QUINTO INFORME DE LABORATORIO

“PARÁMETROS Y AUTOPOLARIZACIÓN DEL FET”

APELLIDOS Y NOMBRES:
Ypanaque Segovia, Bryam Eduardo 20170078E
Babilonia Risco, Adriana 20162603G
Bravo Benites, Karen Alexandra 20172144E

DOCENTE:
Ing. Robinson Arévalo Macedo

CURSO-SECCIÓN:
Análisis y Diseño de Circuitos Electrónicos – ML 831 – B

INSTITUCIÓN:
Universidad Nacional de Ingeniería

FECHA DE REALIZACIÓN DEL EXPERIMENTO:

27-05-2019

FECHA DE PRESENTACIÓN:
03-05-2019

2019 - I
 Facultad de Ingeniería Mecánica
2019-I

ÍNDICE

1. OBJETIVOS……….……………………...…..……....…......……………………………………..……….2

2. FUNDAMENTO TEÓRICO..………..……………………...……………..…..…………………..……….2

4. MATERIALES..……….……………………….………………..…..…………………..…………………..7

5. PROCEDIMIENTOS Y RESULTADOS..……..…………………………………..…..………………….7

5.1. RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA.….…….…………………………………………..……….7

5.2. RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA....……………………….……………..…..……….10

6. CONCLUSIONES Y OBSERVACIONES..…………......…………………..……………..…..……….12

7. REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS..……….…………………………..…..……..…………..……….12

1. OBJETIVOS:

● Obtiene los parámetros y curva de transconductancia del JFET.

1
 Facultad de Ingeniería Mecánica
2019-I

● Comprueba la auto polarización del mismo.

2. FUNDAMENTO TEÓRICO [2]:

CONSTRUCCIÓN Y CARACTERÍSTICAS DE LOS JFET

El JFET es un dispositivo de tres terminales controlado por voltaje, con una terminal capaz de
controlar la corriente entre las otras dos. Los FET son más estables a la temperatura que los BJT, y
en general son más pequeños que los BJT, lo que los hace particularmente útiles en chips de circuitos
integrados (CI).

La construcción básica del JFET de canal n se muestra en la figura 1. La parte principal de la

estructura es el material tipo n, el cual forma el canal entre las capas incrustadas de material p. La
parte superior del canal tipo n está conectada mediante un contacto óhmico a un material conocido
como drenaje (D), en tanto que el extremo inferior del mismo material está conectado mediante un
contacto óhmico a una terminal conocida como fuente (S). Los dos materiales tipo p están
conectados entre sí y a la terminal de compuerta (G). En esencia, por consiguiente, el drenaje y la
fuente están conectados a los extremos del canal tipo n y la compuerta a las dos capas de material
tipo p.

Sin potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n en condiciones sin polarización. El resultado
es una región de empobrecimiento en cada unión, como se muestra en la figura 1, la cual se asemeja
a la misma región de un diodo en condiciones sin polarización. Recuerde también que una región de
empobrecimiento no contiene portadores libres, y por consiguiente es incapaz de conducir.

Figura 1. Transistor de efecto de campo de unión (JFET).

En la figura 2 se tiene la curva de características de los JFET canal n, haciendo mucho más fácil su
análisis.

2
 Facultad de Ingeniería Mecánica
2019-I

Figura 2. Características de un canal n con IDSS = 8 mA y Vp = - 4 V.

De esta gráfica tenemos que:

 La corriente máxima se define como IDSS y ocurre cuando VGS = 0 y VDS ≥ |Vp|, en la región
óhmica.
 Para los voltajes de la compuerta a la fuente VGS menores que (más negativos que) el nivel
de estrangulamiento, la corriente de drenaje es de 0 A (ID = 0 A), esta es la región de corte.
 Para todos los niveles de VGS entre 0 V y el nivel de estrangulamiento, la corriente ID oscilará
entre IDSS y 0 A, respectivamente. A esta la llamamos la región de saturación.

MOSFET TIPO EMPOBRECIMIENTO

Hay tres tipos de FET: JFET, MOSFET y MESFET. Los MOSFET se dividen aún más en tipo
empobrecimiento y tipo enriquecimiento. Los términos empobrecimiento y enriquecimiento definen
su modo básico de operación; el nombre MOSFET significa transistor de efecto de campo
semiconductor de oxido metálico. En un MOSFET tipo empobrecimiento, sus características son
parecidas a las de un JFET entre las condiciones de corte y saturación con IDSS y también
adicionalmente tiene las características que se extienden hasta la región de polaridad opuesta de
VGS.

CONSTRUCCIÓN BÁSICA

La construcción básica del MOSFET tipo empobrecimiento de canal n aparece en la figura 3. Se

forma una placa de material tipo p a partir de una base de silicio y se conoce como sustrato. Es la
base sobre la cual se construye el dispositivo. La mayoría de los dispositivos individuales cuentan
con una terminal adicional etiquetada SS, lo que produce un dispositivo de cuatro terminales, como
el de la figura 3. La fuente y el drenaje están conectados mediante contactos metálicos a regiones
tipo n dopadas vinculadas a un canal n como se muestran en la figura. También la compuerta está
conectada a una superficie de contacto metálica, aunque permanece aislada del canal n por una
capa de bióxido de silicio (SiO2) muy delgada. El SiO2 es un tipo de aislante conocido como

3
 Facultad de Ingeniería Mecánica
2019-I

dieléctrico, el cual establece campos eléctricos opuestos dentro del dieléctrico cuando se expone a
un campo externamente aplicado. El hecho de que la capa de SiO2 sea una capa aislante significa
que: No hay una conexión eléctrica entre la terminal de compuerta y el canal de un MOSFET.

Además, la capa aislante de SiO2 en la construcción de un MOSFET es la responsable de la muy

deseable alta impedancia de entrada del dispositivo.

Figura 3. MOSFET tipo empobrecimiento de canal n.

Cuando el voltaje de la compuerta a la fuente se ajusta a 0 V por la conexión directa de una terminal
a la otra y se aplica un voltaje VDS del drenaje a la fuente. El resultado es la atracción del potencial
positivo en el drenaje por los electrones libres del canal n y la corriente semejante a la que se
establece a través del canal del JFET. De hecho, la corriente resultante con VGS = 0 V se sigue
etiquetando IDSS, como se muestra en la figura 4.

Figura 4. Características de drenaje y transferencia de un MOSFET tipo empobrecimiento

de canal n.

4
 Facultad de Ingeniería Mecánica
2019-I

MOSFET TIPO ENRIQUECIMIENTO

Las características del MOSFET tipo enriquecimiento son muy diferentes de cualesquiera otras
obtenidas hasta ahora. La curva de transferencia no está definida por la ecuación de Shockley y la
corriente de drenaje ahora es la de corte hasta que el voltaje de la compuerta a la fuente alcance
una magnitud específica. En particular, el control de corriente en un dispositivo de canal n ahora se
ve afectado por un voltaje positivo de la compuerta a la fuente en lugar de por los voltajes negativos
encontrados en los JFET de canal n y en los MOSFET tipo empobrecimiento de canal n.

La construcción básica del MOSFET tipo enriquecimiento de canal n es similar a la de

empobrecimiento, con la diferencia de la ausencia de un canal como componente construido del
dispositivo.

Las características de transferencia de un MOSFET tipo enriquecimiento están definidas por una
ecuación no lineal controlada por el voltaje de la compuerta a la fuente, el voltaje de umbral, y una
constante k definida por el dispositivo empleado. La gráfica resultante ID contra VGS se eleva
exponencialmente con los valores crecientes de VGS.

Trazo de las características de transferencia de un MOSFET tipo enriquecimiento de canal n a

partir de las características de drenaje.

3. INFORME PREVIO:

SIMBOLOS DEL FET

TRANSISTORES DE UNIÓN FET (JFET)

(Joint Field Effect Transistor - Transistor de Unión de Efecto de Campo )

5
 Facultad de Ingeniería Mecánica
2019-I

Canal N Canal P

TRANSISTORES MOSFET

Con tres terminales o patillas y sustrato unido a la fuente "S"

Tipo Tipo Tipo

Tipo Empobreci-
Empobreci- Enriqueci- Enriqueci-
miento N
miento P miento N miento P

Figura 1

6
 Facultad de Ingeniería Mecánica
2019-I

Figura 2

1. Explicar cómo se obtiene el punto “Q” de trabajo de la figura 1.

2. ¿Cómo se obtiene la curva de transferencia IO vs VGS indicando los puntos de operación y las
rectas de polarización Io  (1 / Rs ).Vgs obtenidas de Vgs  IoRs por inducción de la
curva? Aproximar los datos del JFET como son IDSS y Vp

3. ¿Cómo se traza la curva de transferencia ID vs VGS indicando los puntos de operación

obtenidos Indicar la zona del transistor JFET y la recta de carga en cada caso

4. Para el circuito de la figura 2 se pide los valores de ID y VDS. Datos: IDSS = 12 mA, Vp = - 4V.

180𝑘 𝑉𝐺𝑆 2
𝑉𝐺 = 420𝑘+180𝑘 × 20 = 6𝑉 𝐼𝐷 = 12 × 10−3 × (1 − ) .... (2)
−4

𝑉𝐺 = 6 = 𝑉𝐺𝑆 + 2.7𝑘 × 𝐼𝐷 (𝐼𝑆 = 𝐼𝐷 )

𝑉𝐺𝑆 = 6 − 2.7𝑘 × 𝐼𝐷 .... (1)

De (1) y (2): 𝑉𝐺𝑆 = −6.4828 ó 𝑉𝐺𝑆 = −2.011

Y como VGS no puede ser menor que Vp:

𝑉𝐺𝑆 = −2.011 𝑉 𝑦 𝑰𝑫 = 𝑰𝑺 = 𝟐. 𝟗𝟔𝟕 𝒎𝑨

Luego:

20 = 2.7𝑘 × 2.967𝑚 + 𝑉𝐷𝑆 + 2.7𝑘 × 2.967𝑚

𝑽𝑫𝑺 = 𝟑. 𝟗𝟕𝟖𝟐 𝑽

7
 Facultad de Ingeniería Mecánica
2019-I

4. MATERIALES:

 1 JFET canal 2N5457

 1 Resistor de 220 Ω
 1 Resistor de 1 MΩ
 1 Resistor de 2.2 K
 1 Resistor de 10 K
 1 Resistor de 1 K
 1 Resistor de 22 K
 Capacitores de 1 μf / 25V, 10 μf / 25V y 0.01 μf / 50 V
 1 Multímetro
 2 Fuentes de poder
 1 Protoboard
 1 Generador de funciones
 1 Osciloscopio
 Cables telefónicos

5. PROCEDIMIENTOS Y RESULTADOS:

En el desarrollo de esta práctica emplearemos la definición de cada uno de los 2 primeros parámetros
para su medición práctica. También tomaremos algunas mediciones para obtener la curva de
transconductancia del JFET que emplearemos.

1. Obtenga la hoja de especificaciones del JFET 2N5457.

8
 Facultad de Ingeniería Mecánica
2019-I

2. Arme en el protoboard el circuito de la siguiente figura:

5. CONCLUSIONES Y OBSERVACIONES:

6. REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS:

[1] Facultad de Ingeniería Mecánica UNI. Guía de Laboratorio de Análisis y Diseño de Circuitos
Electrónicos. Pág.104-107.

9
 Facultad de Ingeniería Mecánica
2019-I

[2] Boylestad R.L., Nashelsky L.. Electrónica: Teoría de Circuitos. Sexta edición. Pearson Educación.
México. Pág. 368-392

10