Caracteristicas Tansistor BJT
Caracteristicas Tansistor BJT
Caracteristicas Tansistor BJT
UNIVERSIDAD DE FALCÓN
FACULTAD DE INGENIERÍA
TAREA N° 3
AUTOR:
LUGO, VANESSA.
C.I: 28.668.322
Transistor BJT
Simulador PROTEUS
Fuentes de poder DC variable
Transistor 2N394
Resistor: 470Ω/1/2 W
Potenciómetro de 2,5KΩ
Voltímetros, (2 miliamperimetros)
2 Switches SPST
1.- Identifique todas las características y los terminales del Transistor que
utilizara en la práctica, usando el manual técnico del fabricante (NTE), Data
sheet.
4.- Cierre ambos switches y ajuste en un primer caso Ib= 10μA. Luego ajuste
V2 hasta obtener un voltaje de Vce=0 V. Asegúrese de mantener constante
el valor de IB. Registre el valor de la corriente Ic en la tabla I.
5.- Varié el voltaje V2 hasta obtener los voltajes Vce indicados en la tabla I
para cada valor de corriente Ib, registrando en cada Paso los valores de Ic
obtenidos.
6.- Con los datos de la tabla I, grafique las curvas características de Ic VS.
Vce para cada valor de Ib constante.
7.- Una vez realizada la gráfica, identifique sobre la misma, las zonas de
operación del transistor (zona de operación normal, corte y saturación).
8.- Para cada valor de Ib presente en la tabla y tomando solo en cuenta la
zona de operación del transistor, según la gráfica, realice el cálculo promedio
del parámetro β del dispositivo utilizado. Además compare este valor con el
medido directamente con el multímetro digital. (Por ser esto una práctica
virtual es posible que no exista diferencia alguna)
9.- Con los datos de la tabla I, grafique en excell o cualquier herramienta
digital las curvas características de Ic vs. Ib para cada valor de Vce
constante.
ANEXOS
Desarrolle los siguientes conceptos