Transistor Es
Transistor Es
Transistor Es
(507102002)
Tema 4
El transistor bipolar (BJT)
Ana Toledo Moreo
ana.toledo@upct.es
Tipos de transistores
NPN
BJT (Bipolar JunctionTransistor)
Se controlan por corriente
PNP
Canal P
JFET (Junction Field
Effect Transistor) Canal N
NPN PNP
Símbolo Símbolo
Estructura y funcionamiento
Principio de funcionamiento, símil hidráulico
Un grifo puede operar en tres regiones:
Paso bloqueado: Impide el paso de caudal. Los terminales de potencia
deben soportar el salto de presión sin permitir el paso de agua
Terminales Terminal de
de potencia control
Paso libre: El caudal queda impuesto QV
por las condiciones de la red de
suministro, no por el grifo, que supone
Paso libre
una pérdida de presión despreciable Zona de caudal
QV regulado
QV Caudal controlado: La relación entre el
caudal y la caída de presión depende
ΔP del grado de apertura del grifo
Paso bloqueado
ΔP
Cortocircuito
B ofrece resistencia (caída de tensión Zona Activa
despreciable) (corriente controlada)
N P↓ N↑↑
C E
e-
B
N- e-
𝑖𝑖B
P N P↓ N ↑↑
B
N+
C E
E
𝑖𝑖E
B
0,7V
VCE (V)
Modelos
Transistor NPN
Modelo a tramos con tres zonas de trabajo Zona activa IC= β· IB
Zona de corte
No hay corriente de base, solamente hay una
pequeña corriente de fuga en el colector (ICEO),
esta corriente es asumida como cero
saturación
Zona de
A la entrada y a la salida consideramos el
transistor un interruptor abierto
Uniones:
• B-E -> VBE < 0.7 V
• B-C -> VBC < 0 V polarizada en inversa Zona de corte
C Ejemplo
N Circuito abierto
VBC < 0 V
B P VCE
Modelo 14V 14V
VBE < 0.7 V
N C VCE
IB = 0
B IC = 0
E VCE
E E IE = 0
Modelos
Transistor NPN
Zona activa IC = β· IB
Modelo a tramos con tres zonas de trabajo
Zona activa
La corriente en el colector es la corriente de base
amplificada
saturación
Zona de
IC = β · IB siendo β = hfe -> Ganancia de corriente
en continua (hfe lo obtenemos del datasheet)
IC IC β
IE = IC + IB α= = =
I E IC + I B β + 1
Zona de corte
Uniones:
• B-E -> VBE = VBE on ≈ 0.7 V IB > 0 conducción directa
(VBE on lo obtenemos del datasheet)
• B-C -> VBC < 0 V polarizada en inversa
C IC
N Modelo
C
VBC < 0 V
B P VCE > 0V B
IB
N
VBE ≅ 0.7 V E E
E
IE
Modelos
Transistor NPN Zona activa IC= β· IB
Modelo a tramos con tres zonas de trabajo
Zona saturación
El voltaje C-E es el mínimo -> VCESAT ≈ 0 V (0,2 V)
saturación
(VCE sat lo obtenemos del datasheet)
Zona de
La corriente de colector es la máxima del circuito
(IC = IE = ICsat) y se calcula en el circuito de salida
(VCC , RC …)
Un incremento de la corriente de base no tiene Zona de corte
efecto sobre el colector: ICsat ≤ β · IB
Uniones:
• B-E -> VBE = VBE sat ≈ 0.7 V IB > 0 conducción directa
(VBE sat lo obtenemos del datasheet)
• B-C -> VBC > 0 V polarizada en directa
C IC
Modelo
N- C
VBC > 0 V
B P B
VCE ≅ 0V
IB
VBE ≅ 0.7 V N+ E E
E IE
Modelos
Transistor NPN
Corte Saturación Activa
VBE < 0.7 V VBE sat = 0.7 V IB > 0 VBE on = 0.7 V IB > 0 C
C
IB = IC = IE = 0 ICsat < β · IB IC = β IB IE = IC + IB IC
C
VBC < 0 V VCE = VCE sat ≅ 0.2 V
I Csat VCE > VCE sat
VBC > 0 V IB VBC < 0 V β ⋅ IB
B VCE B VCE
VCE _SAT B IB
vBE 0.7V
I Csat
E E
0.7V
IE
IC E
IC
C 0.5 A I B =5mA
IC Característica de salida NPN
VBC C 0.4 A I B =4mA
I N-
B β = 100
IB I B =3mA
P VCE 0.3 A
B B
N+ VBE E 0.2 A I B =2 m A
E IE
IE 0.1A I B =1mA
NPN
Modelos
Transistor PNP Corte Saturación Activa
IE VEB < 0.7 V VEB on = 0.7 V IB > 0 VEB sat = 0.7 V IB > 0
E ICsat < β IB IC = β IB IE = IC + IB
IB = IC = IE = 0
VCB < 0 V E VEC =V EC sat ≅ 0.2 V VEC > VEC sat
IB P+ E
VCB > 0 V VCB < 0 V
N
B VEB E
0.7V
IE
P- VEC
B 0.7V
IB
VEC _SAT B VEC
B β ⋅ IB
C C
IB IC IC
IC C
C
IC Característica de salida PNP
I B = 5mA
IE 0.5 A
Símbolo E I B = 4mA
0.4 A
β = 100
IB I B = 3mA
0.3 A
B VEC
I B = 2mA
0.2 A
C
IC I B = 1mA
0.1A
transistor en corte (IB = 0mA → IC = 0 A)
V EC _ sat V EC
Datos del fabricante
VALORES MÁXIMOS NPN
ICMAX Corriente máxima de colector
VCEmax = VCEO Tensión máxima entre colector y emisor
Pmax = PC Potencia máxima que puede disipar el transistor, es un límite
térmico, se tiene que cumplir que: V C E ⋅ I C < P MAX
VCB max= VCBO Tensión máxima entre colector y base
VEB max= VEBO Máximo voltaje que soporta la unión base –emisor en inversa
IC I C _ MAX V CE _ MAX
Área de operación segura
SOA (Safe Operating Area) PMAX
IC < ICMAX
VCE < VCEO
PC < Pmax
V BEO V CE
VALORES MÁXIMOS PNP V CE _ sat
El fabricante indicará los mismos límites que para el caso del NPN expresando
los voltajes y las corrientes con signo negativo
Datos del fabricante
Cuando el transistor esté ICMAX = 50 mA
en saturación IC deberá
ser inferior a 50 mA VCEO = 20 V
IC < ICmax PC max = 300 mW
En un circuito si IC =20
mA, el voltaje VCE deberá
ser inferior a 15 V
VCE < PCmax / IC
Es la ecuación de una recta que determina todos los puntos de operación permitidos
en el circuito de entrada
si IB= 0 -> VBE = VBB = 5 V
Para representarla trazamos dos puntos
si VBE= 0 -> IB = VBB/RB = 5/86K = 58.13 µA
Análisis DC de circuitos con BJT
Análisis de un circuito mediante método gráfico
Ejercicio 1
En el circuito de la figura, conocidas las curvas características del transistor,
determinar las corrientes en el transistor y el voltaje entre colector y emisor
Curva de salida del transistor
IC (mA) (dibujada en papel milimitrado)
RC
VCC
RB 86KΩ
VCE
VCC/RC
IB VBE
60 𝑚𝑚𝑚𝑚
𝛽𝛽= = 240
250 µ𝐴𝐴
12 𝑚𝑚𝑚𝑚
𝛽𝛽= = 240
50 µ𝐴𝐴
VCE (V)
Análisis DC de circuitos con BJT
Análisis de un circuito mediante modelos matemáticos
Para utilizar los modelos anteriores debemos determinar en qué zona trabaja el transistor
Analizaremos por un lado el circuito de entrada, que será el encargado de polarizar la unión
Base-Emisor, y por otro lado, el circuito de salida que nos dará la relación entre el voltaje
Colector-Emisor y la corriente en el Colector
Procedimiento para un NPN (datos del fabricante: VBE on , VCE_SAT y β):
• Calculamos el voltaje en los extremos de la unión Base-Emisor considerando el transistor
abierto, es decir, el voltaje Thevenin equivalente VTH(BE)
• Si VTH (BE) < 0.7 -> Corte, calculamos los voltajes aplicando el modelo en corte en ambos
circuitos (entrada y salida)
• Si VTH (BE) > 0.7 -> el transistor no está en corte -> VBE on ≅ 0.7 V , suponemos zona activa y
calculamos IB en el circuito de entrada
Calculamos IC = IB · β -> IE = IC + IB y calculamos VCE en el circuito de salida
• Si VCE > VCE_SAT -> Zona activa, la suposición era correcta
• Si VCE ≤ VCE_SAT -> Zona de saturación, la suposición no era correcta. Volvemos a calcular
las corrientes y los voltajes utilizando el modelo en saturación: VBE sat ≅ 0.7V y VCE = VCE_SAT
Con transistor PNP el procedimiento es similar, usaremos VEB ≅ 0.7V y VEC = VEC sat
( VEB = - VBE y VEC sat = - VCE sat )
Análisis DC de circuitos con BJT
Análisis de un circuito mediante modelos matemáticos
Ejercicio 2
En el circuito de la figura con un transistor con 𝛽𝛽≈ 250 y VCESAT =0.2V calcula el punto
de trabajo del transistor para diferentes valores de la fuente VBB
a) VBB= 0.5 V
b) VBB= 5 V IC (mA)
RC
c) VBB= 22 V VCC
RB 86KΩ
VCE VCC/RC
IB VBE QC
Además, como no podemos rebasar ningún límite se debe cumplir Icsat < IC máx
Análisis DC de circuitos con BJT
Análisis de un circuito mediante modelos matemáticos
Ejercicio 2-> simulaciones
Aplicaciones
• Conmutador de potencia
• Amplificación
• Circuitos de regulación o protección
• Fuente de corriente
• Adaptación de impedancias
Aplicaciones
Conmutador de potencia
El punto Q del transistor BJT cambiará de corte a saturación
• CORTE: El transistor actúa como un interruptor abierto
• SATURACIÓN: El transistor actúa como un interruptor cerrado
NPN en conmutación
+V CC +VCC +VCC
+ VCC +VCC
Corte Saturación
RC IC IC sat IC sat
RC IC = 0 RC
≅
RB C C
VBB > 0.7 V
R C V CEsat V CEsat≅ 0
VBB < 0.7 V B
0V IB > 0 E E
IB = 0 E VBE sat ≅ 0.7 V
Vcc_carga Vcc_carga
Vcc_carga Vcc_carga
Emisor a
Vcc_carga
LOW/HIGH
Colector a
la carga
LOW/HIGH Salida del Salida del
controlador controlador Colector a
la carga
Salida del Salida del
controlador controlador Emisor
a GND
Aplicaciones
Conmutador de potencia
La carga que se quiere controlar se conecta en el colector del transistor
Regla nemotécnica
El transistor NPN se pone en la parte NEGATIVA de la carga
El transistor PNP se pone en la parte POSITIVA de la carga
Vcc_carga Vcc_carga
Vcc_carga Vcc_carga
+ + Emisor a
Vcc_carga
Icarga Icarga
LOW/HIGH
- - Colector a
LOW/HIGH negativo Colector a
Icontrol + Icontrol
de la carga positivo de
Icarga + la carga
Icontrol Icontrol
Icarga
Emisor Salida del
Salida del -
controlador
a GND controlador -
Controlador
• Pin salida a nivel alto (HIGH = 3.3V /5V): transistor en
Pin salida saturación, carga en ON (LED iluminado, motor en
marcha, calefactor encendido)
• Pin salida a nivel bajo (LOW = 0V): transistor en corte,
carga en OFF (LED, motor, calefactor… apagados)
GND
PNP en conmutación • Pin salida a nivel alto (HIGH = 3.3V /5V): transistor en corte, carga
Vcc carga en OFF (LED, motor, calefactor… apagados)
Vcc carga = Vcc controlador • Pin salida a nivel bajo (LOW = 0V): transistor en saturación, carga
en ON (LED iluminado, motor en marcha, calefactor encendido)
Pin salida
Controlador
GND
Aplicaciones
Conmutador de potencia
Ejemplo- 1
Diseñar un circuito para controlar el encendido de 1 metro de una tira de LEDs RGB desde 3
salidas de un microcontrolador (uC). Cada salida controlará un color (R, G y B)
La salida del uC proporciona a nivel alto Vout H = 5 V y a nivel bajo Vout L = 0 V y una corriente
máxima Ioutmax= 20 mA
La tira de LED se alimenta a 12V, las caídas de voltaje típicas en cada LED son: VF verde = VF azul = 3 V
y VF vrojo = 1.8 V
La tira está formada circuitos paralelos de 3 LEDs RGB en serie con resistencias integradas
Vcc= 5V
14.4 W/m
VDC = 12V
60 LEDs/m
IF
IG
IR SMD5050 RGB
IB
14,4 1 En un metro tenemos 60 LEDs RGB:
𝐼𝐼𝐹𝐹 𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿 = · = 20 mA • 20 circuitos en paralelo para R
12 60
12−3 ·3 • 20 circuitos en paralelo para G 3 LEDs en serie
𝐼𝐼𝐹𝐹 𝑣𝑣𝑣𝑣𝑣𝑣𝑣𝑣𝑣𝑣/ 𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎= 150 = 20 mA • 20 circuitos en paralelo para B
12−3 ·1,8 Las corrientes que encesitamos para 1 metro son:
𝐼𝐼𝐹𝐹 𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿 = 330 = 20 mA
𝐼𝐼𝑅𝑅 = 𝐼𝐼𝐺𝐺 = 𝐼𝐼𝐵𝐵 = 20 𝑚𝑚𝑚𝑚 · 20= 400 mA
Aplicaciones
Conmutador de potencia
Ejemplo- 1
Como no podemos controlar la tira de LEDs directamente desde 3 salidas del uC (Ioutmax= 20 mA )
añadiremos un circuito con un transistor en cada salida del uC (una salida para cada color)
Debemos elegir un transistor, para ello observamos que cuando el 12V
transistor esté en corte VCE = 12V. Elegimos un transistor con VCEO > 12V
Cuando el transistor esté en saturación debe circular una corriente de
400 mA, por tanto, elegimos un transistor con ICmax > 400 mA
Una vez elegido el transistor, buscamos en su datasheet el valor de βmin
400 𝑚𝑚𝑚𝑚
𝐼𝐼𝑅𝑅
𝐼𝐼1 ≥ 3 =3 = 12 mA Vcc= 5V IG
β 100
Vout
Se debe cumplir: I1 < Ioutmax uC (20 mA)
I1
RB
𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 𝐻𝐻 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠
𝑅𝑅𝐵𝐵 ≤
𝐼𝐼1 I1
GND
5 −0.8 RB
𝑅𝑅𝐵𝐵 ≤ = 350 Ω
IR
12 𝑚𝑚𝑚𝑚
I1 GND
• Cuando la salida del controlador esté a nivel alto,
Vout H = 5 V, el transistor entrará en saturación y RB IB
ese color se encenderá
GND VBE sat = 0.8V
• Cuando esté a nivel bajo, Vout L = 0 V, el transistor
estará en corte y el color se apagará
Aplicaciones
Conmutador de potencia
RELÉ electromagnético o electromecánico
Un relé, o relevador, es un componente eléctrico que también funciona como un interruptor
controlado. Sirve para activar un circuito (AC o DC) que tiene un consumo considerable de
electricidad mediante un circuito de pequeña potencia que imanta la bobina del relé
Circuito de carga
Circuito de NC (normalmente cerrado)
activación
(bobina) Circuito de carga
NO (normalmente abierto)
Transistor Relé
(dispositivo semiconductor) (dispositivo electromecánico)
Diodo de protección
(Tema -2)
Vcc= 5V
Salida del
uC
LDR
Icarga
IN (AC) RBsat
Iin= 50 nA OUT (DC)
1 KΩ
Iout max= 40 mA
IB BC547
GND
GND
1𝐾𝐾
𝑉𝑉𝑖𝑖𝑖𝑖 = 𝑅𝑅 ⋅ 3,3
𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿 +1𝐾𝐾 LED VF = 1.8 V
RELÉ
Bobina 9 V DC
R bobina 123 Ω
Análisis DC
VCC =VDC bobina
Malla de entrada Thevenin
R2+R1
Relé VTH
RLDR
LDR
𝑅𝑅1 es una resistencia variable para ajustar el voltaje umbral en el cual el
transistor pasa de conducir a no conducir
𝑅𝑅𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿 ⋅ 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶
𝑉𝑉𝑇𝑇𝑇𝑇 = RTH= (R2 +R1)//RLDR 𝑉𝑉𝑇𝑇𝑇𝑇 − 𝐼𝐼𝐵𝐵 𝑅𝑅𝑇𝑇𝑇𝑇 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 = 0
𝑅𝑅1 + 𝑅𝑅2 + 𝑅𝑅𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿
Al aumentar la iluminación disminuye el valor de 𝑅𝑅𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿
Para valores bajos de 𝑅𝑅𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿 -> 𝑉𝑉𝑇𝑇𝑇𝑇 < 0.7V y el transistor estará en corte -> carga en OFF
Al disminuir la iluminación aumenta el valor de 𝑅𝑅𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿
Para 𝑉𝑉𝑇𝑇𝑇𝑇 > 0.7V el transistor empezará a conducir, en zona activa o en saturación dependiendo del
valor de 𝑅𝑅𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿
Aunque el transistor conduzca en zona activa, el relé no conmutará hasta no alcanzar en la bobina
la corriente suficiente
Aplicaciones
Conmutador de potencia
¿Qué llevan los módulos de relés que venden hechos para Arduino?
2 relés
5VDC SRD-05VDC-SL-C Bobina VDC = 5V, Ibobina = 72 mA
Salida: DC 30V/10A, AC 250V/10A
Circuito de disparo (IN1/IN2) a nivel bajo
(LOW) con optoacoplador y transistor
Corriente disparo IIN1 = 15 -20 mA
Parte de Relé 1
control Parte de potencia
NC
C
NO
Relé 2
Optoacoplador
LED1
NC
C
NO
LED2 Optoacoplador
Anexo
Optoacoplador
Un optoacoplador es un dispositivo semiconductor que permite transmitir una señal
eléctrica entre dos circuitos aislados
Se utilizan dos partes, un LED que emite luz infrarroja y un dispositivo fotosensible que
detecta la luz del LED. Ambas partes están dentro del mismo encapsulado pero la única
conexión entre ambas partes es la luz del LED que activa al fototransistor
Se utiliza para aislar los dispositivos que trabajan con voltaje bajo de los circuitos de alto
voltaje
Aplicaciones
Conmutador de potencia
PNP en conmutación cuando Vcc carga = Vcc controlador
Ejemplo: Vcc controlador = Vcc carga = 5V
La carga se conecta entre el colector y GND
El emisor se conecta al voltaje de alimentación de la carga (Vcc carga )
IB ≠ 0 IC ≠ 0
Generalmente β2 >> 2β
Aplicaciones
Conmutador de potencia
Array Darlington ULN2003A
Es un circuito integrado (CI) con siete etapas de potencia formadas por transistores
Darlington
Cada canal permite 500 mA, para aumentar la corriente se pueden usar dos salidas en
paralelo
Diodo antiparelelo
Incluye diodos de protección
Vcc max = 50 V
para cargas inductivas
Para proteger de
voltajes de polaridad
inversa
COM
Aplicaciones
Conmutador de potencia
Puente en H (Half-H Drivers)
Ampliamente utilizado para alimentar una carga de forma
que podemos invertir el sentido de la corriente
IN2
A B Q
IN1
A 0 0 0
Q 0 1 0
ENA B AND
ENA
OUT1 OUT2 1 0 0
1 1 1
IN1
complementario HIGH= 1; LOW = 0
de IN1 ENA ENA
IN2= complementario de IN2
LOW X X - No alimentado
Anexo Datasheet
Jumper
Velocidad máxima
Aplicaciones
Amplificación
Es el proceso de incrementar linealmente la amplitud de Señal Señal
una señal eléctrica eléctrica amplificada
El objetivo es producir una salida que siga las características V(t), I(t) V(t), I(t)
de la señal de entrada pero que sea lo suficientemente
grande como para satisfacer las necesidades de la carga
conectada a ella. La amplificación puede ser en corriente,
en voltaje o en ambas
Altavoz
Amplificador
audio
Condensadores de acoplamiento
Bloquean la continua
VTH
RTH= R1//R2
𝑅𝑅2 ⋅ 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶
𝑉𝑉𝑇𝑇𝑇𝑇 =
𝑅𝑅1 + 𝑅𝑅2
Condensador de
𝑉𝑉𝑇𝑇𝑇𝑇 − 𝐼𝐼𝐵𝐵 𝑅𝑅𝑇𝑇𝑇𝑇 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 − 𝐼𝐼𝐸𝐸 𝑅𝑅𝐸𝐸 = 0
acoplamiento 𝐼𝐼𝐶𝐶 = 𝐼𝐼𝐵𝐵 β
Bloquea la continua 𝐼𝐼𝐸𝐸 = 𝐼𝐼𝐶𝐶 + 𝐼𝐼𝐵𝐵 = 𝐼𝐼𝐵𝐵 (β + 1)
𝑉𝑉𝑇𝑇𝑇𝑇 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵
𝐼𝐼𝐵𝐵 =
𝑅𝑅𝑇𝑇𝑇𝑇 + (β + 1)𝑅𝑅𝐸𝐸
Aplicaciones
Amplificador clase A
El circuito de polarización, que es el circuito de continua que se encarga de preparar el
transistor para que trabaje en zona activa, se denomina “polarización por divisor de
tensión”
Con una buena selección de resistencias, el punto de trabajo (Q) del transistor
puede estar centrado en la recta de carga y ser prácticamente independiente de las
variaciones de β (hFE)
Análisis DC
Malla de salida
𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝐼𝐼𝐶𝐶 ⋅ 𝑅𝑅𝐶𝐶 − 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐸𝐸 − 𝐼𝐼𝐸𝐸 ⋅ 𝑅𝑅𝐸𝐸 = 0
𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝐼𝐼𝐶𝐶 𝑅𝑅𝐶𝐶 − 𝐼𝐼𝐸𝐸 𝑅𝑅𝐸𝐸
Condensador de
acoplamiento
Bloquea la continua
VCC
VCE (V)
Aplicaciones
Amplificador clase A
a) Una vez diseñado dibujar la recta de carga y situar en ella el punto de trabajo
b) Una vez diseñado calcular la variación del punto Q si β vale 60 (dibujar ese
punto sobre la recta de carga)
Aplicaciones
Amplificador clase A
Ejemplo de diseño
VCC
12V Cursor 2
Cursor 1
RC vC
R1 481.2Ω
7064Ω
vin vC C2
1µF
vout
1µF
C1
vB
V3 R13 vB
hfe=100 100kΩ
RE
R2
118.8Ω vin
500mVpk 1428Ω
1kHz
0°
vout
vin vB vC vout
Cursor 1
Cursor 2
Vpp
Aplicaciones
Amplificador clase A
Ejemplo de diseño
VCC
12V Cursor 2
Cursor 1
RC vC
R1 481.2Ω
7064Ω
vin vC C2
1µF
vout
1µF
C1
vB
V3 R13 vB
hfe=100 100kΩ
RE
R2
118.8Ω vin
500mVpk 1428Ω
1kHz
0°
vout
vin vB vC vout
Cursor 1
Cursor 2
Vpp
Aplicaciones No 23-24
Amplificador clase A
Análisis aproximado para circuitos estables frente a cambios de β
Amplificador clase B
Mejora la eficiencia del amplificador clase A
Utiliza dos transistores complementarios para cada semiciclo de la señal alterna de entrada
vin , de modo que cada transistor amplifica la mitad de la forma de onda de salida vout
No hay corriente de polarización de base en continua porque el punto de trabajo (Q) de los
transistores es el corte, por lo que no hay consumo de potencia cuando Vin =0
Con fuente simétrica ±Vcc Los transistores necesitan tener
una polarización al menos de
0.65 V entre base y emisor para
empezar a conducir y amplificar
vout
Esto supone que cuando la señal
de entrada esté comprendida
entre 0.7V y -0.7V no conduzca
ningún transistor y la señal de
salida sea Vout =0
Amplificador clase AB
Para evitar el problema de la distorsión de cruce, se mueve el punto de polarización 0.7V
para que en cuanto vin sea mayor de 0V, el transistor conduzca
El amplificador clase AB es un tipo muy común en aplicaciones de potencia de audio
El nivel de polarización adecuado se ajusta con un par de diodos, cuya unión P-N es
similar a la unión B-E de los transistores
Diodos de
conmutación La salida está en fase con la entrada
rápida Vout ≅ Vin
No amplifica voltaje, amplifica corriente
Aplicaciones No 23-24
Características :
• Menor consumo para conseguir mismas potencias, gracias a su
mayor rendimiento
• Menor tamaño del amplificador
• Peor fidelidad que las clases AB o A
Aplicaciones
Amplificación con AO (amplificadores operacionales)
En determinadas aplicaciones de amplificación de tensión no se emplearán los
circuitos anteriores, se emplearán circuitos basados en un circuito integrado (CI)
denominado Amplificador Operacional (AO)
El AO está formado por decenas de transistores operando en zona activa
En el tema 5 se hablará de los AO
Generalmente los AO tienen una potencia de salida limitada (por ejemplo, algunas
decenas de mW)
AO 741