Masn Dsacjbasc
Masn Dsacjbasc
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Definición
Dispositivo semiconductor activo que tiene tres o más electrodos. Los tres electrodos principales son
emisor, colector y base. La conducción entre estos electrodos se realiza por medio de electrones y
huecos. El germanio y el silicio son los materiales más frecuentemente utilizados para la fabricación de
los elementos semiconductores. Los transistores pueden efectuar prácticamente todas las funciones de
los antiguos tubos electrónicos, incluyendo la ampliación y la rectificación, con muchísimas ventajas.
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n
y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama transistor
NPN, en tanto que al segundo transistor PNP.
El término bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de
inyección hacia el material polarizado de forma opuesta.
JFET, De efecto de campo de unión (JFET): También llamado transistor unipolar, fué el primer
transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de
silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así
un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica.
Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras Heterojuction Bipolar Transistor (Bipolar de
Hetereoestructura) y Hight Electrón Mobility Transistor (De Alta Movilidad). Son dispositivos de 3
terminales formados por la combinación de diferentes componentes, con distinto salto de banda
prohibida.
EL TRANSISTOR BIPOLAR O BJT
TRANSISTOR FET
Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque la
conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones pero tienen
ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja.
Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia
de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y, por tanto, son unipolares. Se
llama transistor de efecto campo.
Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó n,
llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que
forma con el canal una unión p-n. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones
óhmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una
conexión llamada puerta (g-gate) en el collar.
Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente con
purezas donadoras o aceptadoras de electrones.
Su estructura y representación se muestran en la tabla.
Modelo de transistor
FET canal n
Modelo de transistor
FET canal p
ULSI (Ultra Large Scale Integration) nivel extra grande: 100.001 a 1’000.000 de transistores.
GLSI (Giga Large Scale Integration) nivel ultra grande: más de un millón de transistores.
Los circuitos integrados están fabricados de una pequeña oblea de silicio, la cual esta cableada
desde su interior hasta el exterior haciendo contacto con los terminales que forman parte de su
encapsulado.
DIP “dual in line package” paquete de doble línea, SOP, TSSOP, SOT, SOIC, PLCC, SOJ, QFT,
BGA, entre otros.
Los circuitos integrados pueden ser construidos para realizar funciones específicas (análogas o
digitales) o fijas “specific integrated circuit” es decir que solo realizan la tarea para la cual fueron
hechos.
Los circuitos integrados análogos: sus entradas y salidas pueden tomar cualquier valor
comprendido entre su rango de alimentación. Se usan usualmente como amplificadores, osciladores
o como reguladores de voltaje. Los amplificadores operacionales son fieles representantes de la
electrónica análoga.
Los circuitos integrados digitales: estos solo pueden tener dos estados posibles 1 y 0
Pues obedecen al sistema booleano binario. Sus entradas y salidas toman valores lógicos basados
en el riel positivo para el estado alto ó 1 y el riel negativo para el estado bajo ó 0.
Cambiando dicho programa podemos también cambiar las funciones del circuito integrado. Así que
podemos tener dos circuitos integrados con la misma referencia, pero haciendo funciones o tareas
diferentes…quizás en una misma tarjeta de circuito impreso.