados ao alvo circular de 4 polegadas
(10,16 cm) de diâmetro utilizado, não foram aplicadas pois o sistema de deposição
não o permite.
78
Tabela 4.1 – Parâmetros de deposição da primeira série de deposições e suas respectivas taxas
de deposição.
Parâmetros de processo
Pressão de Temp. Potência Mistura Taxa de
processo deposição de r.f. gasosa deposição
[mTorr] [°C] [W/cm2] Ar/N2 [sccm] [Å/min]
5 25 0,123 10/20 0
1ª etapa
5 25 0,617 10/20 3
2 25 0,617 10/20 17
2ª etapa
2 25 1,23 10/20 67
2 25 1,23 100/0 257
Filme não
3ª etapa 2 25 1,23 80/20
aderiu
2 ~250 1,23 80/20 163
Uma vez determinada a pressão de trabalho e a potência de r.f. a intenção da
3ª etapa era analisar o efeito da mistura gasosa à temperatura ambiente, assim foi
depositado inicialmente um filme somente com Ar na mistura gasosa, ou seja, um
filme de alumínio puro sem aquecimento proposital do substrato, para depois variar
a mistura gasosa para depositar um filme de AlN. No entanto, a deposição do AlN
resultou em um filme que não aderiu a superfície do substrato, provavelmente
devido ao stress residual do filme, acreditamos que os filmes depositados nas
etapas anteriores aderiram à superfície do substrato provavelmente devido as suas
menores espessuras e, consequentemente, a força gerada pelo stress residual do
filme não foi capaz de o descolar do substrato. Também não deve ser
desconsiderado o fato de que em baixas taxas de deposição os átomos se
acomodam melhor na superfície do substrato, resultando em um menor stress
residual. Assim foi depositado um filme com aquecimento proposital do substrato em
torno de 250°C, como mostra a ultima linha da Tabela 4.1, o qual apresentou boa
aderência, além de uma maior taxa de deposição visto que a composição gasosa
também foi alterada para mais rica em argônio.
79
A temperatura de deposição é apresentada como “em torno de 250°C” devido
ao fato de que o sistema de aquecimento do substrato, realizado por uma lâmpada
halógena, do equipamento de sputtering, que nunca havia sido utilizado, entrava em
curto-circuito com o plasma aos ligá-los simultaneamente, queimando a etapa de
potência responsável pelo controle da temperatura. Assim, para que fosse possível a
deposição das amostras nessa parte do trabalho, a 3ª etapa da primeira série de
deposições foi obtida como segue:
• Aquecimento da amostra à 300°C, e estabilização da temperatura
durante 10 minutos;
• Deposição durante 5 minutos do filme com a lâmpada desligada, tempo
esse em que a temperatura do substrato diminuía para 200°C;
• Aquecimento da amostra novamente a 300°C e estabilização da
temperatura por mais 10 minutos.
Esse procedimento foi realizado sucessivamente até se obter o tempo de
deposição desejado. A temperatura de 250°C, obtida pela média simples entre a
temperatura do início (300°C) e a do final da deposição (200°C), foi assumida como
sendo a temperatura aproximada de deposição.
80
4.2. Estudo sobre a influência da composição gasosa entre Ar e N2 nas
propriedades físico/químicas do AlN (2ª série de deposições)
Antes de iniciar a deposição da 2° série, o problema com o aquecimento do
substrato foi solucionado ao se colocar entre a etapa de potência, responsável pelo
controle da lâmpada halógena e a rede elétrica, um transformador de isolação,
relação de espiras de 1:1, o qual deixou o potencial da lâmpada flutuante, evitando
que o plasma entrasse em “curto-circuito” com a lâmpada, possibilitando assim que
as deposições fossem feitas com o controle de temperatura ligado.
Em função dos resultados da série anterior e dos resultados da literatura que
reportam temperaturas em torno de 250°C [81], como sendo a que resulta em filmes
com características mais propensas para uso em MEMS, a temperatura escolhida
para esta nova série, que tem por objetivo estudar o efeito da mudança da mistura
gasosa nas propriedades dos filmes de AlN, foi de 250°C. As amostras depositadas
são nomeadas de acordo com a mistura gasosa utilizada na sua deposição e o
código de nomeação funciona da seguinte maneira, amostra X-Y, onde X é o fluxo
de argônio e Y o fluxo de nitrogênio, onde X+Y sempre igual a 100 sccm, por
exemplo, a amostra 80-20 apresenta 80 sccm de argônio e 20 sccm de nitrogênio na
mistura gasosa. Como algumas caracterizações são apresentadas somente em
função do fluxo do nitrogênio, para saber a quantidade de argônio nessas amostras
basta subtrair o fluxo de nitrogênio de 100.
Os resultados das caracterizações físico-químicas serão apresentados e
discutidos de acordo com a técnica utilizada.
81
4.2.1. Taxa de deposição
Como a perfilometria mede basicamente a topografia da superfície da amostra,
uma parte do substrato foi protegida mecanicamente, impossibilitando a deposição
de filme nessa região, e a espessura foi definida como sendo a variação de
topografia entre a parte com filme e a parte sem filme do substrato. Para diminuir o
erro da medida cada substrato foi medido três vezes e a espessura depositada foi
obtida pela média simples entre esses três resultados ( ver item 2.2.1).
A técnica de elipsometria também foi utilizada para determinar a espessura e,
posteriormente, a taxa de deposição de modo a verificar a confiabilidade das
próprias medidas de elipsometria, pois o elipsômetro, na configuração que se
encontra, está trabalhando em seu limite de confiabilidade para os filmes de AlN,
como está exposto nos resultados do índice de refração apresentados no item 4.2.5.
Na Figura 4-1 são apresentados os resultados da taxa de deposição em função do
fluxo de N2 para ambas as técnicas de caracterização.
Ao analisar essa figura se nota, primeiramente, que os resultados de
elipsometria convergiram com os obtidos por perfilometria, dando indícios que os
resultados de índice de refração obtidos por essa técnica são confiáveis. Observa-se
também que quanto mais argônio há na mistura gasosa maior é a taxa de deposição
do filme, resultado esse que está completamente de acordo com as expectativas,
uma vez que, como exposto na descrição do processo de sputtering, o argônio é o
gás responsável pela remoção dos átomos da superfície do alvo de alumínio e o
nitrogênio é somente um gás que tem por objetivo reagir com os átomos já ejetados
do alvo.
82
400
Taxa obtida por perfilometria
350 Taxa obtida por elipsometria
Taxa de deposição [A/min]
300
250
200
150
100
50
0
10 20 30 40 50 60 70 80
Fluxo de nitrogênio [sccm]
Figura 4-1 – Taxa de deposição em função do fluxo de N2 da 2° série de deposições obtida por
perfilometria e por elipsometria.
4.2.2. RBS
A caracterização por RBS é uma técnica de análise largamente utilizada em
ciência dos materiais para determinar sua composição química. As medidas de RBS
foram realizadas no Laboratório de Análise de Materiais por Feixes Iônicos do
Instituto de Física da USP (LAMFI-USP).
Na Figura 4-2 é apresentado a concentração percentual dos átomos de
alumínio e nitrogênio em função do fluxo de N2 na atmosfera de deposição. Observa-
se que na região onde o filme obtido ficou visualmente transparente não houve
83
variação estequiométrica considerável, já para os filmes que apresentaram um
caráter metálico, também avaliado visualmente, a concentração de Al aumenta à
medida que a concentração de N2 diminui, o que era de se esperar, uma vez que
não há nitrogênio suficiente na atmosfera de deposição para reagir com todo
alumínio removido do alvo. A mudança entre filme transparente e metálico ocorre de
forma bastante abrupta e coincide justamente com o ponto onde ocorreram as
mudanças nos espectros de FTIR a serem expostos a seguir.
Filme Filme
80
metálico transparente
Al
Concentração Percentual [%]
70 N
60
50
40
30
20
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75
Fluxo de nitrogênio [sccm]
Figura 4-2 – Concentração percentual dos átomos de Al e N em função do fluxo de N2.
84
4.2.3. FTIR
Estas medidas são de grande importância para a área de materiais, pois
possibilitam obter informações sobre as ligações químicas presentes no material.
Neste trabalho foi utilizado um espectrômetro de infravermelho por transformada de
Fourier (FTIR) da BIO RAD modelo QS 300, pertencente ao Laboratório de Micro
Eletrônica da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.
Os espectros de FTIR são apresentados normalizados pela espessura.
A literatura reporta que o AlN apresenta modos vibracionais ópticos
transversais (TO) e longitudinais (LO) em ~611, ~670, ~890 e ~912 cm-1, relativos
aos modos A1(TO), E1(TO), A1(LO) e E1(LO) respectivamente, que são sensíveis
ao infravermelho [77,78,79]. Na Figura 4-3 são apresentados os espectros dos filmes
depositados sobre Si (100) em função das diversas misturas gasosas estudadas
nesta série. Observa-se nesses espectros a presença de uma única banda de
absorção centralizada em 678 cm-1, referente ao modo vibracional E1(TO) da ligação
AlN, o pequeno desvio de seu valor característico (670 cm-1) é atribuído ao stress
residual que distorce a célula unitária, resultando em variações do pico de energia
da bandas de absorção [80].O filme obtido com 70 sccm de argônio e 30 sccm de
nitrogênio apresenta em 1100 cm-1 uma pequena banda de absorção, a qual se
refere a óxido de silício resultante da diferença entre a espessura de óxido de silício
nativo presente no substrato utilizado como referência e o utilizado na deposição do
filme.
É observado que quanto menos N2 a mistura gasosa tiver mais intensa fica a
banda de absorção localizada em 678 cm-1, no entanto, esse aumento contínuo
85
apresenta um máximo para o filme depositado com 20 sccm de N2 e diminui quando
se reduz ainda mais a concentração de N2, como se observa no filme depositado
com 18 sccm de N2. A normalização pela espessura feita nos espectros de FTIR
permite comparar quantitativamente o número relativo de ligações presentes nos
filmes analisados, sendo assim, posso relacionar a variação da intensidade do pico
com a quantidade relativa das ligações químicas presentes no material, dessa
maneira, posso concluir que a quantidade de ligações do tipo AlN esta variando
nessa faixa de composições gasosas estudada, no entanto essa variação não era
esperada se levado em consideração os resultados de RBS, observados na Figura
4-2, que não mostram variação na composição química desses filmes.
678
Ar-N2
82-18
80-20
70-30
60-40
Intensidade [u.a]
50-50
30-70
400 600 800 1000 1200 1400 1600

-1
Figura 4-3 – Espectros de FTIR em função da composição gasosa da atmosfera de deposição.
Ao realizar a medida da largura a meia altura da banda de absorção do pico
localizado em 678 cm-1 dos espectros de FTIR, de modo a verificar a ordem
86
estrutural dos filmes fabricados, obtive resultados muito similares entre as próprias
amostras, o que indica, aparentemente, que não houve variação de ordem estrutural
desses filmes, porém como ocorreu uma diminuição nas ligações do tipo Al-N com o
aumento da concentração de N2, era esperado que outros tipos de ligações tivesse
aumentado, uma vez que não ocorreu variação na composição química desses
filmes, no entanto como os espectros de FTIR não mostraram o aparecimento de
outros tipos de ligação, acredito que esse aumento tenha ocorrido em ligações que
não são sensíveis a incidência normal de infravermelho utilizada nos experimentos,
como os modos ópticos longitudinais (LO), ou então em ligações não polares do tipo
Al-Al ou N-N, que só apareceriam em espectroscopia RAMAN, sendo possível
concluir que, apesar de não ter havido variação da largura a meia altura do pico
referente a ligação AlN, houve variação das ligações químicas presentes nos filmes.
4.2.4. Difração de raios X
As medidas de difração de raios-X, também conhecida como XRD (X-Ray
Difraction), foram efetuadas com o intuito de se verificar em quais orientações
cristalográficas os filmes estavam se formando, e são de extrema importância para
esse trabalho, pois diferentes orientações apresentam diferentes coeficientes
piezoelétricos.
Essas medidas foram efetuadas em um difratômetro de raios-X Rigaku, modelo
Ultima+, pertencente ao laboratório de cristalografia do Instituto de Física da
Universidade de São Paulo, com radiação Cu Kα de 1.5418Å.
87
A orientação cristalográfica dos grãos em um filme é determinada pelo
crescimento preferencial de certos planos do cristal sobre outros. Como citado na
seção 1.1 e representado na Figura 4-4, a estrutura Wurzite dos filmes de AlN
apresenta dois tipos de ligações entre Al-N, batizadas de B1 e B2, sendo a energia
da ligação B1 maior que a da B2 [36]. Nessa estrutura o plano (100) é composto de
ligações do tipo B1, enquanto o plano (002) é formado por ligações B1 e B2.
Figura 4-4 – Representação da estrutura cristalográfica do nitreto de alumínio e dos planos

cristalográficos (100) e (002).
Na Figura 4-5 apresento os difratogramas dos filmes obtidos para as diversas
misturas gasosas estudadas. É possível observar que para as amostras 50/50,
70/30 e 82/18 somente dois picos de difração são observados. O pico em 33,1° pode
ser atribuído tanto ao substrato de silício (100) utilizado, como a orientação (100) do
AlN, no entanto, devido a pequena largura a meia altura desse pico, o grão dessa
orientação é grande, logo, esse pico é atribuído ao substrato, como confirmado pela
medida de um substrato limpo de Si (100), onde esse pico também é observado, e o
88
valor de largura a meia altura é igual ao pico presente nos difratogramas dos filmes
de AlN. Em 35,9° há a reflexão referente a orientação (002) do nitreto de alumínio
[55]. Na amostra 80/20, além da reflexão do plano (002) se observam outros dois
picos em 37,6° e 49,5°, referentes às reflexões dos planos (101) e (102)
respectivamente, os quais são planos de transição entre o plano (100) e o (002). A
amostra 30/70 apresenta dois pequenos picos em 34,7° e 48,8° que talvez possam
ser atribuídos as orientações (002) e (102) sucessivamente, mesmo havendo uma
discrepância em torno de 1° de seus valores específicos que são 36,0° e 49,8°,
acredito que essa variação possa ser atribuída ao fato dos cristais serem pequenos,
como verificado pela grande largura a meia altura desses picos.
AlN Ar/N2
10000 (002) 30/70
50/50
70/30
Si 80/20
Intensidade [cps]
(100)
1000 82/18
Si(100)
AlN
100 (101)
AlN
(102)
10
30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50 52 54 56 58 60
2θ
Figura 4-5 – Difratogramas dos filmes de AlN em função da composição da mistura gasosa da
atmosfera de deposição.
89
Analisando a Figura 4-5 se observa que o aumento na concentração de argônio
na composição gasosa da atmosfera de deposição, produz um aumento gradativo
na intensidade do pico relativo à orientação (002), a qual apresenta o maior
coeficiente piezoelétrico, até atingir seu máximo na amostra 70/30. Esse aumento da
orientação (002) para concentrações maiores de argônio pode ser provavelmente
explicado pelo fato de que o argônio é o maior responsável por fornecer energia ao
sistema e, consequentemente favorecer a formação de ligações que necessitam de
mais energia, como é o caso das ligações do tipo B2, no entanto, essa explicação
não é válida para os filmes obtidos com fluxo de argônio maior que 70 sccm, pois a
intensidade da orientação (002) passa a diminuir e outros planos cristalográficos
passam a ser observados, como no caso do filme 80/20 onde além da orientação
(002) ter diminuído outras duas orientações apareceram e no filme 82/18, o material
passa a ser quase que amorfo.
Acredito que esse comportamento se deve ao fato de que argônio em excesso
na mistura gasosa entrega excessiva energia ao sistema, rompendo as ligações
mais fracas do tipo B2, resultando em uma amorfização do filme. Um
comportamento semelhante a esse foi observado por J.P.Kar [81] onde os filmes
depositados com temperaturas entre 200 e 300°C eram mais orientados no eixo c,
ou seja, apresentavam maior orientação (002) que o filme depositado a 400°C.
Tanto o valor da área relativa a cada pico quanto o valor da largura a meia
altura foram obtidos a partir da curva ajustada a cada pico, que no caso dos filmes
fabricados nesse trabalho, a que melhor se ajustou foi uma curva de lorentziana,
como representado na Figura 4-6 para o filme obtido com 70 sccm de argônio.
90
AlN 70/30
(002) lorentziana
10000
Área = 6616 u.arb.

Si o
Intensidade [cps]
Centro = 35,61
(100) o
1000 FWHM = 0,38
100
30 33 36 39 42 45 48 51 54 57 60
2θ
Figura 4-6– Exemplo do ajuste de uma curva lorentziana a um pico de difração de modo a
determinar o tamanho de grão cristalográfico e o grau de cristalização do filme.
Na Tabela 4.2 é apresentado o grau de texturização das diversas orientações e
o tamanho de grão cristalográfico da orientação (002) dos filmes fabricados. Ao
analisarmos essa tabela podemos observar que, apesar do filme 80/20 apresentar
um grande tamanho de grão cristalográfico, seu grau de texturização é menor que
dos filmes 70/30 e 50/50. O tamanho de grão da amostra 50/50 se mostrou maior
que o do filme 70/30, no entanto, apesar do grau de texturização de ambas as
amostras serem iguais, julgando pela intensidade de seus picos, é possível concluir
que a amostra 70/30 apresenta uma maior quantidade de material nessa direção,
uma vez que essas amostras apresentam praticamente a mesma espessura.
Em função desses dados concluo que a composição gasosa composta por 70
sccm de argônio e 30 sccm de nitrogênio favorece mais a deposição de filmes
91
orientados na direção (002), a qual é a que apresenta maior coeficiente
piezoelétrico.
Tabela 4.2 – Grau de texturização na direção, e tamanho de grão na direção (002) dos filmes
fabricados.
Padrão Amostra Amostra Amostra Amostra Amostra
Orientação
amorfo 82/18 80/20 70/30 50/50 30/70
(100) 0,33 -- -- -- -- 0,91
(002) 0,20 1 0,97 1 1 --
(101) 0,26 -- 0,01 -- -- --
(102) 0,08 -- 0,02 -- -- 0,08
(110) 0,13 -- -- -- -- --
Tamanho de grão
108 477 423 493
orientação (002) [Å]
De modo a visualizar como os filmes de AlN crescem, é apresentado na Figura
4-7 duas fotografias de corte transversal de microscopia eletrônica de transmissão
de alta resolução (HRTEM). Nessa figura uma das fotografias (a) é referente a
amostra 30/70 a qual apresentou pouca orientação na direção (002) sendo quase
amorfo, e a outra (b) é referente a amostra 70/30 a qual apresentou o maior
favorecimento de crescimento nessa direção. Ao analisar essas fotografias se nota
claramente que a amostra 70/30 apresenta regiões onde o crescimento se dá de
forma colunar, com um tamanho estimado de grão de aproximadamente 50 nm,
enquanto que a amostra 30/70 apresentou o crescimento pouco orientado, com
alguns pequenos domínios em direções variadas.
92
(a) (b)
50 nm
AlN AlN
Si
Figura 4-7 – Fotos de HRTEM de secção transversal dos filmes 30/70 (a) e 70/30 (b).
4.2.5. Índice de refração
A elipsometria é uma técnica de caracterização que possibilita determinar tanto
o índice de refração quanto a espessura de um filme fino. Essas medidas foram
realizadas em um elipsômetro da Rudolph Research, modelo Auto EL NIR-
3/4D/SS1, existente no Laboratório de Sistemas Integráveis da Escola Politécnica da
Universidade de São Paulo, em um comprimento de onda de 638 nm.
O estudo bibliográfico sobre as características ópticas dos filmes de AlN
indicou que este material apresenta índice de refração em torno de 2,1. No entanto,
como esse valor de índice de refração se encontra justamente no limite superior de
confiabilidade do elipsometro utilizado, outro método para determinar esse
parâmetro do material também foi necessário, de modo a confirmar os dados obtidos
por elipsometria. É nesse sentido que se optou por realizar experimentos de

93
absorção na região do visível, que além de possibilitar o cálculo do índice de
refração também permitem determinar o gap óptico do filme. Essas medidas foram
realizadas em um espectrofotômetro da marca Shimadzu, modelo UV-1650 PC,
pertencente ao Laboratório de Micro Eletrônica da Escola Politécnica da
Universidade de São Paulo.
Na Figura 4-8 é apresentado a variação do índice de refração em função do
fluxo de nitrogênio, nota-se que, com exceção do filme depositado com 18 sccm de
N2, o índice de refração praticamente não variou, dentro do erro experimental, em
função da composição gasosa utilizada, resultado esperado uma vez que também
não foi observada variação significativa na composição química obtida por RBS. O
índice de refração de 2,5 obtido para o filme depositado com 18 sccm de N2 não
representa realmente o índice de refração do material analisado, pois essa
composição gasosa resulta em um filme metálico, para o qual a técnica de
elipsometria não é adequada, no entanto o resultado é apresentado para ilustrar
uma vez mais a região onde ocorre a transição entre os filmes transparentes e
metálicos.
Um programa desenvolvido no nosso grupo de pesquisas por Alvarado [82],
implementado em um software de programação matemática denominado
Mathematica®, foi utilizado para determinar o índice de refração pelo método
proposto por Cisneiros [83] com base nos dados de transmitância na região do
visível. Na Figura 4-9 é apresentado o resultado da variação do índice de refração
em função do comprimento de onda utilizando o programa acima citado, para os
dados de transmitância do filme depositado com um fluxo de 20 sccm de N2. A partir
disso se conclui, mais uma vez assim como na comparação feita entre a taxa de
94
deposição obtida por elipsometria e perfilometria, que os resultados obtidos por
elipsometria para um comprimento de onda de 638 nm são confiáveis.
2,6
Filme Filme
Metálico Transparente
2,5
Índice de refração [u.a.]
2,10
2,05
2,00
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75
Fluxo de Nitrogênio [sccm]
Figura 4-8 – Índice de refração em função da composição gasosa da atmosfera de deposição
obtido por elipsometria.
95
3,6 Filme 80-20
3,4
Índice de refração [u.arb.]
3,2
3,0
2,8
2,6
2,4
(628 ; 2,13)
2,2
2,0
150 300 450 600 750 900 1050 1200
Comprimento de onda [nm]
Figura 4-9– Índice de refração obtido através dos dados de transmitância para o filme fabricado
em uma atmosfera de deposição composta por 20 % de N2 em função do comprimento
de onda.
4.2.6. Espectroscopia na região do visível (Uv-Vis)
Como citado na seção 2.2.5, o gap óptico do AlN é direto, e pode ser estimado
ao se analisar o comportamento do coeficiente de absorção (α) do material.
Na Figura 4-10 é apresentado o coeficiente de absorção em função da energia
do feixe incidente para a amostra 70/30, a qual cristalizou na direção (002), e 30/70,
a qual não apresentou crescimento preferencial nessa direção. Se pode observar
nessa figura que para ambas as amostras há uma saturação do coeficiente de
absorção para energias do feixe incidente maiores que 4,5 eV, o que me leva a
96
poder concluir que o gap óptico desses dois materiais é algo em torno de 4,5 eV, e
que a variação cristalográfica dessas amostras, assim como nos resultados de
índice de refração, não influenciaram nas características ópticas dos materiais
fabricados.
A literatura reporta que o AlN apresenta um gap direto de 6,1 eV, no entanto,
como citado anteriormente, os materiais fabricados nesse trabalho apresentaram um
gap de 4,5 eV, acredito que essa variação possa estar ligada ao grande stress
residual apresentado por essas amostras, a ser apresentado no próximo item, que
faz com que a estrutura cristalina do material se deforme, além de outras
características como defeitos do tipo contorno de grão, entre outros, que fazem com
que o material apresente maior absorção.
70/30
30/70
Coeficiente de absorção [cm ]
-1
10000
1000
100
1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0
h ν [eV]
Figura 4-10 – Coeficiente de absorção em função da energia do feixe incidente para a amostra
70/30
97
4.2.7. Stress residual
Quando o objetivo principal é utilizar filmes finos para aplicações em MEMS é
crucial saber o stress residual desses materiais, pois essa caracterização permite
predizer se ao se retirar o apoio proveniente do substrato a estrutura suspensa irá
permanecer plana ou se curvará. Para calcular o stress residual em função do fluxo
de N2 foi utilizado a equação de Stoney [62] e com uma alavanca óptica determinado
o raio de curvatura do substrato antes e depois de deposição do AlN, ambos
explicados anteriormente na seção 2.2.7. Os resultados do stress residual e sua
dispersão são apresentados na Figura 4-11.
De modo a ter uma melhor estatística e apurar melhor do erro inerente a essa
caracterização, apesar da alavanca óptica obter o raio de curvatura do substrato
utilizando 36 pontos, o que resulta em uma boa estatística, efetuei essa
caracterização em dois substratos diferentes, porém o filme neles depositado foi
obtido ao mesmo tempo, por essa razão apresento nos resultados a seguir dois
pontos para cada fluxo, nomeados de amostra 1 e 2. Ao analisar essa figura
percebe-se que o stress residual não variou muito, dentro do erro experimental, para
os diferentes fluxos de N2, salvo o filme que foi depositado com 30 sccm de N2 , o
qual apresentou o menor stress residual em torno de 1 GPa compressivo. Esse
resultado é muito interessante para as aplicações objetivadas nesse trabalho, pois
foi justamente essa composição gasosa que favoreceu a deposição de um filme com
orientação cristalográfica preferencial (002) e consequentemente, uma maior
probabilidade de apresentar maior piezoeletricidade.
98
Em geral, para a fabricação de estruturas MEMS, é desejado que os materiais
apresentem stress residual o mais próximo possível do nulo, pois como citado no
item 2.2.7, quando o stress residual é muito elevado, defeitos no filme como trincas
ou, no caso da fabricação de microestruturas, envergamento do dispositivo, podendo
causar até mesmo sua ruptura.
Os filmes depositados nesta série, como observado na Figura 4-11,
apresentaram um stress residual muito elevado, fazendo com que, pelas razões
anteriormente expostas, seja necessária sua liberação de alguma forma para
viabilizar a fabricação de microestruturas auto-sustentadas.
0,0
Amostra 1
-0,5 Amostra 2
-1,0
-1,5
Stress [GPa]
-2,0
-2,5
-3,0
-3,5
-4,0
15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
Fluxo de N2 [sccm]
Figura 4-11 – Stress residual em função do fluxo de N2 na mistura gasosa.
Uma das alternativas para se aliviar o stress residual de filmes finos é a
utilização de tratamentos térmicos. Esse processo tem por objetivo fornecer energia
99
térmica aos átomos que formam o material, de modo que, devido ao aumento de sua
energia eles sejam capazes de se acomodar de forma mais ordenada e,
consequentemente, reduzir o stress residual do filme.
O tratamento térmico foi realizado em uma atmosfera composta por 10% de
hidrogênio e o restante por nitrogênio e uma pressão de 30 mTorr, com a amostra
em uma temperatura de 250°C. A função do nitrogênio é manter um ambiente inerte,
de modo que não hajam contaminações por gases residuais presentes na câmera
de tratamento, já o hidrogênio tem por função fundamental reduzir qualquer oxigênio
que possa entrar no sistema por problemas de vedação.
A temperatura de tratamento foi ajustada para 250°C, pois as características
estruturais do filme mudam em temperaturas mais elevadas como citado
anteriormente.
Após 1 hora de tratamento térmico o stress residual dos filmes não diminuiu,
resultado similar foi observado por Hajas et. al [84], onde a diminuição do stress só
ocorreu em 900°C, no entanto nessa situação a morfologia do filme mudou. Ao
realizar o tratamento térmico na mesma temperatura da deposição a estrutura do
filme não muda o que é um aspecto importante, pois se deseja manter a orientação
(002) do material, no entanto mantendo sua estrutura seu stress também não varia.
Como não é possível reduzir o stress residual dos filmes após sua fabricação
com tratamentos térmicos, uma possibilidade que surge é a obtenção de filmes já
livres de stress, para tanto se deve diminuir a energia dos íons incidentes sobre a
superfície do filme, pois esses causam uma re-pulverização dos átomos
depositados, levando a defeitos intersticiais e vacâncias. Dois fatores estão
diretamente relacionados a energia dos íons incidentes, sendo um deles a potência
100
de r.f., a qual deve ser diminuída, e o outro a pressão de processo, que deve ser
aumentada, ambas variações visam diminuir a energia dos íons incidentes [85].
4.2.8. Testes de Corrosão
No processo de fabricação de microestruturas uma etapa que sempre se
encontra presente é a corrosão, seja ela química ou física. Neste tópico descrevo os
testes que foram realizados de modo a identificar os reagentes que podem ser
utilizados para definir estruturas quando o nitreto de alumínio está presente, seja
como material estrutural ou de sacrifício.
Atualmente os materiais mais utilizados como camada estrutural e sacrificial na
fabricação de MEMS no grupo de novos materiais e dispositivos (GNMD) são o
cromo (Cr), carbeto de silício (SiC) e o oxinitreto de silício (SiOxNy) [15,16], os quais
podem ser corroídos por:
• Remoção de cromo: Solução composta por 160 gr. de nitrato cérico amoniacal,
800 ml de água deionizada e 45 ml de acido acético, em temperatura
ambiente (20°C).
• Remoção do carbeto e oxinitreto de silício – Corrosão por plasma reativo (RIE
– reactive plasma etch) realizado em uma atmosfera composta por 40 sccm
de CHF3 e 40 sccm de O2, a 100 mTorr de pressão e uma densidade de
potência de rádio frequência de 221 mW/cm2 sem aquecimento proposital do
substrato.
101
A experiência do GNMD mostrou que o tempo necessário à corrosão total de
um filme de 1 µm de cromo em solução de nitrato cérico amoniacal é de
aproximadamente 2 minutos, já para corrosão de 1 µm em RIE de CHF3 são
necessários cerca de 50 minutos no caso do filme ser de SiC e 30 minutos no caso
do SiOxNy. Os filmes de AlN obtidos foram expostos tanto a solução para remoção
de cromo como ao RIE de CHF3 por 2 horas, e, em ambos os testes, os filmes se
mostraram bastante inertes, com uma taxa de corrosão impossível de ser
determinada, pois o degrau formado entre a região atacada do filme e a parte
protegida, mesmo após as duas horas de teste, foi muito pequeno, ficando dentro da
faixa de imprecisão da medida de perfilometria.
Outra solução química testada foi o hidróxido de tetrametilamônio (TMAH).
Essa solução foi preparada com uma concentração de 10%(wt) em peso,
aproximada para concentração em volume, uma vez que o TMAH apresenta
densidade próxima a da água, em uma temperatura de 80°C. Para proteger uma
parte da superfície e, consequentemente, formar um degrau entre o filme atacado e
o protegido utilizei um filme de cromo.
Na Figura 4-12 é apresentado a espessura de AlN corroído em TMAH em
função do tempo, onde a taxa de corrosão de 16 nm/s foi obtida pelo coeficiente
angular da reta ajustada a esses pontos.
Esses resultados são bastante promissores devido ao fato que mostram que se
pode continuar utilizando a mesma tecnologia que o grupo de novos materiais e
dispositivos já domina, a qual utiliza o cromo como filme de mascaramento/sacrificial
na fabricação de microestruturas.
Na Figura 4-13 apresento duas fotografias obtidas por microscopia eletrônica
de varredura (MEV) mostrando uma linha que foi definida no AlN (70/30) utilizando
102
justamente como filme de mascaramento o cromo, que nesse caso já se encontra
removido. Se observa nessa figura que as laterais da linha se encontram bastante
irregulares, apresentando um aspecto serrilhado. Devido a essa aparência, acredito
que essas irregularidades possam estar relacionadas com o crescimento do filme,
como visto nos resultados de microscopia eletrônica de transmissão, apresenta um
crescimento colunar.
Uma alternativa a utilização de corrosão úmida, que pode apresentar os
inconvenientes da isotropia e tensão superficial dos líquidos, é a corrosão seca, a
qual, para filmes de AlN, pode ser realizada utilizando gases clorados [84].
AlN 70/30
1800
1500 Equação y = a + b*x

coef. angular = 16,12
1200
Espessura [nm]
900
600
300
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Tempo de corrosão [s]
Figura 4-12 – Pontos experimentais da evolução da espessura corroída de AlN em função do
tempo, e reta ajustada aos pontos para determinar sua taxa de corrosão para
TMAH(10%wt) a 80°C.
103
Figura 4-13 – MEV das linhas definidas em AlN por corrosão úmida em TMAH.
O microscópio eletrônico de varredura utilizado foi

foi um nanoSEM 400 da FEI
company, pertencente
ertencente ao laboratório de sistemas integráveis da universidade
unive de
São Paulo.
4.3. Estudo da influência da temperatura de deposição nas características do

AlN (3ª Série de deposições)
O objetivo dessa série de deposições foi verificar a influência da temperatura
de deposição nas propriedades dos filmes de AlN.
A composição gasosa dos filmes fabricados será de 70 sccm de argônio e 30
sccm de nitrogênio. Essa escolha se deve principalmente ao fato de que os filmes
obtidos nessas condições apresentaram menor stress residual e maior cristalização
na direção (002), a qual apresenta maior piezoeletricidade, características essas que
possibilitam a produção de filmes mais apropriados para aplicações em MEMS.
104
Os filmes depositados foram obtidos a temperaturas de 150°, 250° e 350°C, em
uma atmosfera composta de 70% de argônio e 30% de nitrogênio, com uma
densidade de potência de r.f de 1,23 W/cm2 e uma pressão de 2 mTorr.
Os resultados obtidos bem como a discussão de seus resultados serão
apresentados, assim como na 2ª série de deposições, de acordo com a técnica de
caracterização utilizada.
4.3.1. FTIR
Na Figura 4-14 é apresentado os espectros dos filmes de AlN obtidos nas
temperaturas de 150°, 250° e 350°C depositados sobre (a) silício(100) e (b) silício
(111). Para ambos os substratos utilizados se observa somente a presença de uma
única banda de absorção centralizada em 678 cm-1, referente ao modo vibracional
E1(TO) da ligação AlN.
A normalização pela espessura feita nos espectros de FTIR permite comparar
quantitativamente o número relativo de ligações presentes nos filmes analisados,
portanto, podendo relacionar a variação da intensidade do pico com a quantidade
relativa das ligações químicas presentes no material. Partindo do exposto, posso
concluir que a quantidade de ligações do tipo AlN é máxima, para ambos os tipos de
substrato para a temperatura de deposição de 250°C.
105
(a) Si (100) 150 C
o
678
o
250 C
o
350 C
Intensidade [u.arb]
400 600 800 1000 1200 1400 1600

-1
(b) 678 Si 111 150 C
o
o
250 C
o
350 C
Intensidade [u.arb]
400 600 800 1000 1200 1400 1600

-1
Figura 4-14 – Espectros de FTIR do AlN depositados a 150°, 250° e 350°C para substrato de
Si(100) (a), Si(111) (b).
106
Na Figura 4-15 é apresentado uma comparação entre o filme depositado sobre
Si(100) e (111) para a temperatura de 250°C, e se verifica que ambos os espectros
são praticamente iguais, o que nos leva a concluir que aparentemente o tipo de
substrato de silício não influencia nas características do filme depositado a 250°C.
Si (100)
Si (111)
Intensidade [u.arb]
400 600 800 1000 1200

-1
1400 1600
Figura 4-15 – Comparação entre os espectros de FTIR do filme depositado a 250°C sobre Si (100)
e Si (111).
A ordem estrutural dos filmes fabricados foi analisada pela medida da largura a
meia altura (FWHM) da banda de absorção do pico localizado em 678 cm-1 dos
espectros de FTIR e seus resultados são apresentados na Tabela 4.3. Ao analisar
esses resultados se verifica que os filmes depositados a 350°C apresentam uma
maior desordem estrutural comparado com as outras temperaturas de deposição, e
que o filme depositado sobre substrato de silício (100), independente da temperatura
107
de deposição, apresentou um crescimento mais ordenado do que quando
depositado sobre Si (111).
Tabela 4.3 – Largura a meia altura (FWHM) do pico de absorção referente a ligação Al-N
FWHM
150°C 250°C 350°C
-1 -1
Si (100) 104 cm 104 cm 120 cm-1
Si (111) 117 cm-1 108 cm-1 143 cm-1
4.3.2. Taxa de deposição
Na Figura 4-16 são apresentados os resultados da taxa de deposição em
função da temperatura de obtenção dos filmes. Ao analisar essa figura notamos que
a taxa de deposição para os materiais depositados a 150°C e 250°C é igual a
aproximadamente 9 nm/min, enquanto que para 350°C esta em torno de 6 nm/min.
A partir desses resultados concluo que a maior temperatura de deposição faz com
que haja uma maior compactação do filme depositado, no entanto, levando em
consideração somente os resultados de FTIR apresentados, essa maior
compactação acarretou somente um pequeno aumento na desordem estrutural
desses filmes.
108
9,5
9,0
Taxa de deposição [nm/min]
8,5
8,0
7,5
7,0
6,5
6,0
5,5
100 150 200 250 300 350
o
Temperatura de deposição [ C]
Figura 4-16 – Taxa de deposição em função da temperatura de deposição para os filmes
fabricados com 70sccm de argônio e 30 sccm de nitrogênio.
4.3.3. Difração de raios-X
Na Figura 4-17 são apresentados os difratogramas dos filmes obtidos nessa
série de deposições sobre Si (100) e Si (111). Ao analisar esses difratogramas se
nota que em ambos os substratos os filmes apresentaram um comportamento
semelhante, onde a temperatura de deposição de 250°C foi a que mais favoreceu,
quase que exclusivamente, o crescimento do filme na orientação (002), que ocorre
em 35,9° [55].
Nas amostras depositadas a 150°C, se observa que para ambos os substratos,
além da orientação (002), também se verifica a presença da (102), e quando

109
depositado sobre Si (111) observa a (100). É muito provável que essa orientação
esteja presente no filme depositado sobre Si (100), no entanto, devido a presença de
uma reflexão do substrato justamente na posição onde essa reflexão ocorre há o
mascaramento desse pico.
O comportamento dos filmes depositados nessa temperatura é muito
semelhante ao da amostra 80/20, apresentado no item 4.2.4, pois, em ambos os
casos, se observa a orientação (102), se refere a transição entre a orientação (002)
e (100). Entretanto, na amostra 80/20 a presença dessa orientação pode ser
atribuída à excessiva presença dos íons altamente energéticos de argônio, os quais
rompem as ligações mais fracas do tipo B2, já no caso das amostras 70/30
depositadas a 150°C, a presença da orientação (102) talvez possa ser atribuída a
baixa energia do sistema, ou melhor, a baixa mobilidade dos átomos sobre a
superfície do substrato fazendo com que átomos com menor atração, como é o caso
das ligações do tipo B2, não se encontrem, impossibilitando sua ligação química.
As amostras depositadas a 350°C apresentaram uma grande amorfização,
como pode se observar pela presença de um único pico pouco intenso e largo em
35,1°, o qual, mesmo havendo uma discrepância em torno de 1° de seu valore
específico que é em 36,0°, talvez possa ser referente a orientação (002) do AlN.
Acredito que esse comportamento possa ser atribuído, assim como na amostra
30/70 analisada na 2° série de deposições, ao fato dos cristais serem pequenos. A
partir desses resultados concluo que a alta energia (temperatura) do substrato
quebre tanto as ligações B1 quanto B2, amorfizando assim o material.
110
(a) 70/30 sobre Si(100) 150 C
0
AlN
(002) 0
250 C
10000
0
350 C
Substrato
Intensidade [cps]
Si Si(100)
1000
100
AlN
(102)
10
30 33 36 39 42 45 48 51 54 57 60
2θ
(b) AlN 70/30 sobre Si(111) 0

150 C
(002) 0
250 C
0
350 C
Substrato
1000
Intensidade [cps]
Si(111)
100 AlN
(100)
AlN Si
(102)
10
30 33 36 39 42 45 48 51 54 57 60
2θ
Figura 4-17 – Difratogramas das amostras depositadas sobre (a) Si (100) e (b) Si (111) a 150°,
250° e 350°C.
111
Na Figura 4-18 são apresentados os difratogramas das amostras depositadas a
250°C sobre silício (100) e (111), onde se observa que ambos os substratos
favoreceram, quase que exclusivamente, o crescimento da orientação (002) do AlN,
sendo o difratograma do filme depositado sobre Si (100) com um pico de maior
intensidade, o que me leva a acreditar que exista uma maior quantidade de material
depositado nessa orientação sobre esse substrato, uma vez que ambas as amostras
apresentam a mesma espessura.
AlN Si (111)
(002) Si (100)
10000
Intensidade [cps]
Si
1000
100
Si
AlN
10 (100)
30 35 40 45 50 55 60
2θ
Figura 4-18 – Comparação entre os difratogramas de AlN depositado sobre Si (100) e Si (111).
Na Tabela 4.4 é apresentado o tamanho de grão cristalográfico e o grau de
texturização da orientação (002) dos filmes fabricados. Ao analisar essa tabela, se
observa que os filmes depositados a 150° e 250°C apresentaram praticamente o
mesmo tamanho de grão cristalográfico, já o grau de texturização da amostra
depositada a 150°C, devido a presença de outras orientações nesse filme, é menor

112
do que quando depositado a 250°C. Outro aspecto que se observa é que, apesar de
apresentar uma quantidade menor de material na direção (002), quando depositado
sobre Si (111), os filmes apresentaram um maior tamanho de grão cristalográfico.
Tabela 4.4 – Grau de texturização e tamanho de grão cristalográfico na direção (002) dos filmes
fabricados sobre Si (100) e Si (111).
Si (100) Si (111)
Tamanho de 150° 250° 350° 150° 250° 350°
grão
orientação 558 554 215 627 630 302
(002) [Å]
Texturização 0,92 1 1 0,88 0,99 0,84
4.4. Determinação do coeficiente piezoelétrico de carga dos Filmes de AlN
Como citado no item 2.2.8, a piezoeletricidade dos filmes de nitreto de alumínio
fabricados nesse trabalho foi obtida por um método indireto, baseando-se na
medição da capacitância de um capacitor de placas paralelas com dielétrico de AlN
que se deseja caracterizar. O coeficiente piezoelétrico de carga é extraído a partir da
aplicação de um campo elétrico externo, que faz com que a espessura do dielétrico
variando assim sua capacitância.
Paralelamente aos capacitores fabricados com dielétrico piezoelétrico foram
fabricados capacitores de placas paralelas utilizando óxido de silício (SiO2) como
dielétrico, material esse que não é piezoelétrico logo sua capacitância não deveria
variar com a aplicação de um campo elétrico externo. Essa experiência foi realizada
113
de modo a verificar como efeitos secundários como, por exemplo, resistência série
dos contatos elétricos poderia afetar os resultados posteriores.
Na Figura 4-19 é apresentado a curva da capacitância em função da tensão
elétrica aplicada entre as placas do capacitor fabricado com dielétrico de SiO2. Se
verifica nessa figura que a capacitância variou somente 0,5% entre 0 e 17 volts, o
que vai de acordo com o esperado, uma vez que o SiO2 não é piezoelétrico, outra
característica interessante de se observar é que a maior parte da variação de
capacitância ocorreu entre 0 e 6 volts, estabilizando para valores maiores de tensão.
Com esses resultados pude, portanto, aferir experimentalmente qual é o erro
associado a essa medida devido a efeitos secundários, e principalmente a região
onde esses efeitos são mais pronunciados.
Na Figura 4-20 é apresentado a curva da capacitância em função da tensão
elétrica aplicada entre as placas do capacitor fabricado com dielétrico de AlN. Se
nota claramente nessa figura a variação da capacitância em função da tensão, que
entre 0 e 16 volts variou 2% e que praticamente o filme não apresenta histerese.
Outro aspecto que se nota nessa figura é que a capacitância praticamente não
variou entre 0 e 6 volts, resultado esse que não era esperado para um material
piezoelétrico, esse comportamento provavelmente está relacionado a maior
influência dos efeitos secundários nessa região como observado no capacitor
fabricado com dielétrico de SiO2.
Aplicando a teoria descrita em 2.2.8 para determinar o coeficiente piezoelétrico
d33, obtive um coeficiente piezoelétrico de carga d33 em torno de 0,5 ± 0,1 pm/V.
114
61,6
Dielétrico de SiO2
61,4
61,2
Capacitância [pF]
61,0
60,8
60,6
60,4
60,2
60,0
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Tensão [V]
Figura 4-19 – Variação da capacitância em função da tensão aplicada entre as placas de um
capacitor de placas paralelas utilizando o SiO2 como dielétrico.
51,2
Incremento de tensão
51,0 Decremento de tensão
50,8
Capacitância [pF]
50,6
50,4
50,2
50,0
49,8
49,6
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Tensão [V]
Figura 4-20 – Variação da capacitância em função da tensão aplicada entre as placas de um
capacitor de placas paralelas utilizando o AlN como dielétrico.
115
É reportado na literatura que o AlN bulk apresenta um d33 de 5,7 pm/V, acredito
que essa diferença de uma ordem de grandeza entre os resultados obtidos nesse
trabalho e o reportado na literatura, se deva ao fato de que os filmes de AlN
fabricados não são mono ou poli-cristalinos mas sim nano ou micro-cristalinos, com
um tamanho de grão cristalográfico de aproximadamente 55 nm, reduzindo assim a
piezoeletricidada equivalente, a qual é dependente da relação entre o material
amorfo e o cristalino. Outra característica que também pode estar afetando a
resposta piezoelétrica dos filmes fabricados é o fato deles apresentarem muitos
defeitos em sua superfície, causados pelo acúmulo de particulados provenientes do
ar atmosférico que se depositam sobre o substrato limpo durante seu manuseio,
como pode ser apreciado na fotografia do capacitor utilizado na caracterização da
piezoeletricidade do AlN, apresentada na Figura 4-21,onde é destacada a presença
de defeitos em sua superfície. Dentre os inconvenientes gerados por esses defeitos
na caracterização da piezoeletricidade do AlN, valores de polarização maiores que
18 V rompem o dielétrico.
116
Figura 4-21 – Vista superior do capacitor fabricado para o estudo da piezoeletricidado do
d AlN. Os
círculos destacam
stacam a presença de defeitos em sua superfície.
superfície
117
CAPÍTULO 5 - CONSIDERAÇÕES FINAIS
Neste capitulo são apresentadas as principais conclusões desse trabalho, bem
como questões que ficaram em aberto e que poderiam ser a base para o início de
novos trabalhos de pesquisa.
5.1. Conclusões
Os resultados apresentados nesse trabalho mostram que de um modo geral ao
aumentar a concentração de argônio e, consequentemente, diminuir a de nitrogênio,
na composição gasosa da atmosfera de deposição, os filmes apresentam
características mais interessantes para as aplicações desejadas como, por exemplo,
maior taxa de deposição, aumento da quantidade relativa de ligações do tipo Al-N e
principalmente o aparecimento da orientação cristalográfica (002), a qual é a que
apresenta maior coeficiente piezoelétrico.
Para concentrações de argônio maiores que 80%, o filme passou a apresentar
caráter metálico com uma composição química rica em alumínio e um aspecto visual
que deixou de ser transparente, sendo essa transição entre transparente e
absorvente, ou melhor, entre estequiométrico e rico em alumínio, bastante abrupta.
Características como composição química, índice de refração e gap óptico não
variaram significativamente para a faixa de composição gasosa em que os filmes se
apresentaram visualmente transparentes.
118
O filme depositado com 70 sccm de argônio e 30 sccm de N2 foi o que
apresentou as melhores características, pois foi tanto o que apresentara a maior
quantidade de ligações do tipo Al-N quanto a maior orientação (002). O stress
residual dessa composição gasosa também se destacou, pois foi o menor dentre as
outras composições gasosas. Porém, apesar de ter apresentado o menor stress
residual, seu valor de 1GPa ainda é um valor de stress muito elevado, o que indica a
necessidade de realizar alguma mudança nos parâmetros de processo para que o
filme já seja obtido com baixo stress, pois o tratamento térmico não foi capaz de
reduzi-lo.
No estudo realizado sobre a influência da temperatura de deposição nas
características dos filmes de AlN, observei que quando depositados a 250°C os
filmes apresentam as melhores características para as aplicações desejadas.
Temperaturas de deposição menores que 250°C resultaram em filmes com menor
orientação na direção (002), além de apresentar também a orientação (100).
Temperaturas maiores que 250°C resultaram na amorfização do filme.
Foram analisadas as propriedades dos filmes quando depositado sobre Si
(100) e Si (111) e verificou-se que suas características pouco variaram, salvo o fato
de que ao crescerem sobre Si (100) os filmes apresentaram um tamanho de grão
cristalográfico da orientação (002) um pouco maior.
Os filmes apresentaram uma constante piezoelétrica de carga d33 em torno de
0,5 pm/V, a qual é uma ordem de grandeza menor que o reportado na literatura para
AlN bulk, acredito que essa menor resposta piezoelétrica seja resultado da poli ou
nano-cristalização do filmes fabricados.
119
5.2. Sugestões para trabalhos futuros
Esse trabalho mostrou que os filmes de AlN fabricados apresentaram um alto
stress residual, dificultando a obtenção das estruturas suspensas necessárias na
fabricação de sensores e atuadores, sendo assim, um estudo a ser continuado seria
variar parâmetros de processo tais como pressão de processo, potência de r.f. e
distância entre o porta amostra e o alvo de alumínio, de modo a diminuir a energia
dos íons incidentes, reduzindo assim o stress residual dos filmes fabricados.
Outro aspecto que pode ser estudado é a melhora do coeficiente piezoelétrico
de carga, o qual ficou uma ordem de grandeza menor do que o reportado na
literatura para o material bulk, para tanto, mudanças nos parâmetros de deposição e
no processo de limpeza do substrato devem ser modificadas, de modo a aumentar a
porcentagem de material cristalino e reduzir a presença de particulados provenientes
do ar atmosférico. Uma alternativa para a caracterização da piezoeletricidade é a
difração de raios-X para verificar a variação do parâmetro de rede dos cristais de
AlN na presença de um campo elétrico, experiência essa que foi vislumbrada nesse
trabalho, no entanto, inviabilizada pela presença de particulados provenientes do
manuseio do substrato nos filmes fabricados, fazendo com que os eletrodos superior
e inferior necessários à aplicação do campo elétrico no filme de AlN, as quais nesse
experimento devem ser de pelo menos 10x10 mm para que o feixe de raios-X incida
sobre a amostra, entrassem em curto circuito.
Outro aspecto que fica em aberto é utilizar esse material na fabricação de
estruturas suspensas simples como, por exemplo, pontes e cantilevers, de modo a
identificar os processos de fabricação necessários na fabricação de MEMS.
120
ARTIGOS DECORRENTES
- M.V.Pelegrini and I.Pereyra “Study of a-Si1-XCX:H Thin Films Obtained by

PECVD in Temperatures Lower than 250°C Aiming Applications in Optics, Thin
Films Devices on Polymeric Substrate and MEMS”. ECS Transactions 23 (2009)
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- M.V.Pelegrini, G.P.Rehder and I.Pereyra “A-SiC:H Films Deposited by PECVD

for MEMS Applications” Phys. Status Solidi C 7, (2010). 786.
- M.V.Pelegrini and I. Pereyra “Characterization of AlN films deposited by r.f.

reactive sputtering aiming MEMS applications” Phys. Status Solidi C 7, No. 3–4,
(2010) 840.
- M.V.Pelegrini, D.O.Carvalho, M.I.Alayo and I. Pereyra “AlN anti-resonant layer

ARROW waveguides”, Proc. of SPIE Vol. 7598 75981X-1 (2010).
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127

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MARCUS VINÍCIUS PELEGRINI

ESTUDO DE MATERIAIS PIEZOELÉTRICOS DA FAMÍLIA III-V

OBTIDOS POR SPUTTERING REATIVO VISANDO SUA APLICAÇÃO

ESTUDO DE MATERIAIS PIEZOELÉTRICOS DA FAMÍLIA III-V

OBTIDOS POR SPUTTERING REATIVO VISANDO SUA APLICAÇÃO

Dissertação apresentada à Escola

ESTUDO DE MATERIAIS PIEZOELÉTRICOS DA FAMÍLIA III-V

OBTIDOS POR SPUTTERING REATIVO VISANDO SUA APLICAÇÃO

Dissertação apresentada à Escola

Área de concentração: Microeletrônica

Orientadora: Profª. Titular

São Paulo, de agosto de 2010.

Assinatura do autor ___________________________

Assinatura do orientador _______________________

Pelegrini, Marcus Vinícius

Dissertação (Mestrado) - Escola Politécnica da Universidade

1. Engenharia elétrica 2. Microeletrônica 3. Processos de mi-

Aos meus amados pais Reynaldo

À professora Inés Pereyra pela orientação, estímulo e principalmente pelas

inúmeras conversas, tanto ligadas a assuntos profissionais quanto pessoais, que

muito me auxiliaram no crescimento profissional e pessoal obtido durante esses dois

anos de trabalho de mestrado.

Gustavo, Valentina e Giovana, e a minha namorada Lígia Fernandes por serem

parte tão importante a minha vida.

pela ajuda na interpretação dos resultados.

Aos amigos do grupo de Novos Materiais e Dispositivos Dra. Katia Franklin,

Ao chefe da manutenção do laboratório Pedro Cruz pelas diversas idéias que

muito me ajudaram a desenvolver esse trabalho de mestrado.

Ao pessoal da sala limpa do Laboratório de Microeletrônica: Cristina, João,

Marco, Rita e Tereza, pelo precioso apoio no processamento em sala limpa.

Marques e Camila Previatti que mesmo sem poder me ajudar tecnicamente, me

escutaram, e muito, nos momentos de dificuldade deste projeto.

À FAPESP e ao CNPq pelo apoio financeiro.

cada homem é uma partícula do

continente, uma parte da terra... E por

isso não perguntes por quem os sinos

dobram; eles dobram por ti”

Neste trabalho, apresento um estudo sobre a fabricação e caracterização

físico-química de filmes finos de nitreto de alumínio (AlN) obtidos pela técnica de

de alumínio puro. Visto que o AlN é um material que apresenta piezoeletricidade e

compatibilidade com a tecnologia MOS, o objetivo principal desse trabalho é definir

os parâmetros de processo de deposição que resultem em um material com

sistemas micro eletromecânicos (MEMS).

O estudo da influência dos parâmetros de processo foi realizado em três

etapas. Na primeira realizei um estudo preliminar sobre a influência da pressão de

processo e potência de r.f. Na segunda etapa realizei um estudo sobre a influência

químicas do material. Na 3º etapa estudei o efeito da temperatura de deposição nas

características do filme que apresentou as propriedades mais propícias para

Propriedades como índice de refração, composição química e stress residual

não apresentaram grandes variações com a mudança da composição gasosa da

atmosfera de deposição, no entanto, os resultados de difração de raios-X mostraram

como sensor/atuador na fabricação de MEMS. No estudo sobre o efeito da

melhores propriedades para as aplicações em MEMS desejadas.

Para finalizar o trabalho a constante piezoelétrica de carga foi obtida utilizando

capacitores de placas paralelas de molibdênio e o AlN como dielétrico, obtendo um

coeficiente piezoelétrico de carga d33 de 0,5 pm/V.

Palavras chave: Nitreto de alumínio. Sputtering reativo. Piezoeletricidade e

I present a study on the production and physicochemical characterization of

an actuator / sensor in micro electromechanical systems (MEMS).