IGBT
 Nominal akımı 1200 A ve maksimum gerilimi 3300 V olan IGBT modülü (IGBT'ler ve serbest diyotlar) | |
| Çalışma ilkesi | Yarı iletken |
|---|---|
| İcat edilme | 1959 |
| Elektronik sembol | |
  IGBT şematik sembolü | |
IGBT(Açılımı: insulated-gate bipolar transistor), elektronik devre elemanını sürerken mosfet gibi, (voltaj kontrollü) iş yaparken bipolar transistör (yüksek akım) gibi davranır.
Bir devre yardımıyla açıp kapatabileceğiniz bir diyot gibi, gate ucu ile kontrol edebileceğiniz triak gibi ya da yine gate ile kontrol edebileceğiniz bir mosfet transistor gibi kullanabilirsiniz.