Lab 16

DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
LABORATORIO Nº 16
“Amplificador tipo AB”
Lopez Apaza, Edson Fabricio
Justo Paniura, Jeremy Gabriel

Alumno (os):
Choque Mamani, Cesar Agusto
Programa (grupo) : 4 Nota:

Profesor : Percy Cari
Fecha de entrega : 8/12/2022 Hora:
Tiristores
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A. OBJETIVOS
 Simular un ejemplo de amplificador tipo AB.

 Realizar mediciones de tipo voltaje, corriente, osciloscopio y demás por todo el circuito propuesto
 Comprobar teóricamente 4 mediciones de todas las tomadas.
 Comprender los usos de los transistores y diodos en este tipo de aplicaciones.
B. MATERIAL A EMPLEAR
 BJT_PNP y NPN
 Resistencias varias.
 Capacitores varios.
 Módulo de conexiones (o simulación).
 Fuente de alimentación AC y VDD
 Multímetros.
 Diodos.
 Conectores.
C. FUNDAMENTO TEÓRICO
Un transistor, también conocido como un BJT (Transistor de Unión

Bipolar), es un dispositivo semiconductor impulsado por corriente, que
puede ser utilizado para controlar el flujo de corriente eléctrica en la
que una pequeña cantidad de corriente en el conductor base controla
una mayor cantidad de corriente entre el Colector y el Emisor. Se
pueden utilizar para amplificar una señal débil, como un oscilador o un
interruptor.
Suelen estar fabricados de cristal de silicio donde se intercalan las

capas de semiconductor de tipo N y P.
 PNP
 NPN
PNP
El transistor PNP es un BJT; en este transistor, la letra 'P' especifica la polaridad del voltaje necesario para el terminal del emisor.
La segunda letra 'N' especifica la polaridad del terminal base. En este tipo de transistor, la mayoría de los portadores de carga
son huecos.
NPN:
El término 'NPN' significa negativo, positivo, negativo y también conocido como hundimiento. El transistor NPN es un BJT , en
este transistor, la letra inicial 'N' especifica una capa cargada negativamente del material. Donde, 'P' especifica una capa
completamente cargada. Los dos transistores tienen una capa positiva, que se encuentra en el medio de dos capas negativas.
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Generalmente, el transistor NPN se utiliza en varios circuitos eléctricos para conmutar y fortalecer las señales que exceden a
través de ellos.
Diferencia principal entre PNP y NPN
Los transistores PNP y NPN son dispositivos de tres terminales, que están hechos de materiales dopados, que se utilizan con
frecuencia en aplicaciones de conmutación y amplificación. Hay una combinación de diodos de unión PN en cada transistor de
unión bipolar. Cuando el par de diodos se conecta, entonces forma un sándwich. Eso sienta una especie de semiconductor en
medio de los dos tipos similares.
Entonces, solo hay dos tipos de sándwich bipolar, que son PNP y NPN. En los dispositivos semiconductores, el transistor NPN
tiene típicamente una alta movilidad de electrones evaluada a la movilidad de un agujero. Por lo tanto, permite una gran
cantidad de corriente y funciona muy rápido. Y además, la construcción de este transistor es simple a partir de silicio.
Ambos transistores están recolectados de materiales especiales y el flujo de corriente en estos transistores también es
diferente.
En un transistor NPN, el flujo de corriente va desde el terminal del colector al terminal del emisor, mientras que, en un PNP, el
flujo de corriente va desde el terminal del emisor al terminal del colector.
El transistor PNP está formado por dos capas de material tipo P con una capa intercalada de tipo N. El transistor NPN está
formado por dos capas de material tipo N con una capa intercalada de tipo P.
El principio de funcionamiento principal de un transistor NPN es que, cuando se aumenta la corriente al terminal base, el
transistor se enciende y funciona completamente desde el terminal del colector al terminal del emisor.
El principio de funcionamiento principal de un transistor PNP es que, cuando existe corriente en la base del transistor PNP, el
transistor se apaga. Cuando no hay flujo de corriente en la base del transistor, el transistor se enciende.
Tiristores
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D. PROCEDIMIENTO
1. Simulación del circuito propuesto:

Comprobar el estado y funcionamiento mediante el osciloscopio del circuito propuesto en la siguiente imagen.
Prueba del estado y funcionamiento del circuito:

 Después de montar el circuito mida los voltajes de salida de todos los transistores y complete la siguiente tabla
con la diferencia teórica de la medida por el multímetro en el simulador.
Transistores Medición en simulación Medición teórica Diferencia porcentual

Q1 168.117mV
Q2 195.775mV
Q3 168.117mV
Q4 36.599mV
Q5 4.62V
 Medir y evidenciar la diferencia entre las lecturas del osciloscopio sobre los puntos A,B,C,D,G. Seguidamente
agregar las capturas de pantalla en la tabla.
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Puntos Medición del Medición conjunta con los demás puntos

osciloscopio
A 2V
B 2mV
C 100mV
D 50mV
G 52mV
Tiristores
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Parte teórica y profundización del circuito:

 En conciso describir la función de un amplificador de tipo AB, la necesidad de utilizar transistores y el tipo de
señal arrojada por el osciloscopio en la carga final (resistencia).
 Describa la definición de un amplificador de tipo A.
 Describa la definición de un amplificador de tipo B.
 Finalmente describa la principal diferencia entre un amplificador de tipo A y B.

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“Amplificador tipo AB”

Lopez Apaza, Edson Fabricio

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Programa (grupo) : 4 Nota:

 Simular un ejemplo de amplificador tipo AB.

Un transistor, también conocido como un BJT (Transistor de Unión

Suelen estar fabricados de cristal de silicio donde se intercalan las

Diferencia principal entre PNP y NPN

1. Simulación del circuito propuesto:

Prueba del estado y funcionamiento del circuito:

Transistores Medición en simulación Medición teórica Diferencia porcentual

Puntos Medición del Medición conjunta con los demás puntos

Parte teórica y profundización del circuito:

 Describa la definición de un amplificador de tipo A.

 Describa la definición de un amplificador de tipo B.

 Finalmente describa la principal diferencia entre un amplificador de tipo A y B.

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