SílaboDispositivosElectronicosFIEE UNMSM20200608

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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

(Universidad del Perú, DECANA DE AMÈRICA)


FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA
E.A.P. INGENIERÍA DE ELECTRONICA
Av. Venezuela s/n - Lima, Perú
Teléfono: 6197000 anexo 4203 Fax: 4209
________

SYLLABUS

I. DATOS GENERALES DEL CURSO:

1.1 Escuela Académico Profesional : Ingeniería Electrónica.


Ingeniería Eléctrica.
Ingeniería de Telecomunicaciones.
1.2 Nombre del Curso : DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
1.3 Código : 190035.
1.4 Número de Créditos : 3.
1.5 Ciclo : Tercero.
1.6 Carácter del Curso : Obligatorio.
1.7 Horas de Clase Semanales : 02 (T) y 02 (L)
1.8 Duración : 17 semanas.
1.9 Pre-requisito : Electrotecnia y Física III.
1.10 Docente : Ing. Luis Paretto Quispe.

II. SUMILLA: Estructura y propiedades de los semiconductores, diodo semiconductor (Si y Ge),
transistor bipolar BJT, transistor de efecto de campo FET, dispositivos electrónicos
de potencia, dispositivos optoelectrónicos, circuitos integrados (CI).

III. COMPETENCIA: El alumno analiza, crea, diseña y construye equipos y circuitos electrónicos
Que funcionan en corriente continua.

IV. OBJETIVO: Analizar el comportamiento físico cuantitativo y comprender el funcionamiento de


los dispositivos electrónicos de estado sólido.

V. CONTENIDO TEMATICO :

5.1 DURACION: 17 Semanas.

5.2 PROGRAMACION:

Primera Semana: ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES:


Definiciones semiconductores, metales y aislantes, estructura
molecular, bandas de energía, electrones y huecos. Tipos de
corrientes, leyes de la neutralidad de la carga, ley de acción de masas.

Segunda Semana: Conducción en los metales, en semiconductores, ecuación de la


continuidad, termistores y fotorresistores. (Para Si y Ge).
Tercera Semana: DIODO SEMICONDUCTOR: La juntura p-n, concentración de
portadores, la ecuación del diodo, efectos de la polarización, efectos
de la temperatura.

Cuarta Semana: Capacidad de transición y de difusión, modelamiento de circuitos del


diodo, resistencias estática y dinámica, curva V - I, diodo ideal. (Para
Si y Ge).

Quinta Semana: Diodo Zener, diodo Túnel, principios de funcionamiento, curvas


características.

Sexta Semana: El TRANSISTOR BIPOLAR (BJT). Esquema constructivo, principios de


funcionamiento, ecuaciones de Ebers - Moll, curvas características.

Séptima semana: Parámetros importantes, clasificación por su disipación de potencia,


tiempos de respuesta. Identificación de terminales de acuerdo a sus
características constructivas. Tipos NPN y PNP (Si y Ge).

Octava Semana: Examen Parcial.

Novena Semana: OPTOELECTRONICA. Principios de funcionamiento de los Leds


Fotodiodos, Fototransistores, Fotorresistencias, Celdas Fotovoltaicas,
características y parámetros más importantes, switch óptico y
optoacopladores.

Décima Semana: DISPÒSITIVOS ELECTRONICOS DE POTENCIA. Scr, Triac,


esquemas constructivos, principios de funcionamiento, aplicaciones
típicas, consumo de potencia, disipadores.

Décima Primera Semana: El UJT, el PUT, esquemas constructivos, principios de


funcionamiento, parámetros, aplicaciones típicas.

Décima Segunda Semana: El TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET). Clasificación,


esquemas constructivos, principios de funcionamiento del JFET y
MOSFET. Modelo matemático, curvas y parámetros importantes.

Décima Tercera Semana: Aplicaciones básicas del FET en circuitos discretos e integrados.

Décima Cuarta Semana: Técnicas de fabricación de los C l, celdas básicas analógicas


y digitales, consideraciones importantes en la fabricación.

Décima Quinta Semana: CIRCUITOS INTEGRADOS. Evolución de los circuitos integrados y


dispositivos electrónicos, tendencias actuales, otros dispositivos
complementarios; termistores, varistores, VDR etc., principios de
funcionamiento, aplicaciones.

Décima Sexta Semana: Examen Final.

Décima Séptima Semana: Examen Sustitutorio.

5.3 ACTITUDES: Participa de las actividades del curso con puntualidad, siendo sincero y
coherente en los temas de la programación semanal; para las actividades de
laboratorio trabaja en equipo mostrando constancia en el trabajo, siendo honrado
y veraz para los productos académicos requeridos por el docente.

VI. ESTRATEGIAS METODOLOGICAS:


6.1 Metodología activa participativa.
6.2 Las principales actividades serán la lectura analítica y reflexiva, con aprendizaje basado en
problemas de aplicación de los conceptos, principios y ecuaciones de funcionamiento de los
dispositivos electrónicos explicados.
6.3 En las actividades de laboratorio se realizarán experimentos que permitirán entender el
funcionamiento de los equipos, instrumentos y dispositivos electrónicos que forman parte del
curso.
6.4 Medios y Materiales:
- Documentos impresos y manuscritos: Libros, Separatas de Teoría, Guías de Experimentos
de Laboratorio, Separatas de Laboratorio y Hojas de Trabajos Prácticos.
- Material audiovisual e informático: Presentaciones en Office Word, Tablas y otras
informaciones.
- Materiales de Pizarra Acrílica: Mota, Plumones (rojo, azul, negro y verde), entre otros.
- Equipos de Aula de Teoría: Proyector Multimedia, Laptop y Ecran.
- Materiales, equipos e instrumentos para hacer los Experimentos de Laboratorio.

VII. EVALUACION :

7.1 DISEÑO DE LA EVALUACION:


7.1.1 Exámenes de Mitad de Curso, estos son el Examen Parcial (EP, primera mitad) y el
Examen Final (EF, segunda mitad).
7.1.2 Examen de Todo el Curso, este es el Examen Sustitutorio (ES).
7.1.3 Aprendizaje basado en Problemas con Intervenciones Orales semanales de los alumnos.
7.1.4 Las Actividades Evaluativas de Laboratorio están normadas por el Reglamento de
Laboratorio vigente (RD333-FIEE-2007), constan de las siguientes:
. Informes de los Experimentos (Previo y Final).
. Exámenes de Mitad de Experimentos: Parcial (1era. Mitad) y Final (2da. Mitad).
. Examen de Todos los Experimentos: Sustitutorio.
. Trabajos Prácticos que pueden dar lugar a un Informe Especial.
7.2 PROMEDIOS:
Para todo el curso constará de:
NF = EP + EF + PP + PL
4
EP = Examen Parcial.
EF = Examen Final.
PP = Promedio de Prácticas.
PL = Promedio de Laboratorio.
NF = Nota Final.
Para el Promedio de Laboratorio constará de:
PL = PrInf + PrExa + T Donde: PrInf = P.I.P + P.I.F
3 2
P.I.P. = Promedio de Informes Previos.
P.I.F. = Promedio de Informes Finales.
T = Trabajo Práctico (Informe Especial).
Se tomará un examen sustitutorio (todo el curso) que reemplazará a EP o EF.
7.3 REQUISITOS DE APROBACION:
- Se utiliza la escala de calificación vigesimal, la nota mínima aprobatoria es 11.
- El estudiante que haya acumulado un total de más del 30% de inasistencias, se le aplicará
el Reglamento del SUM-UNMSM vigente.
VIII. BIBLIOGRAFÍA:
1. Electrónica Integrada Jacob Millman

2. Los Dispositivos Electrónicos Juan Tisza

3. Microelectronic Circuits Sedra - Smith

4. Circuitos Electrónicos Discretos e Integrados Schilling - Belove

5. Electrónica Física, Microelectrónica Luis Rosado

6. Principios de Electrónica Gray and Searle

7. Mos Integrated Circuits Penney – Lau

8. Dispositivos y Circuitos Electrónicos Millman – Halkias

9. Circuitos Electrónicos y Dispositivos Boylestad – Nashelsky

10. Electrónica y Automática Industriales Serie Mundo Electrónico – Marcombo.

Nota.- Referente a las prácticas, las tres primeras semanas las prácticas serán en el aula de clase, a partir de
la cuarta semana, el profesor realizará demostraciones experimentales (Prácticas) en el Laboratorio.

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