CUARTO LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I Gato

CUARTO LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I
TRANSISTOR BJT
DIEGO JAIR ORTEGA SANDOVAL COD 1090166

OSNAIDER ALVAREZ ALVAREZ COD 1090179
INGRID YULIANA RINCON COD 1090135
MERIELEN ARDILA TRIANA COD. 1090045
UNIVERSIDAD FRANCISCO DE PAULA SANTANDER

FACULTAD DE INGENIERÍAS
PLAN DE ESTUDIOS DE INGENIERÍA ELECTROMECÁNICA
SAN JOSÉ DE CÚCUTA
2010
CUARTO LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I
TRANSISTOR BJT
DIEGO JAIR ORTEGA SANDOVAL COD 1090166

OSNAIDER ALVAREZ ALVAREZ COD 1090179
INGRID YULIANA RINCON COD 1090135
MERIELEN ARDILA TRIANA COD. 1090045
LUIS LEONARDO CAMARGO ARIZA

Ingeniero Electrónico
UNIVERSIDAD FRANCISCO DE PAULA SANTANDER

FACULTAD DE INGENIERÍAS
PLAN DE ESTUDIOS DE INGENIERÍA ELECTROMECÁNICA
SAN JOSÉ DE CÚCUTA
2010
TABLA DE CONTENIDO
INTRODUCCION
1. EQUIPO Y COMPONENTES NECESARIOS
1.1. EQUIPO NECESARIO
1.1.1. Fuente de Energía variable regulada de cd.

1.1.2. Osciloscopio
1.1.4. Multímetro
1.2. COMPONENTES NECESARIOS
1.2.1. Transistor 2N222 y 2N222A

1.2.2. Transistor 2N2907
1.2.3. Resistencias
2. OBJETIVOS
2.1. OBJETIVO GENERAL
2.2. OBJETIVOS ESPECIFICOS
3. BASE TEORICA
4. DATOS OBTENIDOS EN EL LABORATORIO
4.1. IDENTIFIQUE LOS TERMINALES DEL TRANSISTOR BJT
4.2. POLARIZACIÓN CON VOLTAJE VBB

4.3. POLARIZACIÓN POR RETROALIMENTACIÓN
5. CONCLUSIONES
6. RECOMENDACIONES
BIBLIOGRAFIA
ANEXOS
INTRODUCCION
Hasta este momento, en los escritos inmediatamente anteriores a este se hablado de
varias aplicaciones que tiene los diodos en diferentes tipos de circuitos como por
ejemplo en rectificadores, recortadores y duplicadores, entre otros. En esta ocasión se
hablara un nuevo elemento llamado el transistor y el cual resulta de la unión de 2
diodos, existen dos tipos de transistores del modelo unión bipolar o bjt, los cuales son:
pnp (penetra) ó npn (no penetra); además es necesario conocer rasgos de este
dispositivo como su recta de carga, su posición de trabajo la cual puede ser de
saturación, corte o linealizacion. Con este escrito se pretende que el lector logre
identificar desde las terminales del transistor, hasta su comportamiento en el estado de
ensamble polarizado, reconociendo si es de tipo npn o pnp.
1. EQUIPO Y COMPONENTES NECESARIOS

1.1. EQUIPO NECESARIO
1.1.1. Fuente de Energía variable regulada de cd.
1.1.2. Osciloscopio
1.1.3. Multímetro
1.2. COMPONENTES NECESARIOS
1.2.1. Transistor 2N222 y 2N222A
1.2.2. Transistor 2N2907
1.2.3. Resistencias
2. OBJETIVOS
2.1. OBJETIVO GENERAL:
CONOCER LAS CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR BJT
2.2. OBJETIVOS ESPECIFICOS:
2.2.1. Identificar los terminales de un transistor BJT
2.2.2. Comprender el funcionamiento de un transistor BJT en sus tres regiones de

operación (corte, corriente constante y saturación)
2.2.3. Calcular y medir los voltajes de operación de cd que se encuentran en un circuito

típico emisor común
2.2.4. Observar e interpretar las curvas características en el puerto de entrada y en el

puerto de salida de un transistor BJT
3. BASE TEORICA
El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede ser
de germanio o silicio.
Existen dos tipos de transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la

corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de
transistor.
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B),

colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la
flecha en el gráfico de transistor.
El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le

introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregará por
otra (emisor), una cantidad mayor a ésta, en un factor que se llama amplificación.
Este factor se llama ß (beta) y es un dato propio de cada transistor.
Entonces:
- Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a ß (factor de amplificación) por
Ib (corriente que pasa por la patilla base).
- Ic = ß * Ib
- Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, sólo que, la
corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de él, o viceversa.
Según la fórmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito
(Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente cuando se
cambia Vcc. Ver figura.
4. DATOS OBTENIDOS EN EL LABORATORIO

4.1. IDENTIFIQUE LOS TERMINALES DEL TRANSISTOR BJT
4.1.1. Numere las terminales del dispositivo 2N2222A
RTA: Para la figura anteriormente mostrada nuestro emisor será el terminal numero 1,
nuestra base será la terminal numero 2 y nuestro colector será el terminal numero 3.
4.1.2. Realice las mediciones indicadas en la Tabla 1 (ANEXOS) y verifique si las

uniones están polarizada directamente (resistencia baja) o inversamente (resistencia
alta).
RTA: Ver tabla numero 1 de anexos.
4.1.3.Indique las conclusiones de los resultados obtenidos en la tabla 1 (anexos).
RTA: Con las mediciones hechas y registradas en la tabla numero 1 de anexos se

concluye que los transistores 2N2222 Y 2N2222A son de tipo npn, mientras que el
transistor 2N2907 es de tipo pnp.
4.1.4. Halle el valor de β para los diferentes transistores. Indique los resultados
obtenidos.
RTA: Ver tabla numero 2 de anexos.
4.1.5. Realice el mismo procedimiento para los transistores 2N2222 y 2N2907.
RTA: En las tablas 1 y 2 de anexos se muestran los resultados respectivos para este
inciso.
4.2. POLARIZACIÓN CON VOLTAJE VBB
4.2.1 Para el circuito de la Figura 1 (ANEXOS) escoja los valores para Rc, Rb, V BB y
VCC, tales que el transistor quede polarizado en la región de corriente constante.
Implemente el 2N2222A.
RTA: Rc = 9.93 K Ω ≈ 10 K Ω; Rb = 3.3 M Ω; VCC = VBB = 5 V; β = 175.
4.2.2 Verifique si coinciden los valores obtenidos matemáticamente con los obtenidos
experimentalmente. Justifique su respuesta.
RTA: los datos obtenidos experimentalmente coinciden con los obtenidos
matemáticamente debido a que primero se realizo las mediciones de las propiedades de
los elementos con el multimetro y con esos valores se realizo el análisis matemático.
Después se procedió a realizar el análisis experimental en el laboratorio.
4.2.3 Realice los cambios pertinentes al circuito de tal manera que lleve el transistor a la
región de saturación. Indique sus conclusiones.
RTA: Para alcanzar el punto de saturación en este caso se lleva a Vcc = 14 V, lo cual
nos generaría una corriente de colector igual a 0.5 mA.
región de corte. Indique sus conclusiones.
RTA: para llevar al transistor hasta la zona de corte basta con un Vcc = 0.7 V ó con
aumentar la resistencia Rb, lo cual nos generaría una corriente en el colector cercana a
cero.
4.2.5 Grafique las regiones de operación obtenidas para el transistor utilizado

anteriormente.
RTA: Ver grafica numero 1 de anexos.
4.3. POLARIZACIÓN POR RETROALIMENTACIÓN
4.3.1 Para el circuito de la Figura 2 (ANEXOS) determine los valores para R1, R2, RE,
RC y VCC, tales que el transistor 2N2222A quede polarizado en la región de corriente
constante.
RTA: R1 = 1 K Ω; R2 = 0.42 K Ω; Re = 10K Ω; Rc = 10 K Ω; Vcc = 5 V; β = 177.
región de saturación.
RTA: Para alcanzar el punto de saturación en este caso se llevar a Rp = 2.4 K Ω, lo cual
nos generaría una corriente de colector igual a 0.28 mA.
región de corte.
RTA: para llevar al transistor hasta la zona de corte basta con darle valor a Rp = 100
Ω, lo cual nos generaría una corriente en el colector igual a 0.02 mA, la cual es muy
cercana a cero.
4.3.4 Grafique las regiones de operación obtenidas para el transistor utilizado

anteriormente.
RTA: ver grafica número 1 de anexos.
5. CONCLUSIONES
 La corriente de colector es aproximadamente igual a la corriente del emisor. La
corriente de base es mucho más pequeña, generalmente menor que el 5% de la
corriente de emisor.
 La razón de la corriente de colector a la corriente de base se llama ganancia de

corriente.
 Cuando el transistor se usa como amplificador, el transistor opera en la región

activa. Cuando se usa en circuitos digitales, el transistor usualmente opera en las
regiones de saturación y/o corte.
6. RECOMENDACIONES
 Utilizar bata blanca y procurar zapatos de goma como calzado en el desarrollo
del laboratorio.
 Verificar con anterioridad a la práctica los procedimientos a desarrollar y el

perfecto funcionamiento de los equipos y materiales a utilizar.
 Implementar con anterioridad a la práctica los circuitos en el Protoboard.
 hacer las medidas y tomas de datos pertinentes para la elaboración del informe.
BIBLIOGRAFÍA
SEDRA, Adel. Circuitos Microelectrónicos, Quinta Edición. México D.F. Editorial Mc
Graw-Hill, 2006.
HORENSTEIN, Mark. Microelectrónica: Circuitos y Dispositivos. México D.F.
Editorial Prentice Hall Interamericana S.A., 1997.
NEAMEN, Donald A. Análisis y Diseño de Circuitos Electrónicos, Tomo I. México

D.F. Mc Graw-Hill, 1999.
A. GULLO, J. Diseño Electrónico: Circuitos y Sistemas. Argentina. Editorial Addison -

Wesley Iberoamérica, S.A, 1992.
BOYLESTAD, Robert L. Electrónica: Teoría de Circuitos. México D.F. Editorial

Prentice Hall Hispanoamericana, S.A. 1997.
MALVINO, Albert Paul. Principios de Electrónica. Sexta Edición. España. Editorial

McGraw-Hill/Interamericana de España S.A., 2000.
ANEXOS
 TABLA Nº 1. MEDICION DE UNIONES BJT.

DVM RESISTENCIA (Ω ) POLARIZACION DE LA UNIÓN
(+) (-) 2222 2222A 2907 INVERSA DIRECTA
1 2 ∞ ∞ 1.1M X X X
1 3 ∞ ∞ ∞ X X X
2 1 1.1M 1.1M ∞ X X X
2 3 1.1M 1.1M ∞ X X X
3 1 ∞ ∞ ∞ X X X
3 2 ∞ ∞ 1.1M X X X
 TABLA Nº 2. VALORES β.
TRANSISTORES VALOR β
2N2222 262
2N2222A 175
2N2907 145
 GRAFICA Nº 1. ZONAS DE TRABAJO DEL TRANSISTOR.

 FIGURA Nº 1. POLARIZACIÓN CON VOLTAJE VBB
V C C
R C
R B
Q 1
V 2
V B B
 FIGURA Nº 2. POLARIZACIÓN POR RETROALIMENTACIÓN

VC C
R 1 R C
Q 1
R 2 R E
 FIGURA Nº 3. TIPOS DE TRANSISTORES.

CUARTO LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I Gato

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

CUARTO LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I Gato

Cargado por

Información del documento

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

CUARTO LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I Gato

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

CUARTO LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I

DIEGO JAIR ORTEGA SANDOVAL COD 1090166

UNIVERSIDAD FRANCISCO DE PAULA SANTANDER

DIEGO JAIR ORTEGA SANDOVAL COD 1090166

LUIS LEONARDO CAMARGO ARIZA

UNIVERSIDAD FRANCISCO DE PAULA SANTANDER

1. EQUIPO Y COMPONENTES NECESARIOS

1.1. EQUIPO NECESARIO

1.1.1. Fuente de Energía variable regulada de cd.

1.2. COMPONENTES NECESARIOS

1.2.1. Transistor 2N222 y 2N222A

2.1. OBJETIVO GENERAL

2.2. OBJETIVOS ESPECIFICOS

4. DATOS OBTENIDOS EN EL LABORATORIO

4.1. IDENTIFIQUE LOS TERMINALES DEL TRANSISTOR BJT

4.2. POLARIZACIÓN CON VOLTAJE VBB

1. EQUIPO Y COMPONENTES NECESARIOS

1.1.1. Fuente de Energía variable regulada de cd.

1.2. COMPONENTES NECESARIOS

1.2.1. Transistor 2N222 y 2N222A

1.2.2. Transistor 2N2907

2.2. OBJETIVOS ESPECIFICOS:

2.2.1. Identificar los terminales de un transistor BJT

2.2.2. Comprender el funcionamiento de un transistor BJT en sus tres regiones de

2.2.3. Calcular y medir los voltajes de operación de cd que se encuentran en un circuito

2.2.4. Observar e interpretar las curvas características en el puerto de entrada y en el

Existen dos tipos de transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la

El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B),

El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le

Este factor se llama ß (beta) y es un dato propio de cada transistor.

4. DATOS OBTENIDOS EN EL LABORATORIO

4.1.1. Numere las terminales del dispositivo 2N2222A

4.1.2. Realice las mediciones indicadas en la Tabla 1 (ANEXOS) y verifique si las

RTA: Ver tabla numero 1 de anexos.

4.1.3.Indique las conclusiones de los resultados obtenidos en la tabla 1 (anexos).

RTA: Con las mediciones hechas y registradas en la tabla numero 1 de anexos se

RTA: Ver tabla numero 2 de anexos.

4.1.5. Realice el mismo procedimiento para los transistores 2N2222 y 2N2907.

4.2. POLARIZACIÓN CON VOLTAJE VBB

RTA: Rc = 9.93 K Ω ≈ 10 K Ω; Rb = 3.3 M Ω; VCC = VBB = 5 V; β = 175.

4.2.5 Grafique las regiones de operación obtenidas para el transistor utilizado

RTA: Ver grafica numero 1 de anexos.

4.3. POLARIZACIÓN POR RETROALIMENTACIÓN

RTA: R1 = 1 K Ω; R2 = 0.42 K Ω; Re = 10K Ω; Rc = 10 K Ω; Vcc = 5 V; β = 177.

4.3.4 Grafique las regiones de operación obtenidas para el transistor utilizado

RTA: ver grafica número 1 de anexos.

 La razón de la corriente de colector a la corriente de base se llama ganancia de

 Cuando el transistor se usa como amplificador, el transistor opera en la región

 Verificar con anterioridad a la práctica los procedimientos a desarrollar y el

 Implementar con anterioridad a la práctica los circuitos en el Protoboard.

HORENSTEIN, Mark. Microelectrónica: Circuitos y Dispositivos. México D.F.

Editorial Prentice Hall Interamericana S.A., 1997.

NEAMEN, Donald A. Análisis y Diseño de Circuitos Electrónicos, Tomo I. México

A. GULLO, J. Diseño Electrónico: Circuitos y Sistemas. Argentina. Editorial Addison -

BOYLESTAD, Robert L. Electrónica: Teoría de Circuitos. México D.F. Editorial

MALVINO, Albert Paul. Principios de Electrónica. Sexta Edición. España. Editorial

 TABLA Nº 1. MEDICION DE UNIONES BJT.

 GRAFICA Nº 1. ZONAS DE TRABAJO DEL TRANSISTOR.

 FIGURA Nº 2. POLARIZACIÓN POR RETROALIMENTACIÓN