Lecture 2

OUTLINE
• Basic Semiconductor Physics (cont’d)
– Carrier drift and diffusion
• PN Junction Diodes
– Electrostatics
– Capacitance

Reading: Chapter 2.1‐2.2

EE105 Spring 2008 Lecture 1, Slide 1
Lecture 2, Slide 1 Prof. Wu, UC Berkeley
 Dopant Compensation
• An N‐type semiconductor can be converted into P‐
type material by counter‐doping it with acceptors 
such that NA > ND.
• A compensated semiconductor material has both 
acceptors and donors.
N‐type material P‐type material
(ND > NA) (NA > ND)
n ≈ ND − N A p ≈ N A − ND
2 2
ni ni
p≈ n≈
ND − N A N A − ND
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Types of Charge in a Semiconductor
• Negative charges:
– Conduction electrons (density = n)
– Ionized acceptor atoms (density = NA)
• Positive charges:
– Holes (density = p)
– Ionized donor atoms (density = ND)

• The net charge density (C/cm3) in a semiconductor is

ρ = q( p − n + N D − N A )
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 Carrier Drift
• The process in which charged particles move because 
of an electric field is called drift.  
• Charged particles within a semiconductor move with 
an average velocity proportional to the electric field.
– The proportionality constant is the carrier mobility.
→ →
Hole velocity vh = μ p E
→ →
Electron velocity ve = − μ n E
Notation:
μp ≡ hole mobility (cm2/V∙s)
μn ≡ electron mobility (cm2/V∙s)
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 Velocity Saturation
• In reality, carrier velocities saturate at an upper limit, 
called the saturation velocity (vsat).

μ0
μ=
1 + bE
μ0
vsat =
b
μ0
v = E
μ0 E
Esat ≈ 104 V/cm 1+
vsat

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 Drift Current
• Drift current is proportional to the carrier velocity 
and carrier concentration:

vh t A = volume from which all holes cross plane in time t

p vh t A = # of holes crossing plane in time t
q p vh t A = charge crossing plane in time t
q p vh A = charge crossing plane per unit time = hole current
Î Hole current per unit area (i.e. current density) Jp,drift = q p vh
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 Conductivity and Resistivity
• In a semiconductor, both electrons and holes 
conduct current:
J p ,drift = qpμ p E J n ,drift = −qn(− μ n E )
J tot ,drift = J p ,drift + J n ,drift = qpμ p E + qnμ n E
J tot ,drift = q ( pμ p + nμ n ) E ≡ σE
• Conductivity
σ ≡ qp μ p + qnμn [unit: mho/cm = S/cm]
• Resistivity 1
ρ≡ [Unit: Ω-cm]
σ
• Typical resistivity range for Si: 10‐3 ~ 103 Ω‐cm
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 Resistivity Example
• Estimate the resistivity of a Si sample doped with phosphorus 
to a concentration of 1015 cm‐3 and boron to a concentration 
of 1017 cm‐3.  The electron mobility and hole mobility are 800 
cm2/Vs and 300 cm2/Vs, respectively.

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 Electrical Resistance
V
I _
+
W
t
homogeneously doped sample

V L
Resistance R≡ =ρ (Unit: ohms)
I Wt

where ρ is the resistivity

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 Carrier Diffusion
• Due to thermally induced random motion, mobile 
particles tend to move from a region of high 
concentration to a region of low concentration.  
– Analogy: ink droplet in water 
• Current flow due to mobile charge diffusion is 
proportional to the carrier concentration gradient.
– The proportionality constant is the diffusion constant.
dp
J p = −qD p
dx
Notation:
Dp ≡ hole diffusion constant (cm2/s)
Dn ≡ electron diffusion constant (cm2/s)
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 Diffusion Examples
• Linear concentration profile • Non-linear concentration profile
Æ constant diffusion current Æ varying diffusion current
⎛ x⎞ −x
p = N ⎜1 − ⎟ p = N exp
⎝ L⎠ Ld

dp dp
J p ,diff = −qD p J p ,diff = −qD p
dx dx
N qD p N −x
= qD p = exp
L Ld Ld
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 Diffusion Current
• Diffusion current within a semiconductor consists of 
hole and electron components:
dp dn
J p ,diff = −qD p J n ,diff = qDn
dx dx
dn dp
J tot ,diff = q ( Dn − Dp )
dx dx
• The total current flowing in a semiconductor is the 
sum of drift current and diffusion current:
J tot = J p ,drift + J n ,drift + J p ,diff + J n ,diff

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 The Einstein Relation
• The characteristic constants for drift and diffusion 
are related:
D kT
=
μ q

kT
≅ 26mV
• Note that                            at room temperature 
(300K) q
– This is often referred to as the “thermal voltage”.

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 The PN Junction Diode
• When a P‐type semiconductor region and an N‐type 
semiconductor region are in contact, a PN junction 
diode is formed.  V D
– +

ID

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 Diode Operating Regions 
• In order to understand the operation of a diode, it is 
necessary to study its behavior in three operation 
regions:  equilibrium, reverse bias, and forward bias.

VD = 0 VD < 0 VD > 0

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Carrier Diffusion across the Junction
• Because of the difference in hole and electron 
concentrations on each side of the junction, carriers 
diffuse across the junction:

Notation:
nn ≡ electron concentration on N‐type side (cm‐3)
pn ≡ hole concentration on N‐type side (cm‐3)
pp ≡ hole concentration on P‐type side (cm‐3)
np ≡ electron concentration on P‐type side (cm‐3)

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 Depletion Region
• As conduction electrons and holes diffuse across the 
junction, they leave behind ionized dopants.  Thus, a 
region that is depleted of mobile carriers is formed.
– The charge density in the depletion region is not zero.
– The carriers which diffuse across the junction recombine 
with majority carriers, i.e. they are annihilated.

quasi- quasi-
neutral neutral
region width=Wdep region
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 The Depletion Approximation
In the depletion region on the N side:
dE ρ qN D
= = Gauss’s Law
dx ε si ε si

E=
qN D
(x + b ) ε si = 1012 F/cm
ε si
ρ(x) In the depletion region on the P side:
qND
dE ρ − qN A
a = =
dx ε si ε si
-b x
-qNA
E=
qN A
(a − x )
ε si
aN A = bN D
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 Potential Distribution
• In the depletion region, the electric potential is 
quadratic since the electric field is linear
• The potential difference between the N and the P 
side is called built‐in potential, V0

dV V(x)
E=− V0
dx
V = − ∫ E ⋅ dx
-b a x
0

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 PN Junction in Equilibrium
• In equilibrium, the drift and diffusion components of 
current are balanced; therefore the net current 
flowing across the junction is zero.

J p ,drift = − J p ,diff
J n ,drift = − J n ,diff

J tot = J p ,drift + J n ,drift + J p ,diff + J n ,diff = 0

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 Built‐in Potential, V0
• Because of the electric field in the depletion region, 
there exists a potential drop across the junction:
dp ⎛ dV ⎞ dp −b a
qp μ p E = qD p ⇒ pμ p ⎜ − ⎟ = Dp
dx ⎝ dx ⎠ dx
a pp
dp
⇒ − μ p ∫ dV =D p ∫
−b pn
p
Dp kTpp NA
⇒ V (−b) − V (a) = ln = ln 2
μ p pn q ( ni / N D )

kT N A N D
V0 = ln 2 (Unit: Volts)
q ni
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 Built‐In Potential Example
• Estimate the built‐in potential for PN junction below.
N P

ND = 1018 cm-3 NA = 1015 cm-3

kT ⎛ N D N A ⎞ ⎛ 10181015 ⎞
V0 = ln ⎜ 2 ⎟ = ( 26mV ) ln ⎜ 20 ⎟ = ( 26mV ) ln (1013
)
q ⎝ ni ⎠ ⎝ 10 ⎠
kT
Note: ln(10) ≅ 26mV × 2.3 ≅ 60mV
q
V0 = 60mV ×13 = 780mV
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 PN Junction under Reverse Bias 
• A reverse bias increases the potential drop across the 
junction.  As a result, the magnitude of the electric field 
increases and the width of the depletion region widens.

2ε si ⎛ 1 1 ⎞
Wdep = ⎜⎜ + ⎟⎟(V0 + VR )
q ⎝ N A ND ⎠

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 Diode Current under Reverse Bias
• In equilibrium, the built‐in potential effectively 
prevents carriers from diffusing across the junction.
• Under reverse bias, the potential drop across the 
junction increases; therefore, negligible diffusion 
current flows.  A very small drift current flows, limited 
by the rate at which minority carriers diffuse from the 
quasi‐neutral regions into the depletion region.

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 PN Junction Capacitance
• A reverse‐biased PN junction can be viewed as a 
capacitor.  The depletion width (Wdep) and hence the 
junction capacitance (Cj) varies with VR.  

ε si
Cj =
Wdep
[F/cm 2 ]

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 Voltage‐Dependent Capacitance

C j0
Cj =
VR
1+
V0
ε si q N A N D1
VD C j0 =
2 N A + N D V0

εsi ≅ 10‐12 F/cm is the permittivity of silicon

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 Reverse‐Biased Diode Application
• A very important application of a reverse‐biased PN 
junction is in a voltage controlled oscillator (VCO), 
which uses an LC tank.  By changing VR, we can 
change C, which changes the oscillation frequency.

1 1
f res =
2π LC

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 Summary
• Current flowing in a semiconductor is comprised of drift 
dn dp
and diffusion components: J tot = qpμ p E + qnμ n E + qDn − qD p
dx dx
• A region depleted of mobile charge exists at the junction 
between P‐type and N‐type materials.
– A built‐in potential drop (V0) across this region is established 
by the charge density profile; it opposes diffusion of carriers 
across the junction.  A reverse bias voltage serves to enhance 
the potential drop across the depletion region, resulting in 
very little (drift) current flowing across the junction.
– The width of the depletion region (Wdep) is a function of the 
bias voltage (VD).
2ε si ⎛ 1 1 ⎞
⎟⎟(V0 − VD )
kT N A N D
Wdep = ⎜⎜ + V0 = ln 2
q ⎝ N A ND ⎠ q ni
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