Practica 1 BJT
Practica 1 BJT
Practica 1 BJT
Sensores bioelectronicos
Practica 1
AMPLIFICADOR BJT
Alumno / Matrícula
OBJETIVO
Resistencias
Capacitor: 1000µF (3).
Transistor BJT 2N2222A
Equipo:
Simulador (Multisim)
Un Generador De Funciones
Osciloscopio
Una fuente de voltaje
5. REGIÓN DE RUPTURA:
Las tensiones máximas que
pueden soportar las uniones pn
inversamente polarizadas se
denominan tensiones de ruptura.
Cuando se alcanza estas
tensiones existe peligro de ruptura
del transistor debido a dos
fenómenos: ruptura por avalancha
y ruptura por perforación.
Unión C-B: directamente polarizada IB tiende a provocar una IC mayor que la que
permite el circuito externo de polarización.
PUNTO DE TRABAJO Q
Para dibujar esta recta de una manera sencilla en el plano (VCE, IC) del transistor
se selecciona dos puntos: a) VCE=0,
entonces IC=VCC/RC; b) IC=0,
entonces VCE=VCC. Estos puntos se
pueden identificar en la siguiente figura.
El amplificador seguidor emisor, también llamado colector común, es muy útil pues
tiene una impedancia de entrada muy alta y una impedancia
de salida baja. Esta configuración sólo tiene ganancia de
corriente, siendo la tensión de salida apenas 0,6V inferior a
la de entrada
Para determinar las variables que habían en dicho circuito, es decir los valores de
las resistencias, se aplicaron las formulas y se evaluó tomando algunos valores
predefinidos por el alumno.
Resultados teóricos
Resultados prácticos
Teórica | Practica
Teórica | Practica
Teórica | Practica
Teórica | Practica
Ganancia (1K) = 5 4.54
Imagen 3.1